JP2003249163A - 抵抗層上に形成された放出層を有する陰極構造 - Google Patents
抵抗層上に形成された放出層を有する陰極構造Info
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Abstract
する陰極構造に関する。 【解決手段】 本発明の3極管型陰極構造は、陰極電極
(33)を含む陰極アセンブリと、電子放出材料層(3
4)と、陰極電極(33)と電子放出材料層(34)と
の間に陰極電極(33)と電子放出材料層(34)とが
互いに電気的に接続されるよう挿入された抵抗層(3
6)と、電気的絶縁層(31)によって陰極アセンブリ
から隔離されたグリッド電極(35)と、を備える。陰
極電極(33)及び電子放出材料層(34)は、並んで
配置されている。
Description
れた放出層を有する陰極構造に関し、この陰極構造は電
界放出フラットスクリーンに利用できる。
出によって励起されたカソードルミネッセンスによる表
示装置は、陰極又は電界放出構造と、ルミネッセンス層
で被覆された陰極に対向する陽極とを備える。陽極と陰
極とは、真空状態の空間によって隔離されている。
ースか、又はしきい値電解(threshold field)の低い
放出層をベースにしたソースかのどちらかである。放出
層は、カーボンナノチューブ層、又は炭素又は他の材料
をベースにした他の構造のナノチューブ層、又は多層
(AlN,BN)とすることができる。
することができる。3極管構造は、放出源からの電子の
抽出を促進するグリッドと呼ばれる付加的な電極を有す
る。いくつかの3極管構造はすでに考えられている。そ
れら3極管構造は、陰極に対するグリッドの位置に応じ
て2つの主なグループに分類することができる。
形成されたホールの底部に陰極導体が堆積し、かつその
絶縁層上にグリッドが位置する構造を含む。これら3極
管構造を以下タイプI構造と称する。この種の3極管構
造は、特許文献1(特許文献2の対応出願)で規定され
ており、電界放出によって励起されたカソードルミネッ
センスによる表示装置の製造方法を開示している。電子
放出材料は、電子放出グリッドを支持する絶縁層に形成
されたホールの底部に見られる導電層上に堆積される。
細書
ードルミネッセンス表示装置の、従来技術に係るタイプ
I陰極構造の概略断面図を示す。この図には一つの放出
装置が示されている。円形ホール2が、電気的絶縁材料
で作られた層1を介して形成されている。導電層3が、
陰極を形成しかつ電子放出材料層4を支持するホール2
の底部に配置されている。絶縁層1の上面は、抽出グリ
ッドを形成しかつホール2を囲む金属層5を支持してい
る。
が絶縁層上に堆積され、かつその絶縁層の下にグリッド
が位置している構造を含む。これら3極管構造を以下タ
イプII構造と称する。この種の3極管構造は、特許文
献3及び特許文献4に記述されている。
細書
細書
ルミネッセンス表示装置の、従来技術に係るタイプII
陰極構造の概略断面図を示す。この図には一つの放出装
置が示されている。電気的絶縁材料層11は、グリッド
電極15を層11の下面で支持している。グリッド電極
5は、層11の上面に配置された陰極13を囲みかつ電
子放出材料層14を支持する2つの部分からなる。
に電子を放出するよう操作すべきであるならば、陰極に
おける積層は、特許文献5(特許文献6の対応出願)で
述べられているように、放出を一様にするための独立し
たエミッターから放出された電流を制限する目的で、陰
極導体と放出層との間に抵抗層を追加することによって
より複合的に形成されねばならない。
けるには、触媒層(通常Fe,Co,Ni、又はこれら
の材料の合金)をこれらの領域に堆積させる必要があ
り、かくして放出層の選択的な成長が可能となる。これ
らの領域は成長領域と称されている。
及びタイプIIの陰極構造に対する陰極導体上方の完成
した積層を示す。この図は、抵抗層26、触媒層27、
及び放出層24を順番に支持している陰極導体23の断
面図を示す。
は、高温(500〜700℃)で起こる放出層の成長に
関連する。このステップを実施すると、通常シリコンで
作られる抵抗層において金属触媒が一部拡散する。この
拡散によって、抵抗層の導電性がよくなり、放出調整と
しての基本的な役割が排除される。図4は、図3の素子
に対する、放出層24の成長ステップ後における抵抗層
26内の金属触媒の拡散体積28を示す。この問題はタ
イプI及びタイプIIの陰極構造に共通している。
に、この発明は、電子放出が一様であり、放出層を成長
させた後にも抵抗層の完全性が保持される構造を提案す
る。
ンブリと、成長領域から形成され、かつ放出面から電子
を放出するよう意図された電子放出材料層と、陰極電極
と電子放出材料層との間に、陰極電極と電子放出材料層
とが互いに電気的に接続されるよう挿入された抵抗層
と、電気的絶縁層によって陰極アセンブリから隔離され
たグリッド電極と、を備えた3極管型陰極構造におい
て、陰極電極と電子放出材料層とは、並んで配置されて
いることを特徴とする。
互いに隔離された複数の成長パッドから構成され、電子
放出材料層は、これらパッド上に分配されている。抵抗
層は、各成長パッドの間に存在しなくてもよい。
の場合には、グリッド電極は、陰極アセンブリに対し、
電子放出材料層の放出面の存在している側に位置してい
る。電子放出材料層を露出するために、グリッド電極と
電気的絶縁層とに開口部が形成されている場合には、電
子放出材料層は、開口部の中央部に位置していてよい。
電子放出材料層は開口部の全幅を占めてもよく、陰極電
極は開口部の側面から隔離される。好都合には、開口部
は矩形のトレンチを形成するので、電子放出材料もまた
矩形である。上述のように、成長領域は互いに隔離され
た複数の成長パッドから構成されかつこれら成長パッド
は円形なので、開口部は、パッドの中央に、(接してい
るか又は接していない)相当数の円筒形のホールを備え
てよい。
料層を囲む2つの部分を備える。
IIの場合には、グリッド電極は、陰極アセンブリに対
して、電子放出材料層の放出面が存在している側と反対
側に位置する。
