CN117153651A - 样品检查中的图像对比度增强 - Google Patents
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Abstract
本公开的实施例涉及样品检查中的图像对比度增强。本文中公开了一种方法，包括：在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到样品的区域中；在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到该区域中；在扫描带电粒子的束在样品上生成的探针斑点的同时，从探针斑点中记录表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号；其中第一时间段期间的平均沉积速率和第二时间段期间的平均沉积速率不同。
Description
分案申请说明
本申请是申请日为2018年09月25日、申请号为201880062821.4、名称为“样品检查中的图像对比度增强”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及用于检查(例如，观察、测量和成像)诸如设备制造(诸如集成电路(IC)的制造)过程中使用的晶片和掩模之类的样品的方法和装置。
背景技术
设备制造过程可以包括：将期望图案施加到衬底上。图案化设备(其可替代地称为掩模或掩模版)可以用于生成期望图案。该图案可以传递到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。图案通常经由成像传递到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。单个衬底可以包含连续图案化的相邻目标部分的网络。光刻装置可以用于该传递。一种类型的光刻装置称为步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分。另一类型的光刻装置称为扫描仪，其中通过在给定方向上通过辐射束扫描图案，同时平行于或反平行于该方向扫描衬底，来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化设备传递到衬底。
为了监测设备制造过程的一个或多个步骤(例如，曝光、抗蚀剂处理、蚀刻、显影、烘烤等)，可以检查样品，诸如通过设备制造过程图案化的衬底或本文中所使用的图案化设备，其中可以测量样品的一个或多个参数。一个或多个参数可以包括例如边缘位置误差(EPE)，其是衬底或图案化设备上的图案的边缘与图案的预期设计的对应边缘之间的距离。检查还会发现图案缺陷(例如，失败的连接或失败的分离)和不请自来的颗粒。
检查在设备制造过程中使用的衬底和图案化设备可以帮助提高产率。从检查中获得的信息可以用于标识缺陷或调整设备制造过程。
发明内容
本文中公开了一种方法，包括：在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到样品的区域中；在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到该区域中；在扫描带电粒子的束在样品上生成的探针斑点的同时，从探针斑点中记录表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号；其中第一时间段期间的平均沉积速率和第二时间段期间的平均沉积速率不同。
据实施例，该方法还包括：重复在第一时间段期间将第一数量的电荷沉积到该区域中和在第二时间段期间将第二数量的电荷沉积到该区域中。
根据实施例，第一数量或第二数量为零。
根据实施例，第一数量和第二数量不同。
根据实施例，第一时间段的长度和第二时间段的长度不同。
根据实施例，该区域具有化学特性或物理特性的不均匀空间分布。
根据实施例，化学特性或物理特性选自由组成、掺杂水平、电阻、电容、电感、厚度、结晶度和介电常数组成的组。
根据实施例，使用带电粒子的束来进行沉积第一数量的电荷或沉积第二数量的电荷。
根据实施例，使用包括电荷的另一束而非使用带电粒子的束来进行沉积第一数量的电荷或沉积第二数量的电荷。
根据实施例，另一束的横截面面积为带电粒子的束的横截面面积的至少2倍。
根据实施例，该区域包括第一子区域和第二子区域，其中从第一子区域消散的电荷的数量的改变速率与从第二子区域消散的电荷的数量的改变速率不同。
根据实施例，该区域包括第一子区域和第二子区域，其中沉积到第一子区域中的电荷的数量的改变速率和沉积到第二子区域中的电荷的数量的改变速率相同。
根据实施例，该区域包括第一子区域和第二子区域，其中第一子区域中的电荷的数量的净改变速率和第二子区域中的电荷的数量的净改变速率不同。
根据实施例，该区域包括第一子区域和第二子区域，其中第一子区域中的电荷的数量的净改变速率或第二子区域中的电荷的数量的净改变速率为负。
根据实施例，该区域包括第一子区域和第二子区域，其中第一子区域中的电荷的数量与第二子区域中的电荷的数量之间的差异随着时间增加。
根据实施例，该区域包括子区域，其中在第二时间段的一部分期间，该子区域中的电荷的数量为零。
