JP2008008778A - 薄片状の被測定物の形状測定方法およびその装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄片状の被測定物の厚さ分布および反り形状を同時にかつ高精度に測定できる形状測定方法およびその装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の静電容量センサ2,2’を、被測定物Sを挟んで昇降可能に配置し、上部の静電容量センサ2を昇降させて被測定物Sとの間隙を略一定に保持するとともに、下部の静電容量センサ2’を、上部の静電容量センサ2の前記移動に追随させて移動させ、一対の静電容量センサ2,2’間の距離を一定に保持する。そして、上部の静電容量センサ2の移動量および一対の静電容量センサ2,2’で検出された被測定物Sとの間隙に基づいて前記被測定物の厚さおよび反り形状を求める。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体基板(ウェハ)等の薄片試料の形状、詳しくは厚さ分布および反り形状の測定技術に関する。
半導体基板(ウェハ)等の薄片試料にはできるだけ厚さが均一でかつ反りが生じていないことが要求される。
〔従来技術1〕
このような薄片状の試料(被測定物)の厚さ分布および反り形状を同時に測定する方法として、例えば、干渉計、レーザ変位計、静電容量式変位計等の非接触式の変位計2台を対向させて試料の表裏に配置し、これらを走査させて試料表面の高さ(変位量)分布を測定し、その測定値から厚さ分布と反り形状を同時に求める方法が開示されている(特許文献1参照)。この方法は、試料を水平に保持し、2台の変位計をフレームに固定してこのフレームごと水平に移動させて走査するものである。
ここで、一般的に半導体基板(ウェハ)のような薄片試料では、反りの大きさは厚さのバラツキに比べ非常に大きい。たとえば、シリコンウェハでは、反りの大きさは10〜100μmのオーダーであるのに対し、厚さのバラツキはウェハ全面で100nm〜1μmのオーダーである。このため、反りの測定に求められる分解能または再現性は0.1μm(=100nm)程度であるに対して、厚さの分解能または再現性は10nm程度であった。上記のようなオーダーの反りを有する試料の表面を上記従来技術1の変位計で走査する場合、試料に接触しないよう安全をみて変位計を試料表面から数100μm離して設置する必要がある。このため、変位計には数100μmの測定範囲と10nmの分解能または再現性が必要とされ、数100μm/10nm=数万のダイナミックレンジが必要であった。しかも、近年LSIの製造に用いられるウェハにはさらなる平坦性が要求されており、厚さのバラツキを1nm程度まで低減したものが求められている。一方、反りの大きさは、ウェハのサイズが200mmから300mmへと拡大してきたこともあり、大きな変化はない。このため、変位計のダイナミックレンジはさらに大きなものが求められ、信号処理の容量の制約などの点から高精度の厚さ測定が困難となってきている。
つまり、測定精度を高めようとして2台の変位計の間隔を狭めて試料に近づけすぎると、試料の反りが大きい場合は変位計が試料に接触してしまうおそれがある。このため、2台の変位計の間隔はある程度大きくしておかざるを得ず、高い精度で試料の厚さと反りの大きさを同時に測定することは困難であった。
〔従来技術2〕
一方、試料(被検体)の表面形状を測定する装置として、固定したフレームにリニアモータなどの変位機構を介して静電容量センサを移動可能に取り付け、この変位機構の操作により静電容量センサを試料(被検体)表面から一定の距離範囲に移動させて測定を行うことにより、測定精度を向上させることができる装置が開示されている(特許文献2参照)。
この装置によれば、変位機構により変位計を試料に接触させることなく接近させることができ、試料の表面形状(すなわち、反り形状)は高精度に測定しうる。しかしながら、この装置は1台の変位計を使用するものであるため裏面形状を同時に測定することができず、試料の厚さは測定することができない。
特開2003−75147号公報 特開2001−221607号公報
