JP2008053421A - ウェーハ再生用ウェーハパターン研削機及び研削方法 - Google Patents

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Abstract


【課題】 回路設計加工がなされたウェーハをベアウェーハや太陽電池ウェーハとして再生するための技術であって、容易に実施することができる再生研削装置及び方法を提供する
【解決手段】 被研削ウェーハ12を取り付ける真空チャック13と、前記真空チャックを回転させるテーブル回転装置3と、前記真空チャック上の被研削ウェーハを研削する砥石17と、前記砥石のZ軸方向の位置を制御するZ軸方向位置制御装置と、前記砥石のY軸方向の位置を制御する横方向位置制御装置と、前記被研削ウェーハ12から発生した研削液の飛沫を受ける飛沫受けカバー8と、それらの装置を支持するフレーム9と、前記フレームの底部に取り付けられているキャスター11を備える。
【選択図】 図1

Description

発明の詳細な説明
この発明は不良品半導体ウェーハを搬送用ベアウェーハや太陽電池用ウェーハとして再生させるためのウェーハ研削技術に関するものである。
従来、半導体デバイスメーカーでは、ICチップ等を作成する場合は、半導体ウェーハ上に回路設計加工を行うことによって形成したAl、Cu、Ti、W、PolySi系、SiN、Ti,Ta,TaN系、SiO2系あるいはレジスト、Si系等の材料からなる単層から7層ぐらい、或いはそれ以上の多層のウェーハパターンを有するパターンウェーハをまず製作するが、加工ミスや設計通りの性能が得られずに不良品となったパターンウェーハは廃棄せざるを得ず、その場合において、ウェーハパターンが形成されたパターンウェーハをミリ単位に細かく粉砕し、産業廃棄物として処分していた。
しかしこの不良品となったパターンウェーハは、表面部の回路設計加工がされているウェーハパターン部分を取り除けば、新たな搬送用ベアウェーハや太陽電池ウェーハとして使用可能であり、このウェーハパターン除去による不良ウェーハの再生がなされることが資源リサイクルの社会的要請に応えることになる。このような不良ウェーハの再生は処理の対象であるウェーハが少量でかつ多品種であることが特徴である。
特開2005−311178 特開2005−123541 特開2000−243801従来は不良品ウェーハの再生加工としてはシリコン基板材料を封入しているEVAを溶解及び燃焼させて、かつ銀電極膜を化学処理して除去し、太陽電池モジュールの中からシリコン基板材料を取り出してリサイクルするものである。(特許文献1参照)しかしこの特許文献1で記載された再生方法は、被処理対象が太陽電池モジュールであるし、シリコン基板材料の取り出し手段も、燃焼と化学処理であり、処理のための操作がきわめて煩雑であり、また溶解による除去処理は、皮膜の種類によって溶解液の選択や洗浄工程や発生した廃液の種類や性質に応じての回収、廃棄のための処理も必要になるので、実用化が大掛かりとなって小量、多品種の不良品ウェーハの処理には適さない。そこで、単結晶シリコン上に形成されている被膜層をサンドブラスト等の物理的衝撃で破砕処理し、最後に表面の再研削をする物理的な再生技術も提案されているが、この特許文献2に記載された再生方法は被処理対象に対してがサンドブラスト等の物理的衝撃加工と研削加工の2種以上の加工が必要で、処理工程が複雑である。しかも被処理対象物としてはシリコン単結晶基板に限られるので、ウェーハの処理には適用することができない。またモニタウェーハの再生加工として研削を使用した技術もあるが(特許文献3参照)、ここで使用される研削は、モニターテスト面を鏡面に仕上げるための研削であって、ウェーハ表面の電極等ウェーハパターンを除去するための研削ではない。また特許文献3に示される再生技術では、被処理ウェーハは使用済のモニターウェーハであって、特定の種類のウェーハに限られていて、他の種類のウェーハには適用できない。この発明は上記の如き事情に鑑みてなされたものであって、パターンウェーハをベアウェーハや太陽電池ウェーハとして再生するための技術であって、容易に実施することができるウェーハ再生用ウェーハパターン研削装置及び方法を提供することを目的とするものである。
この目的に対応して、この発明のウェーハ再生用ウェーハパターン研削機はウェーハパターンを研削によって除去するウェーハ再生用ウェーハパターン研削機であって、被研削パターンウェーハを取り付ける真空チャックを有する真空チャックテーブルと、前記真空チャックテーブルを回転させるテーブル回転装置と、前記真空チャックテーブル上の被研削パターンウェーハを研削する砥石を持つ砥石装置と、前記砥石装置を回転させる研削モータと、前記砥石装置の切り込み深さを制御する切り込み深さ方向制御装置と、前記砥石装置の前記切り込み深さに直交する方向の位置を位置決めする横方向位置決め装置と、前記真空チャックに取り付けた前記被研削パターンウェーハの被研削面を囲む壁を有していて前記被研削面から発生した研削液の飛沫を受ける飛沫受けカバーと、前記真空チャックテーブルと前記テーブル回転装置と前記砥石装置と前記研削モータと前記切り込み深さ制御装置と、前記横方向位置決め装置と及び前記飛沫受けカバーを支持するフレームとを備え、かつ、前記フレームの底部に取り付けられているキャスターを備えることを特徴としている。
また、この発明のウェーハ再生用ウェーハパターン研削方法は、ウェーハパターンを研削によって除去するウェーハ再生用ウェーハパターン研削方法であって真空チャックテーブルの真空チャックに被研削ウェーハを取り付けて回転させながら砥石の回転方向の位置を制御しつつ前記砥石を回転させて前記被研削ウェーハを研削するウェーハ再生用パターン研削方法であって、前記真空チャックは複数の吸気穴を有し、前記吸気穴の径は1〜2mmであり、前記砥石の組成は、砥粒の材料がダイヤモンドであり、粒度が#400〜1500であり、使用する結合体はビトリファイド若しくはレジノイドであり、前記砥石の研削条件は砥石回転速度が1000〜4000rpmであり、切り込み速度が5〜40μm/secであり、テーブル回転速度が5〜30rpmであることを特徴としている。
(1)この発明ではパターンウェーハ上のウェーハパターンを研削によって除去するので、溶解除去のための薬品を必要とすせず、処理の内部が単純で、必要な装置の構成を簡単にし、実施が容易である。
またこの発明では装置の構成要素をすべて共通の1個のフレームに取り付け、そのフレームにキャスターを取り付けることにより、装置全体を電源のあるところならどこでも持ち運べることにより、不良品のパターンウェーハが発生する場所に出向いてウェーハ再生を小規模に実施するのに適している。
請求項2に記載した発明によれば複数の直径のウェーハ取付け面が同心状に形成されているので、各種の寸法のウェーハの取付けが容易である。
請求項3に記載した発明によれば、真空チャックの通気孔の数、形状、分布を最適にすることによって、被研削ウェーハを歪なくテーブル上に固定することができ、良好な研削をすることができる。
請求項4に記載した発明によれば、プレートと砥石の間に弾力性のあるパッドを介在させることにより、砥石を被研削ウェーハに対して平行を保つことができ、被研削ウェーハの全パターンを均等に研磨することができる。
請求項5に記載した発明によれば、良好な傾き吸収性能を有するパッドを得ることができる。
また請求項6に記載した発明によれば、研削用砥石の組成を最適にすることによって、良好な研削を実現させることができる。
また請求項7に記載した発明によれば、研削条件を最適にすることよって、良好な研削を実現させることができる。
また請求項8に記載した発明によれば、ウェーハの再生を、化学処理を必要とすることなしに、機械的な加工だけで実現させることができ、かつ必要な施設の規模を大きくする必要なしに不良品ウェーハの発生する場所に出向いて小規模なウェーハの再生をすることができる。
以下この発明の詳細を最良の形態について、図面を参照して説明する。
図1から図3において、1はウェーハパターン研削方法において使用するウェーハパターン研削機である。ウェーハパターン研削機1は主な構成機器として、真空チャックテーブル2とテーブル回転装置3と砥石装置4と研削モータ5と、切り込み深さ制御装置6と、横方向位置決め装置7と、飛沫受けカバー8とフレーム9とキャスター11を備えている。
真空チャックテーブル2は被研削体であるパターンウェーハ12を載置して固定するもので、パターンウェーハ12を固定するための真空チャック13を有している。ここでパターンウェーハとはパターンが形成されているウェーハを指す。真空チャック13には図4に示すように、パターンウェーハ12を受け入れて位置決めするための円径の大きさが異なる複数の皿状の窪み19a〜19dを同心状に備えている。中心部に位置する最も円径の小さい窪み19aの底部にはパターンウェーハ12を吸引するための通気穴14を有しており、通気穴14の径d、数、分布、吸引力等は被研削体であるパターンウェーハ12の種類に応じて、それを歪みなく確実に固定することができるように選択するが、ここでは通気穴14の径dは1〜2mmであり、数は13個であり、分布は半径30mmと半径58mmの2つの同心円上に等ピッチでそれぞれ6個づつと中心部に1個の合計13個であり、吸引圧力は合計で1〜2kgf、好ましくは1.5kgfである。
