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JP2008099010A Pending JP2008218422A (ja) 2003-09-05 2008-04-07 粒子光学装置及び荷電粒子ビーム操作方法
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Families Citing this family (230)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2579272A1 (en) 2003-09-05 2013-04-10 Carl Zeiss SMT GmbH Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
EP1619495A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and Apparatus for inspecting a specimen surface and use of fluorescent materials
GB0425290D0 (en) * 2004-11-17 2004-12-15 Eastham Derek A Focussing masks
US7468507B2 (en) 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Optical spot grid array scanning system
US7468506B2 (en) 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Spot grid array scanning system
EP1851784B8 (en) 2005-02-11 2016-10-19 IMS Nanofabrication AG Charged-particle exposure apparatus with electrostatic zone plate
JP2007019192A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Canon Inc 荷電ビームレンズ、及び荷電ビーム露光装置
EP1753010B1 (en) * 2005-08-09 2012-12-05 Carl Zeiss SMS GmbH Particle-optical system
JP5222142B2 (ja) 2005-09-06 2013-06-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 粒子光学部品
JP5159035B2 (ja) * 2005-10-28 2013-03-06 キヤノン株式会社 レンズアレイ及び該レンズアレイを含む荷電粒子線露光装置
JP5663722B2 (ja) 2005-11-28 2015-02-04 カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ Ｇｍｂｈ 粒子光学部品
TWI432908B (zh) * 2006-03-10 2014-04-01 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統及投射方法
CN101443877A (zh) * 2006-03-27 2009-05-27 多束系统公司 用于生成高电流密度构图带电粒子束的光学器件
JP2007287365A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Jeol Ltd 多極子レンズ及び多極子レンズの製造方法
JP4878501B2 (ja) * 2006-05-25 2012-02-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
US8400063B2 (en) 2006-07-20 2013-03-19 Aviza Technology Limited Plasma sources
US8425741B2 (en) 2006-07-20 2013-04-23 Aviza Technology Limited Ion deposition apparatus having rotatable carousel for supporting a plurality of targets
CN101490789B (zh) 2006-07-20 2011-04-13 阿维扎技术有限公司 离子源
WO2008013442A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Mapper Lithography Ip B.V. A multiple beam charged particle optical system
US8134135B2 (en) 2006-07-25 2012-03-13 Mapper Lithography Ip B.V. Multiple beam charged particle optical system
JP2008066359A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Canon Inc 荷電ビームレンズアレイ、露光装置及びデバイス製造方法
US7763851B2 (en) * 2006-12-22 2010-07-27 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam apparatus with improved wien-type filter
JP5227512B2 (ja) * 2006-12-27 2013-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置
US8421305B2 (en) * 2007-04-17 2013-04-16 The University Of Utah Research Foundation MEMS devices and systems actuated by an energy field
EP2019415B1 (en) * 2007-07-24 2016-05-11 IMS Nanofabrication AG Multi-beam source
US8642959B2 (en) * 2007-10-29 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope
NL2003304C2 (en) * 2008-08-07 2010-09-14 Ims Nanofabrication Ag Compensation of dose inhomogeneity and image distortion.
KR100946270B1 (ko) * 2008-08-12 2010-03-09 주식회사 메가젠임플란트 연조직 절단 치과용 공구
JP5484808B2 (ja) * 2008-09-19 2014-05-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画方法
CN102232237B (zh) 2008-10-01 2014-09-24 迈普尔平版印刷Ip有限公司 静电透镜构件
GB0912332D0 (en) * 2009-07-16 2009-08-26 Vg Systems Ltd Magnetic lens,method for focussing charged particles and charged particle energy analyser
US8546767B2 (en) * 2010-02-22 2013-10-01 Ims Nanofabrication Ag Pattern definition device with multiple multibeam array
EP2556527B1 (en) 2010-04-09 2017-03-22 Carl Zeiss Microscopy GmbH Charged particle detection system and multi-beamlet inspection system
JP5579266B2 (ja) * 2010-05-27 2014-08-27 三菱電機株式会社 粒子線照射システムおよび粒子線照射システムの制御方法
DE102010026169B4 (de) * 2010-07-06 2014-09-04 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahlsystem
US8791424B2 (en) * 2010-08-26 2014-07-29 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Control grid design for an electron beam generating device
CN103238202B (zh) * 2010-09-28 2016-11-09 以色列实用材料有限公司 粒子光学系统及布置，以及用于这种系统及布置的粒子光学组件
CN103154309B (zh) * 2010-10-05 2015-06-10 威科仪器有限公司 离子束分布
US8294095B2 (en) * 2010-12-14 2012-10-23 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
WO2012112894A2 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Applied Materials Israel, Ltd. Focusing a charged particle imaging system
NL2007604C2 (en) * 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
CN103597336B (zh) 2011-05-03 2016-06-08 应用材料以色列公司 多光斑收集光学器件
JP2012238770A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Canon Inc 静電レンズアレイ、描画装置、及びデバイスの製造方法
US8933425B1 (en) * 2011-11-02 2015-01-13 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for aberration correction in electron beam based system
JP5886663B2 (ja) * 2012-03-21 2016-03-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置およびレンズアレイ
JP6053919B2 (ja) * 2012-05-31 2016-12-27 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ 荷電粒子を偏向させる偏向板および偏向装置
NL2009053C2 (en) 2012-06-22 2013-12-24 Univ Delft Tech Apparatus and method for inspecting a surface of a sample.
