JP2007527843A - Lta構造を有するゼオライト性微孔質の結晶性物質(itq−29)、該結晶性物質の製造法、並びに有機化合物の分離法と変換法における該結晶性物質の使用 - Google Patents

Lta構造を有するゼオライト性微孔質の結晶性物質(itq−29)、該結晶性物質の製造法、並びに有機化合物の分離法と変換法における該結晶性物質の使用 Download PDF

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Abstract

本発明は、焼成後の無水状態において下記の一般式で表される物質に関し、該物質は、酸触媒反応における触媒の成分、又は分離及び吸収/吸着法における金属若しくは酸化物のキャリヤーとして使用することができる:
x(M1/nXO):zZO:yGeO:(1−y)SiO
式中、xは0を含む0.2未満(好ましくは0.15未満)の値を示し、zは0〜0.1(好ましくは0〜0.05)の値を示し、yは0〜1(好ましくは0〜0.75)の値を示し、Mは1若しくは複数の+n価の無機カチオンを示し、Xは1若しくは複数の+3の酸化状態の化学元素(Al,B,Ga、Fe)を示し、Zは1若しくは複数の+4の酸化状態のカチオン(SiとGeを除く)(好ましくはTi若しくはSn)を示す。

Description

本発明は、有機化合物の転化法と分離法において吸着剤、触媒又は触媒成分として有用なゼオライト性微孔質の結晶性物質の技術分野に属する。
ゼオライトはTO四面体の結晶格子によって形成される微孔質の結晶性物質であり、該四面体は、分子サイズの溝(channel)および/または空洞(cavity)を有する3次元的構造をもたらす全ての頂点を共有する。これらの組成は可変的であり、Tは一般に酸化状態が+3(TIII)または+4(TIV)の原子、例えば、Si、Ge、Ti、Al、B、Ga等を示す。T原子のいずれかが+4よりも小さい酸化状態にあるときには、形成される結晶格子は負の荷電を示し、該荷電は該溝もしくは空洞内の有機もしくは無機カチオンの存在によって補償される。有機分子およびHOもこの種の溝と空洞内に収容されるので、一般に、ゼオライトの化学組成は次の実験式によって表示することができる:
x(M1/nXO):yYO:zR:wH
式中、Mは荷電+nの1もしくは複数の有機もしくは無機カチオンを示し、Xは1もしくは複数の3価元素を示し、Yは1もしくは複数の4価元素(一般的にはSi)を示し、Rは1種もしくは数種の有機物質を示す。
M、X、YおよびRの特性、並びにx、y、zおよびwの値は合成後の処理によって変化させることができるが、合成後もしくはその後の焼成処理に付した後のゼオライトの化学組成は、各々のゼオライトおよびその調製法に応じて幅のある特性を示す。
溝と空洞の特有の系を規定するT原子の確立された結晶学的位置を有する各々のゼオライトの結晶性構造は特徴的なX線回折図形を示し、これによって該構造を相互に区別することができる。
低いSi/Al比を有するゼオライトは、一般的には、Alによって格子中へ導入される負の電荷を補償する無機カチオン(例えば、Na及びK)の存在下で得られる。ゼオライトの合成中に有機分子を使用することによって、高いSi/Al比を有するゼオライトを得ることが可能となる。何故ならば、有機分子はサイズが大きく、ゼオライトの内部に含まれることがあるカチオンの数が少なくなり、組み込まれるAlの量が少なくなるからである。構造規定剤(structure directing agent;SDA)として作用する有機分子は一般に窒素原子を含んでおり、反応中においては安定な有機カチオンをもたらす。
ゼオライトの合成中における前駆体種の移動化は、有機カチオン若しくは無機カチオンの水酸化物(例えば、水酸化ナトリウム又は水酸化テトラプロピルアンモニウム)として導入することができる塩基性媒体と水酸化物の存在下でおこなうことができる。ゼオライトの合成においては、フッ化物イオンも移動化剤として作用する。例えば、ヨーロッパ特許出願EP−A−337479号明細書には、ZSM−5ゼオライトの合成のためにケイ素の移動化剤として、低いpHのHO中においてHFを使用することが記載されている。
低いSi/Al比を有する既知のゼオライトの内で、ゼオライトAは、三次元空間方向において8つの四面体環によって限定される小さな孔径を有する溝を有しており、該溝は、LTA(「リンデ(Linde)タイプA」)構造として知られている構造に相当するより大きなサイズを有する超空洞を形成する。LTA構造に関しては、国際ゼオライト協会から発行されている「アトラス・オブ・ゼオライト・フレームワーク・タイプス」(2001年)を参照されたい。
