JP2008034064A - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヘッド浮上量が10nm以下若しくはコンタクトでも、信頼性を確保できる磁気記録再生を行う。
【解決手段】主鎖構造がパーフルオロエチレンオキサイド(CF2CF2O)のみで構成された潤滑剤を使用する。
【選択図】図2
【解決手段】主鎖構造がパーフルオロエチレンオキサイド(CF2CF2O)のみで構成された潤滑剤を使用する。
【選択図】図2
Description
本発明は、高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体及びこの磁気磁気記録媒体を搭載した磁気記録再生装置に係り、特に、磁気ヘッドの浮上量が10nm以下若しくはコンタクトで記録再生が可能な磁気記録再生装置及びこれに用いられる磁気記録媒体に関する。
磁気ディスクの高記録密度化に伴い、磁気ヘッドと磁気ディスク間のスペース(ヘッド浮上量)は狭小化しており、現在、その間隔は十数nm以下となっている。この低浮上量化に対し、磁気へッドと磁気ディスクとの接触を極力さけるため、磁気ディスク表面は平滑化の傾向にある。平滑である程、接触時の磁気ディスクと磁気へッドの接触面積が大きくなるため、潤滑層のメニスカスによる吸着力が増大する。その結果、磁気へッドの挙動が不安定になり、記録再生が不能になるばかりか、磁気へッドの損傷、磁気ディスククラッシュに至る場合もある。このため、摺動信頼性の確保は一層厳しくなってきており、特に潤滑層の摺動信頼性に関わる技術はその重要性が高まっている。
潤滑層としては、一般に、化学的に安定で、低摩擦であり、低吸着性のパーフルオロポリエーテルが広く使用されている。例えばSolvey Solexis社製Fomblin Z-DOL、Fomblin Z-TETRAOL等が知られている。Fomblin系パーフルオロポリエーテルの主鎖構造は化学式(7)のようにパーフルオロエチレンオキサイド(CF2CF2O)とパーフルオロメチレンオキサイド(CF2O)を有している。
−(CF2CF2O)x−(CF2O)y−…(7)
(ここでx、yは正の整数)
上記吸着問題に対し、パーフルオロポリエーテルに紫外線を照射して保護層との結合性を高め、メニスカスを形成しにくい固体に近い潤滑剤も検討されている(例えば、非特許文献1参照)。
(ここでx、yは正の整数)
上記吸着問題に対し、パーフルオロポリエーテルに紫外線を照射して保護層との結合性を高め、メニスカスを形成しにくい固体に近い潤滑剤も検討されている(例えば、非特許文献1参照)。
しかしながら、これは、逆に、潤滑特性(表面拡散による自己修復作用)を悪化させるため摺動耐力が劣化する。
吸着力を低減するには表面張力を低くすれば良いが、Fomblin系パーフルオロポリエーテルの末端基や分子量を変化させることで、表面張力は若干変わるものの大きな変化はみられない。
一方、コンタクト記録では常にオフトラック方向に摩擦力が働いており、トラッキング精度に影響を与えるため、摩擦力は極力低減させる必要がある。
また、Fomblin系パーフルオロポリエーテルは、分子中のエーテル部、特に(O-CF2−O)が容易に分解を起こすことが知られている(例えば、非特許文献2参照)。これは、磁気ヘッド部材中の酸化アルミニウム(α−Al2O3)などが触媒となって分解反応が進行する。さらには長時間の運転中にパーフルオロポリエーテルから生じたHFが酸化アルミニウム(α−Al2O3)と反応してAlF3などの強力なルイス酸触媒を形成することで加速的に分解反応が進行する。生成する触媒種によって異なるが200℃程度の温度で容易に分解することが確認されている。
磁気へッドと磁気ディスクの接触による局所的な瞬間温度は200℃以上になり、分解反応が進行する。また、それと並行して分解成分による高粘性化も進行し、潤滑特性を悪化させる。
このことから、特に接触の頻度が多いニアコンタクト記録や常時接触しているコンタクト記録で、パーフルオロポリエーテルの熱的、化学的安定性は大きな問題となる。
しかしながら、前述したように、これらの分解反応に対し、分子中のエーテル部でも特に(O−CF2−O)は耐久性に乏しく、この構造(O−CF2−O)が分解反応の起点となっていると考えられている。しかしながら、これらのパーフルオロポリエーテルの製造において、採用されるテトラフルオロエチレンの光酸化重合では、この構造の生成は不可避であり、一般的な製品の高分子中において、おおよそx:y=1:1程度の比率で(O-CF2−O)を含んでいる。
これに対し、ダウケミカル社製X-1P(化学式(8))は分子内にシクロフォスファーゼン環を有しており、これを添加剤として用いることで、シクロフォスファーゼン環がパーフルオロポリエーテルに先立ち、酸化アルミニウムと相互作用することによりFomblin系パーフルオロポリエーテルの分解を抑制すると言われている(例えば、下記非特許文献3参照)。しかしながら、X-1Pは構造中のフッ素原子含有量が小さいことから、パーフルオロポリエーテルとの相溶性が低く、潤滑層の膜厚のムラまたは凝集が生じやすいという問題があった。
(ここでnは1から6の整数)
また、このX-1Pの低相溶性を改善した潤滑剤(化学式(9))の開示がある(例えば、下記特許文献1参照)。しかしながら、単独若しくはパーフルオロポリエーテルとの混合比を多くして使用した場合、潤滑性が悪い。従って、少量の添加剤としての使用になるため、大きな分解抑制効果は期待できず、特に、コンタクト記録に対しては不十分であった。
