JP2008095060A5

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Publication number: JP2008095060A5
Application number: JP2007028883A
Authority: JP
Filing date: 2007-02-08
Publication date: 2008-12-18
Anticipated expiration: 2027-02-08

Claims

水溶性導電性高分子、溶媒及びポリペプチド構造を有する水溶性高分子を含む帯電防止剤。
水溶性高分子が式（１０)ａ

（式中、Ｒ，Ｒ’は、アミノ酸残基を構成する置換基を表わし、Ｒ’が水素原子のときは、Ｒは独立してアミノ酸残基を構成する置換基を表し、Ｒ’が水素原子でないときは、ＲとＲ’は協力して、水酸基で置換されていてもよい含窒素環を形成して、アミノ酸残基（１０)ａはアミノ酸残基（１０)ａ’

（式中、Ｗ^aは、式−(ＣＲ^aＲ^b)ｎ−で示されるポリメチレン基を表し、置換基Ｒ^a，Ｒ^bはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、または水酸基を表わし、ｎは２〜８の整数を表す。）であってもよい。）で示される化学構造を繰り返し構造として有する、請求項１に記載の帯電防止剤。
ポリペプチド構造を有する水溶性高分子が、タンパク質加水分解物である請求項１または２に記載の帯電防止剤。
更に、界面活性剤を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子0.1〜２０質量％、ポリペプチド構造を有する水溶性高分子0.0001〜１０質量％及び溶媒70.0〜99.8質量％を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子0.1〜２０質量％、ポリペプチド構造を有する水溶性高分子を0.0001〜１０質量％、界面活性剤0.0001〜２質量％及び溶媒68.0〜99.8質量％含む請求項４に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子がブレンステッド酸基またはその塩を有するπ共役系導電性高分子である請求項１〜６のいずれか１項に記載の帯電防止剤。
ブレンステッド酸基がスルホン酸基である請求項７に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子が、下記式（１）

（式中、ｍ、ｎは、それぞれ独立して、０または１を表わす。Ｘは、Ｓ、Ｎ−Ｒ¹（Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の炭化水素基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選択される基を表わす。）、またはＯのいずれかを表わし、Ａは、−Ｂ−ＳＯ₃ ^-Ｍ⁺で表わされる置換基を少なくとも１つ有し、かつその他の置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキレンまたはアルケニレン基（二重結合は２つ以上有していてもよい。）を表わし、Ｂは、−（ＣＨ₂）_p−（Ｏ）_q−（ＣＨ₂）_r−を表わし、ｐ及びｒは、それぞれ独立して、０または１〜３の整数を表わし、ｑは０または１を表わす。Ｍ⁺は、水素イオン、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表わす。）で示される化学構造を含む請求項８に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子が、下記式（２）

（式中、Ｒ²〜Ｒ⁴は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の炭化水素基、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、フェニル基、置換フェニル基、または−Ｂ−ＳＯ₃ ^-Ｍ⁺基を表わす。Ｂは、−（ＣＨ₂）_p−（Ｏ）_q−（ＣＨ₂）_r−を表わし、ｐ及びｒは、それぞれ独立して、０または１〜３の整数を表わし、ｑは０または１を表わす。Ｍ⁺は、水素イオン、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表わす。）で示される化学構造を含む請求項８に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子が、下記式（３）

（式中、Ｒ⁵は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の炭化水素基、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、フェニル基、置換フェニル基、または−Ｂ−ＳＯ₃ ^-Ｍ⁺基を表わし、Ｂは、−（ＣＨ₂）_p−（Ｏ）_q−（ＣＨ₂）_r−を表わし、ｐ及びｒは、それぞれ独立して、０または１〜３の整数を表わし、ｑは０または１を表わす。Ｍ⁺は、水素イオン、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表わす。）で示される化学構造を含む請求項８に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子が、下記式（４）

（式中、Ｒ⁶とＲ⁷は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の炭化水素基、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、フェニル基、置換フェニル基、または−Ｂ−ＳＯ₃ ^-Ｍ⁺基を表わし、Ｒ⁸は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の炭化水素基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選択される一価の基を表わし、Ｂは、−（ＣＨ₂）_p−（Ｏ）_q−（ＣＨ₂）_r−を表わし、ｐ及びｒは、それぞれ独立して、０または１〜３の整数を表わし、ｑは０または１を表わす。Ｍ⁺は、水素イオン、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表わす。）で示される化学構造を含む請求項８に記載の帯電防止剤。
水溶性導電性高分子が、５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルを含む重合体である請求項１０に記載の帯電防止剤。
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の帯電防止剤を用いて得られる帯電防止膜。
請求項１４に記載の帯電防止膜で被覆して得られる被覆物品。
被覆表面が下地基板に塗布した感光性組成物もしくは感荷電粒子線組成物である請求項１５に記載の被覆物品。
請求項１４に記載の帯電防止膜を用いることを特徴とするパターン形成方法。