JP5604817B2 - 発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド、露光装置、および画像形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド、露光装置、および画像形成装置に関する。
発光素子としては、例えば、特許文献１に開示される技術がある。具体的には、２個の電極と、該電極によって挟まれた領域に介在する２種以上の有機エレクトロルミネセント（ＥＬ）材料と、前記電極によって挟まれた領域に介在する電荷障壁材料を含む発光素子と、１種以上のフォトルミネセント（ＰＬ）材料と、を備える発光装置が記載されている。該発光装置においては、２つの電極に印加された電圧に応答して第１スペクトルの電磁（ＥＭ）放射線を発光し、またＰＬ材料は前記ＥＭ放射線の一部を吸収し、第１スペクトルとは異なる第２スペクトルのＥＭ放射線を発光することが開示されている。
本発明の目的は、第一の発光層における陰極とも陽極とも向かい合わない面の少なくとも何れかに接するように第二の発光層を有しない場合に比べ、開口率の高い発光素子を提供することにある。
上記目的は、以下の本発明によって達成される。
即ち、請求項１に係る発明は、
帯状の陽極と、
前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極と、
前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層と、
前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層と、
を有する発光素子である。
即ち、請求項１に係る発明は、
帯状の陽極と、
前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極と、
前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層と、
前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層と、
を有する発光素子である。
請求項２に係る発明は、
帯状の陽極と、
前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極と、
前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層と、
前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層と、
を有する発光素子を複数備える発光素子アレイである。
帯状の陽極と、
前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極と、
前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層と、
前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層と、
を有する発光素子を複数備える発光素子アレイである。
請求項３に係る発明は、
隣り合う２つの前記発光素子によって挟まれる領域に、発光しない非発光領域を有する請求項２に記載の発光素子アレイである。
隣り合う２つの前記発光素子によって挟まれる領域に、発光しない非発光領域を有する請求項２に記載の発光素子アレイである。
請求項４に係る発明は、
帯状の陽極、前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層、並びに、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層、を有する発光素子と、
前記発光素子により発射された光を集光し被照射面に結像する結像素子と、
を有する露光ヘッドである。
帯状の陽極、前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層、並びに、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層、を有する発光素子と、
前記発光素子により発射された光を集光し被照射面に結像する結像素子と、
を有する露光ヘッドである。
請求項５に係る発明は、
請求項４に記載の露光ヘッドと、
前記露光ヘッドにおける陽極および陰極に電圧を印加する電源と、
前記露光ヘッドにおける複数の発光素子を制御する回路と、
を有する露光装置である。
請求項４に記載の露光ヘッドと、
前記露光ヘッドにおける陽極および陰極に電圧を印加する電源と、
前記露光ヘッドにおける複数の発光素子を制御する回路と、
を有する露光装置である。
潜像を保持する潜像保持体と、
前記潜像保持体の表面を帯電させる帯電装置と、
陽極、前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層、並びに、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層、を有する発光素子を備え、且つ前記発光素子により発射された光を集光し被照射面に結像する結像素子を備え、帯電された前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する露光ヘッドと、
前記潜像を現像する現像装置と、
を有する画像形成装置である。
前記潜像保持体の表面を帯電させる帯電装置と、
陽極、前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層、並びに、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層、を有する発光素子を備え、且つ前記発光素子により発射された光を集光し被照射面に結像する結像素子を備え、帯電された前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する露光ヘッドと、
前記潜像を現像する現像装置と、
を有する画像形成装置である。
請求項７に係る発明は、
前記潜像保持体が、前記第一の発光層から発射される光の波長および前記第二の発光層から発射される光の波長に受光感度を有する請求項６に記載の画像形成装置である。
前記潜像保持体が、前記第一の発光層から発射される光の波長および前記第二の発光層から発射される光の波長に受光感度を有する請求項６に記載の画像形成装置である。
請求項１に係る発明によれば、第一の発光層における陰極とも陽極とも向かい合わない面の少なくとも何れかに接するように第二の発光層を有しない場合に比べ、開口率の高い発光素子が得られる。
請求項２に係る発明によれば、第一の発光層における陰極とも陽極とも向かい合わない面の少なくとも何れかに接するように第二の発光層を有しない場合に比べ、開口率の高い発光素子アレイが得られる。
請求項３に係る発明によれば、隣り合う２つの発光素子によって挟まれる領域に非発光領域を有しない場合に比べ、分解能が向上した発光素子アレイが得られる。
請求項４に係る発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、開口率の高い露光ヘッドが得られる。
請求項５に係る発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、開口率の高い露光装置が得られる。