また、このX-1Pの低相溶性を改善した潤滑剤(化学式(9))の開示がある(例えば、下記特許文献1参照)。しかしながら、単独若しくはパーフルオロポリエーテルとの混合比を多くして使用した場合、潤滑性が悪い。従って、少量の添加剤としての使用になるため、大きな分解抑制効果は期待できず、特に、コンタクト記録に対しては不十分であった。
(ここでnは1から6の整数)
特開2000−311332号公報
「Proceedings of Japan International Tribology Conf.」,1990年,1689頁
「Applied Surface Science」,1991年,51巻,201頁
「Journal of Information Storage and Processing Systems 1」,1999年,245頁
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、ヘッドに対し低摩擦及び低吸着性であり、高耐分解性を有する潤滑層を用いることにより、ヘッド浮上量が10nm以下若しくはコンタクトでも、信頼性を確保できる磁気記録再生を行うことを目的としている。
本発明は、第1に、非磁性基板、該非磁性基板上に形成された磁気記録層、該磁気記録層上に形成された保護層、及び該保護層上に形成された潤滑層を有する磁気記録媒体において、前記潤滑層が下記式(1)で表されるパーフルオロポリエーテルを含有することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
R1−CF2O−(CF2CF2O)p−CF2−R2 (1)
(式中、pは正の整数、R1、R2は末端基である)
また、本発明は、第2に、 非磁性基板、該非磁性基板上に形成された磁気記録層、該磁気記録層上に形成された保護層、及び該保護層上に形成された潤滑層を有する磁気記録媒体において、前記潤滑層が下記式(2)または下記式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルを含有することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
(式中、pは正の整数、R1、R2は末端基である)
また、本発明は、第2に、 非磁性基板、該非磁性基板上に形成された磁気記録層、該磁気記録層上に形成された保護層、及び該保護層上に形成された潤滑層を有する磁気記録媒体において、前記潤滑層が下記式(2)または下記式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルを含有することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
(式中、w,x,y,zは正の整数、R1、R2、R3、及びR4は末端基である)
また、本発明は、第3に、非磁性基板、該非磁性基板上に形成された磁気記録層、該磁気記録層上に形成された保護層、及び該保護層上に形成された上記式(1)で表されるパーフルオロポリエーテルを含有する潤滑層を有する磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体への情報の記録及び再生を行うための磁気へッドを有することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
また、本発明は、第3に、非磁性基板、該非磁性基板上に形成された磁気記録層、該磁気記録層上に形成された保護層、及び該保護層上に形成された上記式(1)で表されるパーフルオロポリエーテルを含有する潤滑層を有する磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体への情報の記録及び再生を行うための磁気へッドを有することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
また、本発明は、第4に、非磁性基板、該非磁性基板上に形成された磁気記録層、該磁気記録層上に形成された保護層、及び該保護層上に形成された上記式(2)または上記式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルを含有する潤滑層を有する磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体への情報の記録及び再生を行うための磁気へッドを有することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
本発明によれば、磁気記録媒体の潤滑層が、低表面張力で、ヘッドに対して低吸着性であり、摺動に対し高い耐分解性を有するため、駆動時の浮上高さが10nm以下でもヘッドの浮上不安定を抑制し得る。また、駆動時に接触する場合でもヘッドと磁気記録媒体の摩擦力を低減し、これにより信頼性の高い記録再生を行うことができる。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板と、非磁性基板上に形成された磁気記録層と、磁気記録層上に形成された保護層、及び保護層上に形成された、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテルを含有する潤滑層とを有し、使用されるパーフルオロポリエーテルにより、本発明の第1の観点にかかる磁気記録媒体と、本発明の第2の観点に係る磁気記録媒体とに分けられる。