ブリを囲む2つの部分を備える。好ましくは、陰極電極
はグリッド電極2つの部分の間の中央にあり、成長領域
は、陰極電極の各側に位置する2つの成長パッドからな
る少なくとも一つのグループから構成される。
成長多層としてよい。この成長多層は、金属導体を介し
て抵抗層に電気的に接続されてよい。
の陰極構造を備えた、電界放出フラットスクリーンであ
る。
て与えられた次の記述を読むことによって、本発明はよ
り良く理解され、他の優位点及び特異な特徴が明らかと
なる。
備えたタイプI陰極構造の断面図を示す。この陰極構造
は、2つの部分で陰極電極33が重畳された支持体30
と、2つの部分の陰極電極33とこれら2つの部分の間
に位置する支持面30とを覆う抵抗層36と、絶縁層3
1と、電子抽出グリッド(electron extraction grid)
を形成する金属層35とを備える。抵抗層36はホール
32によって露出されている。成長領域から形成された
ホール32の中央にある放射材料層34は、抵抗層36
上に支持されている。
グリッド35に形成された幅Lのトレンチである。放出
材料層34の成長領域の幅dは幅Lと比較して小さい。
この成長領域は、陰極電極33の部分から距離Sの箇所
に位置している。成長領域は、厚さeの抵抗層36を介
してこれら陰極電極33の部分へ電気的に接続されてい
る。陰極電極33の部分は、抽出グリッド35と垂直方
向に列をなしている。これらの部分はまた、グリッドの
ラインから引込んでいる。
き、図5に示した陰極構造が示し得る一の平面図である
図6に示すように、パッドに構成することができる。図
6は、放出材料層34が、距離Sと同じオーダーの大き
さの距離Uだけ隔離された2つの成長パッドに分配され
ている様子を示す。
図が図7に示されている。この変形実施例では、抵抗層
36は、放出材料層34の各成長パッドの間でエッチン
グされている。
イプI陰極構造の断面図を示す。この陰極構造は、2つ
の部分に構成された陰極電極43が上に重畳された支持
体40と、該支持体40に続く層であって、2つの部分
とされた前記陰極電極43とこれら2つの部分の間に位
置する前記支持面40とを覆う抵抗層46と、絶縁層4
1と、電子抽出グリッドを形成する金属層45とを備え
る。ホール42、例えば幅Lのトレンチが、絶縁層41
及び抽出グリッド45に形成されている。
れた成長領域から出発して形成されており、トレンチ4
2の深部全体を占める。したがって放出材料層44は、
トレンチと同一の幅を有する。陰極電極は、距離Sだけ
トレンチから隔離されている。
た他のタイプI陰極構造の平面図を示す。この変形例に
おいて、放出層54は、円形の成長パッド上に形成され
ており、かつ接触してもいなくてもよい状態でこれらパ
ッドの中央にある円筒形のホール52の底部に位置して
いる。この図はまた、抽出グリッド55及び2つの部分
の陰極電極53と共に、成長パッドが上に形成された抵
抗層56をも示す。
係る放出層を備えたタイプII陰極構造を示す断面図及
び平面図である。図10は、図11におけるX−X線に
沿った断面図である。
0はグリッド電極65を2つの部分で支持しており、次
いで絶縁層61と、グリッド電極65の中央にある陰極
アセンブリとを支持している。陰極アセンブリは、陰極
電極63と、この陰極電極63上に堆積されかつこの電
極のどちらか一方の側を投影している幅Lの抵抗層66
と、この陰極電極63の投影部分に堆積された複数のパ
ッド上に形成された放出層64とを備える。図11に示
すように、抵抗層66は、2つの成長パッドをそれぞれ
支持する2つのグループに分配されている。
ッドは陰極電極63から距離Sの箇所に位置している。
にエッチングされているというよりはむしろ連続的な抵
抗層を有して構成される。
イプII構造が直面した困難を解決する。抵抗層に触媒
が拡散することによって従来技術に係る構造内で起こる
抵抗層の短絡は、陰極電極が取り除かれるので排除され
る。拡散は、抵抗層の厚さ内で選択的に起こり、それ故
に横方向の抵抗を破壊せず、十分な抵抗が残留するよう
隔絶距離が取られる。分離パッドにおける放出層の分配
はまた、異なる放出領域間における電気的な独立性を保
証し、それ故に各パッドに対する抵抗層の作用が独立し
て提供される。放射が一様である理由はここにある。
長領域を陰極電極から隔離する距離に、割り当てること
が可能である。この距離は、触媒の横方向の拡散よりも
大きくなければならない。
一部を示す断面図である。図12は、支持体70上に体
積された抵抗層76と、この抵抗層上に位置しかつ成長
領域として作用する触媒層77とを示す。放出層が成長
している間、抵抗層76の厚さeと同様の距離に亘って
拡がっている拡散体積78内で触媒の拡散が起こる。S
は厚さeの数倍のオーダー、典型的には3〜5μmでな
ければならないと判断できる。この値は、模範としての
み与えられたものであって、限定的な事項ではない。
成長領域は単に触媒層から構成されている。この成長領
域は、電子を放出する炭素構造(carbonated structur
e)の成長を促進するよう選択された材料の積層で構成
することができる。抵抗層上に直接成長領域を形成せず
に、成長構造の一部を形成する金属導体を介して成長領
域を抵抗層と連結することもまた可能である。
構造に対する陰極アセンブリの一部の断面図である図1
3に示されている。絶縁層81は、陰極電極83と、こ
の陰極電極83に重なる抵抗層86とを支持する。抵抗
層86の側部は、成長多層87が上に形成された金属導
体89と電気的に接触している。例えば、この成長多層
は、TiNと、Fe,Co,Ni及びPtのような他の
触媒材料とを含む積層とすることができる。金属導体8
9は、Cr,Mo及びNbのような金属とすることがで
きる。
イプI陰極構造の実施形態に対するプロセスを示し、こ
のプロセスは真空蒸着及びフォトリソグラフィ技術を実
施する。
ン、ニオブ、銅又はITOを支持体100(図14A参
照)上に堆積させることによって得られる。導電性材料
の堆積物はストリップ内で、25μmのピッチで通常、
幅10μmにエッチングされる。図14Aは、陰極電極
103を形成するよう結合された2つのストリップを示
