JP2007515810A - エッジホイール乾燥マニホールド - Google Patents

エッジホイール乾燥マニホールド Download PDF

Info

Publication number
JP2007515810A
JP2007515810A JP2006547249A JP2006547249A JP2007515810A JP 2007515810 A JP2007515810 A JP 2007515810A JP 2006547249 A JP2006547249 A JP 2006547249A JP 2006547249 A JP2006547249 A JP 2006547249A JP 2007515810 A JP2007515810 A JP 2007515810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge
edge wheel
substrate
wheel
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006547249A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4928950B2 (ja
Inventor
デイビス・グレン・ダブリュー.
ウッズ・カール
パークス・ジョン
レデカー・フレッド・シー.
ラヴキン・マイク
オーボック・マイケル・エル.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2007515810A publication Critical patent/JP2007515810A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4928950B2 publication Critical patent/JP4928950B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Washing And Drying Of Tableware (AREA)
  • Molds, Cores, And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

【課題】基板の外縁部付近に捕捉された流体が再堆積することを防止する。
【解決手段】基板10を乾燥する装置は、エッジホイール102に隣接して配置された吸引マニホールド120を備える。エッジホイールは基板の外縁部を受け止めるエッジホイールの溝104を備え、エッジホイールは基板を所望の速度で回転させることができる。吸引マニホールドは、内部に一つ以上の吸引ポート128を有する近接端部126を備える。近接端部は少なくとも部分的にエッジホイールの溝の中に配置され、供給された吸引力でエッジホイールの溝に蓄積する流体を除去する。
【選択図】図5