第1の観点に係る磁気記録媒体に使用されるパーフルオロポリエーテルは、下記式(1)で表される。
R1−CF2O−(CF2CF2O)p−CF2−R2 (1)
(ここでpは正の整数、R1、R2は末端基)
上記式(1)で表わされるパーフルオロポリエーテルの構造には、(O-CF2−O)で表されるエーテル部が含まれていないため、前述のルイス酸触媒反応による分解は発生しにくく、耐分解性に優れている。さらに、上記式(1)で表わされるパーフルオロポリエーテルは、表面張力が低いため低吸着性であり、潤滑性が良好であるため磁気ヘッドと磁気記録媒体との摩擦を十分に低減し得る。このことは、パーフルオロポリエーテルの主鎖構造中に(O-CF2−O)で表されるエーテル部を含まないことにより、分子中のフッ素含有量が向上したことに起因すると考えられる。
(ここでpは正の整数、R1、R2は末端基)
上記式(1)で表わされるパーフルオロポリエーテルの構造には、(O-CF2−O)で表されるエーテル部が含まれていないため、前述のルイス酸触媒反応による分解は発生しにくく、耐分解性に優れている。さらに、上記式(1)で表わされるパーフルオロポリエーテルは、表面張力が低いため低吸着性であり、潤滑性が良好であるため磁気ヘッドと磁気記録媒体との摩擦を十分に低減し得る。このことは、パーフルオロポリエーテルの主鎖構造中に(O-CF2−O)で表されるエーテル部を含まないことにより、分子中のフッ素含有量が向上したことに起因すると考えられる。
(ここでw,x,y,zは正の整数、R1、R2、R3、及びR4は末端基である)
上記式(1)ないし式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルは、その各末端基R1、R2、R3、及びR4が、各々、下記式(4)、下記式(5)、及び下記式(6)で表される基から選択されることが好ましい。
上記式(1)ないし式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルは、その各末端基R1、R2、R3、及びR4が、各々、下記式(4)、下記式(5)、及び下記式(6)で表される基から選択されることが好ましい。
−CH2OH…(4)
−CH2−O−CH2−CH(OH)−CH2−OH…(5)
−F…(6)
上記式(1)における末端基R1、R2、及び式(2)及び式(3)における末端基R1、R2、R3、及びR4は、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、入手のしやすさの点からは後者であることが望ましい。
−CH2−O−CH2−CH(OH)−CH2−OH…(5)
−F…(6)
上記式(1)における末端基R1、R2、及び式(2)及び式(3)における末端基R1、R2、R3、及びR4は、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、入手のしやすさの点からは後者であることが望ましい。
上記式(1)〜(3)に表されるパーフルオロポリエーテルは、WO02/88218号公報の方法にしたがってペルフルオロポリエーテルのエステルを製造した後に、エステル分解を行うことによって末端基が−COFである化合物を得て、つぎに該−COF基を所望の末端基に変換する方法によって製造できる。このうち式(1)で表される化合物は、WO04/35656号公報等に記載される化合物であり、該公報に記載の方法にしたがって製造できる。また式(2)および式(3)の化合物についても同様の方法で製造できるほか、Journal of Fluorine Chemistry,125(2004)749-754に記載される化合物のカルボキシ基末端を所望の末端基に変換することによっても製造できる。
上記式(1)における末端基R1、R2、及び式(2)及び式(3)における末端基R1、R2、R3、及びR4は、少なくとも1つが式(6)で表わされる基であることが好ましい。
末端基の少なくとも1つを無極性基である−CF3基とすることにより、粘度が低下して、潤滑性が向上し、更なる低摩擦化が実現し得る。特に、コンタクト記録において、低温での潤滑層の高粘度化は大きな問題となる傾向があることから、末端基の無極性化は有効である。
また、本発明に用いられるパーフルオロポリエーテルは、その重量平均分子量が500ないし20000であることが好ましい。より好ましくは1000以上である。分子量が1000未満であると、磁気ディスクの回転により、潤滑剤が遠心力で外周部に移動し、飛散するスピンマイグレーションが問題となる傾向がある。また、分子中の末端官能基の割合が大きくなり、凝集しやすくなる傾向がある。さらに、保護層表面への被覆性が悪化する傾向がある。さらに好ましくは、本発明に用いられるパーフルオロポリエーテルの重量平均分子量は1000ないし10000である。分子量が10000を超えると、パーフルオロポリエーテルの流動性が悪化する傾向があり、また、官能基密度が低下することによって、塗布性が低下する傾向がある。さらにまた好ましくは、本発明に用いられるパーフルオロポリエーテルの重量平均分子量は2000ないし5000である。
また、本発明に用いられるパーフルオロポリエーテルの好ましい粘度は、コーンアンドプレート粘度計を用いた20℃における計測で、15(mPa・S)ないし22000(mPa・S)である。