請求項６に係る発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、高精細な画像が得られる。
請求項７に係る発明によれば、潜像保持体が第一の発光層から発射される光の波長または第二の発光層から発射される光の波長に受光感度を有しない場合に比べ、高精細な画像が得られる。
以下、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
＜発光素子および発光素子アレイ＞
本実施形態に係る発光素子は、陽極と、前記陽極と対をなす陰極と、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層（以下単に「電界発光層」と称す）と、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面の少なくとも何れかに接し、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層（以下単に「光吸収発光層」と称す）と、を有することを特徴とする。
但し、本実施形態に係る発光素子は、電極として、帯状の陽極と、陽極と対をなす帯状の陰極であって、陽極と交差して設けられた陰極を適用する。また、第二の発光層は、第一の発光層における陰極とも陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面に接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成されることとする。
なお、第一の発光層は、陰極とも陽極とも向かい合わない面のうち、第二の発光層が接している面以外の面が、第二の発光層を含む他の発光層と接していないこととする。
本実施形態に係る発光素子は、陽極と、前記陽極と対をなす陰極と、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層（以下単に「電界発光層」と称す）と、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面の少なくとも何れかに接し、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層（以下単に「光吸収発光層」と称す）と、を有することを特徴とする。
但し、本実施形態に係る発光素子は、電極として、帯状の陽極と、陽極と対をなす帯状の陰極であって、陽極と交差して設けられた陰極を適用する。また、第二の発光層は、第一の発光層における陰極とも陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面に接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成されることとする。
なお、第一の発光層は、陰極とも陽極とも向かい合わない面のうち、第二の発光層が接している面以外の面が、第二の発光層を含む他の発光層と接していないこととする。
複数の発光素子を備えた発光素子アレイにおいては、２つの隣り合う発光素子によって挟まれる領域は、発光しない非発光領域であった。また、基板等の表面に形成された発光素子においては、該発光素子から発射される光が基板等の表面で反射されて基板よりも内側に閉じ込められ、発光量が低下する場合があった。
本実施形態に係る発光素子は、前記のとおり、電界により発光する第一の発光層（電界発光層）における陰極とも陽極とも対をなさない面の少なくとも何れかに接するように、前記第一の発光層（電界発光層）から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層（光吸収発光層）を有する。第一の発光層（電界発光層）から発射される光の波長に吸収感度を有する第二の発光層（光吸収発光層）を、前記電界発光層に接するように設けることにより、第一の発光層（電界発光層）から第二の発光層（光吸収発光層）方向に発射された光が、第二の発光層（光吸収発光層）に直接入射する。また、第一の発光層（電界発光層）から発射され基板等によって反射された光も、第二の発光層（光吸収発光層）に入射する。第二の発光層（光吸収発光層）は、これらの第一の発光層（電界発光層）からの光を吸収することにより発光するため、本実施形態に係る発光素子によれば、発光量が向上し、開口率の高い発光素子が得られる。
ここで、前記「向かい合わない面」について説明する。まず、陰極（または陽極）と向かい合う面とは、
・陰極（または陽極）の一の面と直接接している面
・陰極（または陽極）の一の面と対向し、該一の面と平行な面
を表す。即ち、陰極とも陽極とも「向かい合わない面」とは、上記向かい合う面以外の面を指し、
・陰極（または陽極）の一の面と接しておらず、且つ該一の面との角度
（面を延長した場合に交差する部分での角度）が０°より大きい面
を表す。尚、製造上の観点からは、上記一の面との角度が４５°以上であることがより望ましい。
・陰極（または陽極）の一の面と直接接している面
・陰極（または陽極）の一の面と対向し、該一の面と平行な面
を表す。即ち、陰極とも陽極とも「向かい合わない面」とは、上記向かい合う面以外の面を指し、
・陰極（または陽極）の一の面と接しておらず、且つ該一の面との角度
（面を延長した場合に交差する部分での角度）が０°より大きい面
を表す。尚、製造上の観点からは、上記一の面との角度が４５°以上であることがより望ましい。
ついで、本実施形態に係る発光素子を複数備えた発光素子アレイについて、図面を参照して説明する。尚、以下においては、第一の発光層（電界発光層）としてエレクトロルミネセント（ＥＬ）材料を用い、且つ第二の発光層（光吸収発光層）としてフォトルミネセント（ＰＬ）材料を用いた例を示す。
（発光素子の構成）
図１に、発光素子アレイ６２の概略平面図を示す。
発光素子アレイ６２は、発光素子７０を有している。発光素子７０は、画素数（ドット数）に応じて、図１に示すように、基板６０に主走査方向Ｘへ沿って複数配列されている。
図１に、発光素子アレイ６２の概略平面図を示す。
発光素子アレイ６２は、発光素子７０を有している。発光素子７０は、画素数（ドット数）に応じて、図１に示すように、基板６０に主走査方向Ｘへ沿って複数配列されている。
発光素子７０は、後述の陰極７３および陽極７１が、図１に示すように、それぞれ帯状に形成されており、陰極７３および陽極７１が重なる交差部にＥＬ材料からなる第一の発光層（電界発光層）Ｒ１が形成される。陽極７１は、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１毎に分割されると共に、それぞれ副走査方向Ｙに沿って延びており、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１に流れる電流は個別に制御される。陰極７３は、主走査方向Ｘに沿って延びており、全ての第一の発光層（電界発光層）Ｒ１に対して共通に形成されている。尚、図１においては、第二の発光層（光吸収発光層）の図示は省略している。