このようなゼオライトは米国特許US−2882243号明細書に記載されており、Si/Al比が1のナトリウム含有形態で得られている。Si/Al比が2までのZK−4ゼオライトは、米国特許US−3314752号明細書に記載のようにして、テトラメチルアンモニウム有機カチオンを用いることによって得られており、その後、Si/Al比が3.5までのアルファゼオライトが得られている(US−3375205参照)。
異なるゼオライトを同定するために常用されている方法はX線回折法である。特に、米国特許US−2882243号明細書に記載されているようなナトリウム含有形態を有するLTAゼオライト(Si/Al比=1)は表1に示すような最も特徴的な回折ピークをもたらす。これらの回折ピークは、立方対称単位格子の格子パラメーターa=12.32Åに一致する。以下の表Aは、該明細書に記載されているような単位格子に対する回折図形の最も特徴的な反射において観測されたミラー指数の二乗の総和を示す。
Figure 2007527843
これらの回折ピークの強度若しくは位置は次の要因によって変化するかもしれない:媒体の条件、試料の水和度、当該物質の化学的組成、及び試料を構成するゼオライト結晶のサイズと形態。
呼称化学的組成として1NaO:1Al:2.0±0.1SiO:xHOを有する市販のNa−Aゼオライト(アルドリッチ社製のモレキュラーシーブ4A)は、本発明において使用した条件と同一の条件下で測定したX線回折図形であって以下の表Bに示す回折ピークを含むX線回折図形をもたらす。
Figure 2007527843
呼称化学的組成として0.80CaO:0.20NaO:1Al:2.0±0.1SiO:xHOを有する市販のCaNa−Aゼオライト(アルドリッチ社製のモレキュラーシーブ5A)は、本発明において使用した条件と同一の条件下で測定したX線回折図形であって以下の表Cに示す回折ピークを含むX線回折図形をもたらす。該ゼオライトは、Na−AゼオライトのNaイオンをCaイオンで交換することによって調製され、また、当該分野の文献に詳細に記載されているイオン交換法によってゼオライトの位相は影響を受けない。
Figure 2007527843
呼称化学的組成として0.6KO:0.40NaO:1Al:2.0±0.1SiO:xHOを有する市販のKNa−Aゼオライト(アルドリッチ社製のモレキュラーシーブ3A)は、本発明において使用した条件と同一の条件下で測定したX線回折図形であって以下の表Dに示す回折ピークを含むX線回折図形をもたらす。該ゼオライトは、Na−AゼオライトのNaイオンをKイオンで交換することによって調製され、また、当該分野の文献に詳細に記載されているイオン交換法によってゼオライトの位相は影響を受けない。
Figure 2007527843
これらの表に示すデータから次のことが推定される。即ち、回折ピークの相対強度と面間距離は、使用する測定条件並びにその他の要因、例えば、化学的組成、交換カチオン、試料の水和度、結晶のサイズ及び好ましい配向等に左右される。
しかしながら、ゼオライト格子の位相は化学的組成には左右されないが、空間群(spatial group)、単位格子の寸法及び実物の原子座標は、格子の位相の保持をもたらすが、化学的組成によって影響を受けるかもしれない。このような理由から、国際ゼオライト協会(該協会は、ウェブサイトhttp://www.iza-structure. org/において特に言及されているように、文献に記載されている種々のゼオライトの位相を記述することをIUPACによって承認されている)は、最適な座標によってゼオライトの構造を記載している(該座標は、ケイ素含有格子が少ないことを仮定する位相幾何学的空間群において作成されている)。
ゼオライトの位相を明確に記述する2つの概念が導入されている。このような概念は「配位配列(Coordination Sequence)」と「頂点記号(Vertex Symbols)」である。前者はブルンナーとラベスによって最初に提案され(Wiss. Z. Tech. Univers. ドレスデン、第20巻、第387頁(1971年)H.2)、マイヤーとメックによってゼオライト物質の位相を記述するために使用された(J. Solid. State Chem. 、第27巻、第349頁(1979年))。一方、後者はオッケーフとハイデによって提案された(ゼオライツ、第19巻、第370頁(1997年))。
LTA構造を有するゼオライトAの場合、格子パラメーター、空間群及び仮想的なSiO組成に対する最適化原子座標は次の通りである。
格子パラメーター:a=b=c=11.919;α=β=γ=90°
空間群:Pm−3m
Pm−3m空間群における原子座標(Tは4価原子の原子座標に関する):
Figure 2007527843