そこで、本発明は、薄片状の被測定物の厚さ分布および反り形状を同時にかつ高精度に測定できる形状測定方法およびその装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、薄片状の被測定物を非接触式の対物変位センサで走査してその形状を測定する方法であって、対向する一対の非接触式の対物変位センサを、前記被測定物を挟んで、当該被測定物の厚さ方向に移動可能に配置し、前記一対の対物変位センサのうちいずれか一方の対物変位センサを前記被測定物の厚さ方向に移動させることにより前記被測定物との間隙を略一定に保持するとともに、他方の対物変位センサを、前記一方の対物変位センサの前記移動に追随させて移動させることにより前記一対の対物変位センサ間の距離を一定に保持し、前記一方の対物変位センサの移動量および前記一対の対物変位センサで検出された前記被測定物との間隙に基づいて前記被測定物の厚さおよび反り形状を求めることを特徴とする形状測定方法である。
請求項2に記載の発明は、薄片状の被測定物を非接触式の対物変位センサで走査してその形状を測定する装置であって、被測定物の表裏を挟むように配置され、前記被測定物の厚さ方向には移動しないフレームと、前記被測定物を挟んで対向して配置される一対の非接触式の対物変位センサと、前記一対の対物変位センサのそれぞれを、前記フレームに対して前記被測定物の厚さ方向に移動可能に支持するセンサ可動手段と、前記フレームに対する前記一対の対物変位センサのそれぞれの移動量を検出するセンサ移動量検出手段と、前記一対の対物変位センサのうちいずれか一方の対物変位センサの移動量を調整して前記被測定物との間隙を略一定に保持するとともに、他方の対物変位センサを前記一方の対物変位センサの移動量と同じ量だけ移動させることにより前記一対の対物変位センサ間の距離を一定に保持するセンサ位置制御手段と、前記センサ移動量検出手段で検出された移動量および前記一対の対物変位センサで検出された当該対物センサから前記被測定物の表面および裏面までの距離に基づいて前記被測定物の厚さおよび反りの度合いを演算する形状演算手段と、を備えたことを特徴とする形状測定装置である。
請求項3に記載の発明は、薄片状の被測定物を非接触式の対物変位センサで走査してその形状を測定する装置であって、被測定物の表裏を挟むように配置されたフレームと、このフレームに固定され、前記被測定物を挟んで対向して配置される一対の非接触式の対物変位センサと、前記フレームを、前記被測定物の厚さ方向に移動可能となすフレーム可動手段と、前記フレームの移動量を検出するフレーム変位検出手段と、前記一対の対物変位センサのうちいずれか一方の対物変位センサの移動量を調整して前記被測定物との間隙を略一定に保持するセンサ位置制御手段と、前記フレーム移動量検出手段で検出された移動量および前記一対の対物変位センサで検出された当該対物センサから前記被測定物の表面および裏面までの距離に基づいて前記被測定物の厚さおよび反りの度合いを演算する形状演算手段と、を備えたことを特徴とする形状測定装置である。
請求項4に記載の発明は、前記対物変位センサが、静電容量センサまたはレーザ干渉測長計である請求項2または3に記載の形状測定装置である。
本発明によれば、対向する一対の対物変位センサを被測定物の表裏にできるだけ近接させた状態で走査できるので、高精度で被測定物の厚さ分布および反り形状を同時に測定できる方法および装置を提供することが実現できる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
〔実施形態1〕
図1に、本発明の実施形態に係る形状測定装置の概略構成を示す。ウェハ等の被測定物Sは水平方向に移動可能なステージ7上に複数の支持点12を介して水平に支持される。符号1,1’は固定したフレームであり、被測定物Sの表裏を挟むように配置されている。符号2,2’は一対の非接触式の対物変位センサとしての静電容量センサであり、被測定物Sを挟んで対向して配置されている。符号3,3’はセンサ可動手段としてのPZT素子であり、フレーム1,1’にそれぞれ固定され、静電容量センサ2,2’のそれぞれを、フレーム1,1’それぞれに対して被測定物Sの厚さ方向(すなわち、上下方向)に移動可能に支持している。符号4,4’はセンサ移動量検出手段としての静電容量センサであり、フレーム1,1’それぞれに対する対物変位センサ2,2’のそれぞれの移動量を検出するものである。符号5はセンサ位置制御手段としてのセンサ位置制御部であり、一方(本例では上部)の静電容量センサ2の移動量を調整して被測定物Sとの間隙を略一定に保持するとともに、他方(本例では下部)の静電容量センサ2’を一方(上部)の静電容量センサ2の移動量と同じ量だけ移動させることにより一対の静電容量センサ2,2’間の距離を一定に保持するものである。符号6は形状演算手段としての形状演算部であり、静電容量センサ4,4’で検出された静電容量センサ2,2’の移動量および一対の静電容量センサ2,2’で検出された当該静電容量センサ2,2’それぞれから被測定物Sの表面および裏面までの距離に基づいて被測定物Sの厚さおよび反りの度合いを演算するものである。
