JP2008098335A - 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】VCSELは、基板102上に、n型の下部DBR106、活性層108b、電流狭窄層110、p型上部DBR112、p型GaAsコンタクト層114を積層し、コンタクト層114上にレーザ光の出射領域を規定する開口部132を含むp側上部電極130が形成されている。DBRは、アルミニウムの組成の異なるAlxGa1-xAs層(0≦x≦1)とAlyGa1-yAs層(0≦y≦1、x<y)とを交互に積層し、AlxGa1-xAs層のバンドギャップエネルギーと活性層のバンドギャップエネルギーとの差分Sが、0.1eV≦S≦0.3eVである。
【選択図】図3
Description
104:バッファ層 106:下部DBR
108:活性領域 110:電流狭窄層
112:上部DBR
112a:Al組成の高いAlGaAs層
112b:Al組成の低いAlGaAs層
112c:最上層のAlGaAs層
114:コンタクト層 116:溝
118:パッド形成領域 120:層間絶縁膜
130:p側上部電極 132:開口
134:電極パッド 136:配線電極
150:n側下部電極 P:ポスト
Claims (19)
- 基板上に、少なくとも第1導電型の第1の半導体多層膜、活性層および第1の半導体多層膜とともに共振器を構成する第2導電型の第2の半導体多層膜が形成された面発光型半導体レーザであって、
第1および第2の半導体多層膜は、アルミニウムの組成の異なるAlxGa1-xAs層(0≦x≦1)とAlyGa1-yAs層(0≦y≦1、x<y)とを交互に積層した半導体膜を含み、
AlxGa1-xAs層のバンドギャップエネルギーと活性層の組成で決まる利得ピーク波長のエネルギーとの差分Sは、0.1eV≦S≦0.3eVの関係にある、面発光型半導体レーザ。 - 面発光型半導体レーザはさらに、第2の半導体多層膜の最上層であるAlxGa1-xAs層上に第2導電型のコンタクト層を含み、レーザ光の発振波長をλとしたとき、前記最上層とコンタクト層とを合わせた光学膜厚Tが、0.15λ≦T<0.25λである、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記最上層の膜厚は1/4λ未満であり、前記最上層を除く第2の半導体多層膜のAlxGa1-xAs層とAlyGa1-yAs層の膜厚は、それぞれ1/4λである、請求項2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 面発光型半導体レーザはさらに、コンタクト層上にレーザ光を出射する開口部が形成された金属層を含む、請求項2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記活性層は、GaAs、AlGaAsまたはInGaAsの量子井戸層および障壁層を含む、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 面発光型半導体レーザはさらに、コンタクト層と基板との間に電流狭窄層を含み、電流狭窄層は、高抵抗領域と当該高抵抗領域によって囲まれた導電領域を含む、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 少なくとも第2の半導体多層膜および電流狭窄層を含むポストが基板上に形成され、電流狭窄層の高抵抗領域は、ポスト側面から酸化された酸化領域である、請求項6記載の面発光型半導体レーザ。
- 発振波長λは、780nm帯、850nm帯、または980nm帯のいずれかである、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 面発光型半導体レーザはさらに、第1および第2の半導体多層膜に電気的に接続された第1および第2の電極を含み、第1および第2の電極には駆動回路から一定の駆動電流が供給される、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと光学部材を実装したモジュール。
- 請求項10に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を光媒体を介して送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
- 請求項10に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
- 請求項10に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を送信する送信手段とを備えた、光送信システム。
- 請求項10に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送システム。
- 面発光型半導体レーザの製造方法であって、
基板上に、AlxGa1-xAs層(0≦x≦1)とAlyGa1-yAs層(0≦y≦1、x<y)とを交互に積層した第1導電型の第1の半導体多層膜を形成するステップと、
第1の半導体多層膜上に活性層を形成するステップと、
活性層上に、AlxGa1-xAs層(0≦x≦1)とAlyGa1-yAs層(0≦y≦1、x<y)とを交互に積層した第2導電型の第2の半導体多層膜を形成するステップとを有し、
AlxGa1-xAs層のバンドギャップエネルギーと活性層の組成で決まる利得ピーク波長のエネルギーとの差分Sが0.1eV≦S≦0.3eVである、面発光型半導体レーザの製造方法。 - 製造方法はさらに、第2の半導体多層膜の最上層であるAlxGa1-xAs層上に第2導電型のコンタクト層を形成するステップを含み、レーザ光の発振波長をλとしたとき、前記最上層とコンタクト層とを合わせた光学膜厚Tが、0.15λ≦T<0.25λである、請求項15に記載の製造方法。
- 前記最上層の膜厚は1/4λ未満であり、前記最上層を除く第2の半導体多層膜のAlxGa1-xAs層とAlyGa1-yAs層の膜厚は、それぞれ1/4λである、請求項16に記載の製造方法。
- 製造方法はさらに、コンタクト層上にレーザ光の出射領域を規定する開口部を含む金属層を形成するステップを含む、請求項17に記載の面発光型半導体レーザの製造方法。
- 前記製造方法はさらに、電流狭窄層を形成するステップと、基板上に形成された半導体層をエッチングして基板上にポストを形成するステップと、ポスト側面から電流狭窄層の外縁を酸化するステップとを含む、請求項15に記載の製造方法。
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