以下の配位配列(配位の第1球体から第10球体までの配位配列)と頂点符号はこの格子位相に対応する。
配位配列:T 4 9 17 28 42 60 81 105 132 162
頂点符号:4 6 4 6 4 8
公開された一般文献及び特許文献においては、吸着特性と分離特性が既知のゼオライト物質の場合と非常に異なるゼオライト物質を得るために、LTA構造と高いTIV/TIII比を有するゼオライトを合成しようとする試みが多くの研究者によってなされていることが示されている。この場合、LTA構造と高いTIV/TIII比を有するゼオライトは形態−選択特性を有する酸性固体触媒とレドックス触媒をもたらすということが特に考慮されている。従って、今日までに達成されている3.5よりも高いTIV/TIII比を有するLTAゼオライトを合成することは、科学技術的な挑戦だけでなく、工業的に重要な特性と用途を有する新規物質が得られる可能性を示していたことは明らかである。
本発明は、Al含有量が低いか若しくはAlを全く含有しないLTA構造を有するゼオライト性の微孔質結晶性物質、該結晶性物質の製造法及び有機化合物の変換/分離方法における該結晶性物質の用法を提供するためになされたものである。該結晶性物質は、焼成後の形態と調製後の未焼成形態において、LTA構造に特徴的なX線回折図形に対応するX線回折図形を示す。
本発明に係る微孔質の結晶性物質は、焼成後の無水状態において下記の一般式で表される:
x(M1/nXO):zZO:yGeO:(1−y)SiO
式中、xは0を含む0.2未満(好ましくは0.15未満)の値を示し、zは0〜0.1(好ましくは0〜0.05)の値を示し、yは0〜1(好ましくは0〜0.75)の値を示し、Mは1若しくは複数の+n価の無機カチオンを示し、Xは1若しくは複数の+3の酸化状態の化学元素(Al,B,Ga、Fe)を示し、Zは1若しくは複数の+4の酸化状態のカチオン(SiとGeを除く)(好ましくはTi若しくはSn)を示す。
好ましくは、本発明による結晶性物質は、有機化合物源として少なくとも4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムカチオンを含む反応混合物から調製される。
合成法と焼成法若しくは後処理法に起因して、結晶格子中にはTIV−OH基の存在下において出現する欠陥が存在する可能性がある。このような欠陥は上記の実験式には含まれていない。
本発明による結晶性物質は、調製後の状態において、固定発散スリットとKα−Cu放射線を用いて測定されるX線回折図形、好ましくはより特徴的な面間距離(Å)と相対強度を伴う下記の回折ピークを示す(表E参照):
Figure 2007527843
一方、本発明による結晶性物質は、焼成状態において、好ましくは下記の面間距離(Å)と相対強度を伴う回折ピークを示す(表F参照):
Figure 2007527843
これらの結晶の特徴はLTAゼオライトの特徴と明らかに一致する。上記の表において、「mf」は、最大強度を示すピークの99〜80%に相当する非常に強い相対強度を示し、「f」は、最大強度を示すピークの60〜80%に相当する強い相対強度を示し、「m」は、最大強度を示すピークの40〜60%に相当する中間の相対強度を示し、「d」は、最大強度を示すピークの20〜40%に相当する弱い相対強度を示し、「md」は、最大強度を示すピークの20%未満に相当する非常に弱い相対強度を示す
回折データは、特定の条件下(例えば、結晶学的変化の相違)では原子の結合性に影響を与えることなく分割線若しくは部分的分割線として出現する多重重なり又は重畳反射によってもたらされることがあることを考慮すべきである。一般的には、結晶学的変化には単位格子パラメーターの小さな変化及び/又は構造的変化を伴わない結晶対称の変化が含まれる。また、ピークの位置、幅及び相対強度は当該物質の化学的組成、水和度、結晶のサイズ及び媒体の条件によって左右される。
特に、格子が、Alを含有せずに専らケイ素とゲルマニウムの酸化物から構成され(Si/Ge=2)、フッ化物イオンの存在下での合成に際して構造規定剤として4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムカチオンを使用することによって得られる合成直後のLTAゼオライトは、以下の表Iに示す面間隔(Å)と相対強度(I/I)を伴うX線回折図形(固定発散スリットとKα−Cu放射線を用いて測定した回折図形)を示す(このデータは、格子パラメーターがa=b=c=11.983(Å)のときのLTA構造の特徴である)。
Figure 2007527843
700℃での焼成処理に付した後のLTAゼオライトのX線回折図形は、以下の表IIに示す面間隔(Å)と相対強度(I/I)によって特徴づけられる.
Figure 2007527843
この回折図形は、12.015Åの格子パラメーターを有する単位立方格子によって表示される。Pm−3m対称群におけるLTAゼオライトを用いるリートヴェルトの改良法の結果を以下の表に示す。
Figure 2007527843
これらの結果は、LTAゼオライトと同形の物質が得られたことを明確に示すものであり、従って、該物質は、先に説明したLTAゼオライトと同じ配位配列とベルテックス符号を有する。この新規な物質は、ゼオライト格子に組み込まれた3価カチオンの不存在下で得られた。別の態様においては、格子中にアルミニウムをTIV/Al比が5よりも高い状態で含有するLTAゼオライトが得られた。
本発明の別の特定の実施態様、即ち、構造規定剤として4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリウム第四アンモニウムとテトラメチルアンモニウムカチオンを使用すると共にフッ化物の存在下で合成操作がおこなわれ,格子がSi,Ge及びAlの酸化物から構成される実施態様においては[Si/Ge=2;(Si+Ge)/Al=7]、調製直後のLTAゼオライトは、以下の表IIIに示すX線回折図形(固定発散スリット及びCu−Kα放射線を使用して測定)をもたらす。表IIIに示す回折図形は、a=b=c=11.996Åの格子パラメーターを有するLTA構造の特徴である。
Figure 2007527843
本発明は、LTA構造を有するゼオライト物質、即ち、格子中に組み込まれた3価カチオンの不存在下で調製されるゼオライトであって、Si若しくはGe以外のヘテロ原子(例えば,Ti及びSn)を網目状に含有するゼオライトにも関する。LTAゼオライト格子中へのTi若しくはSnの導入は、Geの不存在下でおこなわれるが,好ましくは,Ti若しくはSnの導入は、50未満(より好ましくは25未満)のSi/Ge比を有するLTA構造を有する試料中でおこなわれる。
本発明の別の特定の実施態様、即ち、構造規定剤として4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリウムとテトラメチルアンモニウムカチオンを使用すると共にフッ化物アニオンの存在下で合成操作がおこなわれ,格子がSi,Ge及びTiの酸化物から構成される実施態様においては[Si/Ge=2;(Si+Ge)/Ti=100]、調製直後のLTAゼオライトは、以下の表IV に示すX線回折図形(固定発散スリット及びCu−Kα放射線を使用して測定)をもたらす。表IVに示す回折図形は、a=b=c=12.050Åの格子パラメーターを有するLTA構造の特徴である。
Figure 2007527843
本発明のさらに別の特定の実施態様、即ち、構造規定剤として4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリウムとテトラメチルアンモニウムカチオンを使用すると共にフッ化物イオンの存在下で合成操作がおこなわれ,格子が二酸化ケイ素のみから構成される実施態様においては、調製直後のLTAゼオライトは、以下の表 V に示すX線回折図形(固定発散スリット及びCu−Kα放射線を使用して測定)をもたらす。表 V に示す回折図形は、a=b=c=11.847Åの格子パラメーターを有するLTA構造の特徴である。
Figure 2007527843
空気中において700℃での焼成処理に付した後の純粋なケイ質LTAゼオライトのX
線回折図形は,以下の表 VI に示す面間隔と相対強度によって特徴づけられる。
Figure 2007527843
表VIに示す回折データはa=b=c=11.885Åの格子パラメーターを有するLTA構造の特徴である。これらのパラメーターはPm−3m空間群(a=b=c=11.919Å)における立方対称を有するLTA構造の仮想的な純粋なケイ質格子に関して報告されているパラメーター、例えば、国際ゼオライト協会によるゼオライト構造に関するデータベース(www.izastructure.org/databases)等に一致する。以下の表 VII に示す該データベースのシミュレート化回折図形のデータは表 VI に示すデータに実質上一致する。
Figure 2007527843
ゼオライトの格子パラメーターの増大若しくは減少は、Siとは異なるTIII若しくはTIV元素が格子中へ組み込まれたことの明確な証拠として受け入れられており[ASTMスタンダードD3942:「ホージャサイト型ゼオライトの単位格子の大きさを決定するための試験方法」、J. Phys. Chem. 、第97巻(1993年)、第5678頁〜第5684頁]、このことは、Ge及び/又はAlを含有するLTA構造を有する該報文に記載の物質においては、これらの元素がゼオライト格子中へ有効に組み込まれたことを示す。
本発明は、Alの含有量が低いか、又はAlを全く含有しないLTAゼオラオトの製造方法にも関する。このゼオライトの製造法は、前駆体種の移動剤として作用するフッ化物アニオンの存在下でおこなわれ、SiO源(例えば、テトラエチルオルトシリケート、コロイドシリカ、及び非晶質シリカ等)を含有しなければならない反応混合物の80〜200℃(好ましくは100〜200℃)における熱処理を伴う。この反応混合物はGeO源(例えば、酸化物、アルコキシド若しくはハロゲン化物)を含有していてもよい。所望により、合成混合物は付加的な4価元素源としてTi若しくはSnの化合物を含有していてもよい。さらに所望により、合成混合物は3価元素源としてAl、B、Ga若しくはFe等の化合物を含有していてもよい。さらに、この反応混合物は、4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリウム又は数種の有機化合物、特に4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリウムカチオン、テトラメチルアンモニウムカチオン、エチレングリコール、フッ化物イオン源(好ましくはHF)、及び水を含有する。有機カチオンは塩(例えば、ハロゲン化物)又は水酸化物として反応混合物中へ添加される。さらに付加的に、アルカリイオン源又はアルカリ土類イオン源が水酸化物又は塩として反応混合物中へ添加される。
