JP2008053229A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008053229A5 JP2008053229A5 JP2007212092A JP2007212092A JP2008053229A5 JP 2008053229 A5 JP2008053229 A5 JP 2008053229A5 JP 2007212092 A JP2007212092 A JP 2007212092A JP 2007212092 A JP2007212092 A JP 2007212092A JP 2008053229 A5 JP2008053229 A5 JP 2008053229A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- display device
- electrode
- organic light
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (10)
- 基板上に形成されている第1電極、
前記第1電極と対向する第2電極、
前記第1電極及び前記第2電極の間に位置して、可視光線領域の光を放出する第1発光部材、そして
前記第1発光部材と接触して、600乃至2500nmの波長領域の光を放出する第2発光部材を含む有機発光表示装置。 - 前記第2発光部材は、前記第1電極及び前記第2電極のうちのいずれか1つと平行に形成されている請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1発光部材は、隣接する前記第2発光部材の間に位置する請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2発光部材は、化合物半導体を含む請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記化合物半導体は、InN、GaAs、GaInAs、InP、GaSb、(AlxGa1−x)0.5In0.5P、(AlxGa1−x)yIn1−yP、AlxIn1−xP、GaxIn1−xPから選択される少なくとも1つを含む請求項4に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2発光部材は、
前記第1電極及び前記化合物半導体の間に位置する第1補助層、そして
前記第2電極及び前記化合物半導体の間に位置する第2補助層をさらに含む請求項5に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1補助層は、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、及びタリウム(Tl)から選択される少なくとも1つを含み、
前記第2補助層は、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、及びビスマス(Bi)から選択される少なくとも1つを含む請求項6に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1発光部材及び前記第2発光部材は混合されている請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2発光部材は、発光性不純物を含む請求項8に記載の有機発光表示装置。
- 前記発光性不純物は、量子ドット(quantum dot)または発光色素を含む請求項9に記載の有機発光表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060080474A KR101282400B1 (ko) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 유기 발광 표시 장치 |
KR10-2006-0080474 | 2006-08-24 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008053229A JP2008053229A (ja) | 2008-03-06 |
JP2008053229A5 true JP2008053229A5 (ja) | 2010-09-02 |
JP5232950B2 JP5232950B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=39112725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007212092A Active JP5232950B2 (ja) | 2006-08-24 | 2007-08-16 | 有機発光表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7902738B2 (ja) |
JP (1) | JP5232950B2 (ja) |
KR (1) | KR101282400B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009081918A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機・無機ハイブリッド型電界発光素子 |
KR101542398B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2015-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
JP5604817B2 (ja) * | 2009-06-25 | 2014-10-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド、露光装置、および画像形成装置 |
KR101097342B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 양자점 유기 전계 발광 소자 및 그 형성방법 |
KR101255252B1 (ko) * | 2011-06-20 | 2013-04-16 | 고려대학교 산학협력단 | 유기매질 내에서 친핵치환 반응에 의해서 층상조립으로 유도된 다기능성 콜로이드 나노 복합체 및 그 제조방법 |
US8921872B2 (en) | 2011-12-09 | 2014-12-30 | Sony Corporation | Display unit and method of manufacturing the same, electronic apparatus, illumination unit, and light-emitting device and method of manufacturing the same |
JP2014072120A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
CN103730584A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-16 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
KR102250191B1 (ko) * | 2017-03-06 | 2021-05-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1079297A (ja) | 1996-07-09 | 1998-03-24 | Sony Corp | 電界発光素子 |
US6310360B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
JP5062797B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2012-10-31 | 昭和電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光材料 |
CA2380067A1 (en) | 2000-05-22 | 2001-11-29 | Showa Denko K.K. | Organic electroluminescent device and light-emitting material |
US6572987B2 (en) | 2000-09-28 | 2003-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2002280177A (ja) | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 有機el素子および表示装置 |
JP2002352960A (ja) | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Hitachi Ltd | 薄膜電界発光素子 |
WO2003001616A2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Showa Denko K.K. | Light emitting material and organic light-emitting device |
JP3969152B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2007-09-05 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子および発光材料 |
JP3819789B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2006-09-13 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP4948747B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2012-06-06 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス |
US7264889B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-09-04 | Eastman Kodak Company | Stable electroluminescent device |
JP2004214180A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-29 | Canon Inc | 有機発光素子 |
JP4109979B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
JP2004253175A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界発光素子 |
JP2004319456A (ja) | 2003-03-31 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100495594B1 (ko) | 2003-05-23 | 2005-06-14 | 주식회사 비스톰 | 3원색광을 이용한 백색 유기 전계 발광 소자 |
JP2005026210A (ja) | 2003-06-10 | 2005-01-27 | Fujitsu Ltd | 有機el素子 |
JP4504645B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-07-14 | 明義 三上 | 複合発光装置 |
ATE410792T1 (de) * | 2003-12-02 | 2008-10-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Elektrolumineszenzbauelement |
JP4992183B2 (ja) | 2004-02-10 | 2012-08-08 | 三菱化学株式会社 | 発光層形成材料及び有機電界発光素子 |
US20050214575A1 (en) | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
JP4110160B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
US7142179B2 (en) * | 2005-03-23 | 2006-11-28 | Eastman Kodak Company | OLED display device |
-
2006
- 2006-08-24 KR KR1020060080474A patent/KR101282400B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-08-16 JP JP2007212092A patent/JP5232950B2/ja active Active
- 2007-08-23 US US11/843,830 patent/US7902738B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008053229A5 (ja) | ||
US10714655B2 (en) | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination | |
JP6619159B2 (ja) | グラフェン及び量子点を含む電子素子 | |
Schlotter et al. | Fabrication and characterization of GaN/InGaN/AlGaN double heterostructure LEDs and their application in luminescence conversion LEDs | |
US20170271605A1 (en) | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays | |
EP3236502A1 (en) | Organic light-emitting diode display device | |
US10692941B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP2018538696A5 (ja) | ||
WO2016111789A1 (en) | Led structures for reduced non-radiative sidewall recombination | |
US7456423B2 (en) | Quantum dot optoelectronic device having an Sb-containing overgrown layer | |
US11296150B2 (en) | Display devices with different light sources in pixel structures | |
US11637258B2 (en) | Display devices with different light sources | |
JP2013524547A5 (ja) | ||
US20200373279A1 (en) | Color Conversion Layers for Light-Emitting Devices | |
JP2010157735A (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH07183576A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
EP3417490B1 (en) | Led structures for reduced non-radiative sidewall recombination | |
US9704924B2 (en) | Light emitting device | |
JP2004253802A5 (ja) | ||
WO2022180942A1 (ja) | 発光ダイオード素子 | |
Pagan et al. | Colloidal quantum dot active layers for light emitting diodes | |
US20210305457A1 (en) | Light emitting device | |
KR20230091105A (ko) | 유기 수송층을 갖는 전계발광 디바이스 | |
Riuttanen et al. | Vertical excitation profile in diffusion injected multi-quantum well light emitting diode structure | |
Zou | Metal Halide Perovskite Light-Emitting Materials and Devices |