ここで、図２，図３および図４により、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２との配置の位置関係、並びに第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とにおける発光について説明する。図２は、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２との位置関係を示す概略平面図である（尚、図２では基板６０の図示を省略している）。また、図３は図２におけるＸ−Ｘ断面図であり、図４は図２におけるＸ’−Ｘ’断面図である。
図２，図３および図４に示すように、本実施形態に係る発光素子アレイ６２においては、ＥＬ材料からなる第一の発光層（電界発光層）Ｒ１における陰極７３とも陽極７１とも向かい合わない面の全面に接するように（即ち、図２においては周囲を囲うように）ＰＬ材料からなる第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が形成されている。
図２，図３および図４に示すように、本実施形態に係る発光素子アレイ６２においては、ＥＬ材料からなる第一の発光層（電界発光層）Ｒ１における陰極７３とも陽極７１とも向かい合わない面の全面に接するように（即ち、図２においては周囲を囲うように）ＰＬ材料からなる第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が形成されている。
まず、陰極７３および陽極７１によって電界が形成されることにより第一の発光層（電界発光層）Ｒ１が発光する。また、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１から第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２方向に発射された光が、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２に直接入射し、且つ第一の発光層（電界発光層）Ｒ１から発射され基板等によって反射された光も、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２に入射する。第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２は、これらの第一の発光層（電界発光層）Ｒ１からの光を吸収することにより発光する。
尚、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２は、必ずしも、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１における陰極７３とも陽極７１とも向かい合わない面の全面に接するように形成されている必要はない。
例えば、図５に示すように、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成された態様や、図６に示すように第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が、陽極７１の長手方向（つまり図１に示す副走査方向Ｙ）において第一の発光層（電界発光層）Ｒ１を挟み込むように形成された態様であってもよい。
また、図７（平面図）および図８（図７のＹ−Ｙ断面図）に示すように、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成され、且つ隣り合う２つの発光素子において、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が発光しない非発光領域ＮＲを介して形成された態様であってもよい。
例えば、図５に示すように、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成された態様や、図６に示すように第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が、陽極７１の長手方向（つまり図１に示す副走査方向Ｙ）において第一の発光層（電界発光層）Ｒ１を挟み込むように形成された態様であってもよい。
また、図７（平面図）および図８（図７のＹ−Ｙ断面図）に示すように、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成され、且つ隣り合う２つの発光素子において、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が発光しない非発光領域ＮＲを介して形成された態様であってもよい。
発光素子７０の構成としては、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１や第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２から発生する光を基板６０とは反対側から取り出すトップエミッション型の発光素子と、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１や第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２から発生する光を基板６０側から取り出すボトムエミッション型の発光素子とがある。
（トップエミッション型の発光素子の構成）
まず、トップエミッション型の発光素子の構成を説明する。
発光素子７０は、図３に示すように、基板６０上において、陽極７１と、陽極７１と対をなす陰極７３と、陽極７１および陰極７３で挟まれる領域に配置された第一の発光層Ｒ１と、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１における陰極７３とも陽極７１とも向かい合わない面の全面に接するように（即ち、図２において周囲を囲うように）第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２と、を備えている。また、図３には示さないが、陽極７１と第一の発光層Ｒ１とが正孔注入層を介して形成される態様、基板６０と陽極７１とによって挟まれる領域に反射層を有する態様、陽極７１，陰極７３，第一の発光層Ｒ１，第二の発光層Ｒ２等を有する基板６０表面を封止層によって覆った態様等であってもよい。
まず、トップエミッション型の発光素子の構成を説明する。
発光素子７０は、図３に示すように、基板６０上において、陽極７１と、陽極７１と対をなす陰極７３と、陽極７１および陰極７３で挟まれる領域に配置された第一の発光層Ｒ１と、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１における陰極７３とも陽極７１とも向かい合わない面の全面に接するように（即ち、図２において周囲を囲うように）第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２と、を備えている。また、図３には示さないが、陽極７１と第一の発光層Ｒ１とが正孔注入層を介して形成される態様、基板６０と陽極７１とによって挟まれる領域に反射層を有する態様、陽極７１，陰極７３，第一の発光層Ｒ１，第二の発光層Ｒ２等を有する基板６０表面を封止層によって覆った態様等であってもよい。
なお、トップエミッション型の発光素子としては、正孔注入層、反射層および封止層を有さない構成であってもよく、少なくとも、陽極７１、陰極７３、第一の発光層Ｒ１および第二の発光層Ｒ２を有していればよい。
