JP2007535161A - 仮想電源のための集積回路レイアウト - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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Abstract
ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5は、集積回路上のコア1用の仮想電源を提供する。ヘッダトランジスタ3および/またはフッタトランジスタ5は、いくつかのより小さいトランジスタに分割される。たとえば、ヘッダトランジスタ3は、第1のセグメント3aと第2のセグメント3bに分割され、一方、フッタトランジスタ5は、第1のセグメント5aと第2のセグメント5bに分割される。各セグメント3a/3bおよび5a/5bが組み合わされた幅は、従来技術の単一のヘッダ/フッタトランジスタ3、5と同じである。しかし、各セグメント3a、3b、5a、および5bの個々の幅はより小さく、それによって、集積回路の設計において、ヘッダ/フッタトランジスタ3、5のレイアウトを改善する。このヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5は、コア1の周囲に均一に配置される。これは、コアに電力を均一に分配することを可能にし、それによって、局部的な温度上昇を回避する利点がある。
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Description
本発明は、集積回路用のトランジスタ回路のレイアウトに関し、特に、集積回路内のヘッダおよび/またはフッタトランジスタのレイアウトに関する。
ヘッダおよびフッタトランジスタは、集積回路内で一般に使用される。たとえば、ヘッダおよびフッタトランジスタは、リーク、電源調整、および能動電源雑音抑圧を減らすために、集積回路上で使用される。ヘッダおよびフッタトランジスタはまた、いくつかの別個の領域に集積回路を分割するためにも使用され、各領域は、そのそれぞれのヘッダおよびフッタトランジスタ、すなわち電圧のアイランドよって個々に制御される電源を持つ。
図1は、集積回路のコア内のヘッダおよびフッタトランジスタに関する従来の回路図を示している。集積回路の電源レールVDDおよびVSSが、コア1に、ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5を介して、接続される。ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5により、仮想電源、すなわち、図1に示されるようなVDD’およびVSS’がコア1用に生成されることが可能になる。ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5は、最高の動作状態時コア1によって発生される大きなピーク電流を処理することができるように、幅が極めて広くなければならないことが理解されるであろう。たとえば、0.13μmのCMOS技術では、8000個のフリップフロップおよび50000個の論理ゲートを持つ1.3mm2のコアは、電源内の電圧降下が、最高の動作状態で、5%未満にとどまることを保証するために、1234μm/0.13μmに等しいW/L比率を持つトランジスタを必要とする。
この要件の結果として、ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5は、大きいものとなり、したがって、集積回路のレイアウト中に負担になる可能性がある。さらに、ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5は、適正にレイアウトされていない場合、電流集中の問題、ならびに局部的および異常な温度上昇を引き起こす恐れがある。
したがって、本発明の目的は、よりレイアウトしやすい、また電流集中の問題または局部的な温度上昇を引き起こさないヘッダおよび/またはフッタトランジスタ構成を提供することである。
本発明の第1の態様によれば、集積回路上の主電源と仮想電源の間の電源レール内で接続するためのトランジスタ回路が提供される。この仮想電源は、集積回路のある領域に電力を供給する。トランジスタ回路は、2つ以上のセグメントに分割され、各セグメントは少なくとも1つのトランジスタを有する。トランジスタ回路は、2つ以上のセグメントが、電力供給される領域の周囲に均一に配置されるように構成される。
トランジスタ回路の区分化および均一な分配は、トランジスタ回路のレイアウトを改善し、その領域に電力を均一に分配することを可能にし、それによって、局部的な温度上昇を回避する利点を持つ。
好ましくは、トランジスタ回路は、少なくとも1つのトランジスタを有する第1のセグメントと少なくとも1つのトランジスタを有する第2のセグメントとを有し、第1および第2のセグメントは、電力供給される領域の両側の第1の対上に配置される。
任意選択で、このトランジスタ回路は、少なくとも1つのトランジスタを有する第3のセグメントと少なくとも1つのトランジスタを有する第4のセグメントとをさらに有してもよく、第3および第4のセグメントは、電力供給される領域の両側の第2の対上に配置される。
前述の構成は、電力を均一に分配できる利点がある。
