JP2000182851A - インダクタ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波用の各種無線機器、通信機器、測定器
の無線回路に用いられるインダクタにおいて、自己共振
周波数及びＱ値の向上を目的とする。 【解決手段】 スパイラル状に形成されたコイルパター
ンをそれぞれ備えたフリップチップ基板及び主基板によ
り構成され、フリップチップ基板と主基板間をバンプに
より接続することで、故意にスパイラルインダクタ間に
空隙を設けて、誘電体の介在による自己共振周波数の低
下、及び誘電体の誘電損によるＱ値の劣化を防ぎ、高い
自己共振周波数とＱ値を得ることができる。
の無線回路に用いられるインダクタにおいて、自己共振
周波数及びＱ値の向上を目的とする。 【解決手段】 スパイラル状に形成されたコイルパター
ンをそれぞれ備えたフリップチップ基板及び主基板によ
り構成され、フリップチップ基板と主基板間をバンプに
より接続することで、故意にスパイラルインダクタ間に
空隙を設けて、誘電体の介在による自己共振周波数の低
下、及び誘電体の誘電損によるＱ値の劣化を防ぎ、高い
自己共振周波数とＱ値を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波用の各種無線
機器、通信機器、測定機器の無線回路に用いられるイン
ダクタに関する。
機器、通信機器、測定機器の無線回路に用いられるイン
ダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より高周波用の無線回路では、無線
装置の薄型化を図るために、インダクタ回路を主基板上
にマイクロストリップ線路等の伝送線路で形成すること
が行われている。特に、大きなインダクタンス値が必要
な場合には、実装面積を最小とするため、伝送線路を円
形または矩形のスパイラル状としたスパイラルインダク
タがよく用いられる。図７は、マイクロストリップ線路
によるスパイラルインダクタの構成例であり、７００は
主基板、７０１は円形または矩形に形成されたスパイラ
ルインダクタである。
装置の薄型化を図るために、インダクタ回路を主基板上
にマイクロストリップ線路等の伝送線路で形成すること
が行われている。特に、大きなインダクタンス値が必要
な場合には、実装面積を最小とするため、伝送線路を円
形または矩形のスパイラル状としたスパイラルインダク
タがよく用いられる。図７は、マイクロストリップ線路
によるスパイラルインダクタの構成例であり、７００は
主基板、７０１は円形または矩形に形成されたスパイラ
ルインダクタである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】スパイラルインダクタ
は、リボンインダクタ等と比較して、同じ実装面積で高
いインダクタンス値を実現できるという利点を持つ。
は、リボンインダクタ等と比較して、同じ実装面積で高
いインダクタンス値を実現できるという利点を持つ。
【０００４】しかしながら、更に高いインダクタンス
値、または小さい実装面積を実現するためにスパイラル
インダクタ基板同士の張り合わせを行うと、スパイラル
インダクタ間に誘電体が介在することになり、インダク
タとしての自己共振周波数が下がるとともに、Ｑ値が劣
化してしまうという欠点を有している。
値、または小さい実装面積を実現するためにスパイラル
インダクタ基板同士の張り合わせを行うと、スパイラル
インダクタ間に誘電体が介在することになり、インダク
タとしての自己共振周波数が下がるとともに、Ｑ値が劣
化してしまうという欠点を有している。
【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、２つ
の独立した基板上に形成したスパイラルインダクタをバ
ンプを用いたフリップチップ実装により接続すること
で、インダクタ間に故意に空隙を介在させ、自己共振周
波数の低下及びＱ値の劣化を招くことなく、より高いイ
ンダクタンス値、あるいは小さい実装面積を得ることを
目的とする。
の独立した基板上に形成したスパイラルインダクタをバ
ンプを用いたフリップチップ実装により接続すること
で、インダクタ間に故意に空隙を介在させ、自己共振周
波数の低下及びＱ値の劣化を招くことなく、より高いイ
ンダクタンス値、あるいは小さい実装面積を得ることを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、スパイラルインダクタを形成した基板同士
