JP2007335710A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】SOI構造上部の半導体層(即ち、第2半導体層)の剥がれを防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板1上にSiGe層13を形成し、SiGe層13を選択的にエッチングしてSi基板1を露出させる支持体穴を形成する。次に、SiGe層13上と支持体穴の少なくとも内壁とにSi層31を形成し、Si層31を支持する支持体41を支持体穴21内に形成する。そして、Si層31及びSiGe層13を順次、選択的にエッチングして、SiGe層13の側面を露出させる溝43を形成する。次に、フッ硝酸を用いたウェットエッチングで、溝43を介してSiGe層13をエッチングすることによって、Si基板1とSi層31との間に空洞部を形成する。その後、空洞部内にSiO2膜53を形成する。このような構成であれば、空洞部内に形成されたSiO2膜53の側面54をエッチャントから保護することができる。
【選択図】図2
【解決手段】Si基板1上にSiGe層13を形成し、SiGe層13を選択的にエッチングしてSi基板1を露出させる支持体穴を形成する。次に、SiGe層13上と支持体穴の少なくとも内壁とにSi層31を形成し、Si層31を支持する支持体41を支持体穴21内に形成する。そして、Si層31及びSiGe層13を順次、選択的にエッチングして、SiGe層13の側面を露出させる溝43を形成する。次に、フッ硝酸を用いたウェットエッチングで、溝43を介してSiGe層13をエッチングすることによって、Si基板1とSi層31との間に空洞部を形成する。その後、空洞部内にSiO2膜53を形成する。このような構成であれば、空洞部内に形成されたSiO2膜53の側面54をエッチャントから保護することができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板にSOI(Silicon On Insulator)構造を形成する技術に関する。
SOI基板上に形成された電界効果型トランジスタは、素子分離の容易性、ラッチアップフリー、ソース/ドレイン接合容量が小さいなどの点から、その有用性が注目されている。
バルクウエーハ上にSOI構造を形成する方法としては、例えば、Si基板101上にSiGe層、Si層をエピ成長させ、そこに支持体穴を形成する。この支持体穴は、SiGe層を貫通してSi基板101を底面とするものである。この支持体穴を埋めるようにして、CVDでSiO2膜を形成した後、当該SiO2膜を選択的にドライエッチして支持体を形成する。続いて、支持体下から露出しているSi層/SiGe層をドライエッチして溝を形成し、支持体で覆われているSi層/SiGe層の側面を露出させる。
バルクウエーハ上にSOI構造を形成する方法としては、例えば、Si基板101上にSiGe層、Si層をエピ成長させ、そこに支持体穴を形成する。この支持体穴は、SiGe層を貫通してSi基板101を底面とするものである。この支持体穴を埋めるようにして、CVDでSiO2膜を形成した後、当該SiO2膜を選択的にドライエッチして支持体を形成する。続いて、支持体下から露出しているSi層/SiGe層をドライエッチして溝を形成し、支持体で覆われているSi層/SiGe層の側面を露出させる。
この状態でSi基板101をフッ硝酸に漬けると、支持体下のSiGe層が溝に面する側面の側からウェットエッチングされて、Si基板101とSi層との間に空洞部が形成される。その後、例えば熱酸化により空洞部をSiO2膜で埋めることでSOI構造を形成する。このようなSOI構造の形成方法はSBSI法と呼ばれており、例えば特許文献1、非特許文献1にそれぞれ開示されている。
なお、SOI構造を完成させた後は、シリコン基板の上方全面にCVDでSiO2膜を形成して溝を埋める。次に、このSiO2膜をCMPで平坦化する。そして、平坦化後にSi層上に僅かに残されているSiO2膜をHF系溶液でエッチングすることによって、Si層の表面を露出させる。その後、露出したSi層に例えばMOSトランジスタ等を形成する。
特開2005−354024号公報
T.Sakai et al."Separation by BondingSi Islands(SBSI) for LSI Application",Second International SiGe Technology and Device Meeting,Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004)
上記の製造方法では、Si基板101とSi層131との間に形成された空洞部151を例えばSiO2膜で埋めていた。しかしながら、上記SiO2膜を熱酸化で形成する場合には、空洞部の上面と下面とでそれぞれ熱酸化が進むので、図7に示すように、空洞部151の上面から下方向に成長するSiO2膜153aと、空洞部の下面から上方向に成長するSiO2膜153bとを完全に密着させることは難しい。
一方、上記の平坦化処理及びエッチング工程では、溝を埋めるSiO2膜だけでなく、支持体穴に残されている支持体141もエッチングされる。支持体141は支持体穴内に残され、Si層131上からは完全に除去されるが、CMPによる平坦化処理やHF系溶液を用いたウェットエッチング工程では、通常、ウエーハ面内で研磨レートやエッチングレートにばらつきが存在する。このため、多くの場合、ウエーハ面内には支持体141が多く除去される領域と、そうでない領域とが存在する。