一実施形態によれば、各セグメント内のトランジスタは、共通ゲート制御信号を持つ。このことによりトランジスタが同時に切り換えられることが可能になる。
あるいは、他の実施形態によれば、各セグメント内のトランジスタは、別個のゲート制御信号を持つ。このことにより、各トランジスタは、たとえば、電力供給される領域によるピーク電流需要に応じて、別々に制御されることが可能になる。
好ましくは、1つまたは複数のセグメントは、さらに複数のサブセグメントに分割され、各サブセグメントは、トランジスタを有する。このことには、より均一な分配、およびより精密な電力制御を提供する利点がある。
本発明の他の態様によれば、集積回路上に、トランジスタ回路をレイアウトする方法が提供されており、このトランジスタ回路は、集積回路上の主電源と仮想電源の間の電源レール内に接続され、この仮想電源は、集積回路のある領域に電力を供給する。この方法は、トランジスタ回路を2つ以上のセグメントに分割するステップを有し、各セグメントは、少なくとも1つのトランジスタを有する。この方法はまた、2つ以上のセグメントが、電力供給される領域の周囲に均一に配置されるように、トランジスタ回路を構成するステップも有する。
本発明をよりよく理解するために、また本発明がどのように実施され得るかをより明確に示すために、以下の図面が、例として次に参照される。
図2は、コア1用のヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5のレイアウトを示している。本発明によれば、ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5はいくつかのより小さいトランジスタに分割される。たとえば、図2に示されるように、ヘッダトランジスタ3は、第1のセグメント3aと第2のセグメント3bに分割される。その結果、各セグメント3a、3bが組み合わされた幅は、図1の単一のヘッダトランジスタ3の幅と同じ幅である。しかし、各セグメント3aおよび3bの個々の幅はより小さくなり、それによって、集積回路の設計におけるヘッダトランジスタ3のレイアウトを改善する。同様に、フッタトランジスタ5は、第1のセグメント5aと第2のセグメント5bに分割される。各セグメント5a、5bが組み合わされた幅は、図1の単一のフッタトランジスタ5と同じになるが、各セグメント5aおよび5bの個々の幅はより小さくなり、それによって、集積回路の設計におけるフッタトランジスタ5のレイアウトを改善する。
ヘッダトランジスタ3およびフッタトランジスタ5が、コア1の周囲に均一に配置される。これは、コアに電力を均一に分配することを可能にし、それによって、局部的な温度上昇を回避する利点がある。
好ましい実施形態によれば、分割されたヘッダトランジスタ3は、第1および第2のセグメント3a、3bがコア1の両側の第1の対上で位置決めされるように配置される。同様に、フッタトランジスタ5は、第1および第2のセグメント5a、5bがコア1の両側の第2の対上に位置するように、分割される。
他の実施形態によれば、図3に示されるように、両側の第1の対上にヘッダトランジスタを、また両側の第2の対上にフッタトランジスタを配置するのではなく、ヘッダおよびフッタトランジスタが、コア1の両側の同じ対上にあるように配置される。
図4は、ヘッダトランジスタ3が、4つの別個のセグメント3a、3b、3c、および3dに分割される他の実施形態を示している。これらのセグメントは、コア1の4つすべての側部全体に均一に分配されるように、配置されている。同様の対応で、フッタトランジスタ5は、コア1の4つすべての側部全体に均一に分配される4つの別個のセグメント5a、5b、5c、および5dに分割されている。
上記から、ヘッダトランジスタ3は、ヘッダトランジスタの全幅が、
図2、3、および4の実施形態では、ヘッダトランジスタの各セグメント内の各トランジスタが、共通ゲート制御信号に接続されてもよく、一方、フッタトランジスタの各セグメント内の各トランジスタも、共通ゲートコントロールに接続されてもよいことに留意されたい。あるいは、ヘッダトランジスタ3の各セグメント内の各トランジスタは、それ自体のゲート制御信号を供給されてもよく、一方、フッタトランジスタの各セグメント内の各トランジスタも、別個のゲート制御信号を供給されてもよい。後者は、コアへの電源が、より精密にまたは正確に制御されることを可能にする利点を持つ。この単一のまたは複数のゲート制御信号は、電力管理ユニット(PMU)から受け取ってもよい。集積回路上のいくつかのコアが、それら自体のヘッダ/フッタトランジスタ構成を持ってもよく、またさまざまなコアが、それぞれのヘッダ/フッタトランジスタ構成内でゲート制御信号を制御するための同じまたは異なる構成を持ってもよいことは理解されるであろう。
セグメント3aないし3N内のトランジスタは、同じ幅wiを持つように構成されてもよい。あるいは、これらのトランジスタは、異なる幅wiを持つように構成されてもよい。
図5は、1つまたは複数のセグメント3a、3b、3c、3d、5a、5b、5c、5dが、以下「サブセグメント」と呼ばれるいくつかのより小さいトランジスタにさらに分割された本発明の他の態様を示している。この図は、ヘッダトランジスタのセグメント3aが、どのようにいくつかのサブセグメント3a1ないし3axに分割されているかを示している。
トランジスタセグメントの全幅Wiは、
別個のセグメントについて上述したように、サブセグメント内のトランジスタ3a1ないし3axを制御するための可能ないくつかの変形形態がある。一実施形態では、各サブセグメント3a1ないし3axの各トランジスタは、共通ゲートコントロールを持ち、それによって、すべてのサブセグメント3a1ないし3axが同時に切り換えられる。あるいは、各サブセグメント3a1ないし3axの各トランジスタは、別個のゲート制御信号を持ち、それによって、たとえば、コア1によるピーク電流需要に応じて、サブセグメントが別々に制御されることが可能となる。
各サブセグメント内の個々のトランジスタ3a1ないし3axは、同じ幅wisを持つように構成されてもよい。あるいは、これらのトランジスタが、異なる幅wisを持つように構成されてもよい。
上述の発明は、集積回路内でよりレイアウトしやすいヘッダおよび/またはフッタトランジスタ構成を提供する。また、トランジスタをより小さい部分にさらに分割することによって、本発明は、ある領域またはコアに対する電源を、より均一かつ正確に制御することを可能にする。ヘッダおよび/またはフッタトランジスタの分割はまた、局部的な温度上昇も防止する。
図6は、ヘッダおよびフッタトランジスタが、直接標準セル行に接続されたより詳細なレイアウト構成を示している。このレイアウトは、VDD用の第1の電源リング63およびVSS用の第2の電源リング65を有する。ヘッダトランジスタ3は、コアの周囲の領域に均一に分配され、コアの両側に配置された第1のセグメント3aおよび第2のセグメント3bを有する。第1のセグメント3aは、複数のサブセグメント3a1ないし3a4を有し、一方、第2のセグメント3bは、複数のサブセグメント3b1ないし3b4を有する。各サブセグメントは、一対のトランジスタがそれぞれの標準セル行67に接続されるように、トランジスタを有する。
同様に、フッタトランジスタ5は、コアの周囲の領域に均一に分配され、コアの両側の同じ対上に配置された第1のセグメント5aおよび第2のセグメント5bを有する。第1のセグメント5aは、複数のサブセグメント5a1ないし5a4を有し、一方、第2のセグメント5bは、複数のサブセグメント5b1ないし5b4を有する。この場合も、各サブセグメントは、一対のトランジスタがそれぞれの標準セル行67に接続されるように、トランジスタを有する。
図6に示された構成では、各トランジスタのゲートは、プログラム可能性がないように、VDDまたはVSSに永久接続されている。この構成は、静電圧アイランドに有用である。基本的なヘッダ/フッタトランジスタの幅は、2M(行当たり2個のトランジスタ)に反比例し、ただし、Mは、標準セル行の数である。この実施形態の主な利点は、各標準セル行に対する電圧を、トランジスタ幅を変更することによって決定することができることである。
図7は、ヘッダおよびフッタトランジスタが、直接標準セル行に接続された他の構成の詳細なレイアウトを示している。先に図6で示されたように、このレイアウトは、VDD用の第1の電源リング63およびVSS用の第2の電源リング65を有する。ヘッダトランジスタ3は、コアの周囲の領域に均一に分配され、コアの両側に配置された第1のセグメント3aおよび第2のセグメント3bを有する。第1のセグメント3aは、複数のサブセグメント3a1ないし3a4を有し、一方、第2のセグメント3bは、複数のサブセグメント3b1ないし3b4を有する。各サブセグメントは、一対のトランジスタがそれぞれの標準セル行67に接続されるように、トランジスタを有する。
同様に、フッタトランジスタ5は、コアの周囲の領域に均一に分配され、コアの両側の同じ対上に配置された第1のセグメント5aおよび第2のセグメント5bを有する。第1のセグメント5aは、複数のサブセグメント5a1ないし5a4を有し、一方、第2のセグメント5bは、複数のサブセグメント5b1ないし5b4を有する。この場合も、各サブセグメントは、一対のトランジスタがそれぞれの標準セル行67に接続されるように、トランジスタを有する。
しかし、図7に示された構成では、トランジスタゲートは、標準セル行ごとに制御される。言い換えれば、セグメント3a1および3b1内のトランジスタのゲートは、ゲート制御信号(見やすくするために図には示されていない)を持つ。同様に、サブセグメント5a1および5b1内のトランジスタも、ゲート制御信号を持つことになるが、セグメント3a1および3b1内のトランジスタ用のゲート制御信号とは別個のものである。このレイアウトは、ある種のデバッグが要求されるとき、特に有用である。たとえば、欠陥がその行内にあるかないかを試験するための行を除いて、すべての行を使用不能にすることができる。欠陥の存在は、ある種類の電流測定を使用してテストすることができる。すなわち、欠陥がないときは、静止電流がほとんどゼロになり、一方、欠陥があるときは、静止電流がゼロと異なる。
図6と同様に、図7内の基本的なヘッダ/フッタトランジスタの幅は、2M(行当たり2個のトランジスタ)に反比例し、ただし、Mは、標準セル行の数である。当然、行ごとに、(独立に操向されるゲートを持つ)2個以上のトランジスタを、並列に配置することもできる。これには、行当たりの電圧を、オンとオフに切り換えさせるのではなく複数のステップでプログラムすることができる利点がある。
図8は、電力格子(リング形式)が、たとえば、図2で上述したような本発明によるヘッダおよびフッタトランジスタと共にどのように見えるかを示している。ヘッダトランジスタ3は、コア1の両側の第1の対上に配置された第1および第2のセグメント3a、3bに分割され、一方、フッタトランジスタ5は、両側の第2の対上に配置された第1および第2のセグメント5a、5bに分割される。この電力格子は、第1の金属層81および第2の金属層83内に存在するように示されている。例示的な実施態様では、第1の金属層81は、集積回路の「金属層2」であってもよく、一方、第2の金属層83は、集積回路の「金属層3」である。しかし、電源リングも、同じ金属層、または3つ以上の金属層内に存在してもよいことに留意されたい。選択は、特定の実施態様に基づく。唯一の要件は、外側の電源リングが、コアまたは電力開閉器に接続されるべきであるということであり、このことは金属層が、これらの接続を可能にするために必要であることを意味する。
図9は、VSSノード90、バルクノード91、および仮想VSSノード92を持つ1つのトランジスタセグメントのより詳細なレイアウトを提供している。第1の金属層93(金属1)は、ゲート直列抵抗を減少させるために、ポリゲート94の上部で経路設定されている。金属1のライン93とポリゲート94の両方は、ポリコンタクト96を介して接続される。このレイアウトは、2つの幅の広い電力搬送ライン(仮想VSS92と実際のVSS90)間に接続されたユニットセグメントMOSFETを示している。トランジスタのゲートは、個別にアクセスするために第3の金属層に接続される。この図に示されたレイアウトは、可能な実装形態である。当業者なら、特許請求の範囲から外れることなく、このレイアウトを、容易に修正することができる。
図10は、提案されたヘッダおよびフッタトランジスタを使用する複合コアの実施例を示しており、図では、5つのコアが、ヘッダおよび/またはフッタトランジスタ101で包み込まれている。
前述の発明は、個々の電圧アイランドが集積回路内に作成されることを可能にしており、それによって、コアを個々の仮想電源によって制御することができる。本発明は、さらに動的電圧スケーリング(DVS)を提供するようにも適用できる。
さらに、本発明は、電源パッド/グリッドに、より簡単に接続でき、また集積回路全体にわたって電源パッド/グリッドに接続できる利点を持つ。このテンプレートは、さらに通常の設計手法でも使用できるように適合される。
本発明について、分割されたヘッダトランジスタおよび分割されたフッタトランジスタを用いて説明したが、この分割は、ヘッダまたはフッタトランジスタの1つだけに適用されてもよいことに留意されたい。また、ヘッダおよびフッタ回路用のトランジスタ構成は、互いに異なってもよい。たとえば、ヘッダトランジスタは、コアの4つすべての側部上にセグメントを持つように配置されてもよく、一方、フッタトランジスタは、コアの2つの側部のみにセグメントを持つ。
上述の実施形態は、本発明を限定せずに、例示しており、当業者なら、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、多くの代替の実施形態を設計できることに留意されたい。「有する(comprising)」という単語は、特許請求の範囲内に列挙されたもの以外の要素またはステップの存在を除外しない。
Claims (15)
- 集積回路上の主電源と仮想電源の間の電源レール内で接続するためのトランジスタ回路であって、前記仮想電源が、前記集積回路の領域1に電力を供給し、
−前記トランジスタ回路3、5が、2つ以上のセグメント3a〜3n、5a〜5nに分割され、各セグメント3a〜3n、5a〜5nが、少なくとも1つのトランジスタ3nx、5nxを有し、前記トランジスタ回路3、5は、前記2つ以上のセグメント3a〜3n、5a〜5nが、電力供給される前記領域1の周囲に均一に配置されるように構成される、トランジスタ回路。 - 請求項1に記載のトランジスタ回路であって、
−少なくとも1つのトランジスタを有する第1のセグメント3a、5aと、
−少なくとも1つのトランジスタを有する第2のセグメント3b、5bと、
を有し、前記第1および第2のセグメント3a、3b;5a、5bが、電力供給される前記領域1の両側の第1の対上に配置される、トランジスタ回路。 - 請求項2に記載のトランジスタ回路であって、
−少なくとも1つのトランジスタを有する第3のセグメント3c、5cと、
−少なくとも1つのトランジスタを有する第4のセグメント3d、5dと、
をさらに有し、前記第3および第4のセグメント3c、3d;5c、5dが、電力供給される前記領域の両側の第2の対上に配置される、トランジスタ回路。 - 各セグメント内の前記トランジスタが、共通ゲート制御信号を持つ、請求項1に記載のトランジスタ回路。
- 各セグメント内の前記トランジスタが、別個のゲート制御信号を持つ、請求項1に記載のトランジスタ回路。
- 1つまたは複数のセグメントが、複数のサブセグメント3n1〜3nx、5n1〜5nxにさらに分割され、各サブセグメントがトランジスタを有する、請求項1に記載のトランジスタ回路。
- 各サブセグメント3n1〜3nx、5n1〜5nx内の前記トランジスタが、共通ゲート制御信号を持つ、請求項6に記載のトランジスタ回路。
- 各サブセグメント3n1〜3nx、5n1〜5nx内の前記トランジスタが、別個のゲート制御信号を持つ、請求項6に記載のトランジスタ回路。
- サブセグメント3n1〜3nx、5n1〜5nxの対が、標準セル行67に接続される、請求項6に記載のトランジスタ回路。
- 異なる標準セル行67に接続されたサブセグメント3n1〜3nx、5n1〜5nxの異なる対が、別個の共通ゲート制御信号によってそれぞれ制御される、請求項9に記載のトランジスタ回路。
- 各トランジスタが、同じ幅を持つように構成される、請求項1に記載のトランジスタ回路。
- 前記トランジスタのうちの2個以上が、異なる幅を持つように構成される、請求項1に記載のトランジスタ回路。
- トランジスタの第1の組が、前記電源内のVDD電源レールを制御するためのヘッダトランジスタ3を形成し、トランジスタの第2の組が、前記電源内のVSS電源レールを制御するためのフッタトランジスタ5を形成する、請求項1に記載のトランジスタ回路。
- 複数のトランジスタが、並列に、各標準セル行67に設けられる、請求項13に記載のトランジスタ回路。
- トランジスタ回路を集積回路上でレイアウトする方法であって、前記トランジスタ回路が、集積回路上の主電源と仮想電源の間の電源レール内で接続され、前記仮想電源が、前記集積回路の領域1に電力を供給し、
−前記トランジスタ回路3、5を、2つ以上のセグメント3a〜3n、5a〜5nに分割し、各セグメント3a〜3n、5a〜5nが、少なくとも1つのトランジスタを有するステップと、
−前記2つ以上のセグメント3a〜3n、5a〜5nが、電力供給される前記領域の周囲に均一に配置されるように、前記トランジスタ回路3、5を構成するステップとを有する、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04101764 | 2004-04-27 | ||
PCT/IB2005/051268 WO2005104233A1 (en) | 2004-04-27 | 2005-04-19 | Integrated circuit layout for virtual power supply |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007535161A true JP2007535161A (ja) | 2007-11-29 |
Family
ID=34964481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007510180A Withdrawn JP2007535161A (ja) | 2004-04-27 | 2005-04-19 | 仮想電源のための集積回路レイアウト |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1743374A1 (ja) |
JP (1) | JP2007535161A (ja) |
CN (1) | CN1950941A (ja) |
TW (1) | TW200605308A (ja) |
WO (1) | WO2005104233A1 (ja) |
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-
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- 2005-04-19 WO PCT/IB2005/051268 patent/WO2005104233A1/en not_active Application Discontinuation
- 2005-04-19 CN CNA2005800135667A patent/CN1950941A/zh active Pending
- 2005-04-19 EP EP05718757A patent/EP1743374A1/en not_active Withdrawn
- 2005-04-22 TW TW094112956A patent/TW200605308A/zh unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9058979B2 (en) | 2007-09-18 | 2015-06-16 | Sony Corporation | Semiconductor integrated circuit having a switch, an electrically-conductive electrode line and an electrically-conductive virtual line |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1950941A (zh) | 2007-04-18 |
WO2005104233A1 (en) | 2005-11-03 |
TW200605308A (en) | 2006-02-01 |
EP1743374A1 (en) | 2007-01-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
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