Description

本発明は、基板の洗浄および乾燥に関し、特に、半導体ウエハ、ハードディスク、液晶表示装置(LCD)、フラットディスプレイパネル(FDP)等の製造工程において、基板の表面に流体が堆積、蓄積することを防止するための技術、システム、および装置に関する。
半導体装置、液晶表示装置、磁気ディスク、フラットディスプレイパネル等の製造工程においては、製造の各段階で基板を湿式洗浄する必要がある。例として、集積回路装置は通常、積層構造の形で製造される。基板の段階では、拡散領域を有するトランジスタ装置がシリコン基板上および基板内に形成される。その後の段階では、金属配線がパターン化され、電気的にトランジスタ装置に接続され、所望の機能を持った装置が形成される。周知のとおり、パターン形成された導電層は二酸化シリコン等の誘電体材料によって他の導電層から絶縁される。金属膜形成の各段階では、金属や関連する誘電体材料を平坦化する必要がある。一部の用途では、金属配線パターンは誘電体によって定義され、過剰に堆積した金属配線を除去するために化学機械研磨(CMP)操作が行われる。
それぞれの化学機械研磨運用後、通常は基板の湿式乾燥が行われる。湿式洗浄は製造工程で生ずる付着物を洗い流し、不純物を除去し、次の製造工程に進むために不可欠な程度の清浄度を維持し達成するために行われる。トランジスタ装置の構造が小型化し複雑化するに従い、全ての工程で構造定義を達成し維持するために必要な精度については、厳格な清浄度の水準の維持が要求される。湿式洗浄が不十分または無効であったり、あるいは湿式洗浄後の乾燥が不充分または無効である場合は、製造中の装置の品位を決めることになりうる処理環境に、許容できない残留物や不純物が取り込まれることになる。
湿式洗浄後およびその他の基板乾燥として、数種類の乾燥処理や技術が採用されており、それにはスピン乾燥や複数のスピン乾燥の変種、構造、技術等の工程が含まれている。典型的なスピン乾燥処理では、表面張力低下乾燥剤が入っているか否かに関わりなく液体リンスや洗浄剤が塗布され、基板を回転させて遠心力を用いることにより基板の表面から除去して基板が乾燥される。
図1は、スピン乾燥技術を用いた基板10の表面からの流体除去を表している。通常水平に配向される基板10はスピン乾燥を必要とする表面と裏面を有し、一つ以上の固定エッジホイール12と一つの安定エッジホイール14とが含まれるスピン乾燥あるいはスピン洗浄乾燥(SRD)装置に設置される。基板10が矢印16方向に回転すると、リンス乾燥剤、液体、その他の流体は遠心力によって液流方向矢印18に示されたように基板10の表面を流れていく。
スピン乾燥やマランゴニ・スピン乾燥といった乾燥技術は、一般的に基板の乾燥にとって効果的だが、この有効性に対する顕著な例外が基板のエッジに存在する。流体が基板10の表面から流れる18に際し、流体の一部が固定エッジホイール12や安定エッジホイール14に捕捉され、回転する基板10のエッジに沿って再堆積する。
現在および開発中の基板製造工程における厳格な要請があるため、完全で有効な乾燥が強く望まれるが、現在の装置と技術ではあまり達成されていない。必要とされるのは、完全で効果的に基板のエッジを乾燥させ、基板のエッジに蓄積し再堆積する流体を除去するシステム、技術、装置である。
おおまかには、本発明は基板を乾燥する装置を提供することにより種々の要求を満たすことであり、これにはスピン洗浄乾燥(SRD)システムにおいて流体をエッジホイールの溝から除去することを含む。本発明は装置、システム、方法を含む様々な形で実施することができる。以下本発明におけるいくつかの実施形態を説明する。
一実施形態では、装置が提供される。この装置には、側壁を成す溝を備えるエッジホイールと近接端部を備える吸引マニホールドが含まれる。吸引マニホールドの近接端部は、エッジホイールの溝に隣接して設置することができ、エッジホイールから流体を除去することを可能とする。
他の実施形態では、装置が提供される。この装置には、側壁を成すエッジホイールの溝を備えるエッジホイールと近接端部を備える吸引マニホールドが含まれる。吸引マニホールドの近接端部は、エッジホイールの溝に隣接して設置することができ、エッジホイールと流体連通することができる。
別の実施形態では、基板のエッジを保持する方法が提供される。この方法には、少なくとも一つの溝付きホイールにより基板のエッジを受け入れることと、基板のエッジを保持する際に前記少なくとも一つの溝付きホイールからの流体を吸引することとが含まれる。
本発明の従来の技術に優る利点は多々ある。発明の一つの顕著な利点は、スピン乾燥の際に基板の外周付近に流体が再堆積することを防止する点にある。スピン洗浄乾燥(SRD)装置は基板の乾燥と基板表面上の残留物となりうるものの除去には極めて有効であり、あるいは有効となりうるが、乾燥工程で基板の表面から流体が排される際にエッジホイールに流体が捕捉されるため、エッジホイールに配置された基板の外周付近に流体微粒子やその残留物が継続的に再堆積してしまう。本発明の実施形態は、エッジホイールの溝に捕捉される流体の除去を提供する。
他の利点は、本発明の実施形態は、現存するシステムや装置および開発中のシステムや装置に容易に実装できる点である。構成部品は容易に低コストで製造され、廃棄物を減らし製造の精密性を向上させるという大きな利益を生み出す。
本発明のその他の利点は、発明の原理を例示する添付図面を参照しつつ以下の詳細な説明から明らかとなろう。
本明細書に取り込まれ且つその一部を構成する添付図面は、発明の例示的な実施形態を示し、図面の説明と併せて本発明の原理を説明する。
基板処理に関する発明を説明する。最良の形態では、エッジホイール乾燥マニホールドが基板乾燥装置においてエッジホイールに構成され、エッジホイールの溝から流体を排出し、基板の外縁部に流体が再堆積することを防止する。以下の説明では、本発明の深い理解を図るため、多々の具体的な詳細が記述される。しかし当業者が、具体的な詳細の一部または全てを用いずに本発明を実施することもあり得ることである。また、本発明を不必要に不明瞭にしないため、周知の処理工程については詳述しない。
周知のように、基板乾燥の一方法としてスピン乾燥あるいはスピン洗浄乾燥(SRD)装置(以下まとめてSRD装置と呼ぶ)がある。図1を参照して上述したように、SRD装置は遠心力を利用して基板の表面と裏面に流体を広げる。図2は、流体が捕捉され基板10の外縁部に沿って再堆積する様子を示している。図2は、基板10の外縁部を受けるエッジホイールの溝104である側壁102aを備えるエッジホイール102を示す。エッジホイール102は、固定エッジホイール、安定エッジホイール、あるいは基板処理において通常実装され得るあらゆる種類のホイールであってもよい。一般的にエッジホイール102は、基板10の配置、支持、回転等を行う。洗浄、乾燥処理等の基板処理工程は、基板10の回転を伴い、通常基板の回転はエッジホイールを回転させることにより行われる。基板10の外縁部は、エッジホイールの回転が遠心力を基板10の外縁部に伝えるようにエッジホイールの溝104に受け入れられる。基板が回転するに従い、遠心力が流体を基板10の表面および裏面に広げ、最終的に基板10の外周付近から流体を押し出す。
