JP2008065081A - レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
そして、この下層膜には、下地基板の凹凸や溝等のギャップを充填して平坦化する機能、パターンにハレーションが生じることを防ぐために基板から反射した放射線を吸収する機能や、無機被膜を微細加工するためのマスクとしての機能が必要となる。
また、このようなパターン形成に際しては、絶縁膜等の無機被膜は、通常、RIE(反応性イオンエッチング)により加工されており、レジスト被膜、反射防止膜やレジスト下層膜等の有機被膜は、通常、エッチングガスに酸素ガスを用いるアッシングにより加工されている。そして、特許文献1や特許文献2の各組成物から形成される反射防止膜やレジスト下層膜においてもアッシング処理が必要である。
一般に、レジスト下層膜は、基板から反射した放射線を吸収する反射防止膜としての機能を有する。また、一般に基板直上のレジスト下層膜は炭素含有量の多い材料が用いられる。炭素含有量が多い場合には基板加工時のエッチング耐性が向上し、より正確なパターン転写が可能となる。このようなレジスト下層膜としては、特に熱硬化フェノールノボラックがよく知られている。また、アセナフチレン骨格を有する重合体を含有する組成物が下層膜として良好な特性を示すことが知られている(例えば、特許文献1及び3参照)。
即ち、前記課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、(A)下記一般式(1−A)及び/又は(1−B)で表される繰り返し単位を有するポリナフタレン誘導体と、(B)溶剤と、を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物である。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物(以下、「下層膜用組成物」ともいう。)は、(A)ポリナフタレン誘導体と、(B)溶剤と、を含有する。
本発明におけるポリナフタレン誘導体(以下、「ポリナフタレン誘導体(A)」という。)は、下記一般式(1−A)及び/又は(1−B)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(1)」という。)を有するものである。
また、上記一般式(1−A)におけるR1の数を示すaは0〜2の整数、bは0〜4の整数であり、且つaとbの合計(a+b)は1〜6であり、好ましくは1又は2、更に好ましくは2である。このaとbの合計が1又は2である場合、分子量分布の狭いポリナフタレン誘導体(A)を容易に得ることができるため好ましい。
更に、上記一般式(1−B)におけるR1の数を示すcは0〜3の整数、dは0〜3の整数であり、且つcとdの合計(c+d)は1〜6であり、好ましくは1又は2、更に好ましくは2である。このcとdの合計が1又は2である場合、分子量分布の狭いポリナフタレン誘導体(A)を容易に得ることができるため好ましい。
他の共重合可能な化合物としては、例えば、エチニルスチレン、プロパギル酸、6−ヘキシン酸、2−プロピン−1−オール、1−ブチン−3−オール、3−ブチン−3−オール、1−ペンチン−3−オール、4−ペンチン−1−オール、3−エチニルアニリン、4−エチニルアニリン、フェニルアセチレン等が挙げられる。これらの他の共重合可能な化合物は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
ポリナフタレン誘導体の製造方法については、種々の方法が提案されており、例えば、一電子酸化剤を用いたカップリング反応や、J.Org.Chem.、59、4267−4271、1994に示されるような電解重合等が挙げられる。これらのなかでも、分子量制御の点から一電子酸化剤を用いたカップリング反応が好ましい。一電子酸化剤を用いたカップリング反応は、ナフタレン誘導体類を溶媒に溶解させ、触媒存在下、酸素を供給することにより行うことができる。
一電子酸化剤とは、それ自身が1電子移動を受ける酸化剤を意味する。例えば、硝酸セリウム(IV)アンモニウムの場合では、セリウムイオン(IV)が一電子を得てセリウムイオン(III)へと変化する。また、ハロゲン等のラジカル性の酸化剤は、一電子を得てアニオンへと転化する。このように、一電子を被酸化物(基質や触媒等)から奪うことにより、被酸化物を酸化する現象を一電子酸化と称し、このとき一電子を受け取る成分を一電子酸化剤という。
前記(c)ジアゾ化合物としては、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。
前記(d)ハロゲン又はハロゲン酸としては、塩素、臭素、臭素酸ナトリム等が挙げられる。
前記(f)酵素としては、ラッカーゼ、ペルオキシダーセ、チロシナーゼ、ウルシオール等が挙げられる。
反応溶媒量は、単量体、重合体及び触媒を溶解させる量を用いればよく、具体的には、ナフタレン誘導体1当量に対して、5〜100当量であることが好ましく、より好ましくは5〜20当量である。この反応溶媒量が5当量未満の場合、重合体が析出してしまう場合がある。一方、100当量を超える場合、反応収率が低下することがある。
本発明の下層膜用組成物は、前記ポリナフタレン誘導体(A)を溶解する溶剤(以下、「溶剤(B)」という。)を含むものであり、通常、液状の組成物である。
この溶剤としては、ポリナフタレン誘導体(A)を溶解しうるものであれば特に限定されず、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のトリエチレングリコールジアルキルエーテル類;
本発明の下層膜用組成物には、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、酸発生剤〔以下、「酸発生剤(C)」ともいう。〕を含有させることができる。
この酸発生剤は、露光或いは加熱により酸を発生する成分である。露光により酸を発生する酸発生剤(以下、「光酸発生剤」という。)としては、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−ヒドロキシフェニル・フェニル・メチルスルホニウムp−トルエンスルホネート、4−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムp−トルエンスルホネート、
尚、酸発生剤(C)として、光酸発生剤と熱酸発生剤とを併用することもできる。
本発明の下層膜用組成物は、光酸発生剤及び/又は熱酸発生剤を含有させることで、常温を含む比較的低温で各重合体の分子鎖間に有効に架橋反応を生起させることができる。
本発明の下層膜用組成物には、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、架橋剤〔以下、「架橋剤(D)」ともいう。〕を含有させることができる。この架橋剤(D)は、得られるレジスト下層膜と、その上に形成されるレジスト被膜との間のインターミキシングを防止し、更にはレジスト下層膜におけるクラックの発生を防止する作用を有する成分である。
前記多核フェノール類としては、例えば、4,4’−ビフェニルジオール、4,4’−メチレンビスフェノール、4,4’−エチリデンビスフェノール、ビスフェノールA等の2核フェノール類;4,4’,4’’−メチリデントリスフェノール、4,4’−〔1−{4−(1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル)フェニル}エチリデン〕ビスフェノール等の3核フェノール類;ノボラック等のポリフェノール類等が挙げられる。これらのなかでも、4,4’−〔1−{4−(1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル)フェニル}エチリデン〕ビスフェノール、ノボラック等が好ましい。尚、これらの多核フェノール類は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
本発明の下層膜用組成物には、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、バインダー樹脂、放射線吸収剤、界面活性剤等の各種の他の添加剤を配合することがでる。
前記バインダー樹脂としては、種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。熱硬化性樹脂は、加熱により硬化して溶剤に不溶となり、得られるレジスト下層膜と、その上に形成されるレジスト被膜との間のインターミキシングを防止する作用を有する成分である。このような熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性アクリル系樹脂類、フェノール樹脂類、尿素樹脂類、メラミン樹脂類、アミノ系樹脂類、芳香族炭化水素樹脂類、エポキシ樹脂類、アルキド樹脂類等が挙げられる。これらのなかでも、尿素樹脂類、メラミン樹脂類、芳香族炭化水素樹脂類等が好ましい。
本発明の下層膜用組成物を用いたパターン形成方法は、
(1)前記レジスト下層膜形成用組成物を用いて、被加工基板上に下層膜を形成する工程(以下、「工程(1)」という。)と、
(2)レジスト組成物を用いて、前記下層膜の上にレジスト被膜を形成する工程(以下、「工程(2)」という。)と、
(3)前記レジスト被膜の所用領域に放射線を照射し、露光する工程(以下、「工程(3)」という。)と、
(4)露光されたレジスト被膜を現像し、レジストパターンを形成する工程(以下、「工程(4)」という。)と、
(5)前記レジストパターンをマスクとし、ドライエッチング法を用いて前記下層膜及び前記被加工基板を加工する工程(以下、「工程(5)」という。)と、を備えることを特徴とする。
前記被加工基板としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ポリシロキサン等の絶縁膜、ブラックダイヤモンド(AMAT社製)、シルク(ダウケミカル社製)、LKD5109(JSR社製)等の低誘電体絶縁膜で被覆したウエハー等の層間絶縁膜を使用することができる。また、この被加工基板としては、配線講(トレンチ)、プラグ溝(ビア)等のパターン化された基板を用いることもできる。
この工程(1)で形成される下層膜の膜厚は、通常、100nm〜20000nmである。
この中間層は、レジストパターン形成において、下層膜及び/又はレジスト被膜が有する機能を更に補ったり、これらが有していない機能を得るために、これらの機能が付与された層のことである。例えば、反射防止膜を中間層として形成した場合、下層膜の反射防止機能を更に補うことができる。
前記レジスト組成物としては、例えば、光酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とからなるネガ型レジスト組成物等が挙げられる。
また、下層膜や中間層上に塗布する際のレジスト組成物の固形分濃度は、通常5〜50質量%程度であり、一般に、例えば、孔径0.2μm程度のフィルターでろ過したものが用いられる。
尚、前記レジスト組成物は、市販のものをそのまま使用することもできる。
また、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるようにレジスト組成物を塗布したのち、プレベークすることによって、塗膜中の溶剤を揮発させ、レジスト被膜が形成される。
プレベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、通常、30〜200℃程度、好ましくは50〜150℃である。
前記露光に用いられる放射線としては、レジスト組成物に使用されている酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適切に選択されるが、遠紫外線であることが好ましく、特にKrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(波長157nm)、Kr2エキシマレーザー(波長147nm)、ArKrエキシマレーザー(波長134nm)、極紫外線(波長13nm等)等が好ましい。
前記現像液は、使用されるレジスト組成物の種類に応じて適宜選択される。ポジ型化学増幅型レジスト組成物やアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト組成物の場合には、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性水溶液が用いられる。また、これらのアルカリ性水溶液には、水溶性有機溶剤、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類や、界面活性剤を適量添加することもできる。また、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型レジスト組成物の場合には、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液等が用いられる。
尚、この工程では、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、現像前の前記露光後に、ポストベークを行うことができる。このポストベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、通常、50〜200℃程度、好ましくは80〜150℃である。
前記ドライエッチング法には、ドライエッチング装置が用いられる。また、ドライエッチング時のソースガスとしては、被エッチ膜の元素組成にもよるが、O2、CO、CO2等の酸素原子を含むガス、He、N2、Ar等の不活性ガス、Cl2、BCl2等の塩素系ガス、H2、NH2のガス等を使用することができる。尚、これらのガスは混合して用いることもできる。
下記の各合成例1〜16において用いた単量体(M−1)〜(M−8)、及び触媒(I−1)〜(I−3)の詳細を下記に示す。