ここで、図7の実線矢印で示すように支持体穴内の支持体141が過剰に除去されてしまうと、図7の破線矢印で示すように支持体穴からSiO2膜153a、153bの側面に至る経路ができあがり、この経路を介してSiO2膜153a、153bの界面にHF系溶液が入り込んでしまうおそれがあった。SiO2膜153a、153bの界面にHF系溶液が入り込むと、当該界面付近がエッチングされてSiO2膜153a、153b間の隙間が広がり、Si層131がSi基板101から剥がれてしまうおそれがあった(問題点)。
そこで、この発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、SOI構造上部の半導体層(即ち、第2半導体層)の剥がれを防止できるようにした半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
そこで、この発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、SOI構造上部の半導体層(即ち、第2半導体層)の剥がれを防止できるようにした半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
〔発明1〕 上記目的を達成するために、発明1の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層を選択的にエッチングして前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、前記第1半導体層上と前記第1溝の少なくとも内壁とに第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層を支持する支持体を前記第1溝内に形成する工程と、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を順次、選択的にエッチングして、前記第1半導体層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、前記第2半導体層よりも前記第1半導体層の方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることによって、前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
ここで、「半導体基材」は例えばバルクのシリコン(Si)基板であり、「第1半導体層」は例えばエピタキシャル成長によって得られるシリコンゲルマニウム(SiGe)層であり、「第2半導体層」は例えばエピタキシャル成長によって得られるSi層である。また、「第2半導体層よりも第1半導体層の方がエッチングされ易いエッチング条件」とは、第1半導体層がシリコンゲルマニウム層であり、第2半導体層がシリコン層の場合、例えばフッ硝酸を用いたウェットエッチングのことである。
発明1の半導体装置の製造方法によれば、空洞部内に形成される絶縁層の第1溝に面した側面を第2半導体層で覆うことができる。従って、第1溝内に残された支持体が過剰にエッチングされた場合でも、上記側面を第2半導体層で保護することができ、その第1溝内での露出を防止することができる。これにより、絶縁層の第1溝側からのエッチングを防ぐことができるので、半導体基板上からの第2半導体層の剥がれを防止することができる。
〔発明2〕 発明2の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層を選択的にエッチングして前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、前記第1溝が形成された前記半導体基板上の全面に第2半導体層を形成する工程と、前記第1溝が埋め込まれ且つ前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上の全面に支持体膜を形成する工程と、前記支持体膜を選択的にエッチングして、前記第2半導体層を前記半導体基板上で支持する支持体を形成する工程と、前記支持体下から露出した前記第2半導体層と前記第1半導体層と順次エッチングして、前記第1半導体層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、前記第2半導体層よりも前記第1半導体層の方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることによって、前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
ここで、「支持体膜」は例えばシリコン酸化(SiO2)膜である。支持体膜として使用されるSiO2膜は例えばCVD法によって形成する。
発明2の半導体装置の製造方法によれば、第1溝の少なくとも内壁に第2半導体層を形成することができ、絶縁層の第1溝に面した側面を当該第2半導体層で覆うことができる。従って、第1溝内に残された支持体が過剰にエッチングされた場合でも、上記側面を第2半導体層で保護することができ、その第1溝内での露出を防止することができる。これにより、絶縁層の第1溝側からのエッチングを防ぐことができるので、半導体基板上からの第2半導体層の剥がれを防止することができる。
発明2の半導体装置の製造方法によれば、第1溝の少なくとも内壁に第2半導体層を形成することができ、絶縁層の第1溝に面した側面を当該第2半導体層で覆うことができる。従って、第1溝内に残された支持体が過剰にエッチングされた場合でも、上記側面を第2半導体層で保護することができ、その第1溝内での露出を防止することができる。これにより、絶縁層の第1溝側からのエッチングを防ぐことができるので、半導体基板上からの第2半導体層の剥がれを防止することができる。