洗浄剤、リンス剤、脱イオン水、その他基板処理に適する化学物質等の液体や流体が基板10の表面と裏面を広がるに従い、これらの流体がエッジホイールの溝104に溜まることがある。図2に示した捕捉された流体106は、側壁102aに沿ってエッジホイールの溝104の頂点へと流れ出し、基板10の外周の上下に流れる。基板10がエッジホイール102により回転されるに従い、捕捉された流体106が基板10の外周付近の表面と裏面に再堆積することがある。
図3は、基板の外周付近に捕捉された流体106(図2参照)の微粒子108の再堆積を示す。図3では、流体の微粒子108が基板10外周の固定エッジホイール12と安定エッジホイール14との隣に例として示されているが、流体の微粒子108は基板10の外周付近のどこにでも堆積し得るものであることが理解されなければならない。このような流体の微粒子108は、基板10の望ましくない不完全な乾燥を象徴するものである。
図4は、本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールド120を示す。エッジホイール乾燥マニホールド120は、取付端部124と、近接端部126とを備えるマニホールド本体122で構成される。近接端部126は一つまたは複数のポート128を有する。実施形態では、ポートは吸引ポートであり、図に示された形態では、上位吸引ポート128aと、中央吸引ポート128bと、下位吸引ポート128cとを備える。エッジホイール乾燥マニホールド120が実装された処理装置や処理要件等における他の実施形態では、上位吸引ポート128a、中央吸引ポート128b、下位吸引ポート128cで示されている場所の一つ以上と同じ領域に対応する位置に一つ以上のポートが設置されている。実施形態では、ポート128は中央部あるいはマニホールド本体122の中で上部に突き抜ける形で配置され、取付端部124に示されたポート穴栓132をもたらす。
図示された形態においては、図1で示された安定ホイール14等の安定ホイールを取り付け配置するために使用される安定アーム(図示されていない)等のアームに取付端部124が接続される。図4に示された実施形態においては、エッジホイール乾燥マニホールド120を安定アームに取り付けるために取付穴130が設けられているが、下記で示し説明するように、好適な実装やSRD装置等においては、エッジホイール乾燥マニホールド120は様々な形状で構成される。
発明の実施形態においては、エッジホイール乾燥マニホールド120はプラスチック(PET、PEEK等)で構成され、あるいはその他の、加工が容易で入手が容易であり、比較的低価格で入手でき、清潔な環境下(クリーンルーム環境)で使用するのに適するとともに、半導体ウエハその他の基板の表面を洗浄することが必要となり得る複数の化学物質に対する耐食性を有する材料で構成される。
発明の実施形態においては、近接端部126は一つまたは複数のポート128を有し、エッジホイールの溝104に近接し、少なくとも部分的にエッジホイールの溝104の中に配置されるように形成されている(図2参照)。図2で見られるように、エッジホイールの溝104は側壁102aによって形成される。本発明の実施形態においては、近接端部126は側壁102aと配向するように成形され、実質的にエッジホイールの溝104の形に適合するようになっており、少なくとも部分的にエッジホイールの溝104に入るように配置することを可能とする。
図5は、本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールド120の断面図である。図示された実施形態では、エッジホイール乾燥マニホールド120はエッジホイール102に隣接して設置されており、少なくとも部分的にエッジホイールの溝104に入るように設置されている。近接端部126は、側壁102aの表面に実質的に適合するように成形されている。近接端部126の逆側には基板10がエッジホイールの溝104内に配置されている様子が示されており、実質的に基板乾燥装置の稼動状態が示されている。処理工程中、近接端部126とエッジホイールの溝104であるエッジホイール側壁102との間に動作間隔146が維持される。発明の実施形態では、エッジホイール乾燥マニホールド120は、継続的で望ましい動作間隔146を設立し維持するために完全に調整可能である。動作間隔146とエッジホイール乾燥マニホールド120の調整に関するさらなる詳細は、下記に図6および図7を参照しつつ提供する。
図5に表された実施形態では、上位吸引ポート128aと、中央吸引ポート128bと、下位吸引ポート128cとを含む三つの吸引ポート128の位置が示されている。それぞれの吸引ポート128の位置には、一つまたは複数の吸引ポート128が備えられ得る。他の実施形態では、一つまたは複数の吸引ポート128の位置(上位、中央、下位)が排除される場合があり、中央吸引ポート128bの位置または下位吸引ポート128cの位置のみの吸引ポート128、あるいは中央吸引ポート128bの位置および下位吸引ポート128cの位置のみの吸引ポート128が備えられる。上位吸引ポート128aと、中央吸引ポート128bと、下位吸引ポート128cとを有する図で示された実施形態では、角度θが吸引ポート128の配置を決する。一実施形態では、中央吸引ポート128bは近接端部126の頂点において0度で定められている。上位吸引ポート128aと下位吸引ポート128cとが備えられている場合は0度である中央吸引ポート128bに対する角度で、中央吸引ポート128bが備えられていない場合には近接端部126の頂点に対する角度で定められる。一実施形態では角度θは約10度から約60度の範囲となり、一実施形態では角度θは約45度である。
発明の実施形態では、マニホールド本体122の中央または中心に配管を設置することにより吸引ポート128に吸引力が備えられる。図で示された実施形態では、吸引穴129がマニホールド本体122の中央部あるいは中心を通り、最終的に吸引ポート128a、128b、128cへと枝分かれする。吸引穴129は、マニホールド本体をドリルして中央線を彫る方法や、近接端部126を横切ってドリルしてマニホールド線を彫る方法や、近接端部126を通して中央線やマニホールド線へと適切に吸引ポート128に穴を開ける方法といった、周知の製造方法や技術を用いて建設することが可能である。一実施形態においては、必要に応じて吸引穴へのアクセスを封印するために吸引穴栓(例えば、図4のポート穴栓132)が提供される。