陽極７１は、基板６０表面に形成されている。陽極７１の形状は、副走査方向Ｙに長くされた帯状とされている。具体的には、陽極７１は、４辺で囲まれた４辺形状とされており、副走査方向Ｙに沿って延びる辺が長くされた矩形状に形成されている。
トップエミッション型の発光素子７０では、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２から発生した光を基板６０と反対側から取り出すため、陽極７１は、光を透過する透過性を有している必要はない。陽極７１には、例えば、SnO2、In2O3、ITO、IZO:Alなどの導電性金属酸化物が用いられる。なお、陽極７１の材料は、上記に限られるものではない。また、陽極７１の厚さは、例えば、１００ｎｍとされる。なお、陽極７１の厚さは、これに限られるものではない。
トップエミッション型の発光素子７０では、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２から発生した光を基板６０と反対側から取り出すため、陽極７１は、光を透過する透過性を有している必要はない。陽極７１には、例えば、SnO2、In2O3、ITO、IZO:Alなどの導電性金属酸化物が用いられる。なお、陽極７１の材料は、上記に限られるものではない。また、陽極７１の厚さは、例えば、１００ｎｍとされる。なお、陽極７１の厚さは、これに限られるものではない。
第一の発光層（電界発光層）Ｒ１は、陽極７１の表面に形成されている。第一の発光層（電界発光層）Ｒ１には、陰極７３および陽極７１で挟まれる領域に電圧が印加されることにより、陰極７３側から電子が注入される。また、前記正孔注入層を有する場合には、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１には正孔注入層に注入された正孔が移動し、この正孔と電子とが第一の発光層（電界発光層）Ｒ１で結合することにより、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１が発光する。
第一の発光層（電界発光層）Ｒ１に用いる材料としては、キレート型有機金属錯体、多核または縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、またはポリアセチレン誘導体等が挙げられる。なお、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１の材料としては、上記に限られるものでない。また、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１の厚さは、例えば、５０ｎｍとされる。なお、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１の厚さは、これに限られるものではない。
第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２は、基板６０の表面であって、第一の発光層Ｒ１と接する領域に形成されている。第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２は、第一の発光層Ｒ１から発射された光を吸収することにより発光する。
第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２に用いる材料としては、キレート型有機金属錯体、多核または縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ルブレン誘導体、ＤＣＭ誘導体、ローダミン誘導体、ナイルレッド誘導体、ペリレン誘導体、またはイリジウム錯体等が挙げられる。なお、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の材料としては、上記に限られるものでない。また、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の厚さは、例えば、１００ｎｍとされる。なお、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の厚さは、これに限られるものではない。
陰極７３は、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１の表面に形成されている。トップエミッション型の発光素子７０では、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２から発生した光を基板６０と反対側から取り出すため、陰極７３は、光を透過する透過性を有している。つまり、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２から発生する光を基板６０とは反対側から取り出すことを許容する。本実施形態では、陰極７３を、２層構成からなる層としてもよく、基板６０側に形成される第１層は、例えばCaで構成されている。また基板６０とは反対側に形成される第２層は、例えば、Alで構成されている。また、第１層の厚さは、例えば、２０ｎｍとされ、第２層の厚さは、例えば、数十ｎｍとされる。なお、第１層および第２層の厚さは、これに限られるものではない。
また、陰極７３は一層で構成されていてもよい。陰極７３の材料は、上記の限られるものではなく、例えば、SnO2、In2O3、ITO、IZO:Alなどの導電性金属酸化物を用いてもよい。
正孔注入層は、陽極７１と第一の発光層（電界発光層）Ｒ１とで挟まれる領域に形成してもよい。正孔注入層は、陰極７３と陽極７１とで挟まれる領域に電圧が印加されることにより、陽極７１側から正孔が注入される。正孔注入層には、例えば、フタロシアニン類（CuPcなどを含む）またはインダンスレン系化合物などの低分子材料、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォネート）等の高分子材料等が用いられる。なお、正孔注入層の材料としては、上記に限られるものでない。また、正孔注入層の厚さは、例えば、３０ｎｍとされる。なお、正孔注入層の厚さは、これに限られるものではない。また、正孔注入層と陽極７１とで挟まれる領域には、正孔注入効率を高めるために正孔輸送層などを配置してもよい。
反射層は、基板６０と陽極７１とによって挟まれる領域に形成してもよい。反射層は、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２からの光を第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２側に反射する。反射層には、例えば、Al、Ag、Mo、W、Ni、Crなどが用いられている。なお、反射層の材料としては、上記に限られるものではない。また、反射層の厚さは、例えば、１５０ｎｍとされる。なお、反射層の厚さは、これに限られるものではない。
（トップエミッション型の発光素子の製造方法）
次に、トップエミッション型の発光素子の製造方法の一例について説明する。なお、トップエミッション型の発光素子の製造方法は、下記に限られず、種々の方法が用いられる。
次に、トップエミッション型の発光素子の製造方法の一例について説明する。なお、トップエミッション型の発光素子の製造方法は、下記に限られず、種々の方法が用いられる。
まず、反射層を有する態様である場合には、基板６０上に、例えば反射層としてのAl膜等を蒸着等により形成する。
次いで、陽極７１を基板６０上に（反射層を有する場合には反射層上に）形成する。陽極７１の形成は、例えば、溶液を吐出するインクジェット法により行われる。なお、陽極７１の形成方法としては、種々の方法が用いられる。例えば、印刷、スピンコート，スパッタリング，蒸着などにて形成した後に、フォトリソエッチングにより、予め定められたサイズにパターニングすることにより、陽極７１を形成してもよい。
次に、正孔注入層を陽極７１上に形成する。正孔注入層は、例えば、スプレー法により形成される。なお、正孔注入層の形成方法としては、種々の方法が用いられる。例えば、インクジェット法、スピンコート、印刷により正孔注入層を形成してもよい。
次いで、陽極７１上の予め定められた領域に第一の発光層（電界発光層）Ｒ１を形成し、且つ陽極７１が形成されていない基板６０上の予め定められた領域に（反射層を有する場合には反射層上に）第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２を形成する。但し、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の形成順序等は逆転しても構わない。
第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の形成方法としては、液相プロセスと気相プロセスとが挙げられる。液相プロセスとしては、定められたパターンを形成し得るインクジェット法やオフセット印刷法などが挙げられる。一方、気相プロセスとしては、蒸着法にてメタルマスクを用いて定められたパターンを形成する方法などが挙げられる。なお、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の形成方法としては、特にこれに限定されるものではなく、種々の方法が用いられる。
第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の形成方法としては、液相プロセスと気相プロセスとが挙げられる。液相プロセスとしては、定められたパターンを形成し得るインクジェット法やオフセット印刷法などが挙げられる。一方、気相プロセスとしては、蒸着法にてメタルマスクを用いて定められたパターンを形成する方法などが挙げられる。なお、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１および第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２の形成方法としては、特にこれに限定されるものではなく、種々の方法が用いられる。
次に、陰極７３として、例えばCaを蒸着等により形成する。なお、陰極７３の形成方法としては、種々の方法が用いられる。最後に封止層を形成する。
（ボトムエミッション型の発光素子）
次に、第一の発光層（電界発光層）および第二の発光層（光吸収発光層）から発生した光を基板側から取り出すボトムエミッション型の発光素子について説明する。
尚、ボトムエミッション型の発光素子は、陽極、陰極、第一の発光層（電界発光層）、第二の発光層（光吸収発光層）、反射層、正孔注入層および封止層のうち、陽極、陰極および反射層以外の各層として、前記トップエミッション型の発光素子に記載された構成がそのまま採用される。
次に、第一の発光層（電界発光層）および第二の発光層（光吸収発光層）から発生した光を基板側から取り出すボトムエミッション型の発光素子について説明する。
尚、ボトムエミッション型の発光素子は、陽極、陰極、第一の発光層（電界発光層）、第二の発光層（光吸収発光層）、反射層、正孔注入層および封止層のうち、陽極、陰極および反射層以外の各層として、前記トップエミッション型の発光素子に記載された構成がそのまま採用される。
ボトムエミッション型の発光素子において、反射層を有する場合には、陰極上に反射層が形成される。尚、反射層における材料等の構成は、前記トップエミッション型の発光素子に記載された構成がそのまま採用される。
ボトムエミッション型の発光素子では、第一の発光層（電界発光層）および第二の発光層（光吸収発光層）から発生した光を基板側から取り出すため、陽極は、光を透過する透過性を有している。つまり、第一の発光層（電界発光層）および第二の発光層（光吸収発光層）から発生する光を基板側から取り出すことを許容する。尚、陽極における材料等の構成は、前記トップエミッション型の発光素子に記載された構成がそのまま採用される。
一方、ボトムエミッション型の発光素子では、第一の発光層（電界発光層）および第二の発光層（光吸収発光層）で発生した光を基板側から取り出すため、陰極は、光を透過する透過性を有している必要はない。本実施形態では、陰極は、一層で構成されている。なお、陰極は複数層で構成されていてもよい。
ボトムエミッション型の発光素子における陰極は、例えば、Caで構成されている。尚、陰極の材料は、上記に限られるものではない。陰極の材料としては、例えば、SnO2、In2O3、ITO、IZO:Alなどの導電性金属酸化物を用いてもよい。陰極の厚さは、例えば３０ｎｍとされる。なお、陰極の厚さは、これに限られるものではない。また、陰極と第一の発光層（電界発光層）とで挟まれる領域には、電子注入効率を高めるための電子注入層や電子輸送層などを配置してもよい。
本実施形態に係る発光素子は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良をし得るものである。
＜画像形成装置および露光ヘッド＞
ついで、本実施形態に係る画像形成装置の一例を図面に基づき説明する。
（画像形成装置の構成）
まず、本実施形態に係る画像形成装置１０の構成を説明する。図９は、本実施形態に係る画像形成装置１０の構成を示す概略図である。
ついで、本実施形態に係る画像形成装置の一例を図面に基づき説明する。
（画像形成装置の構成）
まず、本実施形態に係る画像形成装置１０の構成を説明する。図９は、本実施形態に係る画像形成装置１０の構成を示す概略図である。
本実施形態に係る画像形成装置１０は、図９に示すように、各構成部品を収容する装置筐体１１と、用紙等の記録媒体Ｐが収容される記録媒体収容部１２と、記録媒体Ｐにトナー画像を形成する画像形成部１４と、記録媒体収容部１２から画像形成部１４へ記録媒体Ｐを搬送する搬送部１６と、画像形成部１４によって形成されたトナー画像を記録媒体Ｐに定着させる定着装置１８と、定着装置１８によってトナー画像が定着された記録媒体Ｐが排出される記録媒体排出部（図示省略）と、を備えている。
記録媒体収容部１２、画像形成部１４、搬送部１６および定着装置１８は、装置筐体１１に収容されている。
画像形成部１４は、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）、ブラック（Ｋ）の各色のトナー画像を形成する画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋと、画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋで形成されたトナー画像が転写される中間転写体の一例としての中間転写ベルト２４と、画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋで形成されたトナー画像を中間転写ベルト２４に転写する一次転写部材の一例としての一次転写ロール２６と、中間転写ベルト２４に転写されたトナー画像を記録媒体Ｐに転写する二次転写部材の一例としての二次転写ロール２８と、を備えている。
