JP2008034852A5

JP2008034852A5 -

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Publication number: JP2008034852A5
Application number: JP2007195436A
Authority: JP
Filing date: 2007-07-27
Publication date: 2011-06-02
Anticipated expiration: 2027-07-27

Claims

活性層（６）を有し、
− 前記活性層（６）は導波体層（５，８）の間に配置されていて、
− 前記活性層（６）と前記導波体層（８）の一方との間にバリア層（７）が配置されていて、
− 前記導波体層（５，８）の、前記活性層とは反対側にそれぞれジャケット層が配置されていて、
− 少なくとも１つのジャケット層は半導体層構造を有し、前記半導体層構造は第１の組成（ａ）のＩＩＩ−Ｖ化合物半導体と少なくとも１つの第２の組成（ｂ）のＩＩＩ−Ｖ化合物半導体との交互に積層された層（９ａ，９ｂ）からなる超格子（９）を有し、
− 前記層（９ａ，９ｂ）は、所定の濃度でドーパントを含有し、
− 前記超格子（９）中の同じ組成の少なくとも２つの層中の前記ドーパントの濃度は異なっていて、
− 前記超格子（９）の少なくとも１つの層（９ａ，９ｂ）中のドーパントの濃度は勾配されていて、
− 前記超格子（９）は異なるドーパントでドープされている層を有し、前記ドーパントはＭｇ及びＳｉであるか、又は前記超格子（９）はＭｇで異なる濃度でドープされている層を有し、
− ＧａＮからなる第１の組成（ａ）の層は前記活性層の方向に向かってドーパント濃度が低下する推移を示し、及び
− ＡｌＧａＮからなる第２の組成（ｂ）の層はこれに対して反対のドーパント濃度の推移を示す、オプトエレクトロニクスデバイス。
超格子（９）はドープされていない少なくとも１つの層を有する、請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
超格子（９）は、交互に積層されたＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ層及びＩｎ_wＡｌ_zＧａ_1-w-zＮ層を有し、その際、０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１及びｘ＋ｙ≦１及びｗ＋ｚ≦１を有する、請求項１又は２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
超格子（９）は、交互に積層されたＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＰ層及びＩｎ_wＡｌ_zＧａ_1-w-zＰ層を有し、その際、０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１、又は交互に積層されたＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＡｓ層及びＩｎ_wＡｌ_zＧａ_1-w-zＡｓ層を有し、その際、０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１、ｘ＋ｙ≦１及びｗ＋ｚ≦１を有する、請求項１又は２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
前記超格子（９）の個々の層には半導体層構造内での垂直方向位置ｚが割り当てられており、かつ層（９ａ，９ｂ）のドーパントの濃度は所定のように前記半導体層構造内での前記層の垂直方向位置ｚに依存している、請求項１又は２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
垂直方向位置ｚに関するドーパントの濃度の依存性は、超格子（９）の全ての層（９ａ，９ｂ）について共通の関数によって設定されている、請求項５記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
垂直方向位置ｚに関するドーパントの濃度の依存性は、第１の組成（ａ）の層（９ａ）に対しては第１の関数によって設定されており、かつ少なくとも１つの第２の組成（ｂ）の層（９ｂ）に対しては少なくとも１つの第２の関数によって設定されている、請求項５記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
第１の関数及び／又は少なくとも１つの第２の関数及び／又は共通の関数は、階段関数又は単調増加関数／減少関数又は一次関数又は多項式関数又は平方根関数又は指数関数又は対数関数又は周期関数又はこれらの関数を重ね合わせであるか、又はこれらの関数の一部を有している、請求項６記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
超格子（９）の少なくとも１つの層（９ａ，９ｂ）内でドーパントの濃度は一定である、請求項１又は２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
発光ダイオードである、請求項１又は２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
レーザーダイオードである、請求項１又は２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。