の接続をバンプを用いたフリップチップ実装により構成
したものである。
に本発明は、スパイラルインダクタを形成した基板同士
の接続をバンプを用いたフリップチップ実装により構成
したものである。
【０００７】これにより、誘電体によるインダクタの自
己共振周波数の低下及びＱ値の劣化を抑えながら、より
高いインダクタンス値、あるいは小さい実装面積を持つ
インダクタが得られる。
己共振周波数の低下及びＱ値の劣化を抑えながら、より
高いインダクタンス値、あるいは小さい実装面積を持つ
インダクタが得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、主基板と副基板の２つの独立した基板上にそれぞれ
形成した伝送線路構成スパイラルインダクタパターンを
高周波電流の流れる方向が同一となるように配置し、バ
ンプを用いてフリップチップ実装することで、誘電体に
よるインダクタの自己共振周波数の低下及びＱ値の劣化
を抑えながら、より高いインダクタンス値、あるいは小
さい実装面積を持つインダクタが得られるという作用を
有する。
は、主基板と副基板の２つの独立した基板上にそれぞれ
形成した伝送線路構成スパイラルインダクタパターンを
高周波電流の流れる方向が同一となるように配置し、バ
ンプを用いてフリップチップ実装することで、誘電体に
よるインダクタの自己共振周波数の低下及びＱ値の劣化
を抑えながら、より高いインダクタンス値、あるいは小
さい実装面積を持つインダクタが得られるという作用を
有する。
【０００９】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１記載の発明において、副基板上のスパイラルインダク
タパターンをバンプ形成面と反対側となる上面側に形成
することで、スパイラルインダクタ間の距離を拡げ、更
に自己共振周波数を上げることができるという作用を有
する。
１記載の発明において、副基板上のスパイラルインダク
タパターンをバンプ形成面と反対側となる上面側に形成
することで、スパイラルインダクタ間の距離を拡げ、更
に自己共振周波数を上げることができるという作用を有
する。
【００１０】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２記載の発明において、副基板上のスパイラルインダク
タパターンを基板の上下面両方に形成し、３つのスパイ
ラルインダクタを直列接続することで、更に高いインダ
クタンス値を得ることができるという作用を有する。
２記載の発明において、副基板上のスパイラルインダク
タパターンを基板の上下面両方に形成し、３つのスパイ
ラルインダクタを直列接続することで、更に高いインダ
クタンス値を得ることができるという作用を有する。
【００１１】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１記載の発明において、主基板と副基板の２つの独立し
た基板上に複数のスパイラルインダクタパターンを各々
形成し、インダクタパターンを相互に接続することで、
複数のインダクタを集積化して、フィルタや整合回路等
を構成できるという作用を有する。
１記載の発明において、主基板と副基板の２つの独立し
た基板上に複数のスパイラルインダクタパターンを各々
形成し、インダクタパターンを相互に接続することで、
複数のインダクタを集積化して、フィルタや整合回路等
を構成できるという作用を有する。
【００１２】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
１から４にいずれかに記載のインダクタを用いた無線回
路であり、無線回路の小型化を実現するという作用を有
する。
１から４にいずれかに記載のインダクタを用いた無線回
路であり、無線回路の小型化を実現するという作用を有
する。
【００１３】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
５記載の無線装置であり、無線装置の小型化を実現する
という作用を有する。
５記載の無線装置であり、無線装置の小型化を実現する
という作用を有する。
【００１４】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
６記載の無線装置を用いた無線システムであり、無線シ
ステムの小型化を実現するという作用を有する。
６記載の無線装置を用いた無線システムであり、無線シ
ステムの小型化を実現するという作用を有する。