本発明における実施形態では、流体の除去に加え、流体の運搬(示されていない)を行うために、マニホールド本体122中央部あるいは中心に穴が開けられている。周知の製造方法や技術によると、マニホールド本体122内に二つ以上の線(示されていない)が設置され、流体の除去や、空気、蒸気、ガス等の除去や排出するための吸引力に加え、流体、空気、蒸気、ガスの運搬を可能とする。
図6は、本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールド120の断面図である。図6は、取付端部124と近接端部126とを備えるマニホールド本体122を有するエッジホイール乾燥マニホールド120を示している。エッジホイール乾燥マニホールド120はエッジホイール102に隣接し作動状態で示されており、近接端部126は少なくとも部分的にエッジホイールの溝104に入っていて、エッジホイールの溝104である側壁102aに隣接する。図示された実施形態では、中央吸引ポート128bと下位吸引ポート128cが備えられ、吸引供給源(示されていない)に接続された吸引金具134に吸引穴129を介して接続される。
図示された実施形態では、エッジホイール乾燥マニホールド120は安定アーム140に取り付けられており、安定アームもエッジホイール102の取付と実装を提供する。コネクタ136としては、ネジ、ボルト、スタッド、掛止ピン、その他機械部品をしっかりと取り付けられる既知の方法が可能であり、取付端部124においてエッジホイール乾燥マニホールド120を安定アーム140に取り付ける。一実施形態では、コネクタ136は、取付穴130においてエッジホイール乾燥マニホールド120を安定アーム140に取り付けている(図4参照)。理解されるべきことは、図6ではエッジホイール乾燥マニホールド120は安定エッジホイール102に構成されているが、エッジホイール乾燥マニホールド120はあらゆる種類のエッジホイール102に構成されるように作られていることである。固定または安定として識別しているエッジホイール102は例示のものであり、限定的で排他的なものと解されてはならない。
本発明の実施形態においては、基板10の正確な位置を維持するためにエッジホイール102は調整可能となっている。例として、基板10は典型的な水平配向で示されているが、望ましい配置や配向を維持し、基板の位置を安定化し回転を可能とするために、方向矢印142で示されているようにエッジホイール102が垂直方向に上下に調整される必要がある場合があるということが理解されなければならない。発明の実施形態では、コネクタ136と取付穴130が(図4参照)、近接端部126とエッジホイールの溝104との適切な配列を維持するために、エッジホイール乾燥マニホールド120の調和的な垂直調整(方向矢印142で表されたような縦方向、上下の調整)を可能としている。さらに一実施形態では、安定アーム140に取付穴(示されていない)が開けられ、方向矢印148で表されたような横方向あるいは水平方向の調整が可能となっている。エッジホイール乾燥マニホールド120調整に関するさらなる詳細は以下図7を参照しつつ提供する。
図7は、本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールドの断面図である。図7に表された実施形態は、取付端部124と近接端部126とを有するマニホールド本体122を備える。近接端部126はエッジホイール102と隣接し、エッジホイール側壁102aであるエッジホイールの溝104の中に少なくとも部分的に位置する。図示された実施形態は、吸引供給源との接続をもたらす吸引金具134に吸引穴129によって接続された一つの中央吸引ポート128bを備える。
図6を参照して説明したように、通常エッジホイール102は少なくとも方向矢印142で示されたような垂直方向に調整可能であり、基板10の望ましい配置を達成および維持し(図6参照)、基板10の高速回転を可能とする。それに従うように、エッジホイール乾燥マニホールド120の一実施形態は、少なくとも方向矢印142で示されたような垂直方向に調整可能であり、エッジホイールの溝104に関連付けられた近接端部126の適切な配置を達成し維持する。図示された実施形態では、エッジホイール102は、軸144によって安定アーム140に調整可能に接続されている。同じように、一実施形態では、軸144は方向矢印142で示されたような垂直方向へのエッジホイール乾燥マニホールド120の調整を可能とする。ガイドピン146が配置を維持するために、取付端部124から安定アーム140の中へと引き延ばされ、捩じりその他マニホールド本体122に加わる力によってエッジホイール乾燥マニホールド120の位置がずれることを防止する。
図7で表された実施形態では、一つの吸引ポートの場所、すなわち中央吸引ポート128bが備えられている。上述したように、吸引ポートは、水やその他の流体、または蒸気、ガス等をエッジホイールの溝104から排出するために、近接端部126のどこにでも適切な場所に構成することができる。それぞれの場所には(上位128a、中央128b、下位128c、図4参照)、一つまたは複数の吸引ポートが備えられる。吸引金具134から吸引力が供給されると、エッジホイールの溝104からあらゆる水(または蒸気、ガスその他の流体)が吸引ポート128を通して排除される。その他の実施形態では(示されていない)、エッジホイール102や基板10のエッジ等(図5参照)をリンスし洗浄するために、流体、ガス、蒸気等を適切に導くべく、マニホールド本体122を通して追加的な配管が備えられる。本発明の実施形態では、ポート128の数と場所、およびそのようなポートが流体、ガス、蒸気を排出しまたは供給するか否かは、乾燥あるいは洗浄乾燥に用いられる装置としてのエッジホイール乾燥マニホールド120の実装と対応している。
上述したように、本発明の実施形態は、方向矢印142で示された垂直方向に調整可能である。さらに、エッジホイール乾燥マニホールド120の実施形態は、方向矢印148で示されたように水平方向または横方向に調整可能である。近接端部126とエッジホイールの溝104であるエッジホイールの側壁102aとの間の所望の動作間隔146を維持するために、横方向配置(示されていない)の調整が一実施形態で行われる。一実施形態では、動作間隔146が、エッジホイール乾燥マニホールド120とエッジホイール102の表面が直接接触しないようにしており、これにより約0.015インチの動作間隔146が維持されている。他の実施形態では、動作間隔は約0.002インチから0.060インチの範囲である。
