JP2008016440A - 炭素ナノチューブ構造体の形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法 - Google Patents
炭素ナノチューブ構造体の形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板110上に電極112を形成する工程と、電極112上にバッファ層125を形成する工程と、バッファ層125上に粒状の触媒層130を形成する工程と、触媒層を通じて露出されたバッファ層125をエッチングする工程と、エッチングされたバッファ層125上に設けられた触媒層130から炭素ナノチューブ150を成長させる工程と、を含む炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【選択図】図4
Description
112…電極、
120、125…バッファ層、
130…触媒層、
150…CNT(炭素ナノチューブ)。
Claims (21)
- 基板上に電極を形成する工程と、
前記電極上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に点在させた触媒層を形成する工程と、
前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングする工程と、
前記エッチングされたバッファ層上に設けられた前記触媒層から炭素ナノチューブを成長させる工程と、を含むことを特徴とする炭素ナノチューブ構造体の形成方法。 - 前記バッファ層は、前記触媒層とエッチング選択性のある物質からなることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記バッファ層は、Al、B、Ga、In、Tl、Ti、Mo、及びCrからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項2に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記バッファ層は、10Åないし3000Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項2に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記触媒層は、Fe、Co、及びNiからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項2に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記触媒層は、2Åないし100Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項2に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記バッファ層のエッチングは、前記電極が露出されるまで行われることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記電極は、Mo及びCrのうち少なくとも一つからなることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法によって成長されることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 基板上にカソード電極、絶縁層及び、ゲート電極となる層を順次に形成する工程と、
前記ゲート電極となる層をパターニングして、ゲート電極を形成し、当該ゲート電極をマスクとして露出している前記絶縁層をエッチングして、前記カソード電極を露出させるエミッタホールを形成する工程と、
前記エミッタホールの内部の前記カソード電極上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に点在させた触媒層を形成する工程と、
前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングする工程と、
前記エッチングされたバッファ層上に設けられた前記触媒層から炭素ナノチューブを成長させる工程と、を含むことを特徴とする電界放出素子の製造方法。 - 前記バッファ層は、前記触媒層とエッチング選択性のある物質からなることを特徴とする請求項10に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、Al、B、Ga、In、Tl、Ti、Mo、及びCrからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項11に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、10Åないし3000Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項11に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記触媒層は、Fe、Co、及びNiからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項11に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記触媒層は、2Åないし100Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項11に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記カソード電極は、Mo及びCrのうち少なくとも一つからなることを特徴とする請求項10に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記エミッタホールを形成する工程は、
前記パターニングされた前記ゲート電極上にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジスト及び前記ゲート電極をマスクとして露出している前記絶縁層を、前記カソード電極が露出されるまでエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項10に記載の電界放出素子の製造方法。 - 前記バッファ層及び触媒層を形成する工程は、
前記フォトレジスト及び前記エミッタホールの内部のカソード電極上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に点在させた前記触媒層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項17に記載の電界放出素子の製造方法。 - 前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングした後、前記フォトレジスト及び前記フォトレジスト上に形成された前記バッファ層及び触媒層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層のエッチングは、前記カソード電極が露出されるまで行われることを特徴とする請求項10に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法によって成長されることを特徴とする請求項10に記載の電界放出素子の製造方法。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |