JP2008104197A5 - - Google Patents

Claims (35)

1. 第１入力電圧を第１サンプリング電圧としてサンプリングした後、前記第１入力電圧が遮断されている間に前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させる第１サンプリング回路と、
   第２入力電圧を第２サンプリング電圧としてサンプリングした後、前記第２入力電圧が遮断されている間に前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させる第２サンプリング回路と、
   前記第１サンプリング電圧および前記第２サンプリング電圧の差を出力する差動増幅回路と、
   を含むことを特徴とする容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
2. 前記第２入力電圧は前記第１入力電圧と大きさが同じで位相が逆であることを特徴とする請求項１に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
3. 前記第１サンプリング回路および前記第２サンプリング回路は同時にサンプリング動作が行われることを特徴とする請求項１または２に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
4. 前記第１サンプリング回路は、
   前記第１入力電圧を第１サンプリング電圧としてサンプリングする第１サンプリング部と、
   前記第１サンプリング部が非活性化されている間に前記第１入力電圧を第１サンプリング電圧としてサンプリングする第２サンプリング部と、
   前記第１サンプリング部および前記第２サンプリング部のいずれか一つがサンプリング動作をしている間に前記第１サンプリング電圧と大きさが同じで位相が逆の第１反転電圧をサンプリングする第１フィードバック部と、を含み、
   前記第１フィードバック部は前記第１入力電圧が遮断されている間に前記サンプリングされた第１反転電圧を前記第１サンプリング部および前記第２サンプリング部のいずれか一つに供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
5. 前記第１サンプリング部は前記第１フィードバック部から供給された前記第１反転電圧を利用して前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させることを特徴とする請求項４に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
6. 前記第２サンプリング部は前記第１フィードバック部から供給された前記第１反転電圧を利用して前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させることを特徴とする請求項４または５に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
7. 前記第２サンプリング部は、前記第１サンプリング部に前記第１フィードバック部から前記第１反転電圧が供給されている間、内部の電荷を接地電圧により放電させることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
8. 前記第１サンプリング部は、前記第２サンプリング部に前記第１フィードバック部から前記第１反転電圧が供給されている間、内部の電荷を接地電圧により放電させることを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
9. 前記第１サンプリング部および前記第２サンプリング部は交互に活性化されることにより交互にサンプリングすることを特徴とする請求項４〜８のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
10. 前記第２サンプリング回路は、
    前記第２入力電圧を第２サンプリング電圧としてサンプリングする第３サンプリング部と、
    前記第３サンプリング部が非活性化されている間に前記第２入力電圧を第２サンプリング電圧としてサンプリングする第４サンプリング部と、
    前記第３サンプリング部および前記第４サンプリング部のいずれか一つのサンプリング動作が行われている間に前記第２サンプリング電圧と大きさが同じで位相が逆の第２反転電圧をサンプリングする第２フィードバック部と、を含み、
    前記第２フィードバック部は前記第２入力電圧が遮断されている間に前記サンプリングされた第２反転電圧を前記第３サンプリング部および前記第４サンプリング部のいずれか一つに供給することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
11. 前記第３サンプリング部は前記第２フィードバック部から供給された前記第２反転電圧を利用して前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させることを特徴とする請求項１０に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
12. 前記第４サンプリング部は前記第２フィードバック部から供給された前記第２反転電圧を利用して前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させることを特徴とする請求項１０または１１に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
13. 前記第４サンプリング部は、活性化された前記第３サンプリング部に前記第２フィードバック部から前記第２反転電圧が供給されている間、内部の電荷を接地電圧により放電させることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
14. 前記第３サンプリング部は、活性化された前記第４サンプリング部に前記第２フィードバック部から前記第２反転電圧が供給されている間、内部の電荷を接地電圧により放電させることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
15. 前記第３サンプリング部および前記第４サンプリング部は交互に活性化されることにより交互にサンプリングすることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
16. 第１入力電圧を第１サンプリング電圧と第１反転電圧としてそれぞれサンプリングし、前記第１入力電圧が遮断されている間に前記第１反転電圧をフィードバックして前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させる第１サンプリング回路と、
    第２入力電圧を第２サンプリング電圧と第２反転電圧としてそれぞれサンプリングし、前記第２入力電圧が遮断されている間に前記第２反転電圧をフィードバックして前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させる第２サンプリング回路と、
    前記第１および第２サンプリング電圧の差を出力する差動増幅回路と、