図8は、本発明の他の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールド120を示す。エッジホイール乾燥マニホールド120は、複数の洗浄乾燥装置での実装が意図されており、エッジホイールの種類や構成も様々である。図8で表された実施形態では、エッジホイール乾燥マニホールド120は近接端部126と中央吸引ポート128bとを有するマニホールド本体122を備える。図8はさらに、エッジホイール乾燥マニホールド120の実施形態が、具体的な実装やSDR装置等に従って様々な形で配向され得ることを示している。図示された実施形態では、例として、所望の動作間隔146等を達成するための調整機能を有する固定エッジホイール(示されていない)を備えたエッジホイール乾燥マニホールド120を実装することも可能である(図7参照)。
図9は、基板処理システムに実装された本発明の実施形態を示す。図9は本発明の実施形態にかかる、近接ヘッド基板処理システム150に実装されたエッジホイール乾燥マニホールド120を示している。基板10は、近接ヘッド基板処理システム150に水平配向で配置されている。基板10はエッジホイール102に配置され、それぞれのエッジホイールはエッジホイール乾燥マニホールド120とともに構成される。近接ヘッド152aと152bは、基板10の表面と裏面を挟む形で表されている。
本発明にかかる実施形態では、基板10は近接ヘッド基板処理システム150によって回転され処理される。近接ヘッド基板処理システム150は洗浄、リンス、乾燥工具として特に有効であるが、基板が近接ヘッドシステムに挿入される際は通常濡れている。したがって、基板が回転されるときは、近接ヘッド152aと152bとがどのような配置あるいは処理状態にあろうと、基板上に存する流体は基板10の表面から振り払われる。流体がエッジホイールの溝104に溜まって留まり、除去されない場合は基板10の外周付近に再堆積することになる。図9に示された実施形態では、エッジホイール乾燥マニホールド120は少なくとも一つの中央吸引ポート128bと少なくとも一つの下位吸引ポート128cとを備える。中央吸引ポート128bと下位吸引ポート128cは、吸引穴129によって吸引源に接続されている。近接ヘッド基板処理システム150の優れた有効性は本発明の実施形態を実装することにより維持し高められ、流体が基板10に溜まって再堆積しないことを確実なものにする。
図10は、本発明の実施形態にかかる基板乾燥方法の工程を示すフローチャートである。この方法は工程202により始まり、まず基板が乾燥のために受け止められる。一例では、基板は半導体ウエハであり、複数の構造が形成され製造工程にある。この構造は、集積回路、メモリセル等の通常半導体ウエハ上またはウエハ内に製造されるいかなる種類のものでもよい。基板のその他の例は、ハードディスク、液晶表示装置、フラットディスプレイパネル等である。通常、乾燥のために受け止められた基板は湿式洗浄後のものであるため濡れており、基板は基板乾燥を含んだ工程を行うために受け止められるが、その工程には基板乾燥に加え洗浄あるいはリンスを含む場合がある。基板は通常水平配向で受け止められるが、受け止める装置の構成次第では基板は水平であったり垂直であったり、あるいは対応する工具の構成によりその他の配向であったりする。
この方法は工程204に続き、基板が配置されエッジホイールにより固定される。典型的な実装では、基板はSRD装置により受け止められる。SRD装置は図9に表した近接洗浄乾燥装置などの様々な種類や構造のものであり得る。現存するSRD装置や現在開発中のSRD装置は基板をエッジホイールにより配置および固定し、このエッジホイールも洗浄、リンス、乾燥中に基板を適切な速度で回転させるために使われる。したがって基板はエッジホイールにより受け止められて配置され、このエッジホイールはエッジホイール本体の側壁であるエッジホイールの溝を有し、このエッジホイールの溝に基板の外縁部が挿入される。
次は工程206であり、基板が回転される。上述したように、エッジホイールは回転あるいはスピンされ、回転が基板エッジに伝わり、基板が所望の速度で回転される。所望の速度は工具により設定することができ、設定された速度で維持され、処理工程の必要に応じて所望のとおりに変更することができる。回転速度は遠心力を生み、基板の乾燥に利用される。
この方法は工程208へと続き、流体がエッジホイールの溝から吸引される。上述したように、遠心力その他の力が流体を基板の表面と裏面へ広げ、流体は基板の外縁部から放出される。放出された流体はエッジホイールの溝に溜まり捕捉されることがあり、基板の外周付近に流体の微粒子として再堆積することがある。本発明の実施形態は、エッジホイールの溝に蓄積あるいは捕捉された流体を吸引あるいは排出するために実装され、さらなる蓄積や流体の基板への再堆積を防止する。
この方法の最後は工程210であり、基板の洗浄、リンス、乾燥の継続を示している。発明の実施形態では、エッジホイール乾燥マニホールドはエッジホイールの溝からの流体の吸引あるいは排出を続け、基板が回転され装置で処理されている限り、エッジホイールの溝を乾燥した状態に維持する。他の実施形態では、処理工程における必要性や目標に応じて、設定されたスケジュールや体制に従い、エッジホイールの溝の吸引が遂行され循環される。基板が処理を終え、もはやエッジホイールの乾燥が必要でなくなった場合は、この方法は終了する。
以上、理解を明確にする目的で上記の発明をある程度詳細に説明してきたが、付記した特許請求の範囲内で一定の変更や変形を為し得ることは明らかであろう。従って、本実施形態は限定的なものではなく説明的なものであると理解されるべきであり、この発明は本明細書に記載した詳細に限定されるものではなく、付記した特許請求の範囲及びそれと等価の範囲内で修正され得る。
スピン乾燥技術を用いた基板の表面からの流体の除去を示す図である。 基板の外縁部を受けるエッジホイールの溝を成す側壁を備えるエッジホイールを示す図である。 基板の外周付近に捕捉された流体の微粒子の再堆積を示す図である。 本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールドを示す図である。 本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールドの断面図である。 本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールドの断面図である。 本発明の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールドの断面図である。 本発明の他の実施形態にかかるエッジホイール乾燥マニホールドを示す図である。 基板処理システムに実装された本発明の実施形態を示す図である。 本発明の実施形態にかかる基板乾燥方法の工程を示すフローチャートである。

Claims (20)

  1. エッジホイールと吸引マニホールドとを備える装置であって、
    前記エッジホイールは、該エッジホイールの側壁によって形成された溝を有し、
    前記吸引マニホールドは、前記エッジホイールから流体を除去可能に該エッジホイールの前記溝に隣接して位置決め可能な近接端部を有する装置。
  2. 更に、前記近接端部に画定され、前記エッジホイールの前記溝に隣接して位置決めされる吸引ポートを備える請求項1記載の装置。
  3. 更に、前記近接端部に画定され、前記エッジホイールの前記溝に隣接して位置決めされる複数の吸引ポートを備える請求項1記載の装置。
  4. 更に、前記エッジホイールから流体を除去するための吸引力を提供する吸引供給源を備える請求項1記載の装置。
  5. 前記近接端部は、前記エッジホイールから流体を除去可能に該エッジホイールの前記溝の内側で、部分的に位置決め可能である請求項1記載の装置。
  6. 前記エッジホイールの前記溝は、基板の外縁端部を受け止める請求項1記載の装置。
  7. 前記エッジホイールは所望の速度で回転可能に構成され、該エッジホイールの回転は前記基板の前記外縁端部に伝達される請求項6記載の装置。
  8. エッジホイールと吸引マニホールドとを備える装置であって、
    前記エッジホイールは、該エッジホイールの側壁によって形成された溝を有し、
    前記吸引マニホールドは、前記エッジホイールとの間で流体を流通可能に該エッジホイールの前記溝に隣接して位置決め可能な近接端部を有する装置。
  9. 前記流体の連通は、前記マニホールドに画定されたポートによって促進される請求項8記載の装置。
  10. 前記流体の連通は、前記マニホールドに画定された複数のポートによって促進される請求項8記載の装置。
  11. 前記ポートは、吸引ポートを含む請求項9記載の装置。
  12. 前記流体の連通は、流体の除去および流体の導入の少なくとも一方を含む請求項8記載の装置。
  13. 前記近接端部は、前記エッジホイールの前記溝の内側で、少なくとも部分的に位置決めされる請求項8記載の装置。
  14. 前記エッジホイールの前記溝は、基板の端部を受け止めることが可能である請求項8記載の装置。
  15. 基板エッジを保持する方法であって、
    溝を有する少なくとも一つのホイールによって前記基板エッジを受け止める工程と、
    前記基板エッジを保持する際に、前記少なくとも一つのホイールの前記溝から流体を吸引する工程と
    を備える方法。
  16. 請求項15記載の方法であって、更に、
    前記溝を有する前記少なくとも一つのホイールに隣接して位置決めされる近接端部を有するエッジホイール乾燥マニホールドを、該少なくとも一つのホイールに隣接して位置決めする工程と、
    前記基板エッジを保持する際に、前記少なくとも一つのホイールの前記溝から流体を吸引するための吸引力を前記エッジホイール乾燥マニホールドに提供する工程と、
    前記ホイールを回転させ該回転を前記基板に伝達する工程と
    を備える方法。
  17. 前記エッジホイール乾燥マニホールドの前記近接端部に吸引ポートを形成した請求項16記載の方法。
  18. 前記エッジホイール乾燥マニホールドの前記近接端部に複数の吸引ポートを形成した請求項16記載の方法。
  19. 前記近接端部は、前記少なくとも一つのホイールの前記溝の内側で、少なくとも部分的に位置決めされる請求項16記載の方法。
  20. 前記少なくとも一つのホイールの前記溝の内側で少なくとも部分的に前記近接端部を位置決めする工程は、前記近接端部と前記少なくとも一つのホイールとの間に約0.015インチの動作間隔を維持する工程を含む請求項19記載の方法。
JP2006547249A 2003-12-22 2004-12-20 エッジホイール乾燥マニホールド Expired - Fee Related JP4928950B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/745,219 US7350315B2 (en) 2003-12-22 2003-12-22 Edge wheel dry manifold
US10/745,219 2003-12-22
PCT/US2004/042871 WO2005064648A1 (en) 2003-12-22 2004-12-20 Edge wheel dry manifold

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007515810A true JP2007515810A (ja) 2007-06-14
JP4928950B2 JP4928950B2 (ja) 2012-05-09

Family

ID=34679094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006547249A Expired - Fee Related JP4928950B2 (ja) 2003-12-22 2004-12-20 エッジホイール乾燥マニホールド

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7350315B2 (ja)
EP (1) EP1697969B1 (ja)
JP (1) JP4928950B2 (ja)
KR (1) KR101121934B1 (ja)
CN (1) CN100444309C (ja)
AT (1) ATE447238T1 (ja)
DE (1) DE602004023878D1 (ja)
IL (1) IL176467A (ja)
MY (1) MY144397A (ja)
TW (1) TWI305928B (ja)
WO (1) WO2005064648A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
DE10302611B4 (de) * 2003-01-23 2011-07-07 Siltronic AG, 81737 Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild
US7578886B2 (en) * 2003-08-07 2009-08-25 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
US7350315B2 (en) 2003-12-22 2008-04-01 Lam Research Corporation Edge wheel dry manifold
US20060000494A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Lam Research Corporation Self-draining edge wheel system and method
US7089687B2 (en) * 2004-09-30 2006-08-15 Lam Research Corporation Wafer edge wheel with drying function
US8211242B2 (en) * 2005-02-07 2012-07-03 Ebara Corporation Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program
US8127395B2 (en) * 2006-05-05 2012-03-06 Lam Research Corporation Apparatus for isolated bevel edge clean and method for using the same
JP4976949B2 (ja) * 2007-07-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20090217953A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Hui Chen Drive roller for a cleaning system
WO2011017060A2 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Dual temperature heater