〔発明3〕 発明3の半導体装置の製造方法は、シリコン基板上にシリコンゲルマニウム層と第1シリコン層とを連続して形成する工程と、前記第1シリコン層及び前記シリコンゲルマニウム層を選択的にエッチングして前記シリコン基板を露出させる第1溝を形成する工程と、前記第1溝が形成された前記シリコン基板上の全面に第2シリコン層を形成する工程と、前記第1溝が埋め込まれ且つ前記第2シリコン層が覆われるようにして前記シリコン基板上の全面に支持体膜を形成する工程と、前記支持体膜を選択的にエッチングして、前記第2シリコン層を前記シリコン基板上で支持する支持体を形成する工程と、前記支持体下から露出した前記第2シリコン層、前記第1シリコン層及び前記シリコンゲルマニウム層を順次エッチングして、前記シリコンゲルマニウム層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、シリコンよりもシリコンゲルマニウムの方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記シリコンゲルマニウム層をエッチングすることによって、前記シリコン基板と前記第2シリコン層との間に空洞部を形成する工程と、前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
発明3の半導体装置の製造方法によれば、第1溝の少なくとも内壁に第2シリコン層を形成することができ、絶縁層の第1溝に面した側面を当該第2シリコン層で覆うことができる。従って、第1溝内に残された支持体が過剰にエッチングされた場合でも、上記側面を第2シリコン層で保護することができ、その第1溝内での露出を防止することができる。これにより、絶縁層の第1溝側からのエッチングを防ぐことができるので、シリコン基板上からの第2シリコン層の剥がれを防止することができる。
また、シリコンゲルマニウム層と第2シリコン層との間に第1シリコン層を介在させているので、第2シリコン層を結晶欠陥少なく形成することが可能である。
また、シリコンゲルマニウム層と第2シリコン層との間に第1シリコン層を介在させているので、第2シリコン層を結晶欠陥少なく形成することが可能である。
〔発明4〕 発明4の半導体装置の製造方法は、シリコン基板上にシリコンバッファ層と、シリコンゲルマニウム層及び第1シリコン層を連続して形成する工程と、前記第1シリコン層、前記シリコンゲルマニウム層及びシリコンバッファ層を選択的にエッチングして前記シリコン基板を露出させる第1溝を形成する工程と、前記第1溝が形成された前記シリコン基板上の全面に第2シリコン層を形成する工程と、前記第1溝が埋め込まれ且つ前記第2シリコン層が覆われるようにして前記シリコン基板上の全面に支持体膜を形成する工程と、前記支持体膜を選択的にエッチングして、前記第2シリコン層を前記シリコン基板上で支持する支持体を形成する工程と、前記支持体下から露出した前記第2シリコン層、前記第1シリコン層及び前記シリコンゲルマニウム層を順次エッチングして、前記シリコンゲルマニウム層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、シリコンよりもシリコンゲルマニウムの方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記シリコンゲルマニウム層をエッチングすることによって、前記シリコンバッファ層と前記第1シリコン層との間に空洞部を形成する工程と、前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
発明4の半導体装置の製造方法によれば、第1溝の少なくとも内壁に第2シリコン層を形成することができ、絶縁層の第1溝に面した側面を当該第2シリコン層で覆うことができる。従って、第1溝内に残された支持体が過剰にエッチングされた場合でも、上記側面を第2シリコン層で保護することができ、その第1溝内での露出を防止することができる。これにより、絶縁層の第1溝側からのエッチングを防ぐことができるので、シリコン基板上からの第2シリコン層の剥がれを防止することができる。
また、発明4の半導体装置の製造方法によれば、シリコン基板とシリコンゲルマニウム層との間にシリコンバッファ層を介在させているので、シリコンゲルマニウム層を結晶欠陥少なく形成することが可能である。さらに、シリコンゲルマニウム層と第2シリコン層との間に第1シリコン層を介在させているので、第2シリコン層を結晶欠陥少なく形成することが可能である。
〔発明5〕 発明5の半導体装置の製造方法は、発明3又は発明4の半導体装置の製造方法において、前記絶縁層を形成する工程では、前記空洞部の内側に面した前記第1シリコン層を熱酸化することによって、当該空洞部内に前記絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成し、前記第1シリコン層を形成する工程では、前記空洞部の内側に面した前記第1シリコン層が前記熱酸化によって全て前記シリコン酸化膜となるように当該第1シリコン層の厚さを調整する、ことを特徴とするものである。
ここで、第2シリコン層を形成する直前に第1シリコン層の表面を入念に洗浄処理したとしても、第1シリコン層と第2シリコン層との界面には意図しない不純物等が残留している可能性がある。このような界面を含むシリコン層にトランジスタ等の素子を形成すると、当該界面が原因となってリーク電流が発生してしまうおそれがある。
発明5の半導体装置の製造方法によれば、第1シリコン層と第2シリコン層との界面をシリコン酸化膜中に取り込むことができるので、リーク電流の発生を防止することができる。
発明5の半導体装置の製造方法によれば、第1シリコン層と第2シリコン層との界面をシリコン酸化膜中に取り込むことができるので、リーク電流の発生を防止することができる。
