JP5157974B2 - 発光素子、露光ヘッド、カートリッジ、画像形成装置及び発光素子製造方法 - Google Patents
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に関する。
(本実施形態に係る画像形成装置10の構成)
まず、本実施形態に係る画像形成装置10の構成を説明する。図1は、本実施形態に係る画像形成装置10の構成を示す概略図である。
次に、露光ヘッド34の構成を説明する。図2、図3及び図4は、本実施形態に係る露光ヘッド34の構成を示す概略図である。
次に、有機EL素子70の構成を説明する。
まず、ボトムエミッション型の有機EL素子70Aの構成を説明する。図5は、ボトムエミッション型の有機EL素子70Aの構成を示す概略図である。
陽極71は、光を透過する透過性を有しており、発光層72から発生する光を基板60側から取り出すことを許容する。陽極71には、例えば、SnO2、In2O3、ITO、IZO:Alなどの導電性金属酸化物が用いられる。なお、陽極71の材料は、上記に限られるものではない。また、陽極71の厚さは、例えば、100nmとされる。なお、陽極71の厚さは、これに限られるものではない。
また、第1部位79Aは、陽極71に沿って延び設けられている。第1部位79Aは、主走査方向Xに沿った幅が、副走査方向Yの一方から他方にかけて一定とされている。
次に、ボトムエミッション型の有機EL素子70Aの製造方法の一例について説明する。図9−1及び図9−2は、ボトムエミッション型の有機EL素子70Aの製造方法を説明するための概略図である。なお、ボトムエミッション型の有機EL素子70Aの製造方法は、下記に限られず、種々の方法を用いることが可能である。
次に、ボトムエミッション型の有機EL素子70Aの評価について説明する。
発光層の膜のラフネスは、触針式表面形状測定器を用いて評価を行った。また、発光ムラの有無は、マイクロスコープにて評価を行った。
実施例1では、基板60としてのガラス基板に、図6に示すように、陽極71としてのITOが20μm幅で、20μmピッチで形成されると共に、10μm幅の第3電極79がITOにて形成されている。陽極71には、正孔注入層としてのPEDOT/PSSが、80nm均一に形成されている。発光層72は、図12に示す構造式の発光材料をキシレンに1wt%溶解した発光材料溶液を金属ノズルのついたキャピラリ100に充填し、陽極71を接地し、第3電極79に1000V印加し、キャピラリ100に5000V印加し、スプレー塗布にて80nmの膜を作製した。最後に、20μm幅のマスクを用い、陰極73としてのCa、反射層74としてのAlを蒸着した。
陽極71及び第3電極79の形状を図7のように形成した以外は、実施例1と同様に形成した。
陽極71及び第3電極79の形状を図8のように形成した以外は、実施例1と同様に形成した。
実施例4では、基板60としてのガラス基板に、図11に示すように、千鳥状に配置された陽極71としてのITOが、発光領域部位71Xにおいて20μm幅で、20μmピッチで形成されている。陽極71には、正孔注入層としてのPEDOT/PSSが、80nm均一に形成されている。発光層72は、図12に示す構造式の発光材料をキシレンに1wt%溶解した塗布液を金属ノズルのついたキャピラリ100に充填し、陽極71Aを接地し、陽極71Bに1000V印加し、キャピラリ100に5000V印加し、スプレー塗布にて80nmの膜を作製した。次に、発光層72が形成されていない陽極71Bを接地し、発光層72が形成された陽極71Aに1000V印加し、キャピラリ100に5000V印加し、スプレー塗布にて80nmの膜を作製した。最後に、20μm幅のマスクを用い、陰極73としてのCa、反射層74としてのAlを蒸着した。
比較例1では、基板60としてのガラス基板に、図13に示すように、矩形状の陽極71としてのITOが、20μm幅で、20μmピッチで形成されている。陽極71には、正孔注入層としてのPEDOT/PSSが、80nm均一に形成されている。発光層72は、図12に示す構造式の発光材料をキシレンに1wt%溶解した塗布液を金属ノズルのついたキャピラリ100に充填し、陽極71を接地し、キャピラリ100に5000V印加し、スプレー塗布にて80nmの膜を作製した。最後に、20μm幅のマスクを用い、陰極73としてのCa、反射層74としてのAlを蒸着した。
比較例2では、基板60としてのガラス基板に、図11に示すように、千鳥状に配置された陽極71としてのITOが、発光領域部位71Xにおいて20μm幅で、20μmピッチで形成されている。陽極71には、正孔注入層としてのPEDOT/PSSが、80nm均一に形成されている。発光層72は、図12に示す構造式の発光材料をキシレンに1wt%溶解した塗布液を金属ノズルのついたキャピラリ100に充填し、陽極71を接地し、キャピラリ100に5000V印加し、スプレー塗布にて80nmの膜を作製した。最後に、20μm幅のマスクを用い、陰極73としてのCa、反射層74としてのAlを蒸着した。
次に、トップエミッション型の有機EL素子70Bについて説明する。図15は、トップエミッション型の有機EL素子70Bの構成を示す概略図である。
また、第1部位79Aは、陽極71に沿って延び設けられている。第1部位79Aは、主走査方向Xに沿った幅が、副走査方向Yの一方から他方にかけて一定とされている。
次に、トップエミッション型の有機EL素子70Bの製造方法の一例について説明する。図16−1及び図16−2は、トップエミッション型の有機EL素子70Bの製造方法を説明するための図である。なお、トップエミッション型の有機EL素子70Bの製造方法は、下記に限られず、種々の方法を用いることが可能である。
本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
22C、22M、22Y、22K 画像形成ユニット
30 感光体ドラム(像保持体)
34 露光ヘッド
36 現像装置
70 有機EL素子
71 陽極(第1電極)
72 発光層
73 陰極(第2電極)
79 第3電極
Claims (5)
- 被形成面の表面に形成された第1電極と、
前記第1電極と対をなす第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、
前記被形成面の表面に形成され、前記発光層の発光には寄与しない第3電極と、
を備え、
前記第1電極及び前記第3電極は、前記被形成面の面方向に沿って交互に配置されていると共に、前記被形成面の同一面上に形成され、
前記第1電極及び前記第3電極の配置方向に沿った当該第3電極の幅は、当該第3電極を間に挟む2つの前記第1電極の間隔が広い部分において、当該間隔が狭い部分よりも、広い発光素子。 - 前記第1電極と前記第3電極とが同じ材料である請求項1に記載の発光素子。
- 請求項1又は2に記載の発光素子を備える露光ヘッド。
- 潜像を保持する潜像保持体、前記潜像保持体を帯電させる帯電装置及び前記潜像保持体の潜像を現像する現像装置の少なくとも1つと、
前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する請求項3に記載の露光ヘッドと、
を備える画像形成装置に着脱可能なカートリッジ。 - 潜像を保持する潜像保持体と、
前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する請求項3に記載の露光ヘッドと、
前記露光ヘッドによって形成された潜像を現像する現像装置と、
を備える画像形成装置。
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