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62128142A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Canon Inc 薄板状物体の回転装置
JPH09270412A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Canon Inc 洗浄装置及び洗浄方法
JP2000100768A (ja) * 1998-09-28 2000-04-07 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置
JP2002124508A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Nec Corp 基板用スピン処理装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4838289A (en) 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4921093A (en) * 1988-05-09 1990-05-01 Sequa Corporation Infeed means for high speed continuous motion can decorator
IT1226303B (it) 1988-07-26 1990-12-27 Montedipe Spa Processo ed apparato per la devolatilizzazione di soluzioni di polimeri.
JPH02130922A (ja) 1988-11-11 1990-05-18 Toshiba Corp 半導体基板エッチング装置
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
US5620525A (en) 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5088441A (en) * 1990-08-23 1992-02-18 Belport Co., Inc. Cord impregnator
US5705223A (en) 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
FR2733036B1 (fr) 1995-04-14 1997-07-04 Unir Dispositif de protection anti-contamination rapprochee
US5660642A (en) 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
KR0175278B1 (ko) * 1996-02-13 1999-04-01 김광호 웨이퍼 세정장치
DE19622015A1 (de) 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
US5724748A (en) 1996-07-24 1998-03-10 Brooks; Ray G. Apparatus for packaging contaminant-sensitive articles and resulting package
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
US5868857A (en) 1996-12-30 1999-02-09 Intel Corporation Rotating belt wafer edge cleaning apparatus
US5967882A (en) 1997-03-06 1999-10-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens
JP3549141B2 (ja) 1997-04-21 2004-08-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板保持装置
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6398975B1 (en) 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
ATE287126T1 (de) 1997-09-24 2005-01-15 Imec Inter Uni Micro Electr Verfahren zum entfernen einer flüssigkeit von einer oberfläche einer substrat
US6102777A (en) 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
JP3515521B2 (ja) * 1998-04-16 2004-04-05 セミトゥール・インコーポレイテッド 半導体ウェーハなどのワークピースの処理方法および処理装置
US20020121290A1 (en) 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6622334B1 (en) 2000-03-29 2003-09-23 International Business Machines Corporation Wafer edge cleaning utilizing polish pad material
US7000622B2 (en) 2002-09-30 2006-02-21 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
US6550091B1 (en) * 2000-10-04 2003-04-22 Lam Research Corporation Double-sided wafer edge scrubbing apparatus and method for using the same
DE50004935D1 (de) 2000-10-31 2004-02-05 Sez Ag Villach Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
WO2002101799A2 (en) 2001-06-12 2002-12-19 Verteq, Inc. Stackable process chambers
DE60218708D1 (de) 2001-09-24 2007-04-19 Cosmetic Technologies Llc Vorrichtung und verfahren zum individuellen zusammenstellen von kosmetika
US7350315B2 (en) 2003-12-22 2008-04-01 Lam Research Corporation Edge wheel dry manifold
US20060000494A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Lam Research Corporation Self-draining edge wheel system and method
US7089687B2 (en) 2004-09-30 2006-08-15 Lam Research Corporation Wafer edge wheel with drying function

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62128142A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Canon Inc 薄板状物体の回転装置
JPH09270412A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Canon Inc 洗浄装置及び洗浄方法
JP2000100768A (ja) * 1998-09-28 2000-04-07 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置
JP2002124508A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Nec Corp 基板用スピン処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060123379A (ko) 2006-12-01
US20050132953A1 (en) 2005-06-23
MY144397A (en) 2011-09-15
TWI305928B (en) 2009-02-01
JP4928950B2 (ja) 2012-05-09
TW200539237A (en) 2005-12-01
ATE447238T1 (de) 2009-11-15
IL176467A0 (en) 2006-10-05
CN1898773A (zh) 2007-01-17
CN100444309C (zh) 2008-12-17
WO2005064648A1 (en) 2005-07-14
DE602004023878D1 (de) 2009-12-10
EP1697969B1 (en) 2009-10-28
US7350315B2 (en) 2008-04-01
IL176467A (en) 2011-06-30
KR101121934B1 (ko) 2012-03-09
EP1697969A1 (en) 2006-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101121934B1 (ko) 에지 휠 건조 매니폴드
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
US6357457B1 (en) Substrate cleaning apparatus and method
JP4621055B2 (ja) 基板とメニスカスとの境界面およびその取り扱い方法
US7000623B2 (en) Apparatus and method for substrate preparation implementing a surface tension reducing process
KR101019445B1 (ko) 액 처리 장치
US20090151753A1 (en) Methods for transitioning a fluid meniscus to and from surfaces of a substrate
JP6425810B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20050139318A1 (en) Proximity meniscus manifold
US11217451B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2006148069A (ja) 基板を処理するための装置および方法
TW200814178A (en) Liquid treatment device and liquid treatment method
US20080223412A1 (en) Substrate support member and apparatus and method for treating substrate with the same
JP6836912B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2016157802A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
KR20040053118A (ko) 기판처리장치
JP2008288447A (ja) 基板処理装置
US10649334B2 (en) Liquid processing apparatus
JP2009064795A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2020241077A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記憶媒体
TW202133250A (zh) 基板處理裝置
JP7124946B2 (ja) 液処理方法
KR20140025651A (ko) 기판 처리 장치
US9620392B2 (en) Single type apparatus for drying a substrate and single type system for cleaning a substrate including the same
KR101940744B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100302

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100531

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110118

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110415

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110422

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110704

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120117

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120213

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees