JP2008060564A - 異なる熱安定性の抵抗材料を有する電気ヒューズ - Google Patents

Abstract

【課題】比較的低電圧で単一のプログラミングパルスにより確実にプログラミングできる電気ヒューズの提供。
【解決手段】基板２５上に形成された抵抗を有する電気ヒューズである。抵抗は、第１の領域１０と第１の領域に埋め込まれた第２の領域１２を有する。第１の領域１０は第１の材料で形成され、第２の領域１２は第１の材料よりも熱安定性が低い第２の材料で形成される。異なる熱安定性のため、第２の領域１２は、プログラミング電圧が印加されるときに破断しやすい。このように形成した電気ヒューズはより信頼性が増し、使われるプログラミング電圧をより低くできる。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気ヒューズ（ｅヒューズ）に関し、特に異なる熱安定性の材料で製造された抵抗を使用するｅヒューズに関する。

電気ヒューズ（ｅヒューズ）は、いくつかの利点のため、多くの大規模集積回路（ＬＳＩ）製品チップにおいてレーザヒューズに代るものとされている。その利点には、チップ上の占有スペースがより少ないこと、ｌｏｗ−ｋ誘電体を有するバックエンド集積方式においてフレキシブル性が増すこと等がある。また、ｅヒューズはレーザヒューズよりも腐食、亀裂、スプラッタの発生を受けにくい。

ほとんどのｅヒューズは、その破断によって抵抗の値を変えるように設計されている。一般に、感知電圧とプログラミング電圧は、抵抗を破断するのに十分な大きさ（例えば３．３Ｖ）である。プロセス技術がますます小さい形状に進むにつれて、最大動作電圧は低い値に縮小しており、ｅヒューズに対する電力を得ることをさらに困難にしている。また通常、電流をｅヒューズへ送る金属被覆した電力バスを大きくする必要がないよう、プログラミング動作により必要とされる電流量を最小にすることが望ましい。

重要な電圧の制限に直面する場合、例えばサブナノメートル技術において、ｅヒューズのプログラミングで生じる共通の困難性の１つは、単一のプログラミングパルスにおいてヒューズが確実にとぶように十分な電力を供給することである。時には、複数のプログラミングパルスが、所望の抵抗を得るために必要とされ、ｅヒューズの信頼性を低下させ、効率を悪くする。

改良されたｅヒューズ、特に改善された信頼性を有し比較的低電圧でプログラミングすることができるｅヒューズが必要とされている。

本発明は、一観点によれば、基板上に形成された抵抗を有する電気ヒューズ（ｅヒューズ）を対象にしている。抵抗は、第１の領域を規定する第１の材料と、その第１の領域中に埋め込まれる第２の領域を規定する第２の材料とを有する。第２の材料は、第１の領域よりも低い熱安定性を有する。プログラミング電圧が印加されるとき、抵抗は第１の領域よりも第２の領域で破断しやすい。

第１の実施形態では、ｅヒューズはポリシリコン上に金属シリサイド、例えばニッケルシリサイドを有する第１の領域と、ポリシリコンゲルマニウム上に金属シリサイドを有する第２の埋め込まれた領域とを有する抵抗を含んでいる。埋め込まれた領域に存在する材料、例えばニッケルシリサイドゲルマニウム（ＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙ）は、外部部分に存在するニッケルシリサイドよりも熱的に安定していない。ｅヒューズは、この材料の低い熱安定度のためプログラミング電圧を印加されると第２の領域で破断しやすい。

第２の実施形態では、ｅヒューズは、金属シリサイドの外部部分と、基板上に形成され金属シリサイド層の深さ全体よりは浅く延在するポリシリコンの内部部分とを有する抵抗を含んでいる。第１の領域は、金属シリサイドのより厚い部分により規定され、第２の領域はポリシリコンの内部部分に重なる金属シリサイドのより薄い部分により規定される。この領域の金属シリサイドの薄い層は、隣接する領域の金属シリサイドのより厚い領域よりも熱的に安定ではない。そのため、第２の領域はプログラミング電圧が印加されると、第１の領域よりも破断しやすい。