【００１５】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図６を用いて説明する。 （実施の形態１）図１に実施の形態１におけるインダク
タの分解斜視図を、図２に前記インダクタの断面図を示
す。副基板１００は、円形または矩形に形成されたスパ
イラルインダクタ１０１、第１の接続点１０２、第２の
接続点１０３から構成され、主基板１０４は、円形また
は矩形に形成された第２のスパイラルインダクタ１０
５、第３の接続点１０６、第４の接続点１０７、第一の
高周波入出力端子１１０、第２の高周波入出力端子１１
１から構成される。
から図６を用いて説明する。 （実施の形態１）図１に実施の形態１におけるインダク
タの分解斜視図を、図２に前記インダクタの断面図を示
す。副基板１００は、円形または矩形に形成されたスパ
イラルインダクタ１０１、第１の接続点１０２、第２の
接続点１０３から構成され、主基板１０４は、円形また
は矩形に形成された第２のスパイラルインダクタ１０
５、第３の接続点１０６、第４の接続点１０７、第一の
高周波入出力端子１１０、第２の高周波入出力端子１１
１から構成される。
【００１６】副基板１００と主基板１０４は、第１のス
パイラルインダクタ１０１と第２のスパイラルインダク
タ１０５の高周波電流周回方向が同一となるように留意
して、第１のバンプ１０８を介して第１の接続点１０２
と第３の接続点１０６を、第２のバンプ１０９を介して
第２の接続点１０３と第４の接続点１０７を接続する。
パイラルインダクタ１０１と第２のスパイラルインダク
タ１０５の高周波電流周回方向が同一となるように留意
して、第１のバンプ１０８を介して第１の接続点１０２
と第３の接続点１０６を、第２のバンプ１０９を介して
第２の接続点１０３と第４の接続点１０７を接続する。
【００１７】高周波電流は第１の高周波入出力端子１１
０を入力とすると、第１の高周波入出力端子１１０、第
３の接続点１０６、第１のバンプ１０８、第１の接続点
１０２、第１のスパイラルインダクタ１０１、第２の接
続点１０３、第２のバンプ、１０９、第４の接続点１０
７、第２のスパイラルインダクタ１０５、第２の高周波
入出力端子１１１の順で流れる。第１のスパイラルイン
ダクタ１０１と第２のスパイラルインダクタ１０５の間
には、第１のバンプ１０８、第２のバンプ１０９により
空隙が介在しているため、スパイラルインダクタ間が誘
電体である場合と比較して、インダクタの自己共振周波
数が高くなり、更に誘電体損がないことから、Ｑ値を高
くできる。さらに、第一のスパイラルインダクタ１０１
と第２のスパイラルインダクタ１０５の高周波電流周回
方向を同一としているため、互いに密結合となり、大き
なインダクタンス値を実現できる。
０を入力とすると、第１の高周波入出力端子１１０、第
３の接続点１０６、第１のバンプ１０８、第１の接続点
１０２、第１のスパイラルインダクタ１０１、第２の接
続点１０３、第２のバンプ、１０９、第４の接続点１０
７、第２のスパイラルインダクタ１０５、第２の高周波
入出力端子１１１の順で流れる。第１のスパイラルイン
ダクタ１０１と第２のスパイラルインダクタ１０５の間
には、第１のバンプ１０８、第２のバンプ１０９により
空隙が介在しているため、スパイラルインダクタ間が誘
電体である場合と比較して、インダクタの自己共振周波
数が高くなり、更に誘電体損がないことから、Ｑ値を高
くできる。さらに、第一のスパイラルインダクタ１０１
と第２のスパイラルインダクタ１０５の高周波電流周回
方向を同一としているため、互いに密結合となり、大き
なインダクタンス値を実現できる。
【００１８】なお、説明を簡略化するため、バンプは２
個としたが、フリップチップ実装を安定にするため、ス
パイラルインダクタに影響のない位置にダミーのバンプ
を使用してもよいことはいうまでもない。
個としたが、フリップチップ実装を安定にするため、ス
パイラルインダクタに影響のない位置にダミーのバンプ
を使用してもよいことはいうまでもない。
【００１９】（実施の形態２）図３に実施の形態２にお
けるインダクタの分解斜視図を、図４に前記インダクタ
の断面図を示す。図３、４において、１０４〜１１１の
番号を付した構成要素は図１、２と同一のため、説明は
省略する。第２の副基板２００は、バンプ形成面の反対
側となる上面側に形成した円形または矩形の第３のスパ
イラルインダクタ２０１、第５〜８の接続点２０２〜２
０５、第１、第２のスルーホール２０６、２０７から構
成されている。第７、第８の接続点２０４、２０５は第