塩化カルシウム管を取り付けたフラスコに、ジ−μ−ヒドロキソ−ビス[(N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン)銅(II)]クロリド[前記(I−1)]0.46g、メタノール138gを加え、15分間攪拌を行った。次いで、2,3−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−1)]3.20gを加え、再び、8時間攪拌を行った。その後、反応溶液に1M塩酸水を投じて、攪拌を行った。次いで、沈殿物を回収した後、水にて洗浄し、50℃にて17時間乾燥して、下記構造を有するポリ(2,3−ジヒドロキシ−1,4−ナフチレン)〔重量平均分子量(Mw)=6200〕を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−1)とする。
触媒として、塩化銅(I)とN,N,N’,N’−テトラメチル−1,6−ヘキサンジアミンから得たジ−μ−ヒドロキソ−ビス[(N,N,N’,N’−テトラメチル−1,6−ヘキサンジアミン)銅(II)]クロリド[前記(I−2)]0.52gを用いた以外は、前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,3−ジヒドロキシ−1,4−ナフチレン)(Mw=5700)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−2)とする。
触媒として、塩化鉄(II)とN,N,N’,N’−テトラメチル−1,8−ナフタレンジアミンから得たジ−μ−ヒドロキソ−ビス[(N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン)鉄(III)]クロリド[前記(I−3)]0.52gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,3−ジヒドロキシ−1,4−ナフチレン)(Mw=3500)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−3)とする。
単量体として、2,6−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−2)]3.20gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,6−ジヒドロキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=8800)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−4)とする。
単量体として、2,6−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−2)]3.20gを用いる以外は前記合成例2と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,6−ジヒドロキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=8900)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−5)とする。
単量体として、2,6−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−2)]3.20gを用いる以外は前記合成例3と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,6−ジヒドロキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=7600)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−6)とする。
単量体として、2,3−ジメトキシナフタレン[前記(M−3)]3.76gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,3−ジメトキシ−1,4−ナフチレン/2,3−ジメトキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=6500)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−7)とする。
単量体として、2,3−ジメトキシナフタレン[前記(M−3)]3.76gを用いる以外は前記合成例2と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,3−ジメトキシ−1,4−ナフチレン/2,3−ジメトキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=5800)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−8)とする。
単量体として、2,3−ジメトキシナフタレン[前記(M−3)]3.76gを用いる以外は前記合成例3と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,3−ジメトキシ−1,4−ナフチレン/2,3−ジメトキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=5000)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−9)とする。
単量体として、1,5−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−4)]3.20gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(1,5−ジヒドロキシ−2,6−ナフチレン/1,5−ジヒドロキシ−4,8−ナフチレン)(Mw=2100)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−10)とする。
単量体として、1,5−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−4)]3.20gを用いる以外は前記合成例2と同等の手法により、下記構造を有するポリ(1,5−ジヒドロキシ−2,6−ナフチレン/1,5−ジヒドロキシ−4,8−ナフチレン)(Mw=1500)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−11)とする。
単量体として、1,5−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−4)]3.20gを用いる以外は前記合成例3と同等の手法により、下記構造を有するポリ(1,5−ジヒドロキシ−2,6−ナフチレン/1,5−ジヒドロキシ−4,8−ナフチレン)(Mw=1200)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−12)とする。
単量体として、2,3−ジ−tert−ブトキシナフタレン[前記(M−5)]5.44gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,3−ジ−tert−ブトキシ−1,4−ナフチレン)(Mw=7200)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−13)とする。
