JP2008024976A - 除膜性に優れた硬質皮膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の硬質皮膜は、下記一般式(1)で示される硬質皮膜であって、
(W,Mo)aCrbM1-a-b(C1-xNx) …(1)
[但し、Mは、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字a,b,xは、夫々(W,Mo),CrおよびNの原子比を示す。]
0.05≦a≦0.4、0.5≦b、0≦x≦1
である。
【選択図】なし
Description
(W,Mo)aCrbM1-a-b(C1-xNx) …(1)
[但し、Mは、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字a,b,xは、夫々(W、Mo),CrおよびNの原子比を示す。]
0.05≦a≦0.4、
0.5≦b、
0≦x≦1
である点に要旨を有するものである。
(W,Mo)mM’n …(2)
m+n=1.0、0.1≦m≦1.0
[但し、M’は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字m,nは、夫々(W,Mo)およびM’の原子比を示す。]
(W,Mo)pM”q(C1-yNy) …(3)
p+q=1.0、0.1≦p≦1.0、0≦y≦1.0
[但し、M”は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字p,q,yは、夫々(W,Mo),M”およびNの原子比を示す。]
(W,Mo)aCrbM1-a-b(C1-xNx) …(1)
[但し、Mは、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字a,b,xは、夫々(W、Mo),CrおよびNの原子比を示す。]
0.05≦a≦0.4、
0.5≦b、
0≦x≦1
(W,Mo)mM’n …(2)
m+n=1.0、0.5≦m≦1.0
[但し、M’は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字m,nは、夫々(W、Mo)およびM’の原子比を示す。]
(W,Mo)pM”q(C1-yNy) …(3)
p+q=1.0、0.5≦p≦1.0、0≦y≦1.0
[但し、M”は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字はp,q,yは、夫々(W、Mo),M”およびNの原子比を示す。]
前記図1に示した成膜装置のアーク蒸発源6a,6bに、(M,WおよびCr)を各種割合で含有するターゲットを配置し、回転テーブル3上に被処理体5として冷間ダイス鋼(SKD11:HRC硬度60、φ50mm×5mm厚み)、および超硬合金製チップ(皮膜組成分析用)を使用した。これらの基材を、回転テーブル3上に配置し、真空チャンバー1内を1×10-3Pa以下の真空まで排気しつつ、ヒータ7a,7b,7c,7dで被処理体5の温度を400℃まで加熱した。1時間加熱後に、図1に示したフィラメント型イオン源11を使用し、Ar圧力:0.6Pa、放電電流:5Aとして、基材に500Vの電圧を印加して、5分間Arクリーニングを実施した。
上記実施例で得られたサンプルを、10mol%の水酸化ナトリウムを含む水溶液(温度:50℃)に浸漬し、皮膜が全面除去される時間tから除膜速度(皮膜全厚さ/時間t)を算出した。
前記図1に示した装置のアーク蒸発源6a,6bに、(M,MoおよびCr)を各種割合で含有するターゲットを配置する以外は、実施例1と同様にして各種硬質皮膜を形成した。また、実施例1と同様にして、各種中間層を形成した硬質皮膜についても形成した。
前記図1に示した装置のアーク蒸発源6a,6bに、(M,W,MoおよびCr)を各種割合で含有するターゲットを配置する以外は、実施例1と同様にして各種硬質皮膜を形成した。また、実施例1と同様にして、各種中間層を形成した硬質皮膜についても形成した。
は中間層上に硬質皮膜を形成したもの)に示す。
2 回転盤
3 回転テーブル
5 被処理体(基材)
6a,6b アーク蒸発源
6c,6d スパッタ蒸発源
7a,7b,7c,7d ヒータ
8a,8b アーク電源
8c,8d スパッタ電源
9a,9b,9c,9d マスフローコントローラー
10 バイアス電源
11 フィラメント型イオン源
12 フィラメント加熱用交流電源
13 放電用直流電源
Claims (5)
- 下記一般式(1)で示される硬質皮膜であって、
(W,Mo)aCrbM1-a-b(C1-xNx) …(1)
[但し、Mは、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字a,b,xは、夫々(W、Mo),CrおよびNの原子比を示す。]
0.05≦a≦0.4、
0.5≦b、
0≦x≦1
であることを特徴とする除膜性に優れた硬質皮膜。 - 0.1≦a≦0.3および、
a+b=1.0
である請求項1に記載の硬質皮膜。 - カソード放電型アークイオンプレーティング法によって成膜されたものである請求項1または2に記載の硬質皮膜。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の硬質皮膜と鉄系基材との間に、下記一般式(2)または(3)で示されるいずれかの中間層AまたはBが形成されたものであることを特徴とする除膜性に優れた硬質皮膜。
(中間層A)
(W,Mo)mM’n …(2)
m+n=1.0、0.5≦m≦1.0
[但し、M’は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字m,nは、夫々(W,Mo)およびM’の原子比を示す。]
(中間層B)
(W,Mo)pM”q(C1-yNy) …(3)
p+q=1.0、0.5≦p≦1.0、0≦y≦1.0
[但し、M”は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Al,Siから選択される少なくとも1種の元素:添字p,q,yは、夫々(W,Mo),M”およびNの原子比を示す。] - 前記中間層AまたはBは、スパッタリング法によって成膜されたものである請求項4に記載の硬質皮膜。
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