合成混合物の成分は異なる原料源から誘導してもよく、これらの原料源に応じて、結晶化の時間と条件を変化させてもよい。合成を促進させるために、調製過程のいずれかの時点において、反応系中に存在する無機酸化物の重量に対して20重量%までのLTAゼオライトの結晶を結晶化促進剤として反応系中へ添加すること(播種)が便利である。
有機カチオンである4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリウムは次式で表される:
Figure 2007527843
Al含有量が低いLTAゼオライトの調製原料となる反応混合物の組成は下記のモル組成によって表される組成を有する:
rR:sM1/nOH:tX:zZO:uGeO:(1−u)SiO:vF:wH
式中、Mは1種若しくは複数種の+n価の無機カチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の3価の元素(好ましくは、Al,B,Ga又はFe)を示し、Zは1種若しくは複数種の4価の元素(好ましくはTi又はSn)を示し(但し、SiとGeを除く)、Rは1種の有機化合物(即ち、4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウム)若しくは複数種の有機化合物(好ましくは、4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物若しくはハロゲン化物とテトラメチルアンモニウム若しくはエチレングリコールの水酸化物若しくはハロゲン化物との混合物)を示し、Fはフッ化物イオン源(好ましくはHF)を示し、r、s、t、z、u、v及びwは下記の範囲の値を示す:
r= R/(SiO+GeO)=0.05〜1.0
s= M1/nOH/(SiO+GeO)=0〜1.0
t= X/(SiO+GeO)=0〜0.1
z= ZO/(SiO+GeO)=0〜0.1
u= GeO/(SiO+GeO)=0〜1.0
v= F/(SiO+GeO)=0.1〜3.0
w= HO/(SiO+GeO)=1〜50
反応混合物の熱処理は静的におこなってもよく、あるいは、該混合物を撹拌しながらおこなってもよい。結晶化過程が完結したならば、固体状生成物を濾過処理若しくは遠心分離処理によって分別した後、乾燥処理に付す。乾燥生成物を350℃よりも高い温度(好ましくは400〜900℃)での焼成処理に付すことによってゼオライトの内部及びゼオライトの溝から開口する出口に吸蔵された残留有機物を分解させる。
本発明によって製造される物質は既知の方法によってペレット化させてもよく、該ペレットは酸性触媒反応における触媒の成分として使用することができ、また、分離工程及び吸収/吸着工程における金属若しくは酸化物のキャリヤーとしても使用することができる。
実施例1:4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウム有機カチオンの調製
2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムアミンを、次の文献に記載された方法に従って、以下に記載のようにして調製した:H.カタヤマ、E.アベ、K.カネコ、J. Heterocyclic Chem. 、第19巻(1982年)、第925頁〜第926頁。
還流冷却器及び電磁攪拌機を具備した丸底フラスコ内へアニリン4.7g(50ミリモル)、炭酸ナトリウム21.2g(200ミリモル)及び1−ブロモ−3−クロロプロパン126.4g(750ミリモル)を導入した。窒素雰囲気中において、この混合物を激しく撹拌しながら徐々に加熱した(1時間かけて70℃から160℃まで加熱し、この温度を24時間保持した)。冷却後、混合物をNaOHで塩基性にした後、エーテルを用いる抽出処理に3回付した。捕集した有機抽出物を水洗した後、2Nの塩酸で処理した。酸性抽出物をNaOHで塩基性にした後、エーテルを用いて抽出した。エーテル抽出物をNaCl水溶液で洗浄した後、無水NaSOを用いる乾燥処理に付した。溶剤を回転蒸発器で除去することによってアミン(性能:85%)を得た。このアミンは、以下に記載の方法に従って、ヨウ化メチルを用いる4級化処理に付した。
丸底フラスコ内へ、クロロホルム100mlに上記アミン10g(57.8ミリモル)を溶解させた溶液を導入した後、ヨウ化メチル24.5g(173ミリモル)を添加し、得られた混合物を周囲温度での撹拌処理に3日間付した。次いで、ヨウ化メチル(173ミリモル)を添加した後、撹拌処理をさらに3日間続行した。次いで、固形分を濾取し、エーテルで十分に洗浄した後、乾燥処理に付すことによって第四アンモニウム塩(性能:90%)を得た。
実施例2:4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウム水酸化物の調製
実施例1で得られたヨウ化アンモニウムを、次の手順に従い、イオン交換樹脂を使用することによって、水酸化物で交換した。該ヨウ化物カチオン21.8g(69.2ミリモル)を水に溶解させ、得られた溶液中へ「ドウェックス(Dowex)SBR樹脂」70gを添加し、この溶液を翌日まで連続的に撹拌した。次いで、反応混合物を濾過処理に付した後
、蒸留水を用いて洗浄することによって、4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物溶液を得た(フェノールフタレインを指示薬として使用し、HCl水溶液で交換効率を評価したところ、90%よりも高かった)。最終的な溶液は、該溶液1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有した。
実施例3:TIIIカチオンの不存在下でのLTAゼオライトの調製
最初に、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(46.8g)中へテトラエチルオルトシリケート(TEOS)3.9gを添加した。この混合物中へ酸化ゲルマニウム0.98gを添加し、得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)を0.56g添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
0.67SiO:0.33GeO:0.5ROH:0.5HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で5日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。この固体のX線回折図形における最も特徴的なピークを以下の表IAに示す。表IAに示すデータは、LTA構造の特徴である(格子パラメーター:a=b=c=11.983Å)。
Figure 2007527843
上記の固体を、空気中で700℃における焼成処理に3時間付すことによって、該固体中に吸蔵された有機物を除去した。焼成したゼオライトのX線回折図形における最も特徴的なピークを以下の表IIAに示す。表IIAに示すデータは、LTA構造の特徴である(格子パラメーター:a=b=c=12.074Å)。
Figure 2007527843
実施例4:構造規定剤として数種の有機化合物を用いることによるLTAゼオライトの調製
最初に、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(15.6g)中へテトラエチルオルトシリケート(TEOS)2.6gを添加し、次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)の25%水溶液1.7gを添加した。この混合物中へ酸化ゲルマニウム0.65gを添加し、得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)を0.37g添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
0.67SiO:0.33GeO:0.25ROH:0.25TMAOH:0.5HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で3日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。この固体のX線回折図形は、該固体がLTAゼオライトであることを示した。
実施例5:TIV/TIII=23の条件下でのLTAゼオライトの調製
最初に、アルミニウムイソプロポキシド0.166gをテトラエチルオルトシリケート(TEOS)2.6gへ添加し、次いで、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(32.5g)を添加した。この混合物中へ酸化ゲルマニウム0.65gを添加し、得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)0.39g及び実施例3に記載の方法に従って調製したLTAゼオライト0.07gを水1g中へ加えた懸濁液を添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
0.67SiO:0.33GeO:0.022Al:0.5ROH:0.5HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で5日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。この固体のX線回折図形は、該固体がLTAゼオライトであることを示した。
実施例6:TIV/TIII=7の条件下でのLTAゼオライトの調製
最初に、アルミニウムイソプロポキシド0.545gをテトラエチルオルトシリケート(TEOS)2.6gへ添加し、次いで、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(17.8g)及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)の25%水溶液(1.95g)を添加した。この混合物中へ酸化ゲルマニウム0.65gを添加し、得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)0.43g及び実施例4に記載の方法に従って調製したLTAゼオライト0.07gを水1g中へ加えた懸濁液を添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
0.67SiO:0.33GeO:0.07Al:0.286ROH:0.286TMAOH:0.57HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で3日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。この固体のX線回折図形は、該固体がLTAゼオライトであることを示した。
実施例7:LTA構造を有する純粋なケイ質ゼオライトの調製
最初に、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)4gを、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(16g)中へ添加し、次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)の25%水溶液(1.75g)を添加した。この混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)0.38gを添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
SiO:0.25ROH:0.25TMAOH:0.5HF:3H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で3日間加熱した。得られた固体のX線回折図形は、該固体がLTAゼオライトであることを示した。
実施例8:LTAゼオライト(Si/Ge=1)の調製
最初に、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)2gを、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(15.97g)中へ添加し、次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)の25%水溶液(1.75g)を添加した。この混合物中へ酸化ゲルマニウム1gを添加し、得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)0.38gを添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
0.5SiO:0.5GeO:0.25ROH:0.25TMAOH:0.5HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で3日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。この固体のX線回折図形は、該固体がLTAゼオライトであることを示した。
実施例9:LTAゼオライト(Si/Ge=20)の調製
最初に、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)4gを、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(16.8g)中へ添加し、次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)の25%水溶液(1.84g)を添加した。この混合物中へ酸化ゲルマニウム1gを添加し、得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)0.4gを添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
0.952SiO:0.048GeO:0.25ROH:0.25TMAOH:0.5HF:3H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で6日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。この固体のX線回折図形は、該固体がLTAゼオライトであることを示した。
実施例10:Ti含有LTAゼオライトの調製
最初に、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)2.6g及び四酸化チタン0.043gを、1000gあたり0.3当量の水酸化物を含有する4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムの水酸化物(ROH)溶液(15.6g)中へ添加し、次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)の25%水溶液(1.7g)を添加した。この混合物中へ酸化ゲルマニウム0.65gを添加し、得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノールと所要量の水が完全に蒸発して所定の組成に達するまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、フッ化水素酸(HF:50重量%)0.37gを添加した。得られたゲルの組成は次の通りである:
0.67SiO:0.33GeO:0.01TiO:0.25ROH:0.25TMAOH:0.5HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレン被覆層で内張したオートクレーブ内へ導入し、150℃で6日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。この固体のX線回折図形は、該固体がLTAゼオライトであることを示した。このゼオライトの可視紫外スペクトルは190〜300nmの領域に吸収帯を示した。このことは、Tiが該ゼオライトの構造の一部であることを示す。

Claims (14)

  1. 焼成後の無水状態において、結晶格子中に欠陥が存在しない状態で下記の実験式で表されるゼオライト性のLTA構造を有する結晶性物質であって、該実験式において、xが0〜0.2(好ましくは0.15未満)の値を示し、yが0〜1(好ましくは0.75未満)の値を示し、zが0〜0.1(好ましくは0.05未満)の値を示すことを特徴とする該結晶性物質:
    x(M1/nXO):zZO:yGeO:(1−y)SiO
    (式中、MはH若しくは少なくとも1種の+n価の無機カチオンを示し、Xは少なくとも1種の+3の酸化状態の化学元素(好ましくは、Al,B,Ga及びFeを含む群から選択される化学元素)を示し、Zは少なくとも1種の+4の酸化状態のカチオン(SiとGeを除く)を示す)
  2. 有機化合物源として、少なくとも4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムカチオンを含む反応混合物から調製される請求項1記載の結晶性物質。
  3. 調製直後の状態において、固定発散スリットとKα−Cu放射線を用いて測定されるX線回折図形が下記の相対強度を示す請求項1又は2記載の結晶性物質:
    Figure 2007527843
    (表中、「mf」は、最大強度を示すピークの99〜80%に相当する非常に強い相対強度を示し、「f」は、最大強度を示すピークの60〜80%に相当する強い相対強度を示し、「m」は、最大強度を示すピークの40〜60%に相当する中間の相対強度を示し、「d」は、最大強度を示すピークの20〜40%に相当する弱い相対強度を示し、「md」は、最大強度を示すピークの20%未満に相当する非常に弱い相対強度を示す)
  4. 焼成後の無水状態におけるX線回折図形が下記の相対強度を示す請求項1から3いずれかに記載の結晶性物質:
    Figure 2007527843
    (表中、「f」は、最大強度を示すピークの60〜80%に相当する強い相対強度を示し、「d」は、最大強度を示すピークの20〜40%に相当する弱い相対強度を示し、「md」は、最大強度を示すピークの20%未満に相当する非常に弱い相対強度を示す)
  5. ZがTi及びSnを含む群から選択される請求項1記載の結晶性物質。
  6. 調製直後の状態において、固定発散スリットとKα−Cu放射線を用いて測定されるX線回折図形が下記の相対強度を示す請求項1、2又は5記載の結晶性物質:
    Figure 2007527843
    (表中、「mf」は、最大強度を示すピークの99〜80%に相当する非常に強い相対強度を示し、「f」は、最大強度を示すピークの60〜80%に相当する強い相対強度を示し、「d」は、最大強度を示すピークの20〜40%に相当する弱い相対強度を示し、「md」は、最大強度を示すピークの20%未満に相当する非常に弱い相対強度を示す)
  7. 焼成後の無水状態におけるX線回折図形が下記の相対強度を示す請求項5又は6記載の結晶性物質:
    Figure 2007527843
    (表中、「mf」は、最大強度を示すピークの99〜80%に相当する非常に強い相対強度を示し、「f」は、最大強度を示すピークの60〜80%に相当する強い相対強度を示し、「m」は、最大強度を示すピークの40〜60%に相当する中間の相対強度を示し、「d」は、最大強度を示すピークの20〜40%に相当する弱い相対強度を示し、「md」は、最大強度を示すピークの20%未満に相当する非常に弱い相対強度を示す)
  8. i)SiO源、ii)所望によるGeO源、iii)所望による1種若しくは数種の3価元素X(好ましくはAl、B、Ga及びFe)源、iv)所望による+n価の無機カチオンM源、v)少なくとも1種の有機化合物R源(好ましくは4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムカチオン又は該カチオンとテトラメチルアンモニウムカチオン若しくはエチレングリコールとの混合物)、vi)フッ化物源、及びvii)水を含有する反応混合物を80〜200℃(好ましくは100〜200℃)の温度において、結晶化が達成されるまで加熱することを含む請求項1から4いずれかに記載の微孔質の結晶性物質の製造方法であって、該反応混合物がモル比で表される下記の組成を有することを特徴とする該製造方法:
    R/(SiO+GeO)=0.05〜1.0
    1/nOH/(SiO+GeO)=0〜1.0
    /(SiO+GeO)=0〜1.0
    GeO/(SiO+GeO)=0〜1.0
    F/(SiO+GeO)=0.1〜3.0
    O/(SiO+GeO)=1〜50
  9. i)SiO源、ii)所望によるGeO源、iii)所望による1種若しくは数種の4価元素(Si及びGeを除く)Z(好ましくはTi若しくはSn)源、iv)少なくとも1種の有機化合物R源(好ましくは4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムカチオン又は該カチオンとテトラメチルアンモニウムカチオン若しくはエチレングリコールとの混合物)、v)フッ化物源、及びvi)水を含有する反応混合物を80〜200℃(好ましくは100〜200℃)の温度において、結晶化が達成されるまで加熱することを含む請求項5から7いずれかに記載の微孔質の結晶性物質の製造方法であって、該反応混合物がモル比で表される下記の組成を有することを特徴とする該製造方法:
    R/(SiO+GeO)=0.05〜1.0
    ZO/(SiO+GeO)=0〜1.0
    GeO/(SiO+GeO)=0〜1.0
    F/(SiO+GeO)=0.1〜3.0
    O/(SiO+GeO)=1〜50
  10. 4−メチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ピリド[3,2,1−ij]キノリニウムカチオン及びテトラメチルアンモニウムカチオンを水酸化物若しくは塩(好ましくはハロゲン化物)又はこれらの混合物として添加する請求項8又は9記載の方法。
  11. 添加する無機酸化物の全重量に基づいて20重量%までの請求項1記載の結晶性物質を結晶化促進剤として反応混合物へ添加する請求項8,9又は10記載の方法。
  12. 触媒の存在下での有機化合物によって形成される供給物の変換方法であって、該触媒が、請求項1から8いずれかに記載の触媒活性形態の結晶性物質である該転化方法。
  13. 吸着剤の存在下でのガスの分離方法であって、該吸着剤が請求項1から8いずれかに記載の活性形態の結晶性物質である該分離方法。
  14. 請求項1から8いずれかに記載の活性形態の結晶性物質をガス及び蒸気の吸着剤として使用する方法。
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