単量体として、2,7−ジヒドロキシナフタレン[前記(M−6)]3.20gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,7−ジヒドロキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=3200)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−14)とする。
単量体として、2,7−ジ−tert−ブトキシナフタレン[前記(M−7)]5.44gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,7−tert−ブトキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=3500)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−15)とする。
単量体として、2,6−ジ−tert−ブトキシナフタレン[前記(M−8)]5.44gを用いる以外は前記合成例1と同等の手法により、下記構造を有するポリ(2,6−tert−ブトキシ−1,5−ナフチレン)(Mw=8100)を得た。この重合体をポリナフタレン誘導体(A−16)とする。
下記の実施例1〜32及び比較例1〜3で用いた重合体〔ポリナフタレン誘導体(A)及び重合体(R)〕、溶剤(B)、酸発生剤(C)、架橋剤(D)の詳細を下記に示す。
<重合体>
〔ポリナフタレン誘導体(A)〕
前述の(A−1)〜(A−16)を使用した。
〔重合体(R)〕(比較例用)
R−1;ポリアセナフチレン(JSR社製)
R−2;ポリヒドロキシスチレン(丸善石油化学社製、商品名「マルカリンカー」)
R−3;ポリメタクリル酸(JSR社製)
<溶剤(B)>
B−1;プロピレングリコールモノメチルアセテート
<酸発生剤(C)>
C−1;ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート(ミドリ化学社製、商品名「BBI−109」)
C−2;4−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム・ノナフルオロ−n−ブタンスルホネート(旭電化工業社製、商品名「TORAX」)
<架橋剤(D)>
D−1;下記式の構成のテトラメトキシメチルグリコールウリル(日本カーバイド工業社製、商品名「ニカラックMX−270」)
表2に示すように、前記ポリナフタレン誘導体(A−1)10質量部、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート[酸発生剤(C−1)]0.5質量部及びテトラメトキシメチルグリコールウリル[架橋剤(D−1)]0.5質量部を、プロピレングリコールモノメチルアセテート[溶剤(B−1)]89質量部に溶解した後、溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、実施例1のレジスト下層膜形成用組成物を調製した。
表2及び3に示すように、各ポリナフタレン誘導体(A)、溶剤(B)、酸発生剤(C)及び架橋剤(D)を用いたこと以外は、前記実施例1と同様の配合量及び方法によって、実施例2〜32の各レジスト下層膜形成用組成物を調製した。
表4に示すように、各重合体(R)、溶剤(B)、酸発生剤(C)及び架橋剤(D)を用いたこと以外は、前記実施例1と同様の配合量及び方法によって、比較例1〜3の各レジスト下層膜形成用組成物を調製した。
〔3−1〕ArF用レジスト組成物の調製
実施例1〜32及び比較例1〜3の各レジスト下層膜形成用組成物により形成されるレジスト下層膜の各種評価を行うため、以下のように、ArF用ポジ型レジスト組成物を調製した。
実施例1〜32及び比較例1〜3の各レジスト下層膜形成用組成物において、下記の各性能評価を行い、その結果を表5〜7に示した
<ビア埋め込み性>
デュアルダマシン構造の形成に際して、各レジスト下層膜形成用組成物のビアへの埋め込み性の評価を以下の方法により行った。
ビアサイズ:140nm、ビアピッチ:1H/1.2S、深さ:1000nmに加工されたテトラエチルオルソシリケート(TEOS)基板上に、各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、180℃で60秒間、次いで300℃で60秒間ホットプレート上で加熱し、ビアホール内とTEOS基板の表面上に膜厚が300nmであるレジスト下層膜を作製した。そして、各レジスト下層膜形成用組成物のビアホール内への埋め込みの有無を走査型電子顕微鏡により観察し、以下の基準で評価した。
○;ビアホール内へ良好に浸入し、ビアホール内に埋め込まれている場合
×;ビアホール内に埋め込まれていない場合
まず、直径8インチのシリコンウエハー上に、各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、180℃で60秒間、更に300℃で60秒間ホットプレート上で加熱して、膜厚300nmのレジスト下層膜を形成した。その後、このレジスト下層膜上に3層レジストプロセス用中間層組成物溶液(JSR社製、商品名「NFC SOG04」)をスピンコートし、200℃で60秒間、更に300℃で60秒間ホットプレート上で加熱して、膜厚50nmの中間層被膜を形成した。次いで、この中間層被膜上に、前記〔3−1〕で得られたArF用レジスト組成物溶液をスピンコートし、130℃のホットプレート上で90秒間プレベークして、膜厚200nmのフォトレジスト膜を形成した。その後、NIKON社製のArFエキシマレーザー露光装置(レンズ開口数0.78、露光波長193nm)を用い、マスクパターンを介して、最適露光時間だけ露光した。その後、130℃のホットプレート上で90秒間ポストベークした後、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、25℃で1分間現像し、水洗し、乾燥して、ArF用ポジ型レジストパターンを形成した。
そして、反射防止膜としての機能を評価するため、前記ポジ型レジストパターンのパターン形状を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、以下の基準により、パターン形状を評価した。
○;パターン形状が矩形である場合
×;パターン形状が矩形でない場合
反射防止膜としての機能を評価するため、前記ポジ型レジストパターンを走査型電子顕微鏡により観察し、定在波の影響の有無を評価した。尚、評価基準は、以下のとおりである。
○;定在波がない場合
×;定在波がある場合
スピンコート法により各レジスト下層膜形成用組成物を塗布し、各レジスト下層膜を形成した。その後、エッチング装置「EXAM」(神鋼精機社製)を使用して、CF4/Ar/O2(CF4:40mL/min、Ar:20mL/min、O2:5mL/min;圧力:20Pa;RFパワー:200W;処理時間:40秒;温度:15℃)で前記レジスト下層膜をエッチング処理し、エッチング処理前後のレジスト下層膜の膜厚を測定して、エッチングレートを算出し、エッチング耐性を評価した。