つぎに、本例の形状測定装置により被測定物Sの形状を測定する方法を説明する。まず、静電容量センサ2,2’間の距離は被測定物Sに接触しない範囲でできるだけ被測定物Sに近接させるため、静電容量センサ2,2’の直径等により異なるが、被測定物Sの厚さより少し大きい例えば、被測定物Sの厚さ+100〜2000μm程度、より好ましくは被測定物Sの厚さ+100〜200μm程度とする。そして、ステージ7を初期の位置、すなわち被測定物Sの片端が対向する一対の静電容量センサ2,2’の間に位置するようにセットする。このとき、静電容量センサ2,2’それぞれと被測定物Sとの隙間がほぼ同じになるように静電容量センサ2,2’の高さ位置を予め定めておき、その高さ位置に静電容量センサ2,2’をセットしておく。また、静電容量センサ2で検出された被測定物Sの表面までの距離の信号が常時センサ位置制御部5に送られるようにしておく。
そして、被測定物Sを走査するためステージ7の水平移動を開始すると、被測定物Sに反りが存在する場合は、上部の静電容量センサ2と被測定物Sの表面との間隙の大きさが変化する。
センサ位置制御部5は、この間隙の大きさの変化を検知すると、この変化分と同じ量だけ上下方向に変位(伸縮)するよう上部のPZT素子3の入力電圧を変化させる。これにより上部のPZT素子3は変位(伸縮)し、フレーム1に対する上部の静電容量センサ2の上下方向の相対的な位置も変位する。センサ可動手段としてPZT素子3を用いたのは、位置決めの整定時間を短縮できるからである。しかしながら、PZT素子3の入力電圧に対する変位の特性はヒステリシスや温度ドリフトを有するので、入力電圧だけからではPZT素子3の実際の変位量は確定できず、静電容量センサ2の実際の変位量を正確に求めることができない。このため、上部の静電容量センサ2の実際の変位量は静電容量センサ4で測定する。
次いで,センサ位置制御部5は、この上部の静電容量センサ2の実際の変位量と同じ量だけ下部の静電容量センサ2’が変位するように、下部のPZT素子3’の入力電圧を変化させる。上部と同様、下部の静電容量センサ2’の実際の変位量は静電容量センサ4’で測定する。
なお、上下の静電容量センサ2,2’の変位をできるだけ同じにするため、上下のPZT素子3,3’は、同じ形状、同じ特性を有するものを選択し、フレーム1,1’への固定方法、PZT素子3,3’にかかる荷重も同じとして、上下のPZT素子3,3’の動特性を可能な範囲で同じとすることが望ましい。
また、ウェハ等の薄片の被測定物Sを横置きした場合、反りの他に被測定物S自身の重さによるたわみが発生するが、このたわみ量は予め、ステージ7の支持位置や被測定物Sの径、厚さ、結晶方位、弾性係数などから計算して、その影響を除去しておくことができる。
次いで、形状演算部6において、被測定物Sの厚さおよび反りの度合いを演算する。
被測定物Sの反り量は、所定の高さ位置(例えば測定開始時における上部の静電容量センサ2の高さ位置)を基準にして、被測定物Sの表面までの距離と、予め定めた基準の平面(例えば被測定物Sの端部の高さ位置)までの距離との差で求めることができる。なお、ウェハ等の薄片の被測定物Sを横置きした場合、反りの他に被測定物S自身の重さによるたわみが発生するが、このたわみ量は予め、ステージ7の支持位置や被測定物Sの径、厚さ、結晶方位、弾性係数などから計算して、その影響を除去しておくことができる。
また、被測定物Sの厚さtは、図2を参照して、以下のようにして求めることができる。すなわち、各静電容量センサ2,2’と被測定物Sとの間隙をそれぞれa,bとし、上下の静電容量センサ2,2’間の距離をcとすると、
t=c−a−b …式(1)
の関係がある。ここで、上下の静電容量センサ2,2’間の距離cは被測定物Sの走査中には直接測定することはできないが、この距離は常に一定に保持されるので、事前に既知の厚さtの較正片を用いて測定しておくことができる。各静電容量センサ2,2’と較正片との間隙をそれぞれa,bとすると、cは、