す。
ァスシリコンから作られた厚さ1.5μmの抵抗層10
6、次いでシリカ又は窒化ケイ素から作られた厚さ1μ
mの絶縁層101、最後に電子抽出グリッドを形成する
ニオブ又はモリブデンから作られた金属層105が、図
14Bに示すように形成される。
抵抗層106を露出するために、幅15μmのホールす
なわちトレンチ102を用いて同時にエッチングされ
る。この様子は図14Cに示されている。
7を堆積し、この層107内に幅6μm長さ10〜15
μmの開口部108を形成して、抵抗層106を露出さ
せた後に得られる構造を示す。この開口部108の幅
は、形成されるべき放出層の幅に一致する。
積物が構造上に形成される。図14Eに示すように、こ
の触媒堆積物によって、犠牲層107と抵抗層106の
うち露出された部分との上に不連続な成長層109が形
成される。
成長層の一部を除去する「リフトオフ」技術によって除
去される。抵抗層106の中央部には成長層の一部がま
だ残っている。これによって、図14Fに示すように、
放出層104を成長させることができる。
層、例えばTiNのようなバリヤ層、次いで触媒からな
る2層から構成される。この多層はまた、放出層の成長
を促すためにより複合的にすることもできる。
されている陰極構造の実施形態に対するプロセスは、上
述のプロセスと同一の図14Aから図14Dのステップ
で始まる。次いでこれらのステップの後段に、図14G
から図14Iに示されたステップが続く。
に抵抗層106がホール108のラインに沿ってエッチ
ングされる様子を示す。
と抵抗層106との間に電気的な接触を達成するため
に、金属層119が堆積される。次いで触媒層117又
は多層構造が金属層119の上に堆積される。
7が除去され、これによって金属層119の一部とこの
犠牲層上に位置する触媒層117とが除去される。金属
層119の一部は、図14Iに示すように、抵抗層10
6を金属層119のこの部分上に堆積された触媒パッド
117へ接続するために、支持体100上に残留する。
次いで放出層の成長を開始することができる。
構造の断面図である。
構造の断面図である。
層、触媒層、及び放出層を備えた陰極アセンブリの断面
図である。
層、触媒層、及び放出層を備えた陰極アセンブリの断面
図である。
構造の断面図である。
構造の平面図である。
構造の平面図である。
陰極構造の断面図である。
陰極構造の平面図である。
陰極構造の断面図である。
陰極構造の平面図である。
明する横断面である。
示す断面図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 陰極電極(33,43,63)を含む陰
極アセンブリと、成長領域から形成され、かつ放出面か
ら電子を放出するよう意図された電子放出材料層(3
4,44,64)と、前記陰極電極と前記電子放出材料
層との間に、前記陰極電極と前記電子放出材料層とが互
いに電気的に接続されるよう挿入された抵抗層(36,
46,66)と、電気的絶縁層(31,41,61)に
よって前記陰極アセンブリから隔離されたグリッド電極
(35,45,65)と、を備えた3極管型陰極構造に
おいて、 前記陰極電極と前記電子放出材料層とは、並んで配置さ
れていることを特徴とする陰極構造。 - 【請求項2】 請求項1記載の陰極構造において、 前記成長領域は、互いに隔離された複数の成長パッドか
ら構成され、前記電子放出材料層(34,54,64)
は、これらパッド上に分配されていることを特徴とする
陰極構造。 - 【請求項3】 請求項2記載の陰極構造において、 前記抵抗層(36)は、各成長パッドの間に存在しない
ことを特徴とする陰極構造。 - 【請求項4】 請求項1又は2記載の陰極構造におい
て、 前記グリッド電極(35,45)は、前記陰極アセンブ
リに対し、前記電子放出材料層(34,44)の放出面
の存在している側に位置していることを特徴とする陰極
構造。 - 【請求項5】 請求項4記載の陰極構造において、 前記電子放出材料層(34,54)を露出するために、
前記グリッド電極(35,55)と前記電気的絶縁層
(31)とに開口部(32,52)が形成され、 前記電子放出材料層は、前記開口部の中央部に位置して
いることを特徴とする陰極構造。 - 【請求項6】 請求項4記載の陰極構造において、 前記電子放出材料層(44)を露出するために、前記グ
リッド電極(45)と前記電気的絶縁層(41)とに開
口部(42)が形成され、 前記電子放出材料層は前記開口部(42)の全幅を占
め、 前記陰極電極(43)は前記開口部から側方に後退して
位置していることを特徴とする陰極構造。 - 【請求項7】 請求項5又は6記載の陰極構造におい
て、 前記開口部(32,42)は矩形のトレンチを形成し、
前記電子放出材料層(34,44)の形状もまた矩形で
あることを特徴とする陰極構造。 - 【請求項8】 請求項2又は5記載の陰極構造におい
て、 前記成長パッドは円形であり、かつ前記開口部は、前記
パッドの中央に、接していてもいなくてもよい相当数の
円筒形のホール(52)を備えることを特徴とする陰極
構造。 - 【請求項9】 請求項1から8のいずれか一項に記載の
陰極構造において、 前記陰極電極(33,43)は、前記電子放出材料層
(34,44)を囲む2つの部分を備えることを特徴と
する陰極構造。 - 【請求項10】 請求項1記載の陰極構造において、 前記グリッド電極(65)は、前記陰極アセンブリに対
し、前記電子放出材料層(64)の放出面が存在してい
る側と反対側に位置することを特徴とする陰極構造。 - 【請求項11】 請求項10記載の陰極構造において、 前記グリッド電極(65)は、前記陰極アセンブリを囲
む2つの部分を備えることを特徴とする陰極構造。 - 【請求項12】 請求項11記載の陰極構造において、 前記陰極電極(63)は前記グリッド電極(65)の2
つの部分の間の中央にあり、前記成長領域は、前記陰極
電極の各側にある2つの成長パッドからなる少なくとも
一つのグループから構成されることを特徴とする陰極構
造。 - 【請求項13】 請求項1から12のいずれか一項に記
載の陰極構造において、 前記成長領域は、成長多層であることを特徴とする陰極
