JPH04234183A - 面型光半導体素子 - Google Patents
面型光半導体素子Info
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- JPH04234183A JPH04234183A JP41692890A JP41692890A JPH04234183A JP H04234183 A JPH04234183 A JP H04234183A JP 41692890 A JP41692890 A JP 41692890A JP 41692890 A JP41692890 A JP 41692890A JP H04234183 A JPH04234183 A JP H04234183A
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- multilayer film
- semiconductor
- semiconductor multilayer
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光伝送や光情報処理に用
いられる円筒状垂直キャビティ面発光半導体レーザなど
の面型光半導体素子に関する。
いられる円筒状垂直キャビティ面発光半導体レーザなど
の面型光半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板に垂直な方向に発振する面発
光半導体レーザなどの面型光半導体素子はコンピュータ
間のデータ伝送や、光コンピューティングに欠かせない
キーデバイスとなる。面発光半導体レーザとしては従来
の基板に水平に発振する半導体レーザで、端面に４５°
ミラーを形成し、それによって発振光を垂直方向に折り
曲げて出すものがあるが、ここでいう面発光半導体レー
ザは本当に基板に垂直な方向に光を行き来させて発振さ
せるレーザをいう。
光半導体レーザなどの面型光半導体素子はコンピュータ
間のデータ伝送や、光コンピューティングに欠かせない
キーデバイスとなる。面発光半導体レーザとしては従来
の基板に水平に発振する半導体レーザで、端面に４５°
ミラーを形成し、それによって発振光を垂直方向に折り
曲げて出すものがあるが、ここでいう面発光半導体レー
ザは本当に基板に垂直な方向に光を行き来させて発振さ
せるレーザをいう。
【０００３】この様な従来の面発光半導体レーザとして
は、例えば、エレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．）の２５巻、２０号、１９８９年の
１３７７〜１３７８頁に内容が詳述されている。この面
発光半導体レーザは、円筒状の垂直キャビティを有し、
その垂直キャビティ内において活性層は上下の半導体多
層膜によって挟まれている。このように円筒状の垂直キ
ャビティを有する従来の面発光半導体レーザの断面構造
を図３に示す。同図に於いて、１００Å厚のＩｎＧａＡ
ｓ（λ≒９８０ｎｍ）歪量子井戸から成る活性層３２６
の上下にはｐ型半導体多層膜３２５とｎ型半導体多層膜
３２７が形成され、それらがレーザ発振用の反射鏡とな
って、レーザ発振が起こる。図３では光がＧａＡｓから
成るｎ型半導体基板３２８を通して、下側に出てくる。 ｐ型半導体多層膜３２５はλ／４厚（λは媒質内波長）
から成るｐ−ＡｌＡｓ３１７，３１５，３１３，…と、
これもλ／４厚から成るｐ−ＧａＡｓ３１６，３１４が
、１５．５ペア交互に積層されて形成されている。ｎ型
半導体多層膜３２７は、λ／４厚から成るｎ−ＡｌＡｓ
３１８，３２０，３２２と、これもλ／４厚から成るｎ
−ＧａＡｓ３１９，３２１が２４．５ペア交互に積層さ
れて形成されている。３２４はＣｒｌＡｕから成るｐ型
電極であり、通常コンタクトを取るために行うアロイは
していない。 その理由は、９８％近い反射率を有するＡｕをｐ型半導
体多層膜３２５の上につけることで、ｐ型半導体多層膜
の層数を減らせられるからである。共振器長が短い垂直
キャビティ面発光半導体レーザでは、上下の反射鏡の反
射率を９９．９％近くに上げる必要があり、そうしない
としきい値電流が上昇してしまう。半導体多層膜だけで
、高反射率のミラーを形成しようとすると、全体の層厚
が厚くなり、上下に段差が生じてプロセスが難しくなる
。図３の様に上部にノンアロイのＡｕをつけておけば、
それによってｐ型半導体多層膜３２５の層数が減らせら
れ、全体の高さを低く抑えることができる。３３０はｐ
−ＧａＡｓから成る位相補償用の半導体層である。
は、例えば、エレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．）の２５巻、２０号、１９８９年の
１３７７〜１３７８頁に内容が詳述されている。この面
発光半導体レーザは、円筒状の垂直キャビティを有し、
その垂直キャビティ内において活性層は上下の半導体多
層膜によって挟まれている。このように円筒状の垂直キ
ャビティを有する従来の面発光半導体レーザの断面構造
を図３に示す。同図に於いて、１００Å厚のＩｎＧａＡ
ｓ（λ≒９８０ｎｍ）歪量子井戸から成る活性層３２６
の上下にはｐ型半導体多層膜３２５とｎ型半導体多層膜
３２７が形成され、それらがレーザ発振用の反射鏡とな
って、レーザ発振が起こる。図３では光がＧａＡｓから
成るｎ型半導体基板３２８を通して、下側に出てくる。 ｐ型半導体多層膜３２５はλ／４厚（λは媒質内波長）
から成るｐ−ＡｌＡｓ３１７，３１５，３１３，…と、
これもλ／４厚から成るｐ−ＧａＡｓ３１６，３１４が
、１５．５ペア交互に積層されて形成されている。ｎ型
半導体多層膜３２７は、λ／４厚から成るｎ−ＡｌＡｓ
３１８，３２０，３２２と、これもλ／４厚から成るｎ
−ＧａＡｓ３１９，３２１が２４．５ペア交互に積層さ
れて形成されている。３２４はＣｒｌＡｕから成るｐ型
電極であり、通常コンタクトを取るために行うアロイは
していない。 その理由は、９８％近い反射率を有するＡｕをｐ型半導
体多層膜３２５の上につけることで、ｐ型半導体多層膜
の層数を減らせられるからである。共振器長が短い垂直
キャビティ面発光半導体レーザでは、上下の反射鏡の反
射率を９９．９％近くに上げる必要があり、そうしない
としきい値電流が上昇してしまう。半導体多層膜だけで
、高反射率のミラーを形成しようとすると、全体の層厚
が厚くなり、上下に段差が生じてプロセスが難しくなる
。図３の様に上部にノンアロイのＡｕをつけておけば、
それによってｐ型半導体多層膜３２５の層数が減らせら
れ、全体の高さを低く抑えることができる。３３０はｐ
−ＧａＡｓから成る位相補償用の半導体層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３の従来例に於ける
問題点は反射鏡として作用する半導体多層膜での光吸収
が発振しきい値に影響を及ぼし、しきい値を上昇させる
点にあった。図３ではレーザ光の波長は９８０ｎｍで、
活性層３２６、周囲のクラッド層や半導体多層膜はそれ
よりもバンドギャップ波長の大きい材料で形成されてい
るので、一見してそこでの光吸収は、問題にならないよ
うに思えるが、実際は効く。そこでの光吸収の原因は主
としてフリー・キャリア吸収による。フリー・キャリア
吸収αｆｃ（ｃｍ−１）は αｆｃ≒３×１０−１８ ｎ＋７×１０−１８ ｐ…（
１）で表わせられる。（１）式で、ｎ，ｐはそれぞれｃ
ｍ−３単位で表わした電子と正孔の密度である。図３で
はｎ型半導体多層膜３２７は２４．５ペア、ｐ型半導体
多層膜３２５は１５．５ペア形成されており、厚さにす
るとそれぞれ約３．６９μｍ，２．２６μｍとなる。そ
して、キャリア濃度はｐ型半導体多層膜３２５ではＡｌ
Ａｓ，ＧａＡｓも共に２×１０１８ｃｍ−３である。ま
た、ｎ型半導体多層膜３２７も共に２×１０１８ｃｍ−
３であるが、ＡｌＡｓの層で実際に活性化して有効に効
くキャリア密度はそれ以下になっている。レーザの発振
しきい値Ｉｔｈは光吸収損失とミラー損失の和で決まり
、また微分量子効率ηＤ はそれらの比で決まる。図３
では光吸収損失とミラー損失は、同じオーダの値となる
ように設計されているがηＤ を数１０％と実用上で必
要な値を得るにはそのことが必要となる。
問題点は反射鏡として作用する半導体多層膜での光吸収
が発振しきい値に影響を及ぼし、しきい値を上昇させる
点にあった。図３ではレーザ光の波長は９８０ｎｍで、
活性層３２６、周囲のクラッド層や半導体多層膜はそれ
よりもバンドギャップ波長の大きい材料で形成されてい
るので、一見してそこでの光吸収は、問題にならないよ
うに思えるが、実際は効く。そこでの光吸収の原因は主
としてフリー・キャリア吸収による。フリー・キャリア
吸収αｆｃ（ｃｍ−１）は αｆｃ≒３×１０−１８ ｎ＋７×１０−１８ ｐ…（
１）で表わせられる。（１）式で、ｎ，ｐはそれぞれｃ
ｍ−３単位で表わした電子と正孔の密度である。図３で
はｎ型半導体多層膜３２７は２４．５ペア、ｐ型半導体