再び図1から図3において、テーブル回転装置3は真空チャックテーブル2を回転させるものであり、テーブル用モータ20を備えている。
真空チャックテーブル2の上方には砥石装置4が配置されている。砥石装置4はダイヤモンドホイール15を有する。ダイヤモンドホイール15の直径は例えば150mmである。ダイヤモンドホイール15はアルミプレート16にリング状の砥石17を接着して構成されている。砥石17の組成は砥粒の材料がダイヤモンドであり、粒度が#400〜1500であり、使用する結合体はビトリファイド若しくはレジノイドである。アルミプレート16と砥石17との間には傾き吸収用のパッド31が介在している。この傾き吸収用パッド31は砥石17の研削面とパターンウェーハ12の表面が研削時に平行でないときに、その傾きを吸収して両者を平行に保つ。傾き吸収用パッド31はフェノール樹脂とアルミニウムの結合体などで構成される。
砥石装置4は研削モータ5の出力軸32に取付けられて回転可能であり、また砥石17は出力軸(Z軸)32の方向(切込み深さの方向)の縦方向位置とそれに垂直な方向(Y軸方向)の横方向位置をとることができる。
ウェーハパターン研削装置1はフレーム9を有し、フレーム9に上下方向のZ軸に直交するY軸方向にボールねじ18とY軸ガイドレール22が設けられ、ボールねじ18はハンドル21を回転させることによって手動で回転させることができる。ボールねじ18にはボール軸受23が係合していて、ボールねじ18を回転させることによって、ボール軸受23がY軸ガイドレール22に沿って直線変位し、砥石装置4のY軸方向の位置を決める。
一方切り込み深さ制御装置6としてはボール軸受23に縦方向にZ軸方向がガイドレール33が取付けられており、Z軸方向ガイドレール33にサーボモータ24が固定し、かつ研削モータ支持装置34は研削モータ5を支持した状態でサーボモータ24に駆動されてZ軸方向に移動し、砥石装置4の縦方向の位置である切込み量を制御する。サーボモータ24の分解能は10μm程度あるいはそれ以上であることが望ましい。
真空チャックテーブル2とほぼ同じ高さには飛沫受けカバー8が配置されている。飛沫受けカバー8は底部26とその外周縁から立ち上っている壁27とからなっていて、底部26と壁27とで囲繞する空間内に真空チャックテーブル2の真空チャック13上の被研削パターンウェーハ12が入るように構成されている。
研削工程においてはパターンウェーハ12と砥石17との接触部分には常温水等からなる研削液が供給されるが、飛沫受けカバー8はその研削液と削り屑と砥石屑のスラリーがウェーハ研削装置1の周囲に飛散するのを防ぐものである。飛沫受けカバー8に入ったスラリーは集められて水抜き穴(図示せず)から廃液タンク(図示せず)に流される。
飛沫受けカバー8の下にはテーブル用モータ20があって、テーブル用モータ20の出力軸35は飛沫受けカバー8の底部26を貫通して真空チャックテーブル2に連結していて真空チャックテーブル2を回転させる。
フレーム9は真空チャックテーブル2とテーブル回転装置3と砥石装置4と研削モータ5と切り込み深さ制御装置6と横方向位置決め装置7と飛沫受けカバー8など、パターンウェハの研削加工に必要な構成要素のほとんど全部を支持している。
フレーム9の下端部にはキャスター11が取り付けられていて、これにより、ウェーハパターン研削装置1は移動可能な可搬式になっている。
このように構成された可搬式のウェーハパターン研削装置を使用して不良品パターンウェーハを被研削対象とするウェーハの再生研削を行う場合の操作は次の通りである。
まずウェーハパターン研削装置1をキャスターを利用して電源のある作業場所に移動する。
次に必要に応じて、被研削対象であるパターンウェーハを目視等によりパターンの材料や、構成、厚み等によって分別し、砥石の種類、回転速度、切り込み量、ウェーハの寸法、真空チャックテーブルの回転速度を選択し、操作パネルから制御装置(図示せず)に入力する。
研削条件の一例としては次のものがある。