尚、このエッチングレートの算出に際しては、JSR社製のレジスト下層膜形成用組成物(製品名:NFC1400)により、基準レジスト下層膜を形成して行った。また、評価基準は、以下のとおりである。
◎;基準レジスト下層膜に比べてエッチングレートが、−10%以下の場合
○;前記エッチングレートが、−10%を超え、0%以下の場合
△;前記エッチングレートが、0%を超え、+10%以下の場合
×;前記エッチングレートが、+10%を超える場合
表5及び6によれば、実施例1〜32においては、ビアへの埋め込み性が全て「○」であった。また、反射防止効果を示すパターン形状及び定在波防止効果が全て「○」であった。更に、エッチング耐性においても評価が「◎」、「○」及び「△」のいずれかであった。
一方、表7によれば、比較例1〜3においては、いずれかの評価結果に「×」があり、レジスト下層膜として必要な機能を全て満たしていないことが確認できた。即ち、比較例1〜3の組成物により形成されたレジスト下層膜は、ビアホールへの埋め込み性、反射防止効果、及びエッチング耐性の全てにおいて良好な効果を発揮するものではないことが確認できた。
Claims (6)
- (A)下記一般式(1−A)及び/又は(1−B)で表される繰り返し単位を有するポリナフタレン誘導体と、
(B)溶剤と、を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記(A)ポリナフタレン誘導体のゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定されるポリスチレン換算重量平均分子量が、500〜10000である請求項1記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記(A)ポリナフタレン誘導体が、前記一般式(1−A)又は(1−B)で表される繰り返し単位として、下記一般式(1−A−1)、(1−B−1)、(1−A−2)、(1−A−3)及び(1−B−2)で表される各繰り返し単位のうちの少なくとも一種を有する請求項1又は2に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 更に、(C)酸発生剤を含有する請求項1乃至3のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 更に、(D)架橋剤を含有する請求項1乃至4のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- (1)請求項1乃至5のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いて、被加工基板上に下層膜を形成する工程と、
(2)レジスト組成物を用いて、前記下層膜の上にレジスト被膜を形成する工程と、
(3)前記レジスト被膜の所用領域に放射線を照射し、露光する工程と、
(4)露光されたレジスト被膜を現像し、レジストパターンを形成する工程と、
(5)前記レジストパターンをマスクとし、ドライエッチング法を用いて前記下層膜及び前記被加工基板を加工する工程と、を備えることを特徴とするパターン形成方法。
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---|---|
JP (1) | JP4910168B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009030022A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-02-12 | Dic Corp | 高屈折率材料用ナフタレン重合体、及びその製造方法 |
WO2009119201A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物並びにレジスト下層膜形成方法 |
JP2009251130A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Jsr Corp | レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 |
US8603732B2 (en) | 2010-01-19 | 2013-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film-forming composition, process for forming resist underlayer film and patterning process |
WO2014123107A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
WO2015178074A1 (ja) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | Jsr株式会社 | 感光性樹脂組成物およびその用途 |
WO2016132784A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | Jsr株式会社 | 絶縁膜の製造方法および絶縁膜、レーザーアブレーション用樹脂組成物、ならびに電子部品 |
US9828355B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
US20170349564A1 (en) | 2014-12-25 | 2017-12-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
US9984891B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming organic film and method for manufacturing substrate for semiconductor apparatus |
US10018914B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming patterns using the hardmask composition |
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
EP3623867A1 (en) | 2018-09-13 | 2020-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
WO2020145406A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成用組成物、レジスト組成物、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、レジストパターン形成方法、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法 |