〔発明6〕 発明6の半導体装置の製造方法は、発明1又は発明2の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の導電型を第1導電型としたとき、第2導電型の不純物を前記第1溝の底面にイオン注入して、当該底面から下の前記半導体基板に第2導電型の不純物拡散層を形成する工程、を含むことを特徴とするものである。
ここで、第1溝は通常ドライエッチングで形成するため、その底面や内壁にはエッチングダメージが蓄積しやすく、第2半導体層を形成する直前に第1溝内を入念に洗浄処理したとしても、第1溝の底面付近の第2半導体層と半導体基板との界面には結晶欠陥や意図しない不純物等が残留している可能性がある。このような界面に跨る形で第2半導体層と半導体基板との間に空乏層が形成されると、当該界面が原因となってリーク電流が発生してしまうおそれがある。
ここで、第1溝は通常ドライエッチングで形成するため、その底面や内壁にはエッチングダメージが蓄積しやすく、第2半導体層を形成する直前に第1溝内を入念に洗浄処理したとしても、第1溝の底面付近の第2半導体層と半導体基板との界面には結晶欠陥や意図しない不純物等が残留している可能性がある。このような界面に跨る形で第2半導体層と半導体基板との間に空乏層が形成されると、当該界面が原因となってリーク電流が発生してしまうおそれがある。
発明6の半導体装置の製造方法によれば、第2半導体層に逆バイアスが印加した際に、逆バイアスに依存した空乏層の形成位置を半導体基板のより内側へシフトすることができ、空乏層が半導体層と半導体基板との界面に形成されないようにすることができる。即ち、逆バイアスに依存した空乏層は、第1溝の底面付近の第2半導体層と半導体基板との界面ではなく、第1溝の底面から下の不純物拡散層と半導体基板との界面に跨るように形成されるので、第2半導体層と半導体基板との界面を原因とするようなリーク電流の発生を防止することができる。
〔発明7〕 発明7の半導体装置の製造方法は、発明1又は発明2の半導体装置の製造方法において、前記絶縁層上の前記第2半導体層を選択的にエッチングして、前記絶縁層上の所定領域の前記第2半導体層と前記第1溝内にある前記第2半導体層とを分離する工程と、を含むことを特徴とするものである。ここで、「所定領域」とは、例えばトランジスタのソース層又はドレイン層が形成される領域のことである。
発明7の半導体装置の製造方法によれば、絶縁層上にある所定領域の第2半導体層を半導体基板から絶縁することができる。従って、所定領域の第2半導体層に逆バイアスを印加した際に、リーク電流の発生を防止することができる。
発明7の半導体装置の製造方法によれば、絶縁層上にある所定領域の第2半導体層を半導体基板から絶縁することができる。従って、所定領域の第2半導体層に逆バイアスを印加した際に、リーク電流の発生を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
(1)第1実施形態
図1(A)〜図2(C)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図3(A)〜(C)は半導体装置の製造方法を示す拡大断面図である。さらに、図4(A)及び(B)は、支持体穴21と溝43の平面形状の一例を示す概念図である。
(1)第1実施形態
図1(A)〜図2(C)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図3(A)〜(C)は半導体装置の製造方法を示す拡大断面図である。さらに、図4(A)及び(B)は、支持体穴21と溝43の平面形状の一例を示す概念図である。
まず始めに、図1(A)では、単結晶のシリコン(Si)基板1を用意する。このSi基板1は例えばバルクウエーハである。次に、バルク領域のSi基板1に図示しないpウェル(well)、nウェルを形成しておく。そして、Si基板1に例えばLOCOS膜3を形成する。このLOCOS膜3によって、バルク領域とSOI領域とが素子分離される。
次に、図3(A)の拡大断面図で示すように、Si基板1上に例えば、単結晶のシリコンバッファ(Si−buffer)層11、単結晶のシリコンゲルマニウム(SiGe)層13及び、単結晶のSi層15を順次積層する。Si−buffer層11の厚さは例えば20nmであり、SiGe層13の厚さは例えば30nmであり、Si層15の厚さは例えば5nmである。これらの各層を例えば同一チャンバ内で、エピタキシャル成長法で連続して形成する。なお、図1(A)では、作図の都合からSi層15の図示を省略している。
次に、図1(B)において、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、図示しないSi層、SiGe層13及びSi−buffer層11をパターニングして、Si基板1の表面を露出させる支持体穴21を形成する。図4(A)に示すように、支持体穴21の平面視での形状は例えば矩形である。この支持体穴21によって平面視で両側から挟まれた領域が、SOI構造を形成する領域(即ち、SOI領域)23である。
図1(B)に戻って、支持体穴21を形成するエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、図1(B)に示すように、Si基板1の表面をオーバーエッチングして凹部を形成するようにしてもよい。
次に、図1(C)及び図3(A)の拡大断面図で示すように、Si基板1の上方全面にSi層31を形成する。Si層31は例えばエピタキシャル成長法で同時に形成する。エピタキシャル成長法によって、単結晶のSi層31上及び支持体穴21の底面及び内壁ではSi層31は単結晶構造を有するように形成され、LOCOS膜3上では多結晶構造(又は、アモルファス構造)を有するように形成される。