Figure 2008053421

次に選択したパターンウェーハを真空チャック13の対応した寸法の窪み19a〜dの中央部に載置し、通気穴14から吸引して固定する。次いで研削部位に研削液を供給しながら、操作パネル36のボタンを押して研削を開始する。研削部位から発生した研削屑、砥粒、研削液を含むスラリー及びその飛沫は飛沫受けカバー8で受けて、水抜き穴(図示せず)からドレンされる。
目視によりパターンウェーハ12上のパターンが除去されたことが確認されれば、操作パネル上のボタンを押して、ウェーハパターン研削装置1の動作を停止させ、研削済みのウェーハを真空チャック13から取り外す。この研削済みのウェーハは別工程で必要な処理を施せば、太陽電池用ウェーハとして再使用可能である。
ウェーハパターン研削機の正面図。 ウェーハパターン研削機の側面図。 ウェーハパターン研削機の平面図。 真空チャックの平面図。
符号の説明
1 ウェーハパターン研削機
2 真空チャックテーブル
3 テーブル回転装置
4 砥石装置
5 研削モータ
6 切り込み深さ制御装置
7 横方向位置決め装置
8 飛沫受けカバー
9 フレーム
11 キャスター
12 パターンウェーハ
13 真空チャック
14 通気穴
15 ダイヤモンドホイール
16 アルミプレート
17 砥石
18 ボールねじ
19a〜19d 窪み
20 テーブル用モータ
21 ハンドル
22 Y軸ガイドレール
23 ボール軸受
24 サーボモータ
26 底部
27 壁
31 パッド
32 出力軸
33 Z軸ガイドレール
34 研削モータ支持装置
35 出力軸

Claims (8)

