JP2008100285A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008100285A5
JP2008100285A5 JP2007243507A JP2007243507A JP2008100285A5 JP 2008100285 A5 JP2008100285 A5 JP 2008100285A5 JP 2007243507 A JP2007243507 A JP 2007243507A JP 2007243507 A JP2007243507 A JP 2007243507A JP 2008100285 A5 JP2008100285 A5 JP 2008100285A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
laser beam
laser
forming
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007243507A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008100285A (ja
JP4954836B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007243507A priority Critical patent/JP4954836B2/ja
Priority claimed from JP2007243507A external-priority patent/JP4954836B2/ja
Publication of JP2008100285A publication Critical patent/JP2008100285A/ja
Publication of JP2008100285A5 publication Critical patent/JP2008100285A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4954836B2 publication Critical patent/JP4954836B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2007243507A 2006-09-21 2007-09-20 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4954836B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007243507A JP4954836B2 (ja) 2006-09-21 2007-09-20 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006255863 2006-09-21
JP2006255863 2006-09-21
JP2007243507A JP4954836B2 (ja) 2006-09-21 2007-09-20 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008100285A JP2008100285A (ja) 2008-05-01
JP2008100285A5 true JP2008100285A5 (https=) 2010-08-26
JP4954836B2 JP4954836B2 (ja) 2012-06-20

Family

ID=39434999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007243507A Expired - Fee Related JP4954836B2 (ja) 2006-09-21 2007-09-20 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4954836B2 (https=)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5983407B2 (ja) * 2010-09-15 2016-08-31 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法
WO2013035136A1 (ja) * 2011-09-08 2013-03-14 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法
KR102401010B1 (ko) * 2014-02-27 2022-05-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20150102180A (ko) 2014-02-27 2015-09-07 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102183530B1 (ko) * 2014-08-14 2020-11-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널
JP6134914B2 (ja) * 2014-09-08 2017-05-31 パナソニックIpマネジメント株式会社 コンフォーマルマスク材料のレーザ加工方法
KR101668629B1 (ko) * 2015-07-16 2016-10-24 포항공과대학교 산학협력단 2차원 구조의 질화물 반도체를 이용한 심자외선 발광 소자 및 그 제조 방법
CN109085152B (zh) * 2018-10-18 2024-05-14 吉林大学 一种多通道光纤式气体拉曼散射测量系统
CN111774732A (zh) * 2020-05-18 2020-10-16 武汉翔明激光科技有限公司 一种多激光头烧蚀集成控制系统及方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2658809B2 (ja) * 1992-08-27 1997-09-30 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
JP2833614B2 (ja) * 1994-06-30 1998-12-09 澁谷工業株式会社 レーザ加工機
JP3159906B2 (ja) * 1995-10-23 2001-04-23 アルプス電気株式会社 液晶表示素子の製造方法
JPH11773A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Nec Corp レーザ加工装置およびその方法
JP2003179360A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Victor Co Of Japan Ltd プリント基板の製造方法
JP4006994B2 (ja) * 2001-12-18 2007-11-14 株式会社リコー 立体構造体の加工方法、立体形状品の製造方法及び立体構造体
DE112004001527T5 (de) * 2003-08-19 2006-07-06 Electro Scientific Industries, Inc., Portland Verfahren und Lasersysteme zur Verbindungsbearbeitung unter Verwendung von Laserimpulsen mit speziell zugeschnittenen Leistungsprofilen
JP4977412B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008100285A5 (https=)
EP2772333B1 (en) Apparatus for laser processing a biological material
JP4924771B2 (ja) レーザ溶接方法及びそれを含む電池の製造方法
JP5643293B2 (ja) 太陽電池内の構造部を形成するための方法
JP4858238B2 (ja) レーザ溶接部材およびそれを用いた半導体装置
US20220314367A1 (en) Metal foil welding method
KR20160131907A (ko) 전지용 적층체의 제조 방법
JP2021528249A5 (https=)
JP2013528326A5 (ja) 太陽電池の製造方法
JP6806057B2 (ja) 切断装置
KR100956026B1 (ko) 아연도금강판의 레이저 용접방법
WO2013186862A1 (ja) 溶接装置、溶接方法、及び電池の製造方法
WO2007092716A3 (en) Laser-based method and system for processing a multi-material device having conductive links structures
WO2012149070A3 (en) Single-shot laser ablation of a metal film on a polymer membrane
JP2015217422A (ja) レーザ溶接方法
JP2012183549A (ja) SiC半導体ウェハのマーキング方法およびSiC半導体ウェハ
JP2014504804A5 (https=)
EP3764405A1 (en) Method of manufacturing a thin film photovoltaic product
JP2011233872A (ja) 金属パターン付き基板の製造方法及び金属積層体付き基板
JP2019532815A (ja) レーザ加工装置及びワークピースをレーザ加工する方法
JP2023026558A (ja) 溶接方法および溶接装置
JP2011135092A (ja) Ptc素子と金属リード要素との接続構造体の製造方法及びその製造方法に用いられるptc素子
CN109496172A (zh) 激光处理方法、接合方法、铜部件、多层印刷布线基板的制造方法及多层印刷布线基板
JP2016201359A (ja) 電気化学的発電装置の電極の切断方法
JP2009071123A (ja) チップ抵抗器の製造方法