第３の実施形態では、ｅヒューズは基板上に形成された二金属抵抗を有している。その抵抗は、第１の領域を規定するコバルトシリサイドのような第１の金属の外部部分と、第２の領域を規定するニッケルシリサイドのような第２の金属の内部部分とを有する。薄い内部部分は、より厚い外部部分よりも熱的安定度が低い。そのため、内部領域はプログラミング電圧が印加されると外部部分よりも破断しやすい。

第４の実施形態では、ｅヒューズはシリコン・オン・インシュレータ基板上に形成され、シリコンで形成される外部部分と、シリコンゲルマニウムで形成される内部部分とを有する。金属シリサイド層は、シリコン上の金属シリサイドの第１の領域とシリコンゲルマニウム上の金属シリサイドゲルマニウムの第２の領域とを規定する内部部分及び外部部分を覆って設けられる。この第２の領域の材料は、第１の領域の金属シリサイドよりも熱的安定度が低く、そのためプログラミング電圧が印加されると破断しやすい。

第５の実施形態では、ｅヒューズは、シリコン・オン・インシュレータ基板上に形成される抵抗を有している。その抵抗は、シリコンで形成される外部部分と、シリコン部分により全体的に包囲されるシリコンゲルマニウムで形成される内部部分とを含んでいる。金属シリサイド層は、シリコン上に設けられ、シリコン上の金属シリサイドの第１の領域と、シリコンゲルマニウム上のシリコン上の金属シリサイドの第２の領域とを規定する。下にシリコンゲルマニウムを有する第２の領域の金属シリサイドは、第１の領域の金属シリサイドよりも熱的安定度が低く、そのためプログラミング電圧が印加されると破断しやすい。

第６の実施形態では、ｅヒューズは、上にシリコンゲルマニウムの層を有する絶縁体基板上に形成された抵抗を有している。抵抗の外部部分はシリコンで形成され、内部部分は金属シリサイドゲルマニウムで形成される。金属シリサイド層は、シリコン領域上に設けられ、シリコン上の金属シリサイドの第１の領域と、シリコンゲルマニウム上の金属シリサイドゲルマニウムの第２の領域とを規定する。第２の領域の金属シリサイドゲルマニウムは、第１の領域の金属シリサイドよりも熱的安定度が低く、そのためプログラミング電圧が印加されると破断しやすい。

本発明のｅヒューズは、より信頼性があり予測可能なプログラミングに備える。さらにｅヒューズは、熱安定性がより低い領域のためより低い電圧でプログラムすることができる。

本発明の目的、特徴、利点は、以下の本発明のある実施形態のより詳細な説明と添付図面から明白になるであろう。

なお、以下の説明において素子間の様々な接続について説明する。これらの接続は、一般に、特に明記されていなければ直接的でも間接的でもよく、本明細書はこの点に関して限定することを意図していない。

本発明のｅヒューズは、様々な用途に使用することができ、その限定ではない実例には、シリコン・オン・インシュレータの相補型金属酸化物半導体の大規模システム集積回路（ＳＯＩ ＣＭＯＳ ＬＳＩ）装置、バルクＣＭＯＳ・ＬＳＩ装置、プログラム可能な読取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、現場でプログラム可能なゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラム可能なアレイロジック（ＰＡＬ）装置、ＳＲＡＭ及び／またはＤＲＡＭを有する超大規模システム集積回路（ＶＬＳＩ）チップが含まれる。

図１及び図２Ａは、本発明の第１の実施形態によるｅヒューズの平面図及び断面図をそれぞれ示している。ｅヒューズは、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）基板２５上に形成された抵抗を有する。抵抗は、ポリシリコンで形成される外部部分１０とポリシリコンゲルマニウム（ｐｏｌｙ−Ｓｉ_{（１−ｘ）}Ｇｅ_ｘ）で形成される内部部分１２とを有している。また、抵抗は外部部分１０及び内部部分１２上の金属シリサイド層１４を含んでおり、ポリシリコン上のニッケルシリサイドの第１の領域と、ポリシリコンゲルマニウム上のニッケルシリサイドゲルマニウム（ＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙ）の第２の領域をそれぞれ規定している。

ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ_ｘ）の代りとして、金属シリサイド層１４を多数の他のタイプの金属シリサイドから選択することができ、その限定的ではない例には、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ_ｘ）、チタニウムシリサイド（ＴｉＳｉ_ｘ）、パラジウムシリサイド（ＰｄＳｉ_ｘ）、プラチナシリサイド（ＰｔＳｉ_ｘ）、イッテルビウムシリサイド（ＹｂＳｉ_ｘ）、エルビウムシリサイド（ＥｒＳｉ_ｘ）が含まれており、ここでｘは０．３乃至２である。

本明細書中で用語が使用される際に、領域は、その表面領域が他の領域内に全体的にまたは部分的に含まれるとき、別の領域中に「埋め込まれる」と考えられる。例えば、図２に示す実施形態では、（内部領域のポリシリコンゲルマニウム１２により規定され、その上に金属シリサイド層１４の部分が重なっている）第２の領域は、方形の断面を有し、その３つの側面が（ポリシリコン１０により規定され、その上に金属シリサイド１４の部分が重なっている）第１の領域に接触している。以下さらに詳しく説明する図６の実施形態では、（内部部分３２により規定されている）第２の領域は、方形の断面を有し、その２つの側面は（外部部分２４により規定されている）第１の領域に接触している。その他の変形は、本発明の技術的範囲を逸脱せずに行うことができる。例えば、第２の領域は、第１の領域内に含まれる１つまたはそれ以上の表面を有する方形ではない断面を有することができる。

第２の領域の材料は第１の領域の材料よりも熱的に安定ではないので、第２の領域はプログラミング電圧が印加されるときに破断しやすい。図１及び２に示されている実施形態の金属シリサイド層１４では、例えば、内部部分に存在するニッケルシリサイドゲルマニウム（ＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙ）は、外部部分に存在するニッケルシリサイドよりも熱的に安定ではない。また、低い熱安定度のニッケルシリサイドゲルマニウムは、ｅヒューズが低いプログラミング電圧で破壊することを可能にする。典型的には、効率的なプログラミング電圧は通常のｅヒューズの代表値である３．３Ｖと比較して、典型的には約１．８乃至２．５の範囲である。別の利点は、低い熱安定性によりｅヒューズが破断する位置、即ち第２の領域を確実に予測できることである。

図１を参照すると、抵抗の例示的な寸法は、２００乃至５０００ｎｍの全長ｈ_１を含んでいる。ヒューズの長さｈ_２は１００乃至１５００ｎｍであり、ヒューズの幅ｌは１０乃至１５０ｎｍである。図２Ａを参照すると、抵抗の深さｄ_１は３０乃至２００ｎｍであることができる。図２Ｂを参照すると、埋め込まれた第２の領域１２は、約２０−２００ｎｍの長さｗと、約１０−１００ｎｍの深さｄ_２を有することができる。第２の領域１２の幅は、ヒューズの幅ｌと同じであってもよい。これらの寸法は例示であり限定ではないことを認識すべきである。ｅヒューズ及び／またはそのコンポーネントの実際の寸法は、与えられた例示的な寸法から変化してもよい。

図３及び４は、十分にケイ化された（ＦＵＳＩ）ゲートを使用している本発明の第２の実施形態によるｅヒューズを示している。このｅヒューズは、ＳＴＩ基板２５上に形成された抵抗を有している。抵抗は、ニッケルシリサイド１８（ＮｉＳｉ）のような外部部分の金属シリサイドと、基板２５上に形成され、ニッケルシリサイド１８層の深さ全体までは延在しない内部部分のポリシリコン２２を有する。第１の領域はニッケルシリサイド１８の厚い部分により規定され、一方、第２の領域はポリシリコン２２に重なるニッケルシリサイド１８の薄い部分により規定される。薄い部分のニッケルシリサイドの厚さは、例えば約１０−１００ｎｍの範囲である。ＮｉＳｉのこの薄い層は、隣接する領域のより厚いＮｉＳｉ部分よりも熱的に安定していない。その理由は、薄いＮｉＳｉ層が凝集する傾向があるためである。そのため、第２の領域はプログラミング電圧が印加されるとき、第１の領域よりも破断しやすい。

第２の実施形態のｅヒューズは、以下のようなステップを用いて製造することができる。通常のＣＭＯＳプロセスを使用してゲート電極のパターニング及びソース／ドレインの形成が行われた後、ゲートポリシリコンは過剰なＮｉ金属をスパッタリングすることにより十分にケイ化される。この構造はＦＵＳＩとして知られている。ＦＵＳＩの形成中、薄い酸化シリコン層がポリゲートの上部に存在すると、ＮｉＳｉの成長が抑制される。この実施形態では、ＮｉＳｉの薄い層は薄い酸化シリコン層を有する部分でのみ生成される。

図５及び６は、本発明の第３の実施形態によるｅヒューズを示している。このｅヒューズは、ＳＴＩ基板２５上に形成された二金属抵抗を有する。抵抗はコバルトシリサイド２４（ＣｏＳｉ_２）のような第１の金属の外部部分と、ニッケルシリサイド３２のような第２の金属の内部部分とを有する。第１の領域はコバルトシリサイド２４により規定され、第２の領域はニッケルシリサイド３２により規定される。薄いニッケルシリサイド３２の内部部分は、厚いコバルトシリサイド２４の外部部分よりも熱的に安定ではない。そのため、ニッケルシリサイド３２はプログラミング電圧が印加されるとコバルトシリサイド２４よりも破断しやすい。使用することができる第１及び第２の他の組み合わせの限定ではない例は、それぞれＮｉＳｉ_２とＮｉ_３Ｓｉ、ＷとＮｉＳｉ、ＴｉＮとＮｉＳｉ、及びＴａＣとＮｉＳｉを含んでいる。

第３の実施形態のｅヒューズは、置換ゲートを有するデュアル金属ゲートプロセスを用いて製造することができる。このプロセスは、２つのタイプの金属を使用する点を除いて、ＦＵＳＩと類似している。ダミーポリゲートの一部分は、第１の金属（例えば、図６の領域２４）で置換され、ダミーポリゲートの別の部分はハードマスク（例えば、図６の領域３２）を用いて置換されないように保護される。第１の金属２４の形成後、残りのダミーポリゲートは第２の金属３２を形成するために十分にケイ化される。

図７及び８は、本発明の第４の実施形態によるｅヒューズの平面図と断面図をそれぞれ示している。この抵抗はシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板３５上に作成される。絶縁体は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）であってもよい。抵抗は、シリコンで形成される外部部分４０とシリコンゲルマニウム（Ｓｉ_{（１−ｘ）}Ｇｅ_ｘ）で形成される内部部分４２とを含んでいる。内部部分は、例えば約２０−２００ｎｍの長さと、約１０−１００ｎｍの深さを有することができる。金属シリサイド層１４は、外部部分４０及び内部部分４２上に設けられる。ニッケルシリサイドが金属シリサイドとして使用される場合、第１の領域はシリコン上のニッケルシリサイドを含み、第２の領域はシリコンゲルマニウム上のニッケルシリサイドゲルマニウム（ＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙ）を含む。第２の領域のＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙは、第１の領域のＮｉＳｉよりも熱的に安定ではなく、それゆえプログラミング電圧が印加されると破断しやすい。

第４の実施形態の構造は、埋め込まれたＳｉＧｅソース／ドレインにより製造することができ、これは進歩したＣＭＯＳプロセスで商業的に使用されている。ＳＯＩ基板は、部分４２でエッチングすることができ、その後にシリコンゲルマニウムの選択エピタキシャル成長が行われる。部分４０は、通常の技術を使用して、このエッチングと選択ＳｉＧｅ成長から保護することができる。