さらに、本発明に用いられる潤滑層は、潤滑剤を塗布することにより形成することができる。潤滑剤としては、上記式(1)ないし式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルのうち少なくとも1種を使用する。
また、潤滑剤として、上記式(1)ないし式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルを2種以上を使用し得る。あるいは、上記式(1)ないし式(3)で表されるパーフルオロポリエーテルのうち少なくとも1種の潤滑剤と、他の潤滑剤若しくは添加剤とを組み合わせて使用することができる。ここで、他の潤滑剤としては前述した潤滑剤(化学式(9))のほか、同用途において一般的に使用される潤滑剤、たとえばFomblinZ DiOL(Solvey社製)やFomblinZ TetraOL(Solvey社製)が挙げられ、添加剤としては、前述したダウケミカル社製X-1P(化学式(8))などが挙げられる。これら複数種の潤滑剤、添加剤を用いて、1または2以上の潤滑層を形成することができる。複数種の潤滑剤は、単独で、あるいは所望の配合比で混合して使用し得る。
使用する潤滑剤、及びその組み合わせは、この潤滑層が設けられた媒体を適用する磁気記録再生装置の設計例えば磁気記録媒体の大きさ、及び駆動条件例えば回転数等に応じて適宜選択し得る。
例えば15(mPa・S)ないし700(mPa・S)の低粘度の潤滑剤と1000(mPa・S)ないし22000(mPa・S)の高粘度の潤滑剤を任意の割合で混合したり、保護膜への吸着性の高い潤滑剤で1層目の潤滑膜を形成した後、拡散性の高い潤滑剤でその上の2層目の潤滑膜を形成することができる。
また、本発明の第3の観点によれば、上記第1の観点に係る磁気記録媒体と、磁気記録媒体への情報の記録及び再生を行うための磁気へッドとを有する磁気記録再生装置が提供される。
さらに、本発明の第4の観点によれば、上記第2の観点に係る磁気記録媒体と、磁気記録媒体への情報の記録及び再生を行うための磁気へッドとを有する磁気記録再生装置が提供される。
以下、図面を参照し、本発明を具体的に説明する。
本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお本発明の技術範囲はこれらの実施例によって限定されるものではない。
図1は、本発明に係る磁気記録再生装置の外観図を示す。
この磁気記録再生装置10は、図示するように、磁気ディスク1、磁気ディスク1を支持及び回転制御する機構としてのスピンドルモータ3、磁気ディスク1に対して磁気信号の記録及び再生を行う磁気ヘッド2、磁気ヘッド2を組み込んだスライダ、及びボイスコイルモータ4等を含むヘッド位置決め機構、及び記録再生信号を処理する回路としてのリードライトアンプ5等から構成されている。
この磁気記録再生装置10では、磁気ディスク1の表面と、裏面はそれぞれ記録面として構成され、磁気ヘッド2より情報を記録することができるように構成されている。
ヘッド位置決め機構により、磁気ディスク1の表面とこの磁気ヘッドを組み込んだスライダとの浮上高さが例えば10nm以下の極低浮上記録、あるいは磁気ディスク1の表面とこの磁気ヘッドとが接触するコンタクト記録における、ヘッドの位置を制御することができる。
以下、実施例を示し、本発明より詳細に説明する。
実施例1
基板として、厚さ0.5mm,1.8インチ型ガラス基板を用意した。
基板として、厚さ0.5mm,1.8インチ型ガラス基板を用意した。
極低浮上記録用基板には、ダイアモンドスラリーによるテクスチャー加工を行い、表面粗さRaを算術平均粗さで約0.3nmとした。
また、コンタクト記録用基板にはCMP(ケミカルメカニカルポリッシュ)等を行い、表面粗さRaを算術平均粗さで約1.0nmにした。
その後、各基板を洗浄し、その上にスパッタリング装置を用いて以下の多層膜を形成した。まず、厚さ10nmのCr系合金からなる下地層を形成した。その上に、安定化層として厚さ2nmのCoCrPtB合金を形成した。その上に、中間層としてRuを1nm、磁気記録層としてCoCrPtB合金を5nm、保護層としてカーボンを2.5nm形成した。その後、上記式(1)で表され、その末端基R1およびR2が上記式(5)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量1000)を用意した。これを、Vertrel(デュポン社製)を溶媒として0.1重量%の濃度で希釈した塗布液を作成した。この塗布液をディップコート法により10オンク゛ストロームの膜厚で塗布し、本発明にかかる潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。なお、各膜厚は、XPSにより測定した。
得られた磁気記録媒体の断面構造の概略図を図2に示す。
図示するように、この磁気記録媒体20は、1.8インチ型ガラス基板21上に、下地層23、安定化層24、中間層25、記録層26、保護層27、及び潤滑層28を順次積層した構成を有する。
得られた磁気記録媒体について、以下のような試験評価を行った。
磁気記録媒体吸着性評価:Touch Down & Take Off試験
極低浮上ヘッドと磁気ディスクとの接触の際の潤滑層のメニスカスによる吸着力を評価するために行ったTouch Down & Take Off試験(以下TD&TO試験と略す。)の内容について図面を用いて説明する。図3にTD&TO試験装置の概略図を示す。
極低浮上ヘッドと磁気ディスクとの接触の際の潤滑層のメニスカスによる吸着力を評価するために行ったTouch Down & Take Off試験(以下TD&TO試験と略す。)の内容について図面を用いて説明する。図3にTD&TO試験装置の概略図を示す。
31は磁気ヘッド32と磁気ディスク33の接触の程度を検出するためのAE(アコースティックエミッション)センサで、36はオシロスコープ、磁気ヘッド32を取り付けられるステージ34に設置している。磁気ディスク33はモーターの上に取り付けられ、4200rpmで回転する。これらの装置はチャンバー35内に組み込まれており、装置全体をポンプPで引くことにより、0.3atm程まで減圧することが可能である。
図4に、磁気ヘッドの浮上量とAE出力との関係を説明するための図を示す。図3に示す装置を用いて徐々に減圧して磁気ヘッドの浮上量を下げていくと、図中、Tdに示すように、ある圧力でAE出力が急増する。この圧力をTouch Down圧力と呼ぶ。この後、逆に加圧していくとAE出力は大きいまましばらく変化せず、図中、Toに示すように、ある圧力で突然ノイズレベルまでAE出力が低下する。このときの圧力をTake Off圧力と呼び、Take Off圧力とTouch Down圧力の差をΔ圧力と呼ぶ。Δ圧力を図中ΔTで示す。我々の数多くの実験の結果、このΔ圧力が磁気ディスクの吸着性を示唆するものであり、またTake Off圧力が0.7atmを超えるものは、実際の磁気ディスク装置スペックである0.7atmでの減圧試験でも問題が発生しやすいことが判明した。
磁気記録媒体(極低浮上記録用)と浮上量10nm以下の磁気ヘッドを用いてTD&TO試験を行った結果を下記表1に示す。試験は中周(半径16mm付近)で行った。
接触ヘッドによる摩擦力測定
磁気記録媒体(コンタクト記録用)上をコンタクトヘッド(荷重2.5gf、接触力約100mgf)で摺動させて、ストレインゲージセンサー(榛名通信工業製)より摩擦力を測定した。その結果を下記表2に示す。試験は中周(半径16mm)付近で行った。
磁気記録媒体(コンタクト記録用)上をコンタクトヘッド(荷重2.5gf、接触力約100mgf)で摺動させて、ストレインゲージセンサー(榛名通信工業製)より摩擦力を測定した。その結果を下記表2に示す。試験は中周(半径16mm)付近で行った。
コンタクト記録ヘッドを搭載した磁気ディスク装置での摺動耐力試験
磁気記録媒体(コンタクト記録用)とコンタクトヘッド(荷重2.5gf、接触力約200mgf)を磁気ディスク装置に組み込み、環境温度5℃、半径位置16.3mm、回転数4200rpmで摺動させ、クラッシュするまでの日数を測定した。その結果を下記表3に示す。
磁気記録媒体(コンタクト記録用)とコンタクトヘッド(荷重2.5gf、接触力約200mgf)を磁気ディスク装置に組み込み、環境温度5℃、半径位置16.3mm、回転数4200rpmで摺動させ、クラッシュするまでの日数を測定した。その結果を下記表3に示す。
実施例2
実施例1に用いられるパーフルオロポリエーテルを、上記式(2)で表され、その末端基R1、R2およびR3が、上記式(4)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量1200)に変更すること以外は、実施例1と同様にして塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法により保護層上に塗布し、得られた塗布膜を、ベーク炉で150℃10分間加熱処理して、潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。塗布膜の膜厚は、潤滑層の厚さが10オンク゛ストロームになるように調整した。
実施例1に用いられるパーフルオロポリエーテルを、上記式(2)で表され、その末端基R1、R2およびR3が、上記式(4)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量1200)に変更すること以外は、実施例1と同様にして塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法により保護層上に塗布し、得られた塗布膜を、ベーク炉で150℃10分間加熱処理して、潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。塗布膜の膜厚は、潤滑層の厚さが10オンク゛ストロームになるように調整した。
得られた磁気記録媒体について、実施例1と同様にして吸着性評価、摩擦力測定、及び摺動耐力試験を行った。その結果を各々、下記表1ないし3に示す。
また、得られた磁気記録間媒体について、以下のように表面張力測定を行った。
表面張力測定
得られた磁気記録媒体(コンタクト記録用)の表面張力を接触角測定により求めた。
得られた磁気記録媒体(コンタクト記録用)の表面張力を接触角測定により求めた。
測定器としてFace社CA-Xを使用し、温度は25℃、滴下物として、水、n−デカン、n−ドデカン、n-ヘキサデカン、及びオレイン酸を用いた。これらより、表面張力の極性成分γpと分散成分γdを求めた。
得られた結果を、下記表4に示す。
実施例3
実施例1に用いられるパーフルオロポリエーテルを、上記式(3)で表され、その末端基R1、R2、R3およびR4が上記式(4)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量2600)に変更すること以外は、実施例1と同様にして塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法により保護層上に塗布し、得られた塗布膜を、ベーク炉で150℃10分間加熱処理し、潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。塗布膜の膜厚は、潤滑層の厚さが10オンク゛ストロームになるように調整した。
実施例1に用いられるパーフルオロポリエーテルを、上記式(3)で表され、その末端基R1、R2、R3およびR4が上記式(4)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量2600)に変更すること以外は、実施例1と同様にして塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法により保護層上に塗布し、得られた塗布膜を、ベーク炉で150℃10分間加熱処理し、潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。塗布膜の膜厚は、潤滑層の厚さが10オンク゛ストロームになるように調整した。
得られた磁気記録媒体について、実施例1と同様にして吸着性評価、摩擦力測定、及び摺動耐力試験を行った。その結果を各々、下記表1ないし3に示す。
さらに、実施例2と同様にして表面張力測定を行った。その結果を下記表4に示す。
実施例4
Fomblin Z-Tetraol(Solvey Solexis社製)をVertrelを溶媒として0.08重量%の濃度に希釈した塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法により保護層上に塗布し、塗布膜を形成した。その後、塗布膜をベーク炉で150℃10分間加熱処理した。その後、Vertrel溶剤中に5分間浸漬して表面を洗浄した。
Fomblin Z-Tetraol(Solvey Solexis社製)をVertrelを溶媒として0.08重量%の濃度に希釈した塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法により保護層上に塗布し、塗布膜を形成した。その後、塗布膜をベーク炉で150℃10分間加熱処理した。その後、Vertrel溶剤中に5分間浸漬して表面を洗浄した。
続いて、その上に上記式(1)で表され、その末端基R1が上記式(4)で表され、その末端基R2が式(6)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量1000)を用意した。これをVertrelを溶媒として0.1重量%の濃度に希釈した塗布液を作成した。これを、ディップコート法により塗布し、塗布膜を得た。その後、再度ベーク炉で150℃10分間加熱処理を行うことにより、本発明の潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。なお、Fomblin Z-Tetraol層とパーフルオロポリエーテル層とを合わせた潤滑層の膜厚が10オンク゛ストロームになるように、各層の塗布膜の膜厚を調整した。
得られた磁気記録媒体について、実施例1と同様にして吸着性評価、摩擦力測定、及び摺動耐力試験を行った。その結果を各々、下記表1ないし3に示す。
さらに、実施例2と同様にして表面張力測定を行った。その結果を下記表4に示す。
実施例5
Fomblin Z-TetraolをVertrelを溶媒として0.08重量%の濃度に希釈した塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法に保護層上に塗布し、塗布膜を形成した。その後、ベーク炉で150℃10分間加熱処理し、その後、Vertrel溶剤中に5分間浸漬して表面を洗浄した。更に、その上に上記式(1)で表され、その末端基R1およびR2が式(6)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量2000)をVertrelを溶媒として0.1重量%の濃度に希釈した塗布液を作成した。これをディップコート法により塗布し、塗布膜を得た。その後、再度ベーク炉で150℃10分間加熱処理を行うことにより、本発明に係る潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。なお、Fomblin Z-Tetraol層とパーフルオロポリエーテル層とを合わせた潤滑膜厚が10オンク゛ストロームになるように、各層の塗布膜の膜厚を調整した。
Fomblin Z-TetraolをVertrelを溶媒として0.08重量%の濃度に希釈した塗布液を得た。得られた塗布液をディップコート法に保護層上に塗布し、塗布膜を形成した。その後、ベーク炉で150℃10分間加熱処理し、その後、Vertrel溶剤中に5分間浸漬して表面を洗浄した。更に、その上に上記式(1)で表され、その末端基R1およびR2が式(6)で表されるパーフルオロポリエーテル(分子量2000)をVertrelを溶媒として0.1重量%の濃度に希釈した塗布液を作成した。これをディップコート法により塗布し、塗布膜を得た。その後、再度ベーク炉で150℃10分間加熱処理を行うことにより、本発明に係る潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。なお、Fomblin Z-Tetraol層とパーフルオロポリエーテル層とを合わせた潤滑膜厚が10オンク゛ストロームになるように、各層の塗布膜の膜厚を調整した。
得られた磁気記録媒体について、実施例1と同様にして摩擦力測定、及び摺動耐力試験を行った。その結果を各々、下記表1ないし3に示す。
さらに、実施例2と同様にして表面張力測定を行った。その結果を下記表4に示す。
比較例
Fomblin Z-TetraolをVertrelを溶媒として0.08重量%の濃度で希釈した塗布液を作成した。これをディップコート法により塗布し、得られた塗布膜を、ベーク炉で150℃10分間加熱処理して潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。塗布膜の膜厚は、潤滑層膜厚が10オンク゛ストロームになるように調整した。
Fomblin Z-TetraolをVertrelを溶媒として0.08重量%の濃度で希釈した塗布液を作成した。これをディップコート法により塗布し、得られた塗布膜を、ベーク炉で150℃10分間加熱処理して潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。塗布膜の膜厚は、潤滑層膜厚が10オンク゛ストロームになるように調整した。
得られた磁気記録媒体について、実施例1と同様にして吸着性評価、摩擦力測定、及び摺動耐力試験を行った。その結果を各々、下記表1ないし3に示す。
比較例に比べて、実施例の表面張力は、分散成分には差が見られないが、極性成分はいずれも小さいことがわかった。特に、実施例3のパーフルオロポリエーテルは非常に小さいことがわかった。また、表1の結果を考慮すると、表面張力が低いものほどΔ圧力が小さい、すなわち吸着性が低いという結果になった。
1…磁気ディスク、2…磁気ヘッド、3…スピンドルモータ、4…ボイスコイルモータ、5…リードライトアンプ、21…NiPめっき基板、23…下地層、24…安定化層、25…中間層、26…記録層、27…カーボン保護層、28…潤滑膜
31…AEセンサー、32…磁気へッド、33…磁気ディスク、34…ステージ、35…チャンバー
31…AEセンサー、32…磁気へッド、33…磁気ディスク、34…ステージ、35…チャンバー
Claims (11)
- 非磁性基板、該非磁性基板上に形成された磁気記録層、該磁気記録層上に形成された保護層、及び該保護層上に形成された潤滑層を有する磁気記録媒体において、前記潤滑層が下記式(1)で表されるパーフルオロポリエーテルを含有することを特徴とする磁気記録媒体。
R1−CF2O−(CF2CF2O)p−CF2−R2 (1)
(式中、pは正の整数、R1、R2は末端基である) - 前記パーフルオロポリエーテルは、その末端基R1及びR2が、各々、下記式(4)、下記式(5)、及び下記式(6)で表される基から選択されることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
−CH2OH…(4)
−CH2−O−CH2−CH(OH)−CH2−OH…(5)
−F…(6) - 前記パーフルオロポリエーテルは、その末端基R1及びR2のうち少なくとも1つが式(6)で表わされる基であることを特徴とする請求項3に記載の磁気記録媒体。
- 前記パーフルオロポリエーテルは、その末端基R1、R2、R3、及びR4が、各々、下記式(4)、下記式(5)、及び下記式(6)で表される基から選択されることを特徴とする請求項2に記載の磁気記録媒体。
−CH2OH…(4)
−CH2−O−CH2−CH(OH)−CH2−OH…(5)
−F…(6) - 前記パーフルオロポリエーテルは、末端基R1、R2、R3、及びR4のうち少なくとも1つが前記式(6)で表わされる基であることを特徴とする請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 前記パーフルオロポリエーテルは、その重量平均分子量が500〜20000であり、であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 前記パーフルオロポリエーテルは、その重量平均分子量が1000〜10000であることを特徴とする請求項7に記載の磁気記録媒体。
- 前記パーフルオロポリエーテルは、その重量平均分子量が2000〜5000である請求項8に記載の磁気記録媒体。
- 前記潤滑層は、さらに他の潤滑剤若しくは添加剤成分を含むことを特徴とする請求項1ないし9に記載の磁気記録媒体。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体への情報の記録及び再生を行うための磁気へッドを有することを特徴とする磁気記録再生装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010084548A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | 株式会社日立製作所 | 潤滑剤、および、それを用いた磁気ディスク装置 |
US8410034B2 (en) | 2008-01-24 | 2013-04-02 | Asahi Glass Company, Limited | Ether composition |
WO2014126107A1 (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素エーテル組成物、表面改質剤、界面活性剤、液状組成物、物品 |
WO2015199037A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | 株式会社Moresco | フルオロポリエーテル化合物、潤滑剤ならびに磁気ディスク |
