JP2007530788A5

JP2007530788A5 -

Info

Publication number: JP2007530788A5
Application number: JP2007505028A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-17
Publication date: 2008-04-24
Anticipated expiration: 2025-03-17

Claims

半導体処理において使用するに適する基板の製造方法であって、
a)基板材料の表面を粗面化処理して、ミクロ割れを生じさせる工程と、
b)粗面化処理された表面を処理して、粗面化処理された表面上に残っている基板材料の少なくとも実質的にすべての粒子を除去する工程と、
c)粗面化処理された表面を、少なくとも1種の金属酸化物を含むコーティング組成物で被覆する工程と、
を含む方法。
前記基板は、石英、セラミック、金属及び金属酸化物からなる群より選択される物質から構成される、請求項１に記載の方法。
前記コーティング組成物は、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム及びこれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。
前記コーティング組成物は、酸化ジルコニウム及び酸化イットリウムを含む、請求項３に記載の方法。
前記粗面化処理された表面を被覆する工程は、プラズマ発生ガス及び前記コーティング組成物を含むプラズマを発生させ、該コーティング組成物を該粗面化処理された表面に塗膜するに十分な態様で該プラズマを該粗面化処理された表面に誘導することを含む、請求項１に記載の方法。
前記プラズマを圧縮空気の存在下で発生させることをさらに含む、請求項５に記載の方法。
前記プラズマを約5,537.8℃〜16,648.9℃（10,000〜30,000゜F）の温度で発生させることを含む、請求項５に記載の方法。
前記基板材料の表面を粗面化処理する工程は、
a)前記基板材料を粗面化処理する物質の固体粒子と接触させて、表面粗さを約180〜320μインチRa（micro inch Ra）の範囲とすることを含む、請求項１に記載の方法。
前記表面粗さは200〜300μインチRa（micro inch Ra）である、請求項８に記載の方法。
前記粗面化処理された表面を処理する工程は、前記基板を高濃度強酸含有薬浴中に浸漬させることを含む、請求項１に記載の方法。
前記強酸の濃度は25〜35 vol％である、請求項１０に記載の方法。
前記薬浴は、硝酸及びフッ化水素酸を含む、請求項１０に記載の方法。
前記ミクロ割れの深さは約0.015cm（0.006インチ）以下である、請求項１に記載の方法。
前記コーティングの厚みは、前記ミクロ割れを充填して覆うに十分である、請求項１に記載の方法。
前記コーティングの厚みは約0.025cm（0.010）インチ以下である、請求項１４に記載の方法。