次に、図1(C)及び図3(A)の拡大断面図で示すように、Si基板1の上方全面にSi層31を形成する。Si層31は例えばエピタキシャル成長法で同時に形成する。エピタキシャル成長法によって、単結晶のSi層31上及び支持体穴21の底面及び内壁ではSi層31は単結晶構造を有するように形成され、LOCOS膜3上では多結晶構造(又は、アモルファス構造)を有するように形成される。
次に、図2(A)に示すように、支持体穴21を埋め込むようにして、Si基板1の上方全面に支持体膜33を形成する。この支持体膜33は例えばシリコン酸化(SiO2)膜であり、CVDなどの方法により形成する。
次に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、支持体膜33、Si層31、薄いSi層15(図3(A)参照。)、SiGe層13及びSi−buffer層11をパターニングする。これにより、図2(B)に示すように、支持体41を完成させると共に、Si基板1の表面を露出させる溝を形成する。図4(B)に示すように、この溝43の平面視での形状は、例えばSOI領域23と、支持体穴21の少なくとも一部領域とを外側から囲むような形状である。なお、溝43を形成するエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1の表面をオーバーエッチングして凹部を形成するようにしてもよい。
次に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、支持体膜33、Si層31、薄いSi層15(図3(A)参照。)、SiGe層13及びSi−buffer層11をパターニングする。これにより、図2(B)に示すように、支持体41を完成させると共に、Si基板1の表面を露出させる溝を形成する。図4(B)に示すように、この溝43の平面視での形状は、例えばSOI領域23と、支持体穴21の少なくとも一部領域とを外側から囲むような形状である。なお、溝43を形成するエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1の表面をオーバーエッチングして凹部を形成するようにしてもよい。
次に、図2(B)において、紙面の手前側及び奥側にある溝43を介してSiGe層13をその側面の側からエッチングすることにより除去する。これにより、図3(B)の拡大断面図で示すように、Si−buffer層11とSi層31との間に空洞部51を形成する。このSiGe層13のエッチング工程では、エッチャントとして例えばフッ硝酸を用いる。フッ硝酸を用いたウェットエッチングでは、シリコン(Si)よりもシリコンゲルマニウム(SiGe)の方がエッチングされ易い。従って、Si基板1や、Si−buffer層11、Si層15、31のオーバーエッチングを抑制しつつ、SiGe層13を除去することが可能となる。
なお、図2(B)に示したように、Si基板1上には支持体41が設けられているので、SiGe層13が除去された場合においても、Si層31をSi基板1上で支持することが可能である。
次に、図2(C)に示すように、Si基板1を熱酸化して、Si層31下の空洞部内にSiO2膜53を形成する。図3(C)の拡大図で示すように、この熱酸化では空洞部の上面と下面とでそれぞれ熱酸化が進み、空洞部上側のSi層15、31はSiO2膜53aに、空洞部51下側のSi−buffer層11はSiO2膜53bにそれぞれ変わる(図2(A)では、作図の都合からSiO2膜53a、53bをまとめてSiO2膜53として示している。このSiO2膜53がSOI構造のBOX層である。)。
次に、図2(C)に示すように、Si基板1を熱酸化して、Si層31下の空洞部内にSiO2膜53を形成する。図3(C)の拡大図で示すように、この熱酸化では空洞部の上面と下面とでそれぞれ熱酸化が進み、空洞部上側のSi層15、31はSiO2膜53aに、空洞部51下側のSi−buffer層11はSiO2膜53bにそれぞれ変わる(図2(A)では、作図の都合からSiO2膜53a、53bをまとめてSiO2膜53として示している。このSiO2膜53がSOI構造のBOX層である。)。
なお、本実施の形態では、例えば、SiO2膜53aとSiO2膜53bとを合わせて50nmの厚さに形成する場合を例として説明する。ここで、熱酸化によってSiをSiO2に変化させる場合、その体積はほぼ2倍に増える。つまり、SiO2膜を50nmの厚さに形成するためにSiを25nm酸化する必要がある。図3(B)及び(C)に示すように、空洞部51の上面と下面とでそれぞれ熱酸化が進むことから、SiO2膜53aとSiO2膜53bの厚さはそれぞれ25nmであり、空洞部51の上側のSiが12.5nm、空洞部51の下側のSiが12.5nmずつそれぞれ消費されることとなる。
本実施の形態では、このようなSiの消費量を見込んで、Si層15の厚さを上述したように例えば5nmの厚さに形成しているので、Si層15を全てSiO2膜53aに変えることができ、Si膜15とSi膜31との界面をSiO2膜53a中に取り込むことができる。
次に、図2(C)において、CVDなどの方法によってSi基板1上の全面に絶縁膜61を成膜して、支持体穴21(図4(A)参照。)や、溝43(図4(B)参照。)を埋め込む。この絶縁膜61の形成によって、SiO2膜53による空洞部51の埋め込みも補完される。なお、CVDなどの方法により成膜される絶縁膜61の材質としては、例えば、SiO2膜の他、シリコン窒化(Si3N4)膜などを用いるようにしてもよい。