US10413755B1 (en) 2012-08-01 2019-09-17 Velayudhan Sahadevan Device and methods for adaptive resistance inhibiting proton and carbon ion microbeams and nanobeams radiosurgery
US9001308B2 (en) * 2013-02-01 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pattern generator for a lithography system
JP6208451B2 (ja) * 2013-03-29 2017-10-04 国立大学法人東北大学 回路基板、電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および製造方法
WO2014156171A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 国立大学法人東北大学 複数の電子ビームを制御する際に確実に動作する回路基板
JP2014197652A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 国立大学法人東北大学 回路基板、電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および製造方法
DE102013006535B4 (de) * 2013-04-15 2025-11-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Raster-Partikelstrahlmikroskop mit energiefilterndem Detektorsystem
CN104345331B (zh) * 2013-07-24 2017-04-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 图像型电子自旋分析器
DE102013014976A1 (de) 2013-09-09 2015-03-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptisches System
DE102013016113B4 (de) 2013-09-26 2018-11-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Detektieren von Elektronen, Elektronendetektor und Inspektionssystem
US9263233B2 (en) 2013-09-29 2016-02-16 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
WO2015043769A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method of operating the same
DE102014008105B4 (de) 2014-05-30 2021-11-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Mehrstrahl-Teilchenmikroskop
DE102014008083B9 (de) 2014-05-30 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102014008383B9 (de) 2014-06-06 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik
NL2013411B1 (en) * 2014-09-04 2016-09-27 Univ Delft Tech Multi electron beam inspection apparatus.
DE102015202172B4 (de) * 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
US9691588B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
WO2016145458A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US10236156B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9607805B2 (en) 2015-05-12 2017-03-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
KR102441581B1 (ko) 2015-06-03 2022-09-07 삼성전자주식회사 표면 검사 방법 및 이를 이용한 포토 마스크의 검사 방법
US9922799B2 (en) * 2015-07-21 2018-03-20 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
KR102007497B1 (ko) 2015-07-22 2019-08-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전 입자 빔을 이용하는 장치
US10192716B2 (en) * 2015-09-21 2019-01-29 Kla-Tencor Corporation Multi-beam dark field imaging
US10460905B2 (en) 2015-09-23 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Backscattered electrons (BSE) imaging using multi-beam tools
JP6132448B2 (ja) * 2015-11-26 2017-05-24 京楽産業．株式会社 遊技機
KR102068206B1 (ko) 2015-11-30 2020-01-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전된 입자 빔의 장치
JP2017134927A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 株式会社荏原製作所 検査装置
US10062541B2 (en) * 2016-01-27 2018-08-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US11302511B2 (en) * 2016-02-04 2022-04-12 Kla Corporation Field curvature correction for multi-beam inspection systems
WO2017171796A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Intel Corporation Aperture size modulation to enhance ebeam patterning resolution
US10418324B2 (en) 2016-10-27 2019-09-17 Asml Netherlands B.V. Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
DE102016120902B4 (de) 2016-11-02 2018-08-23 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
US9922796B1 (en) * 2016-12-01 2018-03-20 Applied Materials Israel Ltd. Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device
US10453645B2 (en) * 2016-12-01 2019-10-22 Applied Materials Israel Ltd. Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device
CN114355733B (zh) * 2016-12-23 2024-03-15 Asml荷兰有限公司 使用带电粒子多小束光刻系统制造独特芯片
US10840056B2 (en) * 2017-02-03 2020-11-17 Kla Corporation Multi-column scanning electron microscopy system
US10347460B2 (en) * 2017-03-01 2019-07-09 Dongfang Jingyuan Electron Limited Patterned substrate imaging using multiple electron beams
KR102520386B1 (ko) 2017-03-20 2023-04-11 칼 짜이스 마이크로스카피 게엠베하 하전 입자 빔 시스템 및 방법
DE112017006885B4 (de) 2017-03-24 2022-07-14 Hitachi High-Tech Corporation Ladungsträgerstrahlvorrichtung und Verfahren zum Einstellen der Ladungsträgerstrahlvorrichtung
KR20250127345A (ko) 2017-04-28 2025-08-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 다수의 하전 입자 빔들을 사용하는 장치
WO2018217646A1 (en) 2017-05-22 2018-11-29 Howmedica Osteonics Corp. Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process
KR102650124B1 (ko) 2017-07-28 2024-03-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 단일-빔 또는 멀티-빔 장치에서의 빔 분리기의 분산을 보상하기 위한 시스템들 및 방법들
JP6819509B2 (ja) * 2017-08-10 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
US20190066972A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
WO2019048293A1 (en) 2017-09-07 2019-03-14 Asml Netherlands B.V. METHODS OF INSPECTING SAMPLES WITH MULTIPLE BEAMS OF CHARGED PARTICLES
WO2019063559A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Asml Netherlands B.V. DYNAMIC DETERMINATION OF A CHARGED PARTICLE BEAM INSPECTION SAMPLE INSPECTION RECIPE
WO2019063532A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Asml Netherlands B.V. METHODS OF INSPECTING SAMPLES WITH MULTIPLE BEAMS OF CHARGED PARTICLES
CN117153651A (zh) 2017-09-29 2023-12-01 Asml荷兰有限公司 样品检查中的图像对比度增强
WO2019070772A1 (en) * 2017-10-02 2019-04-11 Rayton Solar Inc. SYSTEMS AND METHODS FOR GENERATING RELATIVELY UNIFORM TRANSVERSAL RADIATION FIELDS OF CHARGED PARTICLE BEAMS
TWI691361B (zh) * 2017-10-18 2020-04-21 美商電子墨水股份有限公司 包含具薄膜電晶體及電容感測之雙基板的數位微流體裝置
KR102444288B1 (ko) 2017-11-08 2022-09-16 삼성전자주식회사 메타 렌즈를 포함하는 프로젝터
US11373321B2 (en) 2017-11-08 2022-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Projector including meta-lens
JP6966319B2 (ja) * 2017-12-22 2021-11-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
US10504683B2 (en) * 2018-02-22 2019-12-10 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Device and method for forming a plurality of charged particle beamlets
WO2019166331A2 (en) 2018-02-27 2019-09-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method
DE112018007212B4 (de) * 2018-03-29 2024-09-26 Hitachi High-Tech Corporation Ladungsträgerstrahl-Vorrichtung
JP7100152B2 (ja) 2018-05-01 2022-07-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． マルチビーム検査装置
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
EP3576128A1 (en) * 2018-05-28 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method
US11087950B2 (en) * 2018-05-29 2021-08-10 Kla-Tencor Corporation Charge control device for a system with multiple electron beams
US10770262B1 (en) * 2018-05-30 2020-09-08 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Apparatus, method and system for imaging and utilization of SEM charged particles
DE102018115012A1 (de) * 2018-06-21 2019-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
AU2019206103B2 (en) 2018-07-19 2025-06-26 Howmedica Osteonics Corp. System and process for in-process electron beam profile and location analyses
KR20210028250A (ko) 2018-08-09 2021-03-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 다수 하전-입자 빔들을 위한 장치
EP3624167A1 (en) * 2018-09-14 2020-03-18 FEI Company Multi-electron-beam imaging appartus with improved perormance
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
DE102018124219A1 (de) 2018-10-01 2020-04-02 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102018124401A1 (de) 2018-10-02 2020-04-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Aufnehmen eines Bildes mit einem Teilchenmikroskop
US10784070B2 (en) * 2018-10-19 2020-09-22 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, field curvature corrector, and methods of operating a charged particle beam device
US11145485B2 (en) * 2018-12-26 2021-10-12 Nuflare Technology, Inc. Multiple electron beams irradiation apparatus
DE102018133703B4 (de) 2018-12-29 2020-08-06 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung einer Vielzahl von Teilchenstrahlen und Vielstrahl-Teilchenstrahlsysteme
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
US10741355B1 (en) 2019-02-04 2020-08-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle system
EP3828914A1 (en) * 2019-02-27 2021-06-02 FEI Company Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets
JP7175798B2 (ja) * 2019-03-01 2022-11-21 株式会社荏原製作所 荷電粒子マルチビーム装置
TWI737117B (zh) * 2019-03-05 2021-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束照射裝置
JP7241570B2 (ja) * 2019-03-06 2023-03-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム検査方法
CN113632196B (zh) * 2019-03-27 2025-05-23 Asml荷兰有限公司 用于多射束检查装置中的次级射束的对准的系统和方法
JP7331129B2 (ja) 2019-04-06 2023-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 内蔵電圧発生器を備えたｍｅｍｓ画像形成素子
KR102662628B1 (ko) * 2019-05-28 2024-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 다중 하전 입자 빔 장치
CN113906535A (zh) * 2019-05-31 2022-01-07 Asml荷兰有限公司 多带电粒子束设备及其操作方法
DE102019004124B4 (de) * 2019-06-13 2024-03-21 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System zur azimutalen Ablenkung von Einzel-Teilchenstrahlen sowie seine Verwendung und Verfahren zur Azimut-Korrektur bei einem Teilchenstrahl-System
JP7316106B2 (ja) * 2019-06-14 2023-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー 収差補正器及びマルチ電子ビーム照射装置
JP7234052B2 (ja) 2019-06-28 2023-03-07 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム画像取得装置及びマルチ電子ビーム画像取得方法
DE102019005364B3 (de) 2019-07-31 2020-10-08 Carl Zeiss Multisem Gmbh System-Kombination eines Teilchenstrahlsystem und eines lichtoptischen Systems mit kollinearer Strahlführung sowie Verwendung der System-Kombination
DE102019005362A1 (de) 2019-07-31 2021-02-04 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
JP7008671B2 (ja) * 2019-09-13 2022-01-25 日本電子株式会社 荷電粒子線装置および分析方法
JP7360871B2 (ja) * 2019-09-24 2023-10-13 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法
WO2021071357A1 (en) * 2019-10-08 2021-04-15 Technische Universiteit Delft Device for generating a plurality of charged particle beamlets, and an inspection imaging or processing apparatus and method for using the same.
US10923313B1 (en) * 2019-10-17 2021-02-16 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device and method of operating a charged particle beam device
NL2024065B1 (en) * 2019-10-21 2021-06-22 Univ Delft Tech Multi-beam charged particle source with alignment means
DE102019218315B3 (de) 2019-11-27 2020-10-01 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Spannungskontrastbildgebung mit einem Korpuskularvielstrahlmikroskop, Korpuskularvielstrahlmikroskop für Spannungskontrastbildgebung und Halbleiterstrukturen zur Spannungskontrastbildgebung mit einem Korpuskularvielstrahlmikroskop
DE102019008249B3 (de) 2019-11-27 2020-11-19 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System mit einer Multistrahl-Ablenkeinrichtung und einem Strahlfänger, Verfahren zum Betreiben des Teilchenstrahl-Systems und zugehöriges Computerprogrammprodukt
TWI773030B (zh) * 2019-12-20 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於多射束檢測系統之多模操作
JP7503635B2 (ja) 2020-01-06 2024-06-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子評価ツール、検査方法
JP7406642B2 (ja) 2020-02-04 2023-12-27 カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー マルチビームデジタル走査及び画像取得
KR102865953B1 (ko) 2020-02-21 2025-09-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치
EP3869536A1 (en) 2020-02-21 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus
EP3869533A1 (en) 2020-02-21 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
EP4118673A1 (en) 2020-03-12 2023-01-18 Carl Zeiss MultiSEM GmbH Certain improvements of multi-beam generating and multi-beam deflecting units
JP7359050B2 (ja) * 2020-03-18 2023-10-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
DE102020107738B3 (de) * 2020-03-20 2021-01-14 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System mit einer Multipol-Linsen-Sequenz zur unabhängigen Fokussierung einer Vielzahl von Einzel-Teilchenstrahlen, seine Verwendung und zugehöriges Verfahren
CN115398592A (zh) * 2020-04-03 2022-11-25 Asml荷兰有限公司 基于带电粒子束检查中的电荷累积减少的图像增强
EP3893263A1 (en) 2020-04-06 2021-10-13 ASML Netherlands B.V. Aperture assembly, beam manipulator unit, method of manipulating charged particle beams, and charged particle projection apparatus
JP7428578B2 (ja) * 2020-04-22 2024-02-06 株式会社ホロン マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法
TWI852275B (zh) 2020-05-28 2024-08-11 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 多重射束帶電粒子顯微鏡或系統與其操作方法
DE102020115183A1 (de) * 2020-06-08 2021-12-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahlsystem mit Multiquellensystem
EP3937205A1 (en) 2020-07-06 2022-01-12 ASML Netherlands B.V. Charged-particle multi-beam column, charged-particle multi-beam column array, inspection method
DE102020121132B3 (de) 2020-08-11 2021-09-23 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems mit einem Spiegel-Betriebsmodus und zugehöriges Computerprogrammprodukt
DE102020123567B4 (de) 2020-09-09 2025-02-13 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielzahl-Teilchenstrahl-System mit Kontrast-Korrektur-Linsen-System
TW202220012A (zh) 2020-09-30 2022-05-16 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 在可調工作距離附近具快速自動對焦之多重粒子束顯微鏡及相關方法
DE102021105201B4 (de) 2021-03-04 2024-10-02 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop und zugehöriges Verfahren mit schnellem Autofokus mit speziellen Ausführungen
DE102020125534B3 (de) 2020-09-30 2021-12-02 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop und zugehöriges Verfahren mit schnellem Autofokus um einen einstellbaren Arbeitsabstand
EP4002421A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing
EP4244881A1 (en) * 2020-11-12 2023-09-20 ASML Netherlands B.V. Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing
JP2024501654A (ja) * 2020-12-23 2024-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子光学デバイス
DE102021200799B3 (de) * 2021-01-29 2022-03-31 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop
CN116888605B (zh) * 2021-04-30 2025-12-05 华为技术有限公司 神经网络模型的运算方法、训练方法及装置
EP4095881A1 (en) * 2021-05-25 2022-11-30 ASML Netherlands B.V. Charged particle device
TW202312205A (zh) 2021-05-27 2023-03-16 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 多重射束帶電粒子系統與在多重射束帶電粒子系統中控制工作距離的方法
DE102021205394B4 (de) 2021-05-27 2022-12-08 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betrieb eines Vielstrahlmikroskops mit an eine Inspektionsstelle angepassten Einstellungen
JP2024523806A (ja) 2021-06-08 2024-07-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子装置及び方法
EP4102535A1 (en) 2021-06-08 2022-12-14 ASML Netherlands B.V. Charged particle apparatus and method
WO2022262970A1 (en) 2021-06-16 2022-12-22 Carl Zeiss Multisem Gmbh Distortion optimized multi-beam scanning system
DE102021116969B3 (de) 2021-07-01 2022-09-22 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion
DE102021118561B4 (de) 2021-07-19 2023-03-30 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes mit schneller Strahlstromregelung, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102021118684B4 (de) 2021-07-20 2024-11-28 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zur Analyse von Störeinflüssen bei einem Vielstrahl-Teilchenmikroskop, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102021119008A1 (de) 2021-07-30 2023-02-02 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zur Defekterkennung in einer Halbleiterprobe bei Probenbildern mit Verzeichnung
WO2023016678A1 (en) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam generating unit with increased focusing power
DE102021124099B4 (de) 2021-09-17 2023-09-28 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops in einem Kontrast-Betriebsmodus mit defokussierter Strahlführung, Computerprogramprodukt und Vielstrahlteilchenmikroskop
US11651934B2 (en) 2021-09-30 2023-05-16 Kla Corporation Systems and methods of creating multiple electron beams
KR20240065304A (ko) 2021-10-25 2024-05-14 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 멀티빔 시스템에서 이미징 해상도의 전역적 및 국부적 최적화 방법
KR20240118101A (ko) * 2021-12-23 2024-08-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 전자-광학 디바이스, 서브 빔의 특성 변화를 보상하는 방법
KR20240136428A (ko) 2022-01-25 2024-09-13 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 미러 작동 모드를 갖는 다중 하전 입자 빔 시스템, 미러 작동 모드를 갖는 다중-빔 하전 입자 현미경 시스템을 작동시키기 위한 방법 및 관련 컴퓨터 프로그램 제품
TWI853422B (zh) * 2022-01-31 2024-08-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 多束系統以及具有降低對漂移與損壞的敏感度的多束產生單元與其操作方法
CN118648082A (zh) 2022-02-03 2024-09-13 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 决定在利用多束带电粒子显微镜成像的图像中的特征的失真校正的位置的方法、相对应的计算机程序产品以及多束带电粒子显微镜
US12423772B2 (en) * 2022-02-17 2025-09-23 Fei Company Systems and methods for hybrid enhancement of scanning electron microscope images
DE102022104535B4 (de) 2022-02-25 2024-03-21 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Reduktion von Teilchenstrahl-induzierten Spuren auf einer Probe
CN119013754A (zh) * 2022-04-12 2024-11-22 华为技术有限公司 用于减小散焦距离defocus的静电透镜
DE102022114098A1 (de) 2022-06-03 2023-12-14 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop mit verbesserter Justage und Verfahren zum Justieren des Vielstrahl-Teilchenmikroskops sowie Computerprogrammprodukt
WO2023237225A1 (en) 2022-06-10 2023-12-14 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle imaging system with improved imaging of secondary electron beamlets on a detector
DE102022114923B4 (de) 2022-06-14 2024-10-17 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop
CN119404277A (zh) 2022-06-23 2025-02-07 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 多束系统与具有减小的对二次辐射的敏感度的多束形成单元
JP2025523647A (ja) 2022-07-07 2025-07-23 カール ツァイス マルティセム ゲゼルシヤフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 像面湾曲補正用のミラーを備えるマルチビーム荷電粒子顕微鏡設計
DE102022120496B4 (de) 2022-08-12 2025-05-28 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenoptische Anordnung, insbesondere Vielstrahl-Teilchenmikroskop, mit einer Magnetanordnung zum Separieren eines primären und eines sekundären teilchenoptischen Strahlenganges
DE102022124933A1 (de) 2022-09-28 2024-03-28 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop mit verbessertem Strahlrohr
US20240128051A1 (en) 2022-10-14 2024-04-18 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle beam system with anisotropic filtering for improved image contrast
KR20250103759A (ko) 2022-11-10 2025-07-07 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 감소한 대전 효과를 갖는 멀티-빔 대전 입자 이미징 시스템
DE102022131862A1 (de) 2022-12-01 2024-06-06 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop umfassend eine Aberrationskorrektureinheit mit Geometrie-basierten Korrekturelektroden und Verfahren zum Einstellen der Aberrationskorrektur sowie Computerprogrammprodukt
WO2024125816A1 (en) 2022-12-16 2024-06-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle microscope design with detection system for fast charge compensation
WO2024153792A1 (en) 2023-01-19 2024-07-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Fast closed-loop control of multi-beam charged particle system
DE102023101774B4 (de) * 2023-01-25 2025-05-15 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Auslegen eines Vielstrahl-Teilchenstrahlsystems mit monolithischen Bahnverlaufskorrekturplatten, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
WO2024156469A1 (en) 2023-01-25 2024-08-02 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam particle microscope with improved multi-beam generator for field curvature correction and multi-beam generator
CN120693674A (zh) 2023-02-06 2025-09-23 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 具有用于快速补偿充电效应的检测单元的多束带电粒子显微镜
CN120752724A (zh) 2023-03-07 2025-10-03 卡尔蔡司Smt有限责任公司 带电粒子束成像的样品制备
KR20250156801A (ko) 2023-03-14 2025-11-03 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 스캐닝 전자 현미경의 이미징 파라미터의 모니터링
DE102023202582A1 (de) 2023-03-22 2024-09-26 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verbesserte Vielstrahl-Erzeugungseinrichtung und Methode zum Betrieb einer Vielstrahl-Erzeugungseinrichtung
DE102023107961B3 (de) 2023-03-29 2024-09-26 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop mit schnell austauschbarer Teilchenquelle und Verfahren zum schnellen Austauschen einer Teilchenquelle in dem Vielstrahl-Teilchenmikroskop
WO2024227537A1 (en) 2023-05-02 2024-11-07 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle microscope for inspection with improved image contrast
WO2024240363A1 (en) 2023-05-22 2024-11-28 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle microscope for inspection with increased throughput
DE102023116627B4 (de) 2023-06-23 2025-07-31 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielzahl-Teilchenstrahlsystem, insbesondere Vielstrahl-Teilchenmikroskop, mit einer schnellen Magnetlinse und seine Verwendung
DE102023119451B4 (de) 2023-07-24 2025-02-13 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem mit elektrostatischer Boosterlinse, Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlsystems und zugehöriges Computerprogrammprodukt
DE102023120127B4 (de) 2023-07-28 2025-03-27 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenoptische Anordnung, insbesondere Vielstrahl-Teilchenmikroskop, mit einer Magnetanordnung zum Separieren eines primären und eines sekundären teilchenoptischen Strahlenganges mit verbesserter Performance
TW202529141A (zh) 2023-09-26 2025-07-16 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 具有增強聚焦功率的多束生成單元
DE102023126251B4 (de) 2023-09-27 2025-04-10 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems, Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem mit gesteigerter Performance
DE102023126510B3 (de) 2023-09-28 2025-02-13 Carl Zeiss Multisem Gmbh Monolithische Multi-Aperturplatte für ein Vielstrahl-Elektronenstrahlsystem, Verfahren zur Herstellung einer monolithischen Multi-Aperturplatte, und Vielstrahl-Elektronenstrahlsystem mit einer monolithischen Multi-Aperturplatte
WO2025098639A1 (en) 2023-11-07 2025-05-15 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle microscope for inspection with reduced charging effects
WO2025108569A1 (en) 2023-11-23 2025-05-30 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle microscope design with improved detection system for secondary electron imaging over a large range of landing energies of primary electrons
DE102023133567A1 (de) 2023-11-30 2025-06-05 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mikrooptik für ein Vielzahl-Teilchenstrahlsystem, Mikrooptik und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
WO2025131323A1 (en) 2023-12-19 2025-06-26 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle microscope for inspection with reduced charging effects
WO2025131496A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Carl Zeiss Multisem Gmbh Frame aggregation for multi-beam raster scanning microscopes
DE102024105793B3 (de) 2024-02-29 2025-07-31 Carl Zeiss Multisem Gmbh Fertigungsverfahren für eine monolithische Multi-Aperturplatte und monolithische Multi-Aperturplatte für ein Vielstrahl-Elektronenstrahlsystem
WO2025195974A1 (en) 2024-03-21 2025-09-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam particle microscope operating with a wide range of landing energies
WO2025202056A1 (en) 2024-03-25 2025-10-02 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi electron-beam system for inspection with backscattered electrons
US20250316437A1 (en) * 2024-04-05 2025-10-09 Kla Corporation Ultra-high sensitivity hybrid inspection with full wafer coverage capability
WO2025224235A2 (en) 2024-04-25 2025-10-30 Carl Zeiss Multisem Gmbh Improved beam control for a multi-beam scanning particle imaging system
WO2025233473A1 (en) 2024-05-10 2025-11-13 Carl Zeiss Multisem Gmbh Primary charged particle beam aberration for multi-beam scanning charged particle microscope based on measurements on secondary charged particle beams

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2877369A (en) * 1955-06-02 1959-03-10 Rca Corp Electron beam tube
JPS57118357A (en) 1981-01-14 1982-07-23 Jeol Ltd Objective lens for scan type electron microscope
US4914282A (en) * 1984-07-06 1990-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Focus detection system employing multiple area light distribution sensors
JPS6161414A (ja) * 1984-09-03 1986-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マルチ荷電ビ−ム露光装置
FR2575597B1 (fr) * 1984-12-28 1987-03-20 Onera (Off Nat Aerospatiale) Appareil pour la micro-analyse ionique a tres haute resolution d'un echantillon solide
JPS61259440A (ja) * 1985-05-10 1986-11-17 Nec Corp インライン型電子銃電極構体
JPS62229643A (ja) * 1986-03-28 1987-10-08 Jeol Ltd 電子線発生装置
JPS6319746A (ja) * 1986-07-12 1988-01-27 Nissin Electric Co Ltd 表面解析装置
JPS63129752A (ja) 1986-11-19 1988-06-02 Nec Corp 遅延検波器
US4737682A (en) * 1987-07-20 1988-04-12 Rca Corporation Color picture tube having an inline electron gun with an einzel lens
JPH01195581A (ja) 1988-01-30 1989-08-07 Pfu Ltd イメージ・データ処理システム
US5012105A (en) * 1989-02-02 1991-04-30 Nippon Seiko Kabushiki Kaisha Multiple-imaging charged particle-beam exposure system
US4990822A (en) * 1989-12-29 1991-02-05 Zenith Electronics Corporation Focusing electrode assembly for a color cathode ray tube electron gun
US5485209A (en) * 1992-04-03 1996-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Pupil divisional type focusing position detection apparatus for electronic cameras
KR100221109B1 (ko) * 1992-11-06 1999-09-15 다니구찌 이찌로오 이미지 디스플레이 장치
JP3123850B2 (ja) * 1993-01-29 2001-01-15 日本電子株式会社 直接写像型反射電子顕微鏡
JP3325982B2 (ja) * 1993-12-27 2002-09-17 株式会社東芝 磁界界浸型電子銃
EP0708975B1 (en) 1994-04-12 1997-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Particle-optical apparatus comprising a detector for secondary electrons
TW378334B (en) * 1994-10-14 2000-01-01 Thomson Consumer Electronics Method of forming an enhanced resolution shadow mask
US5483074A (en) * 1995-01-11 1996-01-09 Litton Systems, Inc. Flood beam electron gun
JP2914264B2 (ja) * 1996-01-16 1999-06-28 日本電気株式会社 電子ビーム描画方法
US5825038A (en) * 1996-11-26 1998-10-20 Eaton Corporation Large area uniform ion beam formation
JP3647128B2 (ja) * 1996-03-04 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置とその露光方法
EP1369897A3 (en) * 1996-03-04 2005-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
JP3647136B2 (ja) * 1996-04-23 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置
JPH09275068A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Nikon Corp 電子線露光装置
US5892224A (en) 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
JPH09311112A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Nikon Corp 欠陥検査装置
US5981954A (en) * 1997-01-16 1999-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
DE19738070A1 (de) 1997-09-01 1999-03-04 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Energiefilter, insbesondere für ein Elektronenmikroskop
JP3441955B2 (ja) 1998-02-23 2003-09-02 株式会社日立製作所 投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システム
US6014200A (en) * 1998-02-24 2000-01-11 Nikon Corporation High throughput electron beam lithography system
US6486480B1 (en) * 1998-04-10 2002-11-26 The Regents Of The University Of California Plasma formed ion beam projection lithography system
US6153970A (en) * 1998-04-20 2000-11-28 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Color CRT electron gun with asymmetric auxiliary beam passing aperture
US6157039A (en) * 1998-05-07 2000-12-05 Etec Systems, Inc. Charged particle beam illumination of blanking aperture array
JP2000064100A (ja) * 1998-08-24 2000-02-29 Hitachi Ltd 鋼帯の脱スケ−ル装置及び鋼帯の製造装置
JP2000090866A (ja) * 1998-09-17 2000-03-31 Toshiba Corp 電子銃、電子銃による電子ビーム発生方法及び電子銃を用いた露光装置
DE69920182T2 (de) * 1998-12-17 2005-02-17 Fei Co., Hillsboro Korpuskularstrahloptisches gerät mit auger-elektronendetektion
US6252412B1 (en) 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
JP4410871B2 (ja) * 1999-03-25 2010-02-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP3658235B2 (ja) * 1999-03-30 2005-06-08 キヤノン株式会社 電子銃および電子銃を用いた描画装置および電子線応用装置
JP2001052998A (ja) * 1999-06-03 2001-02-23 Advantest Corp 荷電粒子ビーム結像方法、荷電粒子ビーム結像装置及び荷電粒子ビーム露光装置
JP2001133234A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Nikon Corp 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びそれらを用いた半導体デバイスの製造方法
US6465783B1 (en) * 1999-06-24 2002-10-15 Nikon Corporation High-throughput specimen-inspection apparatus and methods utilizing multiple parallel charged particle beams and an array of multiple secondary-electron-detectors
US7796801B2 (en) 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7817844B2 (en) 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US6868175B1 (en) 1999-08-26 2005-03-15 Nanogeometry Research Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
JP3763446B2 (ja) 1999-10-18 2006-04-05 キヤノン株式会社 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法
EP1120809B1 (en) * 2000-01-27 2012-02-22 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Objective lens for a charged particle beam device
US6559586B1 (en) * 2000-02-08 2003-05-06 Sarnoff Corporation Color picture tube including an electron gun in a coated tube neck
WO2001059805A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-16 Fei Company Multi-column fib for nanofabrication applications
US6566664B2 (en) * 2000-03-17 2003-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method
JP2001283756A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4947841B2 (ja) 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP4947842B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP2001284230A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4585661B2 (ja) 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP4401614B2 (ja) * 2000-04-04 2010-01-20 株式会社アドバンテスト 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法
US6744041B2 (en) * 2000-06-09 2004-06-01 Edward W Sheehan Apparatus and method for focusing ions and charged particles at atmospheric pressure
WO2002001597A1 (en) * 2000-06-27 2002-01-03 Ebara Corporation Charged particle beam inspection apparatus and method for fabricating device using that inspection apparatus
EP2365512A3 (en) * 2000-06-27 2012-01-04 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam
JP2002031525A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Seiko Instruments Inc 半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置
KR100873447B1 (ko) * 2000-07-27 2008-12-11 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 시트빔식 검사장치
JP2002050697A (ja) * 2000-08-07 2002-02-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP4601146B2 (ja) * 2000-10-03 2010-12-22 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置
EP1271605A4 (en) 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
WO2002037527A1 (fr) 2000-11-02 2002-05-10 Ebara Corporation Appareil a faisceau electronique et procede de production de dispositif utilisant cet appareil
US7109483B2 (en) * 2000-11-17 2006-09-19 Ebara Corporation Method for inspecting substrate, substrate inspecting system and electron beam apparatus
JP3943022B2 (ja) * 2000-12-01 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板検査装置
EP1261016A4 (en) 2000-12-12 2007-06-27 Ebara Corp ELECTRON BEAM DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE ELECTRON BEAM DEVICE
JP2002184338A (ja) * 2000-12-12 2002-06-28 Nikon Corp 電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイス製造方法
JP3914386B2 (ja) * 2000-12-28 2007-05-16 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスク、その製造方法、パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP4246401B2 (ja) * 2001-01-18 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
US7022987B2 (en) * 2001-02-20 2006-04-04 Carl Zeiss Nis Gmbh Particle-optical arrangements and particle-optical systems
DE10235981B9 (de) * 2002-08-06 2009-01-22 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenoptische Vorrichtung und Elektronenmikroskop
DE10107910A1 (de) 2001-02-20 2002-08-22 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenstrahlsystem mit einem Spiegelkorrektor
JP4647820B2 (ja) * 2001-04-23 2011-03-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
US6764743B2 (en) 2001-05-01 2004-07-20 Ngk Insulators, Ltd. Porous honeycomb structure and process for production thereof
WO2002091421A1 (fr) * 2001-05-01 2002-11-14 Nikon Corporation Appareil a faisceau d'electrons et son utilisation pour la fabrication
JP4756776B2 (ja) * 2001-05-25 2011-08-24 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法
US6750455B2 (en) * 2001-07-02 2004-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for multiple charged particle beams
TW579536B (en) 2001-07-02 2004-03-11 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Examining system for the particle-optical imaging of an object, deflector for charged particles as well as method for the operation of the same
JP2003031171A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Nikon Corp 電子線装置及び該電子線装置を用いたデバイス製造方法
JP2003045789A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Canon Inc 描画装置及び描画方法
JP3876668B2 (ja) * 2001-09-13 2007-02-07 株式会社日立製作所 電子線を用いた外観検査装置
JP2003100246A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Toshiba Corp 荷電ビーム装置並びにパターン測定方法およびパターン描画方法
JP2003203836A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Canon Inc 露光装置及びその制御方法並びにデバイス製造方法
US6853143B2 (en) * 2002-01-09 2005-02-08 Ebara Corporation Electron beam system and method of manufacturing devices using the system
US6768125B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Ims Nanofabrication, Gmbh Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
JP3940310B2 (ja) 2002-04-04 2007-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法
DE10230929A1 (de) * 2002-07-09 2004-01-29 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Verfahren zum elektronenmikroskopischen Beobachten einer Halbleiteranordnung und Vorrichtung hierfür
DE10235456B4 (de) 2002-08-02 2008-07-10 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Elektronenmikroskopiesystem
DE10237135A1 (de) * 2002-08-13 2004-02-26 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenoptische Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb derselben
JP4167050B2 (ja) * 2002-12-13 2008-10-15 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及びその制御方法、並びにデバイス製造方法
KR101068607B1 (ko) 2003-03-10 2011-09-30 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 복수 개의 빔렛 발생 장치
DE60332808D1 (de) * 2003-03-24 2010-07-15 Integrated Circuit Testing Ladungsträgerstrahlvorrichtung
JP4459568B2 (ja) * 2003-08-06 2010-04-28 キヤノン株式会社 マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置
EP2579272A1 (en) * 2003-09-05 2013-04-10 Carl Zeiss SMT GmbH Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
GB2413694A (en) * 2004-04-30 2005-11-02 Ims Nanofabrication Gmbh Particle-beam exposure apparatus
EP1657736B1 (en) * 2004-11-15 2016-12-14 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High current density particle beam system
EP1703538B1 (en) * 2005-03-17 2008-11-12 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device for high spatial resolution and multiple perspective imaging
JP5222142B2 (ja) * 2005-09-06 2013-06-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 粒子光学部品
JP4843679B2 (ja) * 2005-10-28 2011-12-21 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 荷電粒子ビーム曝露システム
KR101364672B1 (ko) * 2006-09-12 2014-02-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 하전입자선장치, 그 장치를 이용한 비점수차 조정방법 및그 장치를 이용한 디바이스제조방법
US7825386B2 (en) * 2006-10-25 2010-11-02 Hermes-Microvision, Inc. System and method for a charged particle beam
JP2009011478A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Brother Ind Ltd ミシン及びミシンモータ制御プログラム
JP5886663B2 (ja) * 2012-03-21 2016-03-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置およびレンズアレイ

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