２の副基板２００の下面に設けられており、それぞれ第
１のスルーホール２０６、２０７によって第５、第６の
接続点２０２、２０３と接続されている。第２の副基板
２００と主基板１０４は、第３のスパイラルインダクタ
２０１と第２のスパイラルインダクタ１０５の高周波電
流周回方向が同一となるように留意して、第１のバンプ
１０８により、第７の接続点２０４と第３の接続点１０
６を、第２のバンプ１０９により、第８の接続点２０５
と第４の接続点１０７を接続する。
けるインダクタの分解斜視図を、図４に前記インダクタ
の断面図を示す。図３、４において、１０４〜１１１の
番号を付した構成要素は図１、２と同一のため、説明は
省略する。第２の副基板２００は、バンプ形成面の反対
側となる上面側に形成した円形または矩形の第３のスパ
イラルインダクタ２０１、第５〜８の接続点２０２〜２
０５、第１、第２のスルーホール２０６、２０７から構
成されている。第７、第８の接続点２０４、２０５は第
２の副基板２００の下面に設けられており、それぞれ第
１のスルーホール２０６、２０７によって第５、第６の
接続点２０２、２０３と接続されている。第２の副基板
２００と主基板１０４は、第３のスパイラルインダクタ
２０１と第２のスパイラルインダクタ１０５の高周波電
流周回方向が同一となるように留意して、第１のバンプ
１０８により、第７の接続点２０４と第３の接続点１０
６を、第２のバンプ１０９により、第８の接続点２０５
と第４の接続点１０７を接続する。
【００２０】高周波電流は第１の高周波入出力端子１１
０を入力とすると、第１の高周波出力端子１１０、第３
の接続点１０６、第１のバンプ１０８、第７の接続点２
０４、第１のスルーホール２０６、第５の接続点２０
２、第３のスパイラルインダクタ２０１、第６の接続点
２０３、第２のスルーホール２０７、第８の接続点２０
５、第２のバンプ、１０９、第４の接続点１０７、第２
のスパイラルインダクタ１０５、第２の高周波入出力端
子１１１の順で流れる。第３のスパイラルインダクタ２
０１を第２の副基板２００の上面に設けることで、第２
のスパイラルインダクタ１０５と第３のスパイラルイン
ダクタ２０１の距離を第２の副基板２００の厚み分だけ
離すことができ、基板間容量を低減してインダクタの自
己共振周波数を上げることが出来る。その他の動作は実
施の形態１と同一であるため、説明は省略する。
０を入力とすると、第１の高周波出力端子１１０、第３
の接続点１０６、第１のバンプ１０８、第７の接続点２
０４、第１のスルーホール２０６、第５の接続点２０
２、第３のスパイラルインダクタ２０１、第６の接続点
２０３、第２のスルーホール２０７、第８の接続点２０
５、第２のバンプ、１０９、第４の接続点１０７、第２
のスパイラルインダクタ１０５、第２の高周波入出力端
子１１１の順で流れる。第３のスパイラルインダクタ２
０１を第２の副基板２００の上面に設けることで、第２
のスパイラルインダクタ１０５と第３のスパイラルイン
ダクタ２０１の距離を第２の副基板２００の厚み分だけ
離すことができ、基板間容量を低減してインダクタの自
己共振周波数を上げることが出来る。その他の動作は実
施の形態１と同一であるため、説明は省略する。
【００２１】（実施の形態３）図５に実施の形態３にお
けるインダクタの分解斜視図を、図６に前記インダクタ
の断面図を示す。図５、６において、１０６、１０８、
１１０の番号を付した構成要素は図１、２と、２０１〜
２０４、２０６、２０７の番号を付した構成要素は図
３、４と同一のため、説明は省略する。第３の副基板５
００は、副基板上面に円形または矩形に形成された第３
のスパイラルインダクタ２０１、副基板下面に形成され
た第４のスパイラルインダクタ５０１、第５〜７、９、
１０の接続点２０２〜２０４、５０２、５０３、第１、
第２のスルーホール２０６、２０７から構成されてい
る。第７、９、１０の接続点２０４、５０２、５０３は
第３のフリップチップ基板５００の下面に設けられてお
り、第５、第６の接続点２０２、２０３は第１、第２の
スルーホール２０６、２０７によって第７、第９の接続
点２０４、５０２と接続されている。また、第３、第４
のスパイラルインダクタ２０１、５０１は高周波電流周
回方向が同一となるように形成されている。第２の主基
板５０４は、円形または矩形に形成された第５のスパイ
ラルインダクタ５０５、第３、第１０、第１１の接続点
１０６、５１０、５１２、第１、第３の高周波入出力端
子１１０、５０６、第３、第４のスルーホール５０７、
５０９、引き回し線５０８から構成されている。
けるインダクタの分解斜視図を、図６に前記インダクタ
の断面図を示す。図５、６において、１０６、１０８、
１１０の番号を付した構成要素は図１、２と、２０１〜
２０４、２０６、２０７の番号を付した構成要素は図
３、４と同一のため、説明は省略する。第３の副基板５
００は、副基板上面に円形または矩形に形成された第３
のスパイラルインダクタ２０１、副基板下面に形成され
た第４のスパイラルインダクタ５０１、第５〜７、９、
１０の接続点２０２〜２０４、５０２、５０３、第１、
第２のスルーホール２０６、２０７から構成されてい
る。第７、９、１０の接続点２０４、５０２、５０３は
第３のフリップチップ基板５００の下面に設けられてお
り、第５、第６の接続点２０２、２０３は第１、第２の
スルーホール２０６、２０７によって第７、第９の接続
点２０４、５０２と接続されている。また、第３、第４
のスパイラルインダクタ２０１、５０１は高周波電流周
回方向が同一となるように形成されている。第２の主基
板５０４は、円形または矩形に形成された第５のスパイ
ラルインダクタ５０５、第３、第１０、第１１の接続点
１０６、５１０、５１２、第１、第３の高周波入出力端
子１１０、５０６、第３、第４のスルーホール５０７、
５０９、引き回し線５０８から構成されている。
【００２２】第３の副基板５００と第２の主基板５０４
は、第３〜第５のスパイラルインダクタ２０１、５０
１、５０５の高周波電流周回方向が同一となるように留
意して、第１のバンプ１０８により、第７の接続点２０
４と第３の接続点１０６を、第３のバンプ５１１によ
り、第１０の接続点５０３と第１１の接続点５１２を接
続する。
は、第３〜第５のスパイラルインダクタ２０１、５０
１、５０５の高周波電流周回方向が同一となるように留
意して、第１のバンプ１０８により、第７の接続点２０
４と第３の接続点１０６を、第３のバンプ５１１によ
り、第１０の接続点５０３と第１１の接続点５１２を接
続する。
【００２３】高周波電流は第１の高周波入出力端子１１
０を入力とすると、第１の高周波出力端子１１０、第３
の接続点１０６、第１のバンプ１０８、第７の接続点２
０４、第１のスルーホール２０６、第５の接続点２０
２、第３のスパイラルインダクタ２０１、第６の接続点
２０３、第２のスルーホール２０７、第９の接続点５０
２、第４のスパイラルインダクタ５０１、第１０の接続
点５０３、第３のバンプ５１１、第５のスパイラルイン
ダクタ５０５、第１０の接続点５１０、第３のスルーホ
ール５０７、引き回し線５０８、第４のスルーホール５
０９、第３の高周波入出力端子５０６の順で流れる。
０を入力とすると、第１の高周波出力端子１１０、第３
の接続点１０６、第１のバンプ１０８、第７の接続点２
０４、第１のスルーホール２０６、第５の接続点２０
２、第３のスパイラルインダクタ２０１、第６の接続点
２０３、第２のスルーホール２０７、第９の接続点５０
２、第４のスパイラルインダクタ５０１、第１０の接続
点５０３、第３のバンプ５１１、第５のスパイラルイン
ダクタ５０５、第１０の接続点５１０、第３のスルーホ
ール５０７、引き回し線５０８、第４のスルーホール５
０９、第３の高周波入出力端子５０６の順で流れる。
【００２４】第３の副基板５００の上面に第３のスパイ
ラルインダクタ２０１、下面に第４のスパイラルインダ
クタ５０１を設けることで、第２の主基板５０４に形成
された第５のスパイラルインダクタ５０５と合わせて３
つのスパイラルインダクタを直列接続して、実施の形態
１、２より高いインダクタンス値を得ることができると
いう作用を有する。その他の動作は実施の形態２と同一
であるため、説明は省略する。
ラルインダクタ２０１、下面に第４のスパイラルインダ
クタ５０１を設けることで、第２の主基板５０４に形成
された第５のスパイラルインダクタ５０５と合わせて３
つのスパイラルインダクタを直列接続して、実施の形態
１、２より高いインダクタンス値を得ることができると
いう作用を有する。その他の動作は実施の形態２と同一
であるため、説明は省略する。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、インダク
タにおいて、主基板と副基板の２つの独立した基板上に
形成した伝送線路構成スパイラルインダクタパターンを
高周波電流の流れる方向が同一となるように配置し、バ
ンプを用いてフリップチップ実装することで故意に空隙
を設け、誘電体によるインダクタの自己共振周波数の低
下及びＱ値の劣化を抑えながら、インダクタンス値を上
げられるという有利な効果が得られる。