    を含むことを特徴とする容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
17. 前記第２入力電圧は前記第１入力電圧と大きさが同じで、位相は逆であることを特徴とする請求項１６に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
18. 前記第１サンプリング電圧は第１反転電圧と大きさが同じで位相が逆であり、前記第２サンプリング電圧は第２反転電圧と大きさが同じで位相が逆であることを特徴とする請求項１６または１７に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
19. 前記第１サンプリング回路および前記第２サンプリング回路は同時にサンプリング動作が行われることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器。
20. 第１入力電圧を第１サンプリング電圧としてサンプリングする段階と、
    第２入力電圧を第２サンプリング電圧としてサンプリングする段階と、
    前記第１入力電圧が遮断されている間に前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させる段階と、
    前記第２入力電圧が遮断されている間に前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させる段階と、
    前記第１サンプリング電圧および前記第２サンプリング電圧の差を出力する段階と、
    を含むことを特徴とする容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
21. 前記第２入力電圧は前記第１入力電圧と大きさが同じで位相が逆であることを特徴とする請求項２０に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
22. 第１入力電圧を第１サンプリング電圧としてサンプリングする段階と第２入力電圧を第２サンプリング電圧としてサンプリングする段階は同時に行われ、前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させる段階と第２サンプリング電圧を２倍に増加させる段階は同時に行われることを特徴とする請求項２０または２１に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
23. 前記第１入力電圧を第１サンプリング電圧としてサンプリングする段階は、第１サンプリング電圧と大きさが同じで位相が逆の第１反転電圧をサンプリングする段階を含むことを特徴とする請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
24. 前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させる段階は、前記第１反転電圧をフィードバックして第１サンプリング電圧を２倍に増加させる段階を含むことを特徴とする請求項２３に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
25. 前記第１入力電圧を第１サンプリング電圧としてサンプリングする段階は、交互に活性化される第１および第２サンプリング部により交互にサンプリングされることを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
26. 第１サンプリング部または第２サンプリング部の内部の電荷は、それぞれ非活性化されている間に接地電圧により放電されることを特徴とする請求項２５に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
27. 前記第２入力電圧を第２サンプリング電圧にサンプリングする段階は、第２サンプリング電圧と大きさが同じで位相が逆の第２反転電圧をサンプリングする段階を含むことを特徴とする請求項２０〜２６のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
28. 前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させる段階は、前記第２反転電圧をフィードバックして第２サンプリング電圧を２倍に増加させる段階を含むことを特徴とする請求項２７に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
29. 前記第２入力電圧を第２サンプリング電圧としてサンプリングする段階は、交互に活性化される第３および第４サンプリング部により交互にサンプリングされることを特徴とする請求項２０〜２８のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
30. 第３サンプリング部または第４サンプリング部の内部の電荷は接地電圧により放電されることを特徴とする請求項２９に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
31. 第１入力電圧を第１サンプリング電圧と第１反転電圧としてそれぞれサンプリングする段階と、
    第２入力電圧を第２サンプリング電圧と第２反転電圧としてそれぞれサンプリングする段階と、
    前記第１入力電圧が遮断されている間に前記第１反転電圧をフィードバックして前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させる段階と、
    前記第２入力電圧が遮断されている間に前記第２反転電圧をフィードバックして前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させる段階と、
    前記第１および第２サンプリング電圧の差を出力する段階と、
    を含むことを特徴とする容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
32. 前記第２入力電圧は前記第１入力電圧と大きさが同じで位相が逆であることを特徴とする請求項３１に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
33. 前記第１サンプリング電圧は第１反転電圧と大きさが同じで位相が逆であり、前記第２サンプリング電圧は第２反転電圧と大きさが同じで位相が逆であることを特徴とする請求項３１または３２に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
34. 第１入力電圧を第１サンプリング電圧と第１反転電圧としてそれぞれサンプリングする段階と、第２入力電圧を第２サンプリング電圧と第２反転電圧としてそれぞれサンプリングする段階は同時に行われることを特徴とする請求項３１〜３３のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。
35. 前記第１サンプリング電圧を２倍に増加させる段階と、前記第２サンプリング電圧を２倍に増加させる段階は、同時に行われることを特徴とする請求項３１〜３４のいずれか一項に記載の容量素子バラツキ依存性のないスイッチドキャパシタ増幅器の動作方法。