図９及び１０は、本発明の第５の実施形態によるｅヒューズの平面図と断面図をそれぞれ示している。抵抗は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板３５に作成される。抵抗は、シリコンで形成された外部部分４０とシリコンゲルマニウム（Ｓｉ_{（１−ｘ）}Ｇｅ_ｘ）で形成されシリコン部分４０により全体的に包囲された内部部分４３とを含んでいる。内部部分４３は、例えば約２０−２００ｎｍの長さと、約１０−１００ｎｍの深さを有することができる。内部部分４３上方の領域のシリコンの厚さは、約５乃至約３０ｎｍであることができる。ニッケルシリサイドのような金属シリサイドの層１４は、シリコン４０上に設けられ、シリコン上のニッケルシリサイドの第１の領域と、シリコンゲルマニウム（Ｓｉ_{（１−ｘ）}Ｇｅ_ｘ）上のニッケルシリサイドの第２の領域とを規定する。第２の領域のＮｉＳｉは、その下にシリコンゲルマニウムを有し、第１の領域のＮｉＳｉよりも熱的に安定ではなく、プログラミング電圧が印加されると破断しやすい。

図９及び１０に示す実施形態のｅヒューズは、シリコン、酸化物、シリコン、シリコンゲルマニウム、単結晶シリコンの５つの層を有する市販の基板を使用して製造することができる。この実施形態のｅヒューズは、第４の実施形態について前述したステップと同様のステップを使用して製造することが可能であるが、選択的なＳｉＧｅエピタキシャル成長の後にＳｉエピタキシャル成長が行われる点が異なっている。

図１１及び１２は、本発明の第６の実施形態によるｅヒューズの平面図と断面図をそれぞれ示している。抵抗は、絶縁体基板３５上に形成される。シリコンゲルマニウム５２の層は、基板３５上に設けられる。外部部分５０は、シリコンで形成され、内部部分５５はニッケルシリサイドゲルマニウム（ＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙ）で形成される。内部部分は、約２０−２００ｎｍの長さと、約１０−１００ｎｍの深さを有することができる。金属シリサイド層１４は、シリコン領域５０上に設けられ、シリコン上のニッケルシリサイドの第１の領域と、シリコンゲルマニウム上のニッケルシリサイドゲルマニウム（ＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙ）の第２の領域とを規定する。第２の領域のＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙは、第１の領域のＮｉＳｉよりも熱的に安定ではなく、それゆえプログラミング電圧が印加されると破断しやすい。

図１１及び１２に示す実施形態のｅヒューズは、シリコン、酸化シリコン、シリコン、シリコンゲルマニウム、上部の単結晶シリコンの５つの層を有する市販の基板、ＳＧＯＩ基板を使用して製造されることができる。この実施形態のｅヒューズは、Ｓｉエッチング部分５５により製造することができ、その後にＮｉ・ＳＡＬＩＣＩＤＥプロセスを含む通常のＣＭＯＳプロセスが続く。サリサイド化プロセスに続いて、ＮｉＳｉ_{（１−ｙ）}Ｇｅ_ｙは、ＳｉＧｅ層上に生成することができ、ＮｉＳｉはＳｉ層上に生成することができる。

本発明の特定の実施形態を説明し例示したが、当業者は変更を行うことができるので、本発明はこれに限定されないことが理解されよう。本発明の応用は本明細書中で開示し請求している基礎となる発明の技術的範囲と趣旨に含まれる任意及び全ての変形を考慮する。

本発明の第１の実施形態によるｅヒューズの平面図。 図１のｅヒューズの断面図。 図２Ａに示す抵抗の第２の領域の寸法を示す図。 本発明の第２の実施形態によるｅヒューズの平面図。 図３のｅヒューズの断面図。 本発明の第３の実施形態によるｅヒューズの平面図。 図５のｅヒューズの断面図。 本発明の第４の実施形態によるｅヒューズの平面図。 図７のｅヒューズの断面図。 本発明の第５の実施形態によるｅヒューズの平面図。 図９のｅヒューズの断面図。 本発明の第６の実施形態によるｅヒューズの平面図。 図１１のｅヒューズの断面図。

Claims (18)

1. 基板上に形成された抵抗を備える電気ヒューズであり、
   前記抵抗は、第１の領域を規定する第１の材料と、前記第１の領域に埋め込まれた第２の領域を規定する第２の材料とを備え、
   前記第１の材料は第１の熱安定性を有し、前記第２の材料は前記第１の熱安定性よりも低い第２の熱安定性を有している電気ヒューズ。
2. 前記第１の材料はポリシリコン上に金属シリサイドを備え、前記第２の材料はポリシリコンゲルマニウム上に金属シリサイドを備える請求項１に記載の電気ヒューズ。
3. 前記金属シリサイドは、ＮｉＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＴｉＳｉ_ｘ、ＰｄＳｉ_ｘ、ＰｔＳｉ_ｘ、ＹｂＳｉ_ｘ、及びＥｒＳｉ_ｘからなるグループから選択され、前記ｘは０．３乃至２である請求項２に記載の電気ヒューズ。
4. 前記第１の材料は金属シリサイドを備え、前記第２の材料はポリシリコン上の金属シリサイドを備える請求項１に記載の電気ヒューズ。
5. 前記金属シリサイドは、ＮｉＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＴｉＳｉ_ｘ、ＰｄＳｉ_ｘ、ＰｔＳｉ_ｘ、ＹｂＳｉ_ｘ、及びＥｒＳｉ_ｘからなるグループから選択され、前記ｘは０．３乃至２である請求項４に記載の電気ヒューズ。
6. 前記第１の材料はＮｉＳｉであり、前記第２の材料はＣｏＳｉ_２である請求項１に記載の電気ヒューズ。
7. 前記第１の材料はＮｉＳｉ_２であり、前記第２の材料はＮｉ_３Ｓｉである請求項１に記載の電気ヒューズ。
8. 前記第１の材料はＷであり、前記第２の材料はＮｉＳｉである請求項１に記載の電気ヒューズ。
9. 前記第１の材料はＴｉＮであり、前記第２の材料はＮｉＳｉである請求項１に記載の電気ヒューズ。
10. 前記第１の材料はＴａＣであり、前記第２の材料はＮｉＳｉである請求項１に記載の電気ヒューズ。
11. 前記基板はシリコン・オン・インシュレータを備え、前記第１の材料はシリコン上の金属シリサイドであり、前記第２の材料はシリコンゲルマニウム上の金属シリサイドゲルマニウムである請求項１に記載の電気ヒューズ。
12. 前記金属シリサイドは、ＮｉＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＴｉＳｉ_ｘ、ＰｄＳｉ_ｘ、ＰｔＳｉ_ｘ、ＹｂＳｉ_ｘ、及びＥｒＳｉ_ｘからなるグループから選択され、前記ｘは０．３乃至２である請求項１１に記載の電気ヒューズ。
13. 前記基板はシリコン・オン・インシュレータを備え、前記第１の材料はシリコン上の金属シリサイドであり、前記第２の材料はシリコンゲルマニウム上のシリコン上の金属シリサイドである請求項１に記載の電気ヒューズ。
14. 前記金属シリサイドは、ＮｉＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＴｉＳｉ_ｘ、ＰｄＳｉ_ｘ、ＰｔＳｉ_ｘ、ＹｂＳｉ_ｘ、及びＥｒＳｉ_ｘからなるグループから選択され、前記ｘは０．３乃至２である請求項１３に記載の電気ヒューズ。
15. 前記基板は絶縁体上にシリコンゲルマニウムを備え、前記第１の材料はシリコン上の金属シリサイドであり、前記第２の材料は金属シリサイドゲルマニウムである請求項１記載の電気ヒューズ。
16. 前記金属シリサイドは、ＮｉＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＴｉＳｉ_ｘ、ＰｄＳｉ_ｘ、ＰｔＳｉ_ｘ、ＹｂＳｉ_ｘ、及びＥｒＳｉ_ｘからなるグループから選択され、前記ｘは０．３乃至２である請求項１５に記載の電気ヒューズ。
17. 請求項１に記載の電気ヒューズを備えるシリコン・オン・インシュレータ相補型金属酸化物半導体の大規模システム集積回路（ＳＯＩ・ＣＭＯＳ・ＬＳＩ）装置。
18. 請求項１に記載の電気ヒューズを備えるバルク相補型金属酸化物半導体の大規模システム集積回路（ＣＭＯＳ ＬＳＩ）装置。

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