JP2008060355A - 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハを、絶縁膜を介さずに、疎水面の状態で直接貼り合わせたのち、活性層用のシリコンウェーハを所定の厚みまで薄膜化することよって貼り合わせウェーハを製造するに際し、
上記した活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハそれぞれについて、インゴットからの切断角度が、所定の結晶面に対して0〜0.1°(合成角)で切断されたシリコンウェーハを用いる。
【選択図】図1
Description
かような残留酸化物は、デバイス特性を劣化させるだけでなく、デバイスの作製工程において欠陥の核になるという問題があった。
2枚のシリコンウェーハを、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせる場合に、貼り合わせ界面に残留する酸化物は、貼り合わせ界面に閉じ込められた酸化物が凝縮したものと考えられる。従って、かような酸化物の残留を阻止するために、通常、貼り合わせ前にHF溶液中で洗浄して、ウェーハ表面の自然酸化膜を除去したのち、貼り合わせを行っている。
しかしながら、貼り合わせ前に、HF溶液等でウェーハ表面を洗浄した場合であっても、貼り合わせ界面にステップ状酸化物が残留する場合があった。
すなわち、貼り合わせ用ウェーハをインゴットから切り出す場合、その切断角度は、「X軸、Y軸ともに1°以下」とするのが一般的であったが、このインゴットからの切断角度を所定の結晶面に対して0〜0.1°(合成角)の範囲に厳密に制御することにより、貼り合わせ界面におけるステップ状酸化物の残留を効果的に解消できることの知見を得た。
本発明は、上記の知見に立脚するものである。
1.活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハを、絶縁膜を介さずに、直接貼り合わせたのち、活性層用のシリコンウェーハを所定の厚みまで薄膜化することよって貼り合わせウェーハを製造するに際し、
上記した活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハそれぞれについて、インゴットからの切断角度が、所定の結晶面に対して0〜0.1°(合成角)で切断されたシリコンウェーハを用いることを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
5.活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハを、絶縁膜を介さずに、直接貼り合わせたのち、活性層用のシリコンウェーハを所定の厚みまで薄膜化することよって得た貼り合わせウェーハであって、
上記した活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハそれぞれについて、インゴットからの切断角度が、所定の結晶面に対して0〜0.1°(合成角)を有するシリコンウェーハを用いたことを特徴とする貼り合わせウェーハ。
本発明では、シリコンウェーハをインゴットから切り出す場合、その切断角度を、所定の結晶面(基準面ともいう)に対して0〜0.1°(合成角)の範囲に制御することが重要である。
というのは、この切断角度(合成角)が0.1°を超えると、やはり、貼り合わせ界面にステップ状の酸化物が残留し、デバイス作製工程や特性に悪影響を及ぼしてしまうからである。
すなわち、貼り合わせ界面において、接合される面にテラスとステップが形成されることで、ステップ領域に貼り合わせ界面の酸化物が凝縮し、残留してしまうと思われる。そのため、ステップの存在しない、つまり結晶の基準面とほぼ平行な切り出し面を有するシリコンウェーハ同士を貼り合わることにより、ステップは比較的少なく、貼り合わせ界面の酸化物も抑制できるものと考えられる。
ここに、疎水面とは、表面に酸化膜等がない清浄な面を意味する。また、洗浄方法については、特に限定されるものではなく、従来から公知のHF溶液中での洗浄等を利用することができる。
このイオン注入分離法は、貼り合わせ前に、活性層となるシリコンウェーハに水素ガス等の希ガスを貼り合わせ面から注入してイオン注入層を形成する。ついで、支持基板用のシリコンウェーハと貼り合わせを行ったのち、500℃程度の熱処理を施すことにより、イオン注入層を境界として活性層用ウェーハの一部を剥離する方法である。このイオン注入分離法を用いることで、研削や研磨、エッチングを用いることなく、活性層を均一に薄膜化することができる。
CZ法により育成されたシリコンインゴットからシリコンウェーハを切り出すに際し、(100)面を基準面として、活性層用シリコンウェーハについては、その合成角を0.07°、一方支持基板用シリコンウェーハについては、その合成角を0.07°とした。かくして得られた2枚のシリコンウェーハを、HF洗浄液中に浸して自然酸化膜を完全に除去したのち、直接貼り合わせ、さらに貼り合わせ強度を改善するために1100℃、120分間の熱処理を施した。ついで、活性層側のウェーハを研削・研磨により、活性層厚が100nmになるように加工した。
かくして得られた貼り合わせウェーハの界面に存在する酸化物を、平面TEM(Transmission Electron Microscopy:透過型電子顕微鏡(以下TEM))にて観察した。
得られた結果を表1および図2(a)に示す。
CZ法により育成されたシリコンインゴットからシリコンウェーハを切り出すに際し、(100)面を基準面として、活性層用シリコンウェーハについては、その合成角を0.07°、一方支持基板用シリコンウェーハについては、その合成角を0.07°とした。ついで、活性層側のシリコンウェーハの表面に加速電圧:50keV、ドーズ量:1×1017atoms/cm2の条件で水素イオンを注入して、活性層用ウェーハの表面から約500nmの深さ位置に水素イオン注入層を形成した。
次に、活性層用および支持基板用のシリコンウェーハを、HF洗浄液中に浸して自然酸化膜を完全に除去したのち、直接貼り合わせ、500℃で熱処理することにより、水素イオン注入層を境界として、貼り合わせウェーハの一部を剥離した。
ついで、貼り合わせ強度を改善するために1100℃、120分間の熱処理を施した後、さらに酸化処理を施して活性層厚が100nmになるように薄膜化した。
かくして得られた貼り合わせウェーハの界面に存在する酸化物を、平面TEMにて観察した。
得られた結果を表1に示す。
活性層用シリコンウェーハの合成角を0.12°、また支持基板用シリコンウェーハの合成角を0.12°とする以外は、実施例1と同様にして、貼り合わせウェーハを作製した。
かくして得られた貼り合わせウェーハの界面に存在する酸化物を、平面TEMにて観察した結果を、表1および図2(b)に示す。
活性層用シリコンウェーハの合成角を0.12°、また支持基板用シリコンウェーハの合成角を0.12°とする以外は、実施例2と同様にして、貼り合わせウェーハを作製した。
かくして得られた貼り合わせウェーハの界面に存在する酸化物を、平面TEMにて観察した結果を、表1に示す。
Claims (5)
- 活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハを、絶縁膜を介さずに、直接貼り合わせたのち、活性層用のシリコンウェーハを所定の厚みまで薄膜化することよって貼り合わせウェーハを製造するに際し、
上記した活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハそれぞれについて、インゴットからの切断角度が、所定の結晶面に対して0〜0.1°(合成角)で切断されたシリコンウェーハを用いることを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 - 前記活性層用および支持基板用のシリコンウェーハは、疎水面の状態で貼り合わせることを特徴とする請求項1記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記活性層用および支持基板用のシリコンウェーハとして、結晶方位が異なるウェーハを用いることを特徴とする請求項1または2記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記活性層用のシリコンウェーハの薄膜化方法が、イオン注入分離法であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハを、絶縁膜を介さずに、直接貼り合わせたのち、活性層用のシリコンウェーハを所定の厚みまで薄膜化することよって得た貼り合わせウェーハであって、