次に、図2(C)において、CVDなどの方法によってSi基板1上の全面に絶縁膜61を成膜して、支持体穴21(図4(A)参照。)や、溝43(図4(B)参照。)を埋め込む。この絶縁膜61の形成によって、SiO2膜53による空洞部51の埋め込みも補完される。なお、CVDなどの方法により成膜される絶縁膜61の材質としては、例えば、SiO2膜の他、シリコン窒化(Si3N4)膜などを用いるようにしてもよい。
次に、Si基板1上の全面を覆う絶縁膜61を例えばCMPにより平坦化する。このとき、LOCOS膜3上に残された多結晶構造のSi層(即ち、Poly−Si層)31を平坦化プロセスのストッパー層として使用することも可能である。そして、Si基板1に例えばウェットエッチングを施してSi層31上から絶縁膜61を取り除く。絶縁膜61が例えばSiO2膜の場合には、ウェットエッチングのエッチャントには例えば希フッ酸を使用する。これにより、図2(C)に示すように、Si層31の表面を露出させる。
ところで、上記のCMPによる平坦化及びウェットエッチングでは、ディッシングやオーバーエッチングによって支持体穴内に残されている支持体41が過剰に取り除かれてしまうことがある。しかしながら、図2(C)に示すように、SiO2膜53の支持体穴に面した側面54は単結晶のSi層31で覆われているので、たとえ支持体41が過剰に取り除かれたとしても、SiO2膜53の側面54をSi層31で保護することができる。
図2(C)に示すように、Si層31の表面を露出させた後で、当該Si層31の表面を熱酸化してゲート絶縁膜(図示せず)を形成する。そして、CVDなどの方法により、ゲート絶縁膜が形成されたSi層31上に例えばPoly−Si層を形成する。さらに、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてPoly−Si層をパターニングすることにより、Si層31上にゲート電極71を形成する。
次に、ゲート電極71をマスクとして、As、P、Bなどの不純物をSi層31内にイオン注入することにより、ゲート電極71の両側のSi層31に低濃度不純物導入層からなるLDD層を形成する。そして、CVDなどの方法により、LDD層が形成されたSi層31上に絶縁層を形成し、RIEなどの異方性エッチングを用いて絶縁層をエッチバックすることにより、ゲート電極71の側壁にサイドウォール(図示せず)を形成する。さらに、ゲート電極71及びサイドウォールをマスクとして、As、P、Bなどの不純物をSi層31内にイオン注入する。そして、Si基板1に熱処理を施して、上記As、P、Bなどの不純物をSi層31内で拡散させることによって、サイドウォール側方のSi層31に高濃度不純物導入層からなるソース層及びドレイン層(図示せず)を形成する。これにより、SOI構造を有するトランジスタ(即ち、SOIトランジスタ)を完成させる。
このように、本発明の第1実施形態によれば、SiO2膜53の支持体穴21に面した側面54をSi層31で覆うことができるので、支持体(SiO2膜)41が過剰にエッチングされた場合でも、上記側面54をSi層31で保護することができ、その露出を防止することができる。これにより、SiO2膜53aとSiO2膜53bとの界面への、希フッ酸等の染み込みを防ぐことができるので、Si層31のSi基板1上からの剥がれを防止することができる。
また、この第1実施形態では、SiO2膜53を形成する際の熱酸化によって、Si層15が全て消費されるようにその厚さを予め調整している。このような構成であれば、Si層15は全てSiO2膜53aとなり、Si層31とSi層15との界面が残ることを防ぐことができる。従って、Si層31にトランジスタ等の素子を形成した場合でも、Si層31とSi層15との界面を原因とするようなリーク電流の発生を防止することができる。
(2)第2実施形態
図5(A)及び(B)は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図5(A)及び(B)において、第1実施形態で説明した図1(A)〜図2(C)と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。この第2実施形態では、支持体穴21を形成する工程までは第1実施形態と同じである。
図5(A)及び(B)は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図5(A)及び(B)において、第1実施形態で説明した図1(A)〜図2(C)と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。この第2実施形態では、支持体穴21を形成する工程までは第1実施形態と同じである。
図5(A)に示すように、レジストパターン81をマスクにSi基板1に支持体穴21を形成した後で、このレジストパターン81をマスクにSi基板1に不純物をイオン注入する。ここで注入する不純物は、Si基板1と反対導電型の不純物である。例えば、Si基板1がp型の場合は、リン(P)、ヒ素(As)等のn型不純物をイオン注入する。また、Si基板1がn型の場合は、ボロン(B)等のp型不純物をイオン注入する。その後、例えばアッシング処理等により、Si基板1上からレジストパターン81を取り除く。これ以降の工程は第1実施形態と同じである。
第1実施形態では、ソース層及びドレイン層を形成するためにSi基板1に熱処理を施していたが、この第2実施形態では例えばこの熱処理によって、支持体穴21底面のSi基板1に注入された不純物がSi基板1内に拡散する。そして、図5(B)に示すように、支持体穴21底面のSi基板1にn型層83が形成される。
このような構成であれば、Si層31に逆バイアスを印加した際に、Si基板1とSi層31との界面に空乏層が形成されないようにすることができるので、当該界面を原因とするようなリーク電流の発生を防止することができる。
このような構成であれば、Si層31に逆バイアスを印加した際に、Si基板1とSi層31との界面に空乏層が形成されないようにすることができるので、当該界面を原因とするようなリーク電流の発生を防止することができる。
即ち、Si層31にnMOSトランジスタを形成した場合を例として説明する。このような場合、通常は、nMOSトランジスタのドレイン層に正の電圧(即ち、逆バイアス)を印加する。このとき、n型層83が形成されていないと、逆バイアスに依存した空乏層が支持体穴の底面付近でSi層31とSi基板(p−Sub)1とに跨る形で形成される。
ここで、支持体穴21の底面にはドライエッチングによるダメージが残っていたり、自然酸化膜が形成されたりしている。従って、たとえSi層31を形成する直前に入念な洗浄処理を施したとしても、Si層31とSi基板1との界面には意図しない結晶欠陥や不純物が残留していることが多い。そのため、支持体穴21の底面付近でSi層31とSi基板1との界面に跨る形で空乏層が形成されると、当該界面が原因となってリーク電流が発生してしまう可能性がある。
これに対して、第2実施形態では、支持体穴21の底面から下のSi基板1にn型層83を形成している。従って、逆バイアスに依存した空乏層の形成位置をSi基板1のより内側へシフトすることができ、空乏層がSi層31とSi基板1との界面に跨って形成されないようにすることができる。つまり、空乏層は、Si層31とSi基板1との界面ではなく、n型層とSi基板1との界面に跨がるように形成されることとなる。従って、Si層31とSi基板1との界面を原因とするようなリーク電流の発生を防止することができる。
(3)第3実施形態
図6(A)及び(B)は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図6(A)及び(B)において、第1実施形態で説明した図1(A)〜図2(C)と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。この第3実施形態では、ゲート電極を形成する工程までは第1実施形態と同じである。
図6(A)及び(B)は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図6(A)及び(B)において、第1実施形態で説明した図1(A)〜図2(C)と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。この第3実施形態では、ゲート電極を形成する工程までは第1実施形態と同じである。
この第3実施形態では、図6(A)に示すように、Si層31にトランジスタを完成させた後で、Si層31を選択的にエッチングして溝部91を形成する。この溝部91の形成によって、ソース層又はドレイン層が形成されているSi層31と、支持体穴の内壁及び底面付近に残されているSi層31とを切り離す。その後、図6(B)に示すように、Si基板1の上方全面に層間絶縁膜93を形成して溝部91を埋め込む。
このような構成であれば、トランジスタのソース層又はドレイン層が形成されているSi層31は、SiO2膜53や絶縁膜61、溝91を埋め込んでいる層間絶縁膜93によって周囲から完全に素子分離される。従って、第2実施形態のように、支持体穴底面のSi基板1にn型層を形成しなくても、Si層31とSi基板1との界面を原因とするようなリーク電流の発生を防止することができる。
上記の第1〜第3実施形態では、Si基板1が本発明の「半導体基板」に対応し、SiGe層13が本発明の「第1半導体層」に対応している。また、Si層15が本発明の「第1シリコン層」に対応し、Si層31が本発明の「第2半導体層」及び「第2シリコン層」に対応している。さらに、支持体穴21が本発明の「第1溝」に対応し、溝43が本発明の「第2溝」に対応している。また、SiO2膜53が本発明の「絶縁層」に対応し、n型層83が本発明の「不純物拡散層」に対応している。さらに、p型が本発明の「第1導電型」に対応し、n型が本発明の「第2導電型」に対応している。
なお、上記の第1〜第3実施形態では、本発明の「第1半導体層」がSiGe層で、「第2半導体層」がSi層の場合について説明したが、第1半導体層及び第2半導体層の材質はこれに限られることはなく、例えば、Si、Ge、SiGe、SiC、SiSn、PbS、GaAs、InP、GaP、GaNまたはZnSeなどの中から選択された組み合わせを用いることができる。
また、上記の第1〜第3実施形態では、本発明の「第1導電型」がp型で、「第2導電型」がn型の場合について説明したが、第1導電型及び第2導電型はこれに限られることはなく、例えば、第1導電型がn型であり、第2導電型がp型であっても良い。
また、上記の第1〜第3実施形態では、本発明の「第1導電型」がp型で、「第2導電型」がn型の場合について説明したが、第1導電型及び第2導電型はこれに限られることはなく、例えば、第1導電型がn型であり、第2導電型がp型であっても良い。
1 Si基板、3 LOCOS膜、11 Si−buffer層、13 SiGe層、15、31 Si層、21 支持体穴、23 SOI領域、33 支持体膜、41 支持体、51 空洞部、53、53a、53b SiO2膜、54 側面、61 絶縁膜、71 ゲート電極、81 レジストパターン、83 n型層
Claims (7)
- 半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層を選択的にエッチングして前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記第1半導体層上と前記第1溝の少なくとも内壁とに第2半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層を支持する支持体を前記第1溝内に形成する工程と、
前記第2半導体層及び前記第1半導体層を順次、選択的にエッチングして、前記第1半導体層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、
前記第2半導体層よりも前記第1半導体層の方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることによって、前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層を選択的にエッチングして前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記第1溝が形成された前記半導体基板上の全面に第2半導体層を形成する工程と、
前記第1溝が埋め込まれ且つ前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上の全面に支持体膜を形成する工程と、
前記支持体膜を選択的にエッチングして、前記第2半導体層を前記半導体基板上で支持する支持体を形成する工程と、
前記支持体下から露出した前記第2半導体層と前記第1半導体層と順次エッチングして、前記第1半導体層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、
前記第2半導体層よりも前記第1半導体層の方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることによって、前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコン基板上にシリコンゲルマニウム層と第1シリコン層とを連続して形成する工程と、
前記第1シリコン層及び前記シリコンゲルマニウム層を選択的にエッチングして前記シリコン基板を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記第1溝が形成された前記シリコン基板上の全面に第2シリコン層を形成する工程と、
前記第1溝が埋め込まれ且つ前記第2シリコン層が覆われるようにして前記シリコン基板上の全面に支持体膜を形成する工程と、
前記支持体膜を選択的にエッチングして、前記第2シリコン層を前記シリコン基板上で支持する支持体を形成する工程と、
前記支持体下から露出した前記第2シリコン層、前記第1シリコン層及び前記シリコンゲルマニウム層を順次エッチングして、前記シリコンゲルマニウム層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、
シリコンよりもシリコンゲルマニウムの方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記シリコンゲルマニウム層をエッチングすることによって、前記シリコン基板と前記第2シリコン層との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコン基板上にシリコンバッファ層と、シリコンゲルマニウム層及び第1シリコン層を連続して形成する工程と、
前記第1シリコン層、前記シリコンゲルマニウム層及びシリコンバッファ層を選択的にエッチングして前記シリコン基板を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記第1溝が形成された前記シリコン基板上の全面に第2シリコン層を形成する工程と、
前記第1溝が埋め込まれ且つ前記第2シリコン層が覆われるようにして前記シリコン基板上の全面に支持体膜を形成する工程と、
前記支持体膜を選択的にエッチングして、前記第2シリコン層を前記シリコン基板上で支持する支持体を形成する工程と、
前記支持体下から露出した前記第2シリコン層、前記第1シリコン層及び前記シリコンゲルマニウム層を順次エッチングして、前記シリコンゲルマニウム層の側面を露出させる第2溝を形成する工程と、
シリコンよりもシリコンゲルマニウムの方がエッチングされ易いエッチング条件で、前記第2溝を介して前記シリコンゲルマニウム層をエッチングすることによって、前記シリコンバッファ層と前記第1シリコン層との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程では、
前記空洞部の内側に面した前記第1シリコン層を熱酸化することによって、当該空洞部内に前記絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成し、
前記第1シリコン層を形成する工程では、
前記空洞部の内側に面した前記第1シリコン層が前記熱酸化によって全て前記シリコン酸化膜となるように当該第1シリコン層の厚さを調整する、ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の導電型を第1導電型としたとき、
第2導電型の不純物を前記第1溝の底面にイオン注入して、当該底面から下の前記半導体基板に第2導電型の不純物拡散層を形成する工程、を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁層上の前記第2半導体層を選択的にエッチングして、前記絶縁層上の所定領域の前記第2半導体層と前記第1溝内にある前記第2半導体層とを分離する工程と、を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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