US10886119B2 (en) | 2018-08-17 | 2021-01-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Aromatic underlayer |
CN113286841A (zh) * | 2019-01-11 | 2021-08-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 多环多酚树脂和多环多酚树脂的制造方法 |
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
WO2022009966A1 (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成用組成物、レジスト組成物、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、レジストパターン形成方法、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法、光学部材形成用組成物、膜形成用樹脂、レジスト樹脂、感放射線性樹脂、リソグラフィー用下層膜形成用樹脂 |
WO2022014684A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 多環ポリフェノール樹脂、組成物、多環ポリフェノール樹脂の製造方法、膜形成用組成物、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性組成物、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、回路パターン形成方法、及び光学部材形成用組成物 |
US11243467B2 (en) | 2015-09-10 | 2022-02-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
US11480877B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-10-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11194499A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002014474A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2002341542A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2003183362A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリナフチレンの合成方法、感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2003223000A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2004205685A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
JP2004205676A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
-
2006
- 2006-09-07 JP JP2006243343A patent/JP4910168B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11194499A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002014474A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2002341542A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2003183362A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリナフチレンの合成方法、感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2003223000A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2004205685A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
JP2004205676A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009030022A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-02-12 | Dic Corp | 高屈折率材料用ナフタレン重合体、及びその製造方法 |
WO2009119201A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物並びにレジスト下層膜形成方法 |
JP2009251130A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Jsr Corp | レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 |
US8603732B2 (en) | 2010-01-19 | 2013-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film-forming composition, process for forming resist underlayer film and patterning process |
KR20150115793A (ko) * | 2013-02-08 | 2015-10-14 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
CN104969127A (zh) * | 2013-02-08 | 2015-10-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 |
WO2014123107A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
JPWO2014123107A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2017-02-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
US9809601B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