  1. ウェーハパターンを研削によって除去するウェーハ再生用ウェーハパターン研削機であって、被研削パターンウェーハを取り付ける真空チャックを有する真空チャックテーブルと、前記真空チャックテーブルを回転させるテーブル回転装置と、前記真空チャックテーブル上の被研削パターンウェーハを研削する砥石を持つ砥石装置と、前記砥石装置を回転させる研削モータと、前記砥石装置の切り込み深さを制御する切り込み深さ制御装置と、前記砥石装置の前記切り込み深さ方向に直交する方向の位置を位置決めする横方向位置決め装置と、前記真空チャックに取り付けた前記被研削パターンウェーハの被研削面を囲む壁を有していて前記被研削面から発生した研削液の飛沫を受ける飛沫受けカバーと、前記真空チャックテーブルと前記テーブル回転装置と前記砥石装置と前記研削モータと前記切り込み深さ制御装置と前記横方向位置決め装置と及び前記飛沫受けカバーを支持するフレームとを備え、かつ、前記フレームの底部に取り付けられているキャスターを備えることを特徴とするウェーハ再生用ウェーハパターン研削機。
  2. 前記真空チャックはそれぞれの円径の大きさが異なる複数の皿状のウェーハ受け入れ用の窪みを同心状に備え、複数の前記窪みのうちの最も小さな円径の窪みを含むいずれかの前記窪みの底部に複数の通気穴が形成されていることを特徴とする請求項1記載のウェーハ再生用ウェーハパターン研削機。
  3. 前記真空チャックは最も小さな円径の窪みの底部に複数の通気穴を有し、前記通気穴の径は1〜2mmであり、引きつけ力は合計で1〜2kgf、好ましくは1.5kgfであることを特徴とする請求項1記載のウェーハ再生用ウェーハパターン研削機。
  4. 前記砥石装置は前記研削モータの回転軸に取付け可能な金属製プレートと前記プレートに接着される前記砥石とを有し、前記プレートと前記砥石との間に傾き吸収用のパッドを介在させていることを特徴とする請求項1記載のウェーハ再生用ウェーハパターン研削機
  5. 前記パッドはフェノール樹脂とアルミニウムの結合体であることを特徴とする請求項4記載のウェーハ再生用ウェーハパターン研削機
  6. 前記砥石の組成は、砥粒の材料がダイヤモンドであり、粒度が#400〜1500であり、使用する結合体はビトリファイド若しくはレジノイドであることを特徴とする請求項1記載のウェーハ再生用パターン研削機。
  7. 前記砥石の研削条件は砥石回転速度が1000〜4000rpmであり、切り込み速度が5〜40μm/secであり、テーブル回転速度が5〜30rpmであることを特徴とする請求項1記載のウェーハ再生用ウェーハパターン研削機。
  8. ウェーハパターンを研削によって除去するウェーハ再生用ウェーハパターン研削方法であって真空チャックテーブルの真空チャックに被研削ウェーハを取り付けて回転させながら砥石の回転軸方向の位置を制御しつつ前記砥石を回転させて前記被研削ウェーハを研削するウェーハ再生用ウェーハパターン研削方法であって、前記真空チャックは複数の通気穴を有し、前記通気穴の径は1〜2mmであり、前記砥石の組成は、砥粒の材料がダイヤモンドであり、粒度が#400〜1500であり、使用する結合体はビトリファイド若しくはレジノイドであり、前記砥石の研削条件は砥石回転速度が1000〜4000rpmであり、切り込み速度が5〜40μm/secであり、テーブル回転速度が5〜30rpmであることを特徴とするウェーハ再生用ウェーハパターン研削方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210041962A (ko) * 2019-10-08 2021-04-16 주식회사 신화콘텍 반도체 웨이퍼 재생장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697270A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Sony Corp ウエハ搭載用テーブル
JPH10249687A (ja) * 1997-03-07 1998-09-22 Super Silicon Kenkyusho:Kk 薄板状工作物の両面研削・研磨装置
JPH11291159A (ja) * 1998-04-07 1999-10-26 Fujikoshi Mach Corp 両面研磨装置
JP2000269174A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの再生方法
JP2001054871A (ja) * 1999-08-16 2001-02-27 Yano Kazuya 弾性オフセット砥石車及びその製造方法
JP2003007661A (ja) * 1999-01-06 2003-01-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
JP2003332276A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造法
JP2005135940A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体ウエハのユニバ−サルチャック機構およびウエハ取付板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697270A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Sony Corp ウエハ搭載用テーブル
JPH10249687A (ja) * 1997-03-07 1998-09-22 Super Silicon Kenkyusho:Kk 薄板状工作物の両面研削・研磨装置
JPH11291159A (ja) * 1998-04-07 1999-10-26 Fujikoshi Mach Corp 両面研磨装置
JP2003007661A (ja) * 1999-01-06 2003-01-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
JP2000269174A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの再生方法
JP2001054871A (ja) * 1999-08-16 2001-02-27 Yano Kazuya 弾性オフセット砥石車及びその製造方法
JP2003332276A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造法
JP2005135940A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体ウエハのユニバ−サルチャック機構およびウエハ取付板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210041962A (ko) * 2019-10-08 2021-04-16 주식회사 신화콘텍 반도체 웨이퍼 재생장치
KR102292698B1 (ko) 2019-10-08 2021-08-24 주식회사 신화콘텍 반도체 웨이퍼 재생장치

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