c=t+a+b …式(2)
で得られる。したがって、このcの値を式(1)に用いることにより、被測定物Sの厚さtを求めることができる。なお、a,bの値は各静電容量センサ2,2’からの出力に基づいて個別に求めてもよいが、センサ位置制御部5で各出力の電気的な加算を行い、a+bの値を直接求めることもできる。
このようにして、被測定物Sを他端まで走査しつつ上記測定・演算を繰り返すことによって、被測定物Sの反り形状および厚さ分布が測定できる。
図3は、上記測定の概念を示す模式図であり、横軸は水平方向の位置、縦軸は高さ位置を示す。図中、上から順に、上部の静電容量センサ2の高さ位置の軌跡、被測定物Sの表面形状、被測定物Sの裏面形状、上部の静電容量センサ2’の高さ位置の軌跡を示す。上述したように、静電容量センサ2と被測定物Sの表面との間隙aは一定に保持する制御を行っているが、被測定物Sを所定の速度で走査する関係上、上部の静電容量センサ2の高さ位置は被測定物Sの表面形状には完全には追随できない。すなわち、大まかな表面形状には追随できるが、空間周波数の高い、細かい変化を有する部分の表面形状には追随できず、この部分は制御誤差が残る。また、下部の静電容量センサ2’の高さ位置は、上部の静電容量センサ2の高さ位置に連動して変化するので、上部の静電容量センサ2の軌跡から一定のオフセット分だけ下方にずれた軌跡となる。
図4は、図3の測定中に得られる上下の静電容量センサ2,2’の出力(すなわち、上部の静電容量センサ2から被測定物Sの表面までの距離aおよび下部の静電容量センサ2から被測定物Sの裏面までの距離b)と、これらの出力a,bに基づいて上記式(1)で計算された厚さtの分布を示す。上下の静電容量センサ2,2’の出力a,bはいずれも、大まかな反りが除去され、細かい変化を有する部分の表面形状が忠実に再現されており、計算された厚さtは被測定物Sの真の厚さを高精度に再現することになる。
〔実施形態2〕
図5に、本発明の別の実施形態に係る形状測定装置の概略を示す。本例は上記実施形態1と異なり、1個のフレーム11に一対の非接触式の対物変位センサとしての静電容量センサ12,12’を対向させて固定し、このフレーム11をフレーム可動手段としてのPZT素子13を介して別の固定フレーム18に昇降可能に固定している。さらに、固定フレーム18に対するフレーム11の移動量を検出するため、固定フレーム18にフレーム変位検出手段としての静電容量センサ14をフレーム11の底面に面して設けている。
また、センサ位置制御手段としてのセンサ位置制御部15は、フレーム11の移動量を調整して上下の静電容量センサ12,12’と被測定物Sとの間隙を略一定に保持するものである。また、形状演算手段としての形状演算部16は、静電容量センサ14で検出されたフレーム11の移動量および一対の静電容量センサ12,12’で検出された当該静電容量センサ12,12’それぞれから被測定物Sの表面および裏面までの距離に基づいて被測定物Sの厚さおよび反りの度合いを演算するものである。
上記の構成により、一対の静電容量センサ12,12’間の距離は固定されているので、上記実施形態1に比べ、PZT素子や静電容量センサの数を節約できる。
フレーム11は、例えば図5に示すように断面コの字状とし、フレーム11に取り付けられた一対の静電容量センサ12,12’間の距離が変動して誤差が生じないよう、剛性を有する材料、例えばステンレス鋼で作製するとよい。
[変形例]
上記実施例1,2では、対物変位センサとして静電容量センサを例示したが、レーザ干渉測長計を用いることもできる。
また、上記実施例1では、センサ移動量検出手段として静電容量センサを例示したが、レーザ変位計、リニアスケールなどを用いることもできる。
また、上記実施例2では、フレーム移動量検出手段として静電容量センサを例示したが、上記センサ移動量検出手段と同様、レーザ変位計、リニアスケールなどを用いることもできる。
上記実施例1,2では、被測定物を横置きとする例を示したが、被測定物の置き方に特に制約はなく、例えば縦置きも可能である。
上記実施例1,2では、上部の静電容量センサと被測定物との間隙を一定とする制御を例示したが、下部の静電容量センサと被測定物Sとの間隙を一定とする制御も当然に可能である。
上記実施例1,2では、フレームの水平方向への移動を禁止してステージを水平に移動させることにより被測定物の方を走査する例を示したが、固定のステージ上に被測定物を載置してフレームの方を水平に移動させて走査することもできる。
上記実施例1では、固定したフレーム2個で構成する例を示したが、1個で構成することも可能であり、例えば上記実施例2のフレームと同様の断面コの字状のフレームを用いれば1個で構成することができる。
上記実施例2では、断面コの字状のフレームを例示したが、断面ロの字状のフレームを用いることもできる。
実施形態1に係る形状測定装置の概略構成を示す縦断面図である。 被測定物の厚さを求める方法を説明する部分縦断面図である。 本発明に係る測定の概念を示すグラフ図である。 被測定物の厚さの分布を示すグラフ図である。 実施形態2に係る形状測定装置の概略構成を示す縦断面図である。
符号の説明
1,1’,11:フレーム
2,2’,12,12’:対物変位センサ(静電容量センサ)
3,3’:センサ可動手段(PZT素子)
4,4’:センサ移動量検出手段(静電容量センサ)
5,15:センサ位置制御手段(センサ位置制御部)
6,16:形状演算手段(形状演算部)
7:ステージ
13:フレーム可動手段(PZT素子)
14:フレーム変位検出手段(静電容量センサ)
18:固定フレーム
S:被測定物(ウェハ)

Claims (4)

  1. 薄片状の被測定物を非接触式の対物変位センサで走査してその形状を測定する方法であって、
    対向する一対の非接触式の対物変位センサを、前記被測定物を挟んで、当該被測定物の厚さ方向に移動可能に配置し、
    前記一対の対物変位センサのうちいずれか一方の対物変位センサを前記被測定物の厚さ方向に移動させることにより前記被測定物との間隙を略一定に保持するとともに、他方の対物変位センサを、前記一方の対物変位センサの前記移動に追随させて移動させることにより前記一対の対物変位センサ間の距離を一定に保持し、
    前記一方の対物変位センサの移動量および前記一対の対物変位センサで検出された前記被測定物との間隙に基づいて前記被測定物の厚さおよび反り形状を求めることを特徴とする形状測定方法。
  2. 薄片状の被測定物を非接触式の対物変位センサで走査してその形状を測定する装置であって、
    被測定物の表裏を挟むように配置され、前記被測定物の厚さ方向には移動しないフレームと、
    前記被測定物を挟んで対向して配置される一対の非接触式の対物変位センサと、
    前記一対の対物変位センサのそれぞれを、前記フレームに対して前記被測定物の厚さ方向に移動可能に支持するセンサ可動手段と、
    前記フレームに対する前記一対の対物変位センサのそれぞれの移動量を検出するセンサ移動量検出手段と、
    前記一対の対物変位センサのうちいずれか一方の対物変位センサの移動量を調整して前記被測定物との間隙を略一定に保持するとともに、他方の対物変位センサを前記一方の対物変位センサの移動量と同じ量だけ移動させることにより前記一対の対物変位センサ間の距離を一定に保持するセンサ位置制御手段と、
    前記センサ移動量検出手段で検出された移動量および前記一対の対物変位センサで検出された当該対物センサから前記被測定物の表面および裏面までの距離に基づいて前記被測定物の厚さおよび反りの度合いを演算する形状演算手段と、
    を備えたことを特徴とする形状測定装置。
  3. 薄片状の被測定物を非接触式の対物変位センサで走査してその形状を測定する装置であって、
    被測定物の表裏を挟むように配置されたフレームと、
    このフレームに固定され、前記被測定物を挟んで対向して配置される一対の非接触式の対物変位センサと、
    前記フレームを、前記被測定物の厚さ方向に移動可能となすフレーム可動手段と、
    前記フレームの移動量を検出するフレーム変位検出手段と、
    前記一対の対物変位センサのうちいずれか一方の対物変位センサの移動量を調整して前記被測定物との間隙を略一定に保持するセンサ位置制御手段と、
    前記フレーム移動量検出手段で検出された移動量および前記一対の対物変位センサで検出された当該対物センサから前記被測定物の表面および裏面までの距離に基づいて前記被測定物の厚さおよび反りの度合いを演算する形状演算手段と、
    を備えたことを特徴とする形状測定装置。
  4. 前記対物変位センサが、静電容量センサまたはレーザ干渉測長計である請求項2または3に記載の形状測定装置。
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