画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋは、潜像を保持する像保持体の一例として、一方向（図９において時計回り方向）へ回転する感光体ドラム３０をそれぞれ有している。
各感光体ドラム３０の周囲には、感光体ドラム３０の回転方向上流側から順に、感光体ドラム３０の表面を帯電させる帯電装置３２と、帯電した感光体ドラム３０の表面を露光して感光体ドラム３０の表面に静電潜像を形成する露光装置としての露光ヘッド３４と、感光体ドラム３０の表面に形成された静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像装置３６と、トナー画像が中間転写ベルト２４に転写された後の感光体ドラム３０の表面に残留しているトナーを除去する除去装置４０と、が設けられている。
感光体ドラム３０、帯電装置３２、露光ヘッド３４、現像装置３６および除去装置４０は、画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋに収容されてユニット化されている。画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋは、装置筐体１１に着脱自由に設けられたプロセスカートリッジとされており、交換自由となっている。
なお、感光体ドラム３０、帯電装置３２、露光ヘッド３４、現像装置３６および除去装置４０の全てがユニット化される必要は無い。例えば、感光体ドラム３０、帯電装置３２および現像装置３６の少なくとも１つと、露光ヘッド３４とが、画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋに収容されてユニット化されていればよい。
中間転写ベルト２４は、二次転写ロール２８に対向する対向ロール４２、駆動ロール４４および支持ロール４６によって支持され、感光体ドラム３０と接触しながら一方向（図９において反時計回り方向）へ循環移動するようになっている。
一次転写ロール２６は、中間転写ベルト２４を挟んで、感光体ドラム３０に対向している。一次転写ロール２６と感光体ドラム３０との間には、感光体ドラム３０上のトナー画像が中間転写ベルト２４に一次転写される一次転写位置が形成される。この一次転写位置において、一次転写ロール２６が感光体ドラム３０の表面のトナー画像を圧力と静電力により中間転写ベルト２４に転写するようになっている。
二次転写ロール２８は、中間転写ベルト２４を挟んで対向ロール４２と対向している。二次転写ロール２８と対向ロール４２との間には、中間転写ベルト２４上のトナー画像が記録媒体Ｐに二次転写される二次転写位置が形成される。この二次転写位置において、二次転写ロール２８が中間転写ベルト２４の表面のトナー画像を圧力と静電力により記録媒体Ｐに転写するようになっている。
搬送部１６は、記録媒体収容部１２に収容された記録媒体Ｐを送り出す送出ロール５０と、送出ロール５０によって送り出された記録媒体Ｐを二次転写位置へ搬送する搬送ロール対５２と、を備えている。
定着装置１８は、二次転写位置より搬送方向下流側に配置されており、二次転写位置で転写されたトナー画像を記録媒体Ｐへ定着させる。
二次転写位置より搬送方向下流側であって、定着装置１８よりも搬送方向上流側には、定着装置１８に記録媒体Ｐを搬送する搬送部材の一例としての搬送ベルト５４が配置されている。
以上の構成により、本実施形態に係る画像形成装置１０では、まず記録媒体収容部１２から送り出された記録媒体Ｐが、搬送ロール対５２によって二次転写位置へ送り込まれる。
一方、中間転写ベルト２４には、画像形成ユニット２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｋで形成された各色のトナー画像が重ねられて、カラー画像が形成される。二次転写位置へ送り込まれた記録媒体Ｐは、中間転写ベルト２４上に形成されたカラー画像が転写される。
トナー画像が転写された記録媒体Ｐは、定着装置１８へ搬送され、転写されたトナー画像が定着装置１８により定着される。トナー画像が定着された記録媒体Ｐは、記録媒体排出部（図示省略）へ排出される。以上のように、一連の画像形成動作が行われる。
なお、画像形成装置の構成としては、上記の構成に限られず、例えば、中間転写体を有さない直接転写型の画像形成装置でもよく、種々の構成としてもよい。
（露光ヘッド３４の構成）
次に、露光ヘッド３４の構成を説明する。図１０、図１１は、本実施形態に係る露光ヘッド３４の構成を示す概略図である。
次に、露光ヘッド３４の構成を説明する。図１０、図１１は、本実施形態に係る露光ヘッド３４の構成を示す概略図である。
各露光ヘッド３４は、図１０および図１１に示すように、主走査方向Ｘに長尺状に形成された基板６０と、発光素子アレイ６２（前述の本実施形態に係る発光素子アレイ）と、発光素子アレイ６２により生成された光を集光し、被照射面たる感光体ドラム３０の表面に結像する結像素子アレイの一例としてのセルフォックレンズアレイ６４と、を備えている。
基板６０は、絶縁性を有する基板で形成され、例えば、ガラス基板や樹脂基板で構成されている。
また、基板６０には、発光素子７０を駆動する駆動回路の一例としてのドライバＩＣ６６が複数設けられている。ドライバＩＣ６６は、複数の発光素子７０を個別に駆動するようになっている。
セルフォックレンズアレイ６４は、結像素子の一例としてのロッドレンズ６４Ａが複数配列されて構成されており、複数の発光素子７０の光射出側に配置されている。
セルフォックレンズアレイ６４では、１ドットに対して複数のロッドレンズ６４Ａで正立等倍結像するように、各ロッドレンズ６４Ａが２次元状に配列されている。従って、各発光素子７０からの発光光は、対応する複数のセルフォックレンズアレイ６４を介して感光体ドラム３０の表面に結像される。このように、発光素子７０からの発光光によって、感光体ドラム３０が露光されて潜像が形成される。
なお、発光素子７０に組み合わせる光学レンズとしては、セルフォックレンズアレイ６４に限られず、シリンドリカルレンズを組み合わせてもよい。また、個々の発光素子７０上にマイクロレンズを接合してもよい。
以下、本発明を実施例を挙げてより詳細に説明する。尚、本発明は以下の実施例により限定されるものではない。
但し、本実施例において、実施例１、４は、参考例に相当する。
但し、本実施例において、実施例１、４は、参考例に相当する。
［発光素子の形成方法］
まず、下記実施例に用いた発光素子の形成方法について説明する。
基板６０上に反射層と陽極７１と正孔注入層とを、定められたサイズにて形成した。つまり、基板６０上に反射層としてのＡｌ膜を蒸着により形成し、次いで陽極７１を溶液を吐出するインクジェット法により反射層上に形成し、更に正孔注入層をスプレー法により陽極７１上に形成した。
