JP2008072121A - 高qインダクタを備えた集積受動デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カバー基板は、次にベース基板に反転して接合され、したがって、インダクタの2つの部分を嵌め合わせる。この手法を使用して、2層のインダクタが複層基板を使用せずに構築可能である。2つの2層基板を使用することにより、4層のフリップ接合2重基板インダクタが形成される。
【選択図】図1
Description
最新技術の無線周波数(RF)電気回路は、大量のインダクタを使用する。これらの回路の多くは、ハンド・ヘルドの無線製品に使用される。したがって、受動デバイスおよび受動デバイス回路の小型化がRFデバイス技術においては重要な目標となる。
図3〜7には、本発明のフリップ接合2重基板インダクタの形成に有用な工程を示す。完成したインダクタが図8に示されている。
本発明の様々なさらなる変更が当業者には思い当たるであろう。当技術分野を進歩させてきた原理およびそれらの均等物に基本的に依存する本明細書の特定の教示から逸脱したすべてのものは、説明し、主張したように、本発明の範囲内で適切にみなされる。
Claims (21)
- a.ベース基板のベース基板表面上に第1のインダクタ本体部分を形成する工程であって、前記第1のインダクタ本体部分が第1の幾何学的形状部を有する、工程と、
b.前記第1のインダクタ本体部分上に第1の誘電体層を形成する工程と、
c.カバー基板のカバー基板表面上に第2のインダクタ本体部分を形成する工程であって、前記カバー基板上の前記第2のインダクタ本体部分が前記第1の幾何学的形状部の少なくとも部分的な鏡像である幾何学的形状部を有する、工程と、
d.前記第2のインダクタ本体部分上に誘電体層を形成する工程と、
e.前記第1のインダクタ本体部分と前記第2のインダクタ本体部分とを電気的に相互接続する電気的に導電性の接着剤を使用して前記ベース基板表面を前記カバー基板表面に接着する工程と、
を含むフリップ接合2重基板インダクタを形成する方法。 - 前記ベース基板がシリコンである、請求項1に記載の方法。
- 前記カバー基板がシリコンである、請求項2に記載の方法。
- 前記カバー基板がガリウム砒素である、請求項2に記載の方法。
- 前記ベース基板および前記カバー基板が異なる材料からなる、請求項1に記載の方法。
- 前記ベース基板表面を前記カバー基板表面に接着する前記工程が接着材料としてはんだを使用する、請求項1に記載の方法。
- 前記ベース基板表面を前記カバー基板表面に接着する前記工程が一方または両方の基板に、はんだバンプを適用する工程を含む、請求項6に記載の方法。
- 前記幾何学的形状部が弧または角を有し、前記カバー基板上の前記幾何学的形状部が前記ベース基板上の前記幾何学的形状部の少なくとも30%の鏡像である、請求項1に記載の方法。
- 前記ベース基板上に第3のインダクタ本体部分を形成する工程をさらに含み、前記第3のインダクタ本体部分が前記第1のインダクタ本体部分と少なくとも部分的に一致している幾何学的形状部を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記カバー基板上に第4のインダクタ本体部分を形成する工程をさらに含み、前記第4のインダクタ本体部分が前記第2のインダクタ本体部分と少なくとも部分的に一致している幾何学的形状部を有する、請求項9に記載の方法。
- a.ベース基板と、
b.前記ベース基板のベース基板表面上に形成され、第1の幾何学的形状部を有する第1のインダクタ本体部分と、
c.前記第1のインダクタ本体部分上に形成される第1の誘電体層と、
d.カバー基板と、
e.前記カバー基板のカバー基板表面上に形成される第2のインダクタ本体部分であって、前記カバー基板上の前記第2のインダクタ本体部分が前記第1の幾何学的形状部の少なくとも部分的な鏡像である幾何学的形状部を有する、第2のインダクタ本体部分と、
f.前記第2のインダクタ本体部分上に形成される誘電体層と、
を備え、
前記ベース基板の前記ベース基板表面が、前記第1のインダクタ本体部分と前記第2のインダクタ本体部分とを電気的に相互接続する電気的に導電性の接合剤により前記カバー基板の前記カバー基板表面に接合されることを特徴とする、
フリップ接合2重基板インダクタ。 - 前記ベース基板がシリコンである、請求項11に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記カバー基板がシリコンである、請求項12に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記カバー基板がガリウム砒素である、請求項12に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記カバー基板上の前記幾何学的形状部の範囲の少なくとも50%が前記ベース基板上の前記幾何学的形状部の真上を覆う、請求項11に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記ベース基板および前記カバー基板が異なる材料からなる、請求項11に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記電気的に導電性の接合剤がはんだバンプを含む、請求項11に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記幾何学的形状部が弧または角を有し、前記カバー基板上の前記幾何学的形状部が前記ベース基板上の前記幾何学的形状部の少なくとも30%の鏡像である、請求項11に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記ベース基板上に形成される第3のインダクタ本体部分をさらに含み、前記第3のインダクタ本体部分が前記第1のインダクタ本体部分と一致する幾何学的形状部を有する、請求項11に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- 前記カバー基板上に第4のインダクタ本体部分をさらに含み、前記第4のインダクタ本体部分が前記第2のインダクタ本体部分と一致する幾何学的形状部を有する、請求項19に記載のフリップ接合2重基板インダクタ。
- ベース基板、前記基板上に少なくとも1つの薄膜キャパシタ、および前記基板上に複数のフリップ接合2重基板インダクタを備えた集積受動デバイス(IPD)であって、前記フリップ接合2重基板インダクタが、
a.前記ベース基板のベース基板表面上に形成され、第1の幾何学的形状部を有する第1のインダクタ本体部分と、
b.前記第1のインダクタ本体部分上に形成される第1の誘電体層と、
c.カバー基板と、
d.前記カバー基板のカバー基板表面上に形成される第2のインダクタ本体であって、前記カバー基板上の前記第2のインダクタ本体部分が前記第1の幾何学的形状部の少なくとも部分的な鏡像である幾何学的形状部を有する、前記第2のインダクタ本体部分と、
e.前記第2のインダクタ本体部分上に形成される誘電体層と、
を備え、
前記フリップ接合2重基板インダクタは、前記ベース基板の前記ベース基板表面が前記第1のインダクタ本体部分と前記第2のインダクタ本体部分とを電気的に相互接続する電気的に導電性の接合剤により前記カバー基板の前記カバー基板表面に接合されることを特徴とする、
集積受動デバイス。
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