JP2008010732A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、まず、SOI形成領域に第1支持体穴及び第2支持体穴を形成する。次に、エッチバック法を用いて、支持体穴の側壁に第1サイドウォール35を形成する。その後、シリコン基板11上に支持体前駆層を成膜し、支持体前駆層から支持体26を形成する。更に、支持体26をマスクとして、シリコンゲルマニウム層及びシリコン層をエッチングして、第1シリコンゲルマニウム層及び第1シリコン層16aの端面を露出させる。次に、エッチバック法を用いて、露出した露出面に第2サイドウォール36を形成する。
【選択図】図10
Description
Claims (4)
- 半導体基板の能動面側における単結晶領域が露出している部分を覆うように、前記半導体基板よりもエッチングの選択比が大きい第1単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第1単結晶半導体層を覆うように、前記第1単結晶半導体層よりもエッチングの選択比が小さい第2単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第2単結晶半導体層の一部を用いて形成される素子領域部に隣接し、前記素子領域部を挟むよう位置する領域内にある前記第2単結晶半導体層及び前記第1単結晶半導体層を除去開口し前記半導体基板を露出させる支持体穴を形成する工程と、
前記支持体穴及び前記素子領域部を埋めるように前記半導体基板の能動面側に支持体前駆層を形成する工程と、
前記支持体穴及び前記素子領域部を含む領域を残して前記支持体前駆層をエッチング除去して支持体を形成する工程と、
前記支持体をマスクとして前記第1単結晶半導体層及び前記第2単結晶半導体層の端部の少なくとも一部を露出させる露出面を形成する工程と、
前記第1単結晶半導体層をウェットエッチングにより除去する工程と、
前記ウェットエッチングにより得られた空隙に熱酸化を用いて酸化膜を充填する工程と、
平坦化絶縁層を成層し、化学機械研磨(CMP)法により前記半導体基板の能動面側を平坦化する工程と、
フッ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングによって前記平坦化絶縁層をエッチングし前記第2単結晶半導体層を露出させる工程と、
前記第2単結晶半導体層にトランジスタを形成する工程と、
を含み、
前記支持体穴を形成する工程の後、前記支持体穴に隣接する前記第1単結晶半導体層及び前記第2単結晶半導体層の端面に、エッチング液に対して耐エッチング性の第1サイドウォールを形成する工程と、
前記酸化膜を充填する工程の後、前記支持体の下側にある前記第1単結晶半導体層及び前記酸化膜の前記露出面に、エッチング液に対して耐エッチング性の第2サイドウォールを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコン基板の能動面側における単結晶領域が露出している部分を覆うように、シリコン及びゲルマニウムを含む混晶を含む第1単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第1単結晶半導体層を覆うように、前記第1単結晶半導体層よりもシリコン中のゲルマニウム比率を下げた、又はシリコンのみを用いた単結晶からなる第2単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第2単結晶半導体層の一部を用いて形成される素子領域部に隣接し、前記素子領域部を挟むよう位置する領域内にある前記第2単結晶半導体層及び前記第1単結晶半導体層を除去開口し前記シリコン基板を露出させる支持体穴を形成する工程と、
前記支持体穴及び前記素子領域部を埋めるように前記シリコン基板の能動面側に酸化シリコン層を形成する工程と、
前記支持体穴及び前記素子領域部を含む領域を残して前記酸化シリコン層をエッチング除去して支持体を形成する工程と、
前記支持体をマスクとして前記第1単結晶半導体層及び前記第2単結晶半導体層の端部の少なくとも一部を露出させる露出面を形成する工程と、
前記第1単結晶半導体層をフッ硝酸エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去する工程と、
前記ウェットエッチングにより得られた空隙に熱酸化を用いて酸化膜を充填する工程と、
平坦化酸化シリコン層を成層し、化学機械研磨法により前記半導体基板の能動面側を平坦化する工程と、
フッ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングによって前記平坦化酸化シリコン層をエッチングし前記第2単結晶半導体層を露出させる工程と、
前記第2単結晶半導体層にトランジスタを形成する工程と、
を含み、
前記支持体穴を形成する工程の後、前記支持体穴に隣接する前記第1単結晶半導体層及び前記第2単結晶半導体層の端面に、前記フッ酸を含むエッチング液に対して耐エッチング性の第1サイドウォールを形成する工程と、
前記酸化膜を充填する工程の後、前記支持体の下側にある前記第1単結晶半導体層及び前記酸化膜の前記露出面に、前記フッ酸を含むエッチング液に対して耐エッチング性の第2サイドウォールを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1サイドウォール及び前記第2サイドウォールは、窒化シリコン膜(SiN)であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の単結晶領域における素子領域部に形成された酸化膜と、
前記酸化膜上に形成された第2単結晶半導体層と、
前記第2単結晶半導体層及び前記酸化膜の端面に形成されたフッ酸を含むエッチング液に対して耐エッチング性のサイドウォールと、
前記サイドウォールの周囲に形成された前記第2単結晶半導体層と他の部分とを絶縁する酸化シリコン層と、
が備えられたSOI構造を有することを特徴とする半導体装置。
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