KR20190042469A (ko) * | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 주식회사 엘지화학 | 비반응성 불소계 화합물 및 이를 포함하는 광중합성 조성물 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004095094A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
WO2004035656A1 (ja) * | 2002-10-18 | 2004-04-29 | Asahi Glass Company, Limited | ペルフルオロポリエーテル誘導体 |
WO2005068534A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Asahi Glass Company, Limited | 含フッ素ポリエーテル化合物 |
WO2007013412A1 (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Asahi Glass Company, Limited | エーテル組成物および溶液組成物 |
-
2006
- 2006-07-31 JP JP2006208896A patent/JP2008034064A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004095094A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
WO2004035656A1 (ja) * | 2002-10-18 | 2004-04-29 | Asahi Glass Company, Limited | ペルフルオロポリエーテル誘導体 |
WO2005068534A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Asahi Glass Company, Limited | 含フッ素ポリエーテル化合物 |
WO2007013412A1 (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Asahi Glass Company, Limited | エーテル組成物および溶液組成物 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8410034B2 (en) | 2008-01-24 | 2013-04-02 | Asahi Glass Company, Limited | Ether composition |
WO2010084548A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | 株式会社日立製作所 | 潤滑剤、および、それを用いた磁気ディスク装置 |
WO2014126107A1 (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素エーテル組成物、表面改質剤、界面活性剤、液状組成物、物品 |
JPWO2014126107A1 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-02-02 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素エーテル組成物、表面改質剤、界面活性剤、液状組成物、物品 |
WO2015199037A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | 株式会社Moresco | フルオロポリエーテル化合物、潤滑剤ならびに磁気ディスク |
JPWO2015199037A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2017-04-20 | 株式会社Moresco | フルオロポリエーテル化合物、潤滑剤ならびに磁気ディスク |
US10047316B2 (en) | 2014-06-24 | 2018-08-14 | Moresco Corporation | Fluoropolyether compound, lubricant, and magnetic disk |
KR20190042469A (ko) * | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 주식회사 엘지화학 | 비반응성 불소계 화합물 및 이를 포함하는 광중합성 조성물 |
KR102268129B1 (ko) * | 2017-10-16 | 2021-06-22 | 주식회사 엘지화학 | 비반응성 불소계 화합물 및 이를 포함하는 광중합성 조성물 |
US11292888B2 (en) | 2017-10-16 | 2022-04-05 | Lg Chem, Ltd. | Non-reactive fluoro compound and photopolymer composition comprising the same |
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