構造。 - 【請求項14】 請求項13記載の陰極構造において、 前記成長多層(87)は、金属導体(89)を介して前
記抵抗層(86)に電気的に接続されていることを特徴
とする陰極構造。 - 【請求項15】 請求項1から14のいずれか一項に記
載の陰極構造を複数備えることを特徴とする電界放出フ
ラットスクリーン。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
FR0202078 | 2002-02-19 | ||
FR0202078A FR2836280B1 (fr) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | Structure de cathode a couche emissive formee sur une couche resistive |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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FR (1) | FR2836280B1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329014A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Ulvac Japan Ltd | Fed用カソード基板 |
JP2008016440A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 炭素ナノチューブ構造体の形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法 |
KR100814856B1 (ko) | 2006-10-20 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 표시 장치 |
JP2008508665A (ja) * | 2004-07-28 | 2008-03-21 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 高解像度陰極構造 |
JP2008538854A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-06 | スモルテック エービー | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
JP2008543008A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-11-27 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 放出陰極の製造方法 |
US7514857B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-04-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission device and electron emission display device using the same |
US8183659B2 (en) | 2005-08-26 | 2012-05-22 | Smoltek Ab | Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures |
US8253253B2 (en) | 2007-09-12 | 2012-08-28 | Smoltek Ab | Connecting and bonding adjacent layers with nanostructures |
US8508049B2 (en) | 2008-02-25 | 2013-08-13 | Smoltek Ab | Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050051532A (ko) * | 2003-11-27 | 2005-06-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출 표시장치 |
US8025960B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-09-27 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
US20110039690A1 (en) * | 2004-02-02 | 2011-02-17 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
US7553371B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-06-30 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
KR20050096534A (ko) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법 |
US7429820B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-09-30 | Motorola, Inc. | Field emission display with electron trajectory field shaping |
CN100468155C (zh) * | 2004-12-29 | 2009-03-11 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 背光模组和液晶显示器 |
TW200638458A (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-01 | Ind Tech Res Inst | Triode field emission display |