その後、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１をインクジェット法、オフセット印刷法、あるいはメタルマスクを用いた真空蒸着法を用いて定められたパターンに形成した。更に、インクジェット法、オフセット印刷法、あるいはメタルマスクを用いた真空蒸着法を用いて第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２を定められたパターンに形成した。
最後に陰極７３を定められたサイズにて形成、つまり、陰極７３としてＣａを蒸着により形成した。
まず、下記実施例に用いた発光素子の形成方法について説明する。
基板６０上に反射層と陽極７１と正孔注入層とを、定められたサイズにて形成した。つまり、基板６０上に反射層としてのＡｌ膜を蒸着により形成し、次いで陽極７１を溶液を吐出するインクジェット法により反射層上に形成し、更に正孔注入層をスプレー法により陽極７１上に形成した。
その後、第一の発光層（電界発光層）Ｒ１をインクジェット法、オフセット印刷法、あるいはメタルマスクを用いた真空蒸着法を用いて定められたパターンに形成した。更に、インクジェット法、オフセット印刷法、あるいはメタルマスクを用いた真空蒸着法を用いて第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２を定められたパターンに形成した。
最後に陰極７３を定められたサイズにて形成、つまり、陰極７３としてＣａを蒸着により形成した。
〔実施例１〕
前述の発光素子の形成方法に即して、図２，図３および図４に示す発光素子アレイ（ＥＬ材料からなる第一の発光層（電界発光層）Ｒ１における陰極７３とも陽極７１とも向かい合わない面の全面に接するように（即ち、図２においては周囲を囲うように）ＰＬ材料からなる第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が形成された発光素子アレイ）を製造した。
前述の発光素子の形成方法に即して、図２，図３および図４に示す発光素子アレイ（ＥＬ材料からなる第一の発光層（電界発光層）Ｒ１における陰極７３とも陽極７１とも向かい合わない面の全面に接するように（即ち、図２においては周囲を囲うように）ＰＬ材料からなる第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が形成された発光素子アレイ）を製造した。
〔実施例２〕
前述の発光素子の形成方法に即して、図５に示す発光素子アレイ（第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成された発光素子アレイ）を製造した。
前述の発光素子の形成方法に即して、図５に示す発光素子アレイ（第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成された発光素子アレイ）を製造した。
〔実施例３〕
前述の発光素子の形成方法に即して、図６に示す発光素子アレイ（第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が、陽極７１の長手方向（つまり図１に示す副走査方向Ｙ）において第一の発光層（電界発光層）Ｒ１を挟み込むように形成された発光素子アレイ）を製造した。
前述の発光素子の形成方法に即して、図６に示す発光素子アレイ（第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が、陽極７１の長手方向（つまり図１に示す副走査方向Ｙ）において第一の発光層（電界発光層）Ｒ１を挟み込むように形成された発光素子アレイ）を製造した。
〔実施例４〕
前述の発光素子の形成方法に即して、図７および図８に示す発光素子アレイ（第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成され、且つ隣り合う２つの発光素子において、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が発光しない非発光領域ＮＲを介して形成された発光素子アレイ）を製造した。
前述の発光素子の形成方法に即して、図７および図８に示す発光素子アレイ（第一の発光層（電界発光層）Ｒ１と第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２とが、陰極７３の長手方向（つまり図１に示す主走査方向Ｘ）に向かって交互に形成され、且つ隣り合う２つの発光素子において、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２が発光しない非発光領域ＮＲを介して形成された発光素子アレイ）を製造した。
〔比較例１〕
前記実施例１において、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２を形成しなかったこと以外は実施例１に記載の方法により、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２を有さない発光素子アレイを製造した。
前記実施例１において、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２を形成しなかったこと以外は実施例１に記載の方法により、第二の発光層（光吸収発光層）Ｒ２を有さない発光素子アレイを製造した。
−評価試験−
（開口率）
開口率を以下の方法により評価した。
一つの発光素子において、発光する領域および発光しない領域の全てを含んだ全体の面積（Ａ）と、発光する領域の面積（Ｆ）と、を顕微鏡観察によりそれぞれ計測し、（Ａ）に対する（Ｆ）の比率（％）を求めた。
◎ ：７５％以上
○＋：５０％以上７５％未満
○ ：２５％以上５０％未満
× ：２５％未満
（開口率）
開口率を以下の方法により評価した。
一つの発光素子において、発光する領域および発光しない領域の全てを含んだ全体の面積（Ａ）と、発光する領域の面積（Ｆ）と、を顕微鏡観察によりそれぞれ計測し、（Ａ）に対する（Ｆ）の比率（％）を求めた。
◎ ：７５％以上
○＋：５０％以上７５％未満
○ ：２５％以上５０％未満
× ：２５％未満
（分解能）
分解能を、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）の計測により評価した。つまり、発光光のコントラスト（強度）を計測し、最も強い強度を「ＦＭＡＸ」と、最も弱い強度を「ＦＭＩＮ」とし、「（ＦＭＡＸ−ＦＭＩＮ）／（ＦＭＡＸ＋ＦＭＩＮ）×１００〔％〕」の式から以下の基準により評価した。
○ ：６０％以上
△ ：３０％以上６０％未満
△−：３０％未満
分解能を、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）の計測により評価した。つまり、発光光のコントラスト（強度）を計測し、最も強い強度を「ＦＭＡＸ」と、最も弱い強度を「ＦＭＩＮ」とし、「（ＦＭＡＸ−ＦＭＩＮ）／（ＦＭＡＸ＋ＦＭＩＮ）×１００〔％〕」の式から以下の基準により評価した。
○ ：６０％以上
△ ：３０％以上６０％未満
△−：３０％未満
１０ 画像形成装置
１１ 装置筐体
１２ 記録媒体収容部
１４ 画像形成部
１６ 搬送部
１８ 定着装置
２２Ｃ，２２Ｍ，２２Ｙ，２２Ｋ 画像形成ユニット
２４ 中間転写ベルト
２６ 一次転写ロール
２８ 二次転写ロール
３０ 感光体ドラム
３２ 帯電装置
３４ 露光ヘッド
３６ 現像装置
４０ 除去装置
４２ 対向ロール
４４ 駆動ロール
４６ 支持ロール
５０ 送出ロール
５２ 搬送ロール対
５４ 搬送ベルト
６０ 基板
６２ 発光素子アレイ
６４ セルフォックレンズアレイ
６４Ａ ロッドレンズ
７０ 発光素子
７１ 陽極
７３ 陰極
ＮＲ 非発光領域
Ｒ１ 第一の発光層
Ｒ２ 第二の発光層
１１ 装置筐体
１２ 記録媒体収容部
１４ 画像形成部
１６ 搬送部
１８ 定着装置
２２Ｃ，２２Ｍ，２２Ｙ，２２Ｋ 画像形成ユニット
２４ 中間転写ベルト
２６ 一次転写ロール
２８ 二次転写ロール
３０ 感光体ドラム
３２ 帯電装置
３４ 露光ヘッド
３６ 現像装置
４０ 除去装置
４２ 対向ロール
４４ 駆動ロール
４６ 支持ロール
５０ 送出ロール
５２ 搬送ロール対
５４ 搬送ベルト
６０ 基板
６２ 発光素子アレイ
６４ セルフォックレンズアレイ
６４Ａ ロッドレンズ
７０ 発光素子
７１ 陽極
７３ 陰極
ＮＲ 非発光領域
Ｒ１ 第一の発光層
Ｒ２ 第二の発光層
Claims (7)
- 帯状の陽極と、
前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極と、
前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層と、
前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層と、
を有する発光素子。 - 帯状の陽極と、
前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極と、
前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層と、
前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層と、
を有する発光素子を複数備える発光素子アレイ。 - 隣り合う２つの前記発光素子によって挟まれる領域に、発光しない非発光領域を有する請求項２に記載の発光素子アレイ。
- 帯状の陽極、前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層、並びに、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層、を有する発光素子と、
前記発光素子により発射された光を集光し被照射面に結像する結像素子と、
を有する露光ヘッド。 - 請求項４に記載の露光ヘッドと、
前記露光ヘッドにおける陽極および陰極に電圧を印加する電源と、
前記露光ヘッドにおける複数の発光素子を制御する回路と、
を有する露光装置。 - 潜像を保持する潜像保持体と、
前記潜像保持体の表面を帯電させる帯電装置と、
陽極、前記陽極と対をなす帯状の陰極であって、前記陽極と交差して設けられた陰極、前記陰極および前記陽極で挟まれる領域において、該領域における電界により発光する第一の発光層であって、前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、下記第二の発光層が接している面以外の面が、下記第二の発光層を含む他の発光層と接していない第一の発光層、並びに、前記第一の発光層における前記陰極とも前記陽極とも向かい合わない面のうち、一対の対向する面のみに接し、且つ、第一の発光層を挟み込むようにして形成され、前記第一の発光層から発射される波長の光を吸収することにより発光する第二の発光層、を有する発光素子を備え、且つ前記発光素子により発射された光を集光し被照射面に結像する結像素子を備え、帯電された前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する露光ヘッドと、
前記潜像を現像する現像装置と、
を有する画像形成装置。 - 前記潜像保持体が、前記第一の発光層から発射される光の波長および前記第二の発光層から発射される光の波長に受光感度を有する請求項６に記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009151208A JP5604817B2 (ja) | 2009-06-25 | 2009-06-25 | 発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド、露光装置、および画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009151208A JP5604817B2 (ja) | 2009-06-25 | 2009-06-25 | 発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド、露光装置、および画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011009444A JP2011009444A (ja) | 2011-01-13 |
| JP5604817B2 true JP5604817B2 (ja) | 2014-10-15 |
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ID=43565762
Family Applications (1)
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| JP2009151208A Active JP5604817B2 (ja) | 2009-06-25 | 2009-06-25 | 発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド、露光装置、および画像形成装置 |
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| JP2005190667A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 色変換膜及び色変換ディスプレイ |
| JP2008052950A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Sony Corp | 表示装置 |
| KR101282400B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2013-07-04 | 한국과학기술원 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2008108439A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Nec Lighting Ltd | 電界発光素子および電界発光パネル |
-
2009
- 2009-06-25 JP JP2009151208A patent/JP5604817B2/ja active Active
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| JP2011009444A (ja) | 2011-01-13 |
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