上記した活性層用および支持基板用の2枚のシリコンウェーハそれぞれについて、インゴットからの切断角度が、所定の結晶面に対して0〜0.1°(合成角)を有するシリコンウェーハを用いたことを特徴とする貼り合わせウェーハ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067919A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Sumco Corp | 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106052A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 接合ウエーハ検査方法 |
JPH05198549A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-08-06 | Nippondenso Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2006156770A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 直接接合ウェーハの製造方法及び直接接合ウェーハ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5451547A (en) * | 1991-08-26 | 1995-09-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor substrate |
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5152842A (en) * | 1991-12-05 | 1992-10-06 | Rohm Co., Ltd. | Reactor for epitaxial growth |
KR100200973B1 (ko) * | 1995-03-20 | 1999-06-15 | 후지이 아키히로 | 경사표면 실리콘 웨이퍼, 그 형성방법 및 반도체소자 |
FR2766620B1 (fr) * | 1997-07-22 | 2000-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Realisation de microstructures ou de nanostructures sur un support |
JP3216583B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2001-10-09 | 住友金属工業株式会社 | 貼り合わせsoi基板の製造方法 |
JPH11167701A (ja) | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Toshiba Corp | ディスク装置及び同装置に適用されるデータ記録順制御方法 |
JP3223873B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2001-10-29 | 住友金属工業株式会社 | シリコンウエーハ及びその製造方法 |
JP4603677B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2010-12-22 | 信越半導体株式会社 | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ |
FR2819099B1 (fr) * | 2000-12-28 | 2003-09-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure empilee |
US7153757B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-12-26 | Analog Devices, Inc. | Method for direct bonding two silicon wafers for minimising interfacial oxide and stresses at the bond interface, and an SOI structure |
JP4190906B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-12-03 | 信越半導体株式会社 | シリコン半導体基板及びその製造方法 |
US20050217560A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tolchinsky Peter G | Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same |
US8138061B2 (en) * | 2005-01-07 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Quasi-hydrophobic Si-Si wafer bonding using hydrophilic Si surfaces and dissolution of interfacial bonding oxide |
US20070215984A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Shaheen Mohamad A | Formation of a multiple crystal orientation substrate |
US20080164572A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Covalent Materials Corporation | Semiconductor substrate and manufacturing method thereof |
-
2006
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-
2007
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- 2007-08-31 US US11/849,058 patent/US8048767B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106052A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 接合ウエーハ検査方法 |
JPH05198549A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-08-06 | Nippondenso Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2006156770A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 直接接合ウェーハの製造方法及び直接接合ウェーハ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067919A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Sumco Corp | 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101188194A (zh) | 2008-05-28 |
KR100898534B1 (ko) | 2009-05-20 |
US8048767B2 (en) | 2011-11-01 |
KR20080020578A (ko) | 2008-03-05 |
EP1895572A2 (en) | 2008-03-05 |
EP1895572A3 (en) | 2009-04-15 |
EP1895572B1 (en) | 2011-02-09 |
SG140581A1 (en) | 2008-03-28 |
CN101188194B (zh) | 2010-06-23 |
US20080057676A1 (en) | 2008-03-06 |
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