US7911123B2 (en) * | 2005-07-04 | 2011-03-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission device and electron emission display using the electron emission device |
TWI272870B (en) * | 2005-11-18 | 2007-02-01 | Tatung Co | Field emission display device |
US7545088B2 (en) * | 2006-01-31 | 2009-06-09 | Motorola, Inc. | Field emission device |
FR2897718B1 (fr) | 2006-02-22 | 2008-10-17 | Commissariat Energie Atomique | Structure de cathode a nanotubes pour ecran emissif |
WO2007114655A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Industry Academic Cooperation Foundation Of Kyunghee University | Field emission display and manufacturing method of the same having selective array of electron emission source |
TW200826016A (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-16 | Tatung Co Ltd | Display device and back light thereof and method of driving the back light |
US7800471B2 (en) * | 2008-04-04 | 2010-09-21 | Cedar Ridge Research, Llc | Field emission system and method |
KR102067922B1 (ko) | 2009-05-19 | 2020-01-17 | 원드 매터리얼 엘엘씨 | 배터리 응용을 위한 나노구조화된 재료 |
US8623288B1 (en) | 2009-06-29 | 2014-01-07 | Nanosys, Inc. | Apparatus and methods for high density nanowire growth |
US11430974B2 (en) | 2019-05-17 | 2022-08-30 | Ppg Industries Ohio, Inc. | System for roll-to-roll electrocoating of battery electrode coatings onto a foil substrate |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69211581T2 (de) * | 1991-03-13 | 1997-02-06 | Sony Corp | Anordnung von Feldemissionskathoden |
FR2702869B1 (fr) * | 1993-03-17 | 1995-04-21 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage à micropointes et procédé de fabrication de ce dispositif. |
US5717285A (en) * | 1993-03-17 | 1998-02-10 | Commissariat A L 'energie Atomique | Microtip display device having a current limiting layer and a charge avoiding layer |
US5569975A (en) * | 1994-11-18 | 1996-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Cluster arrangement of field emission microtips |
JP2809129B2 (ja) * | 1995-04-20 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 電界放射冷陰極とこれを用いた表示装置 |
US5759078A (en) * | 1995-05-30 | 1998-06-02 | Texas Instruments Incorporated | Field emission device with close-packed microtip array |
EP0834897B1 (en) * | 1996-10-04 | 2002-05-02 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of fabricating flat field emission display screens and flat screen obtained thereby |
FR2780808B1 (fr) | 1998-07-03 | 2001-08-10 | Thomson Csf | Dispositif a emission de champ et procedes de fabrication |
US6323587B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Titanium silicide nitride emitters and method |