多層膜３２５は１５．５ペア形成されており、厚さにす
るとそれぞれ約３．６９μｍ，２．２６μｍとなる。そ
して、キャリア濃度はｐ型半導体多層膜３２５ではＡｌ
Ａｓ，ＧａＡｓも共に２×１０１８ｃｍ−３である。ま
た、ｎ型半導体多層膜３２７も共に２×１０１８ｃｍ−
３であるが、ＡｌＡｓの層で実際に活性化して有効に効
くキャリア密度はそれ以下になっている。レーザの発振
しきい値Ｉｔｈは光吸収損失とミラー損失の和で決まり
、また微分量子効率ηＤ はそれらの比で決まる。図３
では光吸収損失とミラー損失は、同じオーダの値となる
ように設計されているがηＤ を数１０％と実用上で必
要な値を得るにはそのことが必要となる。
【０００５】したがって、半導体多層膜での光吸収損失
が減らせられれば、反射率を上げる（すなわち層数を増
やす）、ことによってηＤ を維持したままＩｔｈを下
げられることになる。ところが、半導体多層膜では層数
を増やして反射率を上げようとすると、そこでの光吸収
損失もこれに比例して増えてしまうという問題があった
。
が減らせられれば、反射率を上げる（すなわち層数を増
やす）、ことによってηＤ を維持したままＩｔｈを下
げられることになる。ところが、半導体多層膜では層数
を増やして反射率を上げようとすると、そこでの光吸収
損失もこれに比例して増えてしまうという問題があった
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の面型光半導体素
子は、半導体基板の上に形成され半導体多層膜反射鏡を
下部に有し、第２導電型の多層膜反射鏡を上部に有し、
それらの反射鏡の間にレーザ発振用半導体活性層を有す
る面型光半導体素子に於いて、前記半導体多層膜反射鏡
で前記レーザ発振用半導体活性層に近い側は、前記第２
導電型とは反対の第１導電型とし、また残りはノンドー
プとし、前記半導体多層膜で第１導電型とした部分に通
電用の電極が形成されていることを特徴とする。
子は、半導体基板の上に形成され半導体多層膜反射鏡を
下部に有し、第２導電型の多層膜反射鏡を上部に有し、
それらの反射鏡の間にレーザ発振用半導体活性層を有す
る面型光半導体素子に於いて、前記半導体多層膜反射鏡
で前記レーザ発振用半導体活性層に近い側は、前記第２
導電型とは反対の第１導電型とし、また残りはノンドー
プとし、前記半導体多層膜で第１導電型とした部分に通
電用の電極が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
【作用】電流は半導体多層膜の全てを貫通せずに流すよ
うにする。本発明によれば電流経路となる所はドーピン
グして第１導電型とするが、残りはノンドープとするこ
とができる。それによって上下方向に行き来する光に対
して半導体多層膜中での光吸収を小さくでき、低しきい
値化が達成できる。
うにする。本発明によれば電流経路となる所はドーピン
グして第１導電型とするが、残りはノンドープとするこ
とができる。それによって上下方向に行き来する光に対
して半導体多層膜中での光吸収を小さくでき、低しきい
値化が達成できる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。１２６はＩｎＧａＡｓ（λ＝０．９８μｍ）から
成る活性層で、それがλ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ１１３と
ｐ−ＧａＡｓ１１４から成る１５．５ペアのｐ型半導体
多層膜１２５と、λ／４厚でｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−
ＧａＡｓ１１８の２ペアの繰り返しから成り、更にその
下にノンドープＡｌＡｓ１１９とノンドープＧａＡｓ１
２０の２２．５ペアの繰り返しから成るｎ型半導体多層
膜１２７とで挟まれている。ｐ−ＡｌＡｓ１１３とｐ−
ＧａＡｓ１１４はＢｅドープでドープ濃度は２×１０１
８ｃｍ−３である。ｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−ＧａＡｓ
１１８はＳｉドープで、ドープ濃度は２×１０１８ｃｍ
−３である。 ノンドープ領域１１６はｐ− でキャリア濃度は１×１
０１５ｃｍ−３である。ＭＢＥ法で半導体層をエピタキ
シャル成長しているが、ノンドープ層はｐ− となる。 １２４はＣｒ／Ａｕから成るｐ型電極で、ｐ−ＧａＡｓ
１３０は位相補償用に挿入した半導体層である。ｎ型電