タにおいて、主基板と副基板の２つの独立した基板上に
形成した伝送線路構成スパイラルインダクタパターンを
高周波電流の流れる方向が同一となるように配置し、バ
ンプを用いてフリップチップ実装することで故意に空隙
を設け、誘電体によるインダクタの自己共振周波数の低
下及びＱ値の劣化を抑えながら、インダクタンス値を上
げられるという有利な効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるインダクタの分
解斜視図
解斜視図
【図２】本発明の実施の形態１におけるインダクタの断
面図
面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるインダクタの分
解斜視図
解斜視図
【図４】本発明の実施の形態２におけるインダクタの断
面図
面図
【図５】本発明の実施の形態３におけるインダクタの分
解斜視図
解斜視図
【図６】本発明の実施の形態３におけるインダクタの断
面図
面図
【図７】従来のインダクタの斜視図
１００ 副基板 １０１ スパイラルインダクタ １０２、１０３ 接続点 １０４ 主基板 １０５ スパイラルインダクタ １０６、１０７ 接続点 １０８、１０９ バンプ １１０、１１１ 高周波入出力端子 ２００ 副基板 ２０１ スパイラルインダクタ ２０２〜２０５ 接続点 ２０６、２０７ スルーホール ５００ 副基板 ５０１ スパイラルインダクタ ５０２、５０３ 接続点 ５０４ 主基板 ５０５ スパイラルインダクタ ５０６ 高周波入出力端子 ５０７ スルーホール ５０８ 引き回し線 ５０９ スルーホール ５１０ 接続点 ５１１ バンプ ５１２ 接続点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧本 三夫 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 BB15 BB41 BB44 BB46 GG07 5E070 AA01 CB03 CB12 CB15 CB16 CB17 5E344 AA01 AA12 AA16 AA22 AA24 BB02 BB06 BB14 CC24 CD11 DD02 EE08
Claims (7)
- 【請求項１】 主基板と副基板の２つの独立した基板上
にそれぞれ形成した伝送線路構成スパイラルインダクタ
パターンを高周波電流の流れる方向が同一となるように
配置し、バンプを用いてフリップチップ実装したことを
特徴とするインダクタ。 - 【請求項２】 副基板上のスパイラルインダクタパター
ンをバンプ形成面と反対側となる上面側に形成したこと
を特徴とする請求項１記載のインダクタ。 - 【請求項３】 副基板上のスパイラルインダクタパター
ンを基板の上下面両方に形成したことを特徴とする請求
項２記載のインダクタ。 - 【請求項４】 主基板と副基板の２つの独立した基板上
に複数のスパイラルインダクタパターンを各々形成し、
インダクタパターンを相互に接続したことを特徴とする
請求項１記載のインダクタ。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載のイン
ダクタを用いた無線回路。 - 【請求項６】 請求項５記載の無線回路を用いた無線装
置。 - 【請求項７】 請求項６記載の無線装置を用いた無線シ
ステム。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10355662A JP2000182851A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355662A JP2000182851A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182851A true JP2000182851A (ja) | 2000-06-30 |
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ID=18445132
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10355662A Pending JP2000182851A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | インダクタ |
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