US9828355B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
KR102178662B1 (ko) * | 2013-02-08 | 2020-11-13 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법 |
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
US10018914B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming patterns using the hardmask composition |
WO2015178074A1 (ja) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | Jsr株式会社 | 感光性樹脂組成物およびその用途 |
US20170349564A1 (en) | 2014-12-25 | 2017-12-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
US10745372B2 (en) | 2014-12-25 | 2020-08-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
WO2016132784A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | Jsr株式会社 | 絶縁膜の製造方法および絶縁膜、レーザーアブレーション用樹脂組成物、ならびに電子部品 |
US11480877B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-10-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
US11243467B2 (en) | 2015-09-10 | 2022-02-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US11572430B2 (en) | 2015-09-10 | 2023-02-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US9984891B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming organic film and method for manufacturing substrate for semiconductor apparatus |
US10886119B2 (en) | 2018-08-17 | 2021-01-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Aromatic underlayer |
EP3623867A1 (en) | 2018-09-13 | 2020-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
JPWO2020145406A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2021-11-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成用組成物、レジスト組成物、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、レジストパターン形成方法、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法 |
WO2020145406A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成用組成物、レジスト組成物、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、レジストパターン形成方法、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法 |
CN113302223A (zh) * | 2019-01-11 | 2021-08-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射线敏感性组合物、非晶膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法和电路图案形成方法 |
CN113286841A (zh) * | 2019-01-11 | 2021-08-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 多环多酚树脂和多环多酚树脂的制造方法 |
WO2022009966A1 (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成用組成物、レジスト組成物、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、レジストパターン形成方法、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法、光学部材形成用組成物、膜形成用樹脂、レジスト樹脂、感放射線性樹脂、リソグラフィー用下層膜形成用樹脂 |
CN115968391A (zh) * | 2020-07-08 | 2023-04-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 组合物、树脂、非晶质膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法及电路图案形成方法 |
CN115968391B (zh) * | 2020-07-08 | 2024-04-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 组合物、树脂、非晶质膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法及电路图案形成方法 |
WO2022014684A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 多環ポリフェノール樹脂、組成物、多環ポリフェノール樹脂の製造方法、膜形成用組成物、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性組成物、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、回路パターン形成方法、及び光学部材形成用組成物 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4910168B2 (ja) | 2012-04-04 |
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