極１２３と１２９はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成り、図１
ではメサの両側に２個ある様に描いてあるがリング状（
内径４０μｍφ）の形をしている。また、ｐ型半導体多
層膜１２５とｎ型半導体多層膜１２７の間隔は媒質内波
長λの整数倍にする必要があるが、この実施例ではλと
した。メサ径は３０μｍφでＨＣｌとＨ２ Ｏ２ をベ
ースにしたエッチング液を使って、図１の様にｎ−Ｇａ
Ａｓ１１８の表面でエッチングを止めた。ＡｌＡｓとＧ
ａＡｓではエッチングの選択がとれ、ＡＬＡｓはＧａＡ
ｓに比べて非常に速くエッチングされる。ウエハーの色
の変化を見ていれば図１の様な所でエッチングを止める
ことは極めて容易にできる。図１の実施例では電流はｐ
型電極１２４よりｎ−ＡｌＡｓ１１７，ｎ−ＧａＡｓ１
１８を通ってｎ型電極１２３，１２９に流れる。一方、
光はｎ型半導体多層膜１２７の全体を見ることになるが
、２４．５ペア中、２２．５ペアはノンドープ領域１１
６となっているので、光吸収損失はぐっと減らされるこ
とになり、しきい値電流の低減が可能となった。
ある。１２６はＩｎＧａＡｓ（λ＝０．９８μｍ）から
成る活性層で、それがλ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ１１３と
ｐ−ＧａＡｓ１１４から成る１５．５ペアのｐ型半導体
多層膜１２５と、λ／４厚でｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−
ＧａＡｓ１１８の２ペアの繰り返しから成り、更にその
下にノンドープＡｌＡｓ１１９とノンドープＧａＡｓ１
２０の２２．５ペアの繰り返しから成るｎ型半導体多層
膜１２７とで挟まれている。ｐ−ＡｌＡｓ１１３とｐ−
ＧａＡｓ１１４はＢｅドープでドープ濃度は２×１０１
８ｃｍ−３である。ｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−ＧａＡｓ
１１８はＳｉドープで、ドープ濃度は２×１０１８ｃｍ
−３である。 ノンドープ領域１１６はｐ− でキャリア濃度は１×１
０１５ｃｍ−３である。ＭＢＥ法で半導体層をエピタキ
シャル成長しているが、ノンドープ層はｐ− となる。 １２４はＣｒ／Ａｕから成るｐ型電極で、ｐ−ＧａＡｓ
１３０は位相補償用に挿入した半導体層である。ｎ型電
極１２３と１２９はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成り、図１
ではメサの両側に２個ある様に描いてあるがリング状（
内径４０μｍφ）の形をしている。また、ｐ型半導体多
層膜１２５とｎ型半導体多層膜１２７の間隔は媒質内波
長λの整数倍にする必要があるが、この実施例ではλと
した。メサ径は３０μｍφでＨＣｌとＨ２ Ｏ２ をベ
ースにしたエッチング液を使って、図１の様にｎ−Ｇａ
Ａｓ１１８の表面でエッチングを止めた。ＡｌＡｓとＧ
ａＡｓではエッチングの選択がとれ、ＡＬＡｓはＧａＡ
ｓに比べて非常に速くエッチングされる。ウエハーの色
の変化を見ていれば図１の様な所でエッチングを止める
ことは極めて容易にできる。図１の実施例では電流はｐ
型電極１２４よりｎ−ＡｌＡｓ１１７，ｎ−ＧａＡｓ１
１８を通ってｎ型電極１２３，１２９に流れる。一方、
光はｎ型半導体多層膜１２７の全体を見ることになるが
、２４．５ペア中、２２．５ペアはノンドープ領域１１
６となっているので、光吸収損失はぐっと減らされるこ
とになり、しきい値電流の低減が可能となった。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。垂直共振器型ＶＳＴＥＰとよばれる素子で、ｐ
ｎ ｐｎ 構造が上下方向に形成されており、高インピ
ーダンスのＯＦＦ状態、低インピーダンスのＯＮ状態と
２つの安定状態が電流−電圧特性に表われる。この素子
は下方向からの光入射によってスイッチングし、ＯＦＦ
からＯＮになると、レーザ発振し、下方向に光が出る。 レーザ発振を起こすために、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８
Ａｓから成る活性層２０５が内部に形成されている。ｐ
型半導体多層膜２０８とｎ型半導体多層膜２０２は、上
下方向に共振器を形成するための反射鏡として作用する
。ｐ型半導体多層膜２０８は１５．５ペア、ｎ型半導体
多層膜２０２は２４．５ペア形成されている。ｎ型半導
体多層膜２０２の内、２ペアはｎドープ領域２２０（Ｓ
Ｔ，２×１０１８ｃｍ−３）となっており、残りの下部
にある２２．５ペアはノンドープ領域２２１となってい
る。ＩｎＧａＡｓ活性層２０５を含むメサの径は３０μ
ｍφでｐ型電極２１５はＣｒ／Ａｕから成り、ｎ型電極
２１６，２１７はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成る。ｎ型電
極２１６，２１７は実際には図１の場合と同様にリング
状をしておりその内径は４０μｍφであり、ＯＮ状態に
於ける発振しきい値電流の大幅な低減が可能になった。
である。垂直共振器型ＶＳＴＥＰとよばれる素子で、ｐ
ｎ ｐｎ 構造が上下方向に形成されており、高インピ
ーダンスのＯＦＦ状態、低インピーダンスのＯＮ状態と
２つの安定状態が電流−電圧特性に表われる。この素子
は下方向からの光入射によってスイッチングし、ＯＦＦ
からＯＮになると、レーザ発振し、下方向に光が出る。 レーザ発振を起こすために、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８
Ａｓから成る活性層２０５が内部に形成されている。ｐ
型半導体多層膜２０８とｎ型半導体多層膜２０２は、上
下方向に共振器を形成するための反射鏡として作用する
。ｐ型半導体多層膜２０８は１５．５ペア、ｎ型半導体
多層膜２０２は２４．５ペア形成されている。ｎ型半導
体多層膜２０２の内、２ペアはｎドープ領域２２０（Ｓ
Ｔ，２×１０１８ｃｍ−３）となっており、残りの下部
にある２２．５ペアはノンドープ領域２２１となってい
る。ＩｎＧａＡｓ活性層２０５を含むメサの径は３０μ
ｍφでｐ型電極２１５はＣｒ／Ａｕから成り、ｎ型電極
２１６，２１７はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成る。ｎ型電
極２１６，２１７は実際には図１の場合と同様にリング
状をしておりその内径は４０μｍφであり、ＯＮ状態に
於ける発振しきい値電流の大幅な低減が可能になった。
【００１０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、半導
体多層膜中での光吸収損失を減らし、面方向へのレーザ
発振のしきい値電流を減らすことが可能な面型光半導体
素子が実現できる。
体多層膜中での光吸収損失を減らし、面方向へのレーザ
発振のしきい値電流を減らすことが可能な面型光半導体
素子が実現できる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の別の実施例を示す断面図。
【図３】従来の面型光半導体素子を示す断面図。
１２８，３２８ ｎ型半導体基板１２７，２０２
，３２７ ｎ型半導体多層膜１２３，１２９，２
１６，２１７，３２３，３２９ ｎ型電極 １２６，３２６ 活性層 １２５，２０８，３２５ ｐ型半導体多層膜１３
０，２１４，３３０ ｐ−ＧａＡｓ１２４，２１
５，３２４ ｐ型電極１１３，２１８，３１３，
３１５，３１７ ｐ−ＡｌＡｓ １１４，２１９，３１４，３１６ ｐ−ＧａＡｓ
１１７，２２０，３２２，３２０，３１８ ｎ−
ＡｌＡｓ １１８，２２１，３２１，３１９ ｎ−ＧａＡｓ
１１５，２２０ ｎドープ領域 １１６，２２１ ノンドープ領域１１９，２２２
ノンドープＡｌＡｓ１２０，２２３ ノ
ンドープＧａＡｓ２２４ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２０３ ｐ−ＧａＡｓ ２０４，２０６ ｉ−ＧａＡｓ ２０５ ＩｎＧａＡｓ活性層 ２０７ ｎ−ＧａＡｓ
，３２７ ｎ型半導体多層膜１２３，１２９，２
１６，２１７，３２３，３２９ ｎ型電極 １２６，３２６ 活性層 １２５，２０８，３２５ ｐ型半導体多層膜１３
０，２１４，３３０ ｐ−ＧａＡｓ１２４，２１
５，３２４ ｐ型電極１１３，２１８，３１３，
３１５，３１７ ｐ−ＡｌＡｓ １１４，２１９，３１４，３１６ ｐ−ＧａＡｓ
１１７，２２０，３２２，３２０，３１８ ｎ−
ＡｌＡｓ １１８，２２１，３２１，３１９ ｎ−ＧａＡｓ
１１５，２２０ ｎドープ領域 １１６，２２１ ノンドープ領域１１９，２２２
ノンドープＡｌＡｓ１２０，２２３ ノ
ンドープＧａＡｓ２２４ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２０３ ｐ−ＧａＡｓ ２０４，２０６ ｉ−ＧａＡｓ ２０５ ＩｎＧａＡｓ活性層 ２０７ ｎ−ＧａＡｓ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の上に形成され半導体多層
膜反射鏡を下部に有し、第２導電型の多層膜反射鏡を上
部に有し、それらの反射鏡の間にレーザ発振用半導体活
性層を有する面型光半導体素子に於いて、前記半導体多
層膜反射鏡で、前記レーザ発振用半導体活性層に近い側
は前記第２導電型とは反対の第１導電型とし、また残り
はノン・ドープとし、前記半導体多層膜で第１導電型と
した部分に通電用の電極が形成されていることを特徴と
する面型光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41692890A JP2500529B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面型光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP41692890A JP2500529B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面型光半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234183A true JPH04234183A (ja) | 1992-08-21 |
| JP2500529B2 JP2500529B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=18525103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41692890A Expired - Lifetime JP2500529B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面型光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500529B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181391A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-07-12 | Nec Corp | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光情報処理装置 |
| JP2005354061A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Agilent Technol Inc | 熱伝導率の高い垂直共振器型面発光レーザ |
| JP2008098335A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2010027697A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光半導体レーザ |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP41692890A patent/JP2500529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181391A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-07-12 | Nec Corp | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光情報処理装置 |
| JP2005354061A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Agilent Technol Inc | 熱伝導率の高い垂直共振器型面発光レーザ |
| JP2008098335A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2010027697A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2500529B2 (ja) | 1996-05-29 |
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