JP3595718B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2004-12-02 | 株式会社東芝 | 表示素子およびその製造方法 |
US6476406B1 (en) * | 1999-06-22 | 2002-11-05 | Agfa-Gevaert | Devices equipped with tribostimulable storage phosphors |
FR2798508B1 (fr) * | 1999-09-09 | 2001-10-05 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif permettant de produire un champ electrique module au niveau d'une electrode et son application aux ecrans plats a emission de champ |
-
2002
- 2002-02-19 FR FR0202078A patent/FR2836280B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-14 EP EP03100342A patent/EP1336980A1/fr not_active Withdrawn
- 2003-02-18 JP JP2003039716A patent/JP2003249163A/ja active Pending
- 2003-02-19 US US10/367,885 patent/US6917147B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008508665A (ja) * | 2004-07-28 | 2008-03-21 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 高解像度陰極構造 |
US7514857B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-04-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission device and electron emission display device using the same |
JP2013149628A (ja) * | 2005-04-25 | 2013-08-01 | Smoltek Ab | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
JP2008538854A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-06 | スモルテック エービー | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
JP2008546146A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-12-18 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ナノ構造物の製造方法 |
JP2008543008A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-11-27 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 放出陰極の製造方法 |
US8183659B2 (en) | 2005-08-26 | 2012-05-22 | Smoltek Ab | Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures |
US8415787B2 (en) | 2005-08-26 | 2013-04-09 | Smoltek Ab | Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures |
JP2007329014A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Ulvac Japan Ltd | Fed用カソード基板 |
JP2008016440A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 炭素ナノチューブ構造体の形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法 |
KR100814856B1 (ko) | 2006-10-20 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 표시 장치 |
US8253253B2 (en) | 2007-09-12 | 2012-08-28 | Smoltek Ab | Connecting and bonding adjacent layers with nanostructures |
US8815332B2 (en) | 2007-09-12 | 2014-08-26 | Smoltek Ab | Connecting and bonding adjacent layers with nanostructures |
US8508049B2 (en) | 2008-02-25 | 2013-08-13 | Smoltek Ab | Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing |
US8866307B2 (en) | 2008-02-25 | 2014-10-21 | Smoltek Ab | Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing |
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