JP2008060338A - 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係るVCSELは、基板102上に、n型の下部DBR106、活性領域108、電流狭窄層110、p型上部DBR112、p型GaAsコンタクト層114を積層し、コンタクト層114上にレーザ光の出射領域を規定する開口部132を含むp側上部電極130が形成されている。レーザ光の発振波長をλとしたとき、コンタクト層114と当該コンタクト層114が接する上部DBRの最上膜112cとの光学膜厚Tがλ/4よりも小さいことを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
さらに本発明は、煩雑な工程を追加することなく容易に高次横モードの抑制を行うことができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
104:バッファ層 106:下部DBR
108:活性領域 110:電流狭窄層
112:上部DBR 112a:Al組成の高いGaAs層
112b:Al組成の低いGaAs層 112c:最上層のAlGaAs層
114:コンタクト層 116:溝
118:パッド形成領域 120:層間絶縁膜
130:p側上部電極 132:開口
134:電極パッド 136:配線電極
150:n側下部電極 P:ポスト
Claims (24)
- 基板上に、少なくとも第1導電型の第1の半導体多層膜、活性層、第1の半導体多層膜とともに共振器を構成する第2導電型の第2の半導体多層膜、およびコンタクト層を積層し、コンタクト層上にレーザ光の出射領域を規定する開口部を含む金属層が形成された面発光型半導体レーザであって、
レーザ光の発振波長をλとしたとき、コンタクト層と当該コンタクト層が接する第2の半導体多層膜の最上膜との光学膜厚Tがλ/4よりも小さい、面発光型半導体レーザ。 - 第2の半導体多層膜は、第1の屈折率を有する第1の半導体膜と第2の屈折率を有する第2の半導体膜を対とする複数対の半導体膜を多層含み、第2の半導体多層膜の最上膜である第1の半導体膜と前記コンタクト層とを合わせた光学膜厚Tがλ/4よりも小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第2の半導体多層膜に含まれる第1の半導体膜のうち少なくとも前記最上膜である第1の半導体膜のバンドギャップエネルギーと、活性層のバンドギャップエネルギーの差分は、0.1エレクトロンボルト(eV)以上、0.3エレクトロンボルト以下である、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1および第2の半導体膜は、Alの組成を異にしたAlGaAsからなり、コンタクト層はGaAsからなる、請求項2または3に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1の半導体膜のAlの含有率は、第2の半導体膜のAlの含有率よりも小さい、請求項2ないし4いずれか1つ記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学膜厚Tは、(0.195±0.02)λの範囲である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学膜厚Tは、(0.155±0.02)λの範囲以外である、請求項1または6に記載の面発光型半導体レーザ。
- 金属層は、金またはチタンと金の積層である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 面発光型半導体レーザはさらに、コンタクト層と基板との間に電流狭窄層を含み、電流狭窄層は、高抵抗領域と当該高抵抗領域によって囲まれた導電領域を含み、前記金属層の開口部は、前記導電領域の径の大きさよりも0〜3ミクロン小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 面発光型半導体レーザはさらに、基板上にポスト含み、ポストは、少なくとも金属層、コンタクト層、第2の半導体多層膜、および電流狭窄層を含み、電流狭窄層の高抵抗領域は、ポスト側面から酸化された酸化領域である、請求項9記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと光学部材を実装したモジュール。
- 請求項11に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を光媒体を介して送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
- 請求項11に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
- 請求項11に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を送信する送信手段とを備えた、光送信システム。
- 請求項11に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送システム。
- 面発光型半導体レーザの製造方法であって、
基板上に、少なくとも第1導電型の第1の半導体多層膜を形成するステップと、
第1の半導体多層膜上に、活性領域を形成するステップと、
活性領域上に、最上膜の膜厚が他の膜厚よりも薄くなるように第2導電型の第2の半導体多層膜を形成するステップと、
第2の半導体多層膜上に、前記最上膜と合わせた光学膜厚Tが発振波長のλ/4より小さくなるようにコンタクト層を形成するステップと、
コンタクト層上に、レーザ光の出射領域を規定する開口部を含む金属層を形成するステップと、
を有する面発光型半導体レーザの製造方法。 - 第2の半導体多層膜は、第1の屈折率を有する第1の半導体膜と第2の屈折率を有する第2の半導体膜を対とする複数対の半導体膜を多層含み、第2の半導体多層膜の最上膜である第1の半導体膜と前記コンタクト層の光学膜厚Tがλ/4よりも小さく、最上膜以外の第1の半導体膜と第2の半導体膜のそれぞれの光学膜厚はλ/4に等しい、請求項16に記載の製造方法。
- 第2の半導体多層膜に含まれる第1の半導体膜のうち少なくとも前記最上膜である第1の半導体膜のバンドギャップエネルギーと、活性層のバンドギャップエネルギーの差分は、0.1エレクトロンボルト(eV)以上、0.3エレクトロンボルト以下である、請求項16または17に記載の製造方法。
- 第1および第2の半導体膜は、Alの組成を異にしたAlGaAsからなり、コンタクト層はGaAsからなる、請求項17または18に記載の製造方法。
- 第1の半導体膜のAlの含有率は、第2の半導体膜のAlの含有率よりも小さい、請求項19に記載の製造方法。
- 前記光学膜厚Tは、(0.195±0.02)λの範囲である、請求項16に記載の製造方法。
- 前記光学膜厚Tは、(0.155±0.02)λの範囲以外である、請求項16ないし21いずれか1つに記載の製造方法。
- 前記金属層は、金またはチタンと金の積層である、請求項16に記載の製造方法。
- 前記製造方法はさらに、基板とコンタクト層との間に電流狭窄層を形成するステップと、基板上の半導体層をエッチングして基板上にポストを形成するステップと、電流狭窄層の外縁をポスト側面から酸化するステップとを含み、電流狭窄層の酸化領域によって囲まれた導電領域の径よりも金属層の開口部の大きさが0〜3ミクロン小さい、請求項16に記載の製造方法。
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