本文中公开了一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，该指令当由计算机执行时实现上述方法中的任一方法。
本文中公开了一种被配置为检查样品的装置，该装置包括带电粒子的源；台；光学器件，被配置为将带电粒子的束引导到支撑在台的样品；控制器，被配置为控制源和光学器件；其中源、光学器件和控制器被共同配置为：在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到样品的区域中；在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到该区域中；其中第一时间段期间的平均沉积速率和第二时间段期间的平均沉积速率不同。
根据实施例，该装置还包括检测器，其被配置为记录表示束和样品的相互作用的信号。
根据实施例，源、光学器件和控制器被共同配置为生成该信号。
根据实施例，光学器件被配置为相对于样品扫描由束在样品上形成的探针斑点。
根据实施例，台被配置为移动该样品。
附图说明
图1示意性地示出了可以进行带电粒子束检查的装置。
图2A示意性地示出了可以使用多个带电粒子束进行带电粒子束检查的装置，其中多个束中的带电粒子来自单个源(“多束”装置)。
图2B示意性地示出了备选多束装置。
图2C示意性地示出了备选多束装置。
图3示意性地示出了作为示例的样品的区域。
图4示意性地示出了使用样品中的化学特性和物理特性来在表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号中产生空间对比度的示例。
图5A至图5D、图6A至图6D以及图7A至图7D示意性地示出了说明电荷沉积的特性对检查的影响的示例。
图8示出了根据实施例的使用带电粒子的束检查样品的方法的流程图。
图9示意性地示出了根据实施例的被配置为使用带电粒子的束检查样品的装置的部件图。
具体实施方式
存在用于检查样品的多种技术(例如，衬底和图案化设备)。一种检查技术是光学检查，其中光束被引导到衬底或图案化设备，并且记录表示光束和样品的相互作用(例如，散射、反射、衍射)的信号。另一种检查技术是带电粒子束检查，其中带电粒子(例如，电子)的束被引导到样品，并且记录表示带电粒子和样品之间的相互作用(例如，二次发射和反向散射发射)的信号。
如本文中所使用的，除非另有明确说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除了不可行之外。例如，如果声明数据库可以包括A或B，则除非另有明确说明或不可行，否则数据库可以包括A或B或A和B。作为第二示例，如果声明数据库可以包括A，B或C，则除非另有说明或不可行，否则数据库可以包括A、或B、或C、、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
图1示意性地示出了可以进行带电粒子束检查的装置100。该装置100可以包括被配置为生成和控制带电粒子的束的部件，诸如可以在自由空间中产生带电粒子的光源10、束提取电极11、聚光透镜12、束消隐偏转器13、光圈14、扫描偏转器15、以及物镜16。该装置100可以包括被配置为检测表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号的部件，诸如E×B带电粒子迂回设备17、信号检测器21。该装置100还可以包括被配置为处理信号或控制其他部件的部件，诸如处理器。
在检查过程的示例中，带电粒子束18被引导到位于台30上的样品9(例如，晶片或掩模)。表示束18和样品9的相互作用的信号20由E×B带电粒子迂回设备17引导到信号检测器21。处理器可以使台30移动或使束18扫描。
由于用于带电粒子束检查的带电粒子的波长比用于光学检查的光的波长短，所以带电粒子束检查的分辨率可以比光学检查的分辨率高。随着衬底和图案化设备上的图案的尺寸随着设备制造工艺的演进而变得越来越小，带电粒子束检查变得越来越广泛。
在示例中，带电粒子的多个束可以同时扫描样品上的多个区域。可以同步或独立扫描多个束。多个区域之间可能有重叠，可能会被平铺以覆盖连续区域，或者可能彼此隔离。由束和样品的相互作用生成的信号可以由多个检测器收集。检测器的数目可以小于、等于或大于束的数目。可以独立控制或共同控制多个束。
带电粒子的多个束可以在样品的表面上形成多个探针斑点。探针斑点可以分别或同时扫描表面上的多个区域。束的带电粒子可以从探针斑点的位置生成信号。信号的一个示例是二次电子。二次电子的能量通常小于50eV。当束的带电粒子是电子时，信号的另一示例是反向散射电子。反向散射电子的能量通常接近束的电子的着陆能量。来自探针斑点的位置的信号可以由多个检测器分别或同时收集。
多个束可以分别来自多个源或来自单个源。如果束来自多个源，则多个列可以扫描束并且将其聚焦到表面上，并且可以通过列中的检测器分别检测由束生成的信号。使用来自多个源的束的装置可以称为多列装置。这些列可以是独立的，还可以共享多轴磁性物镜或电磁复合物镜。参见美国专利No.8,294,095，其公开内容整体通过引用并入本文。由多列装置生成的探针斑点可以隔开的距离为30mm至50mm。
如果束来自单个源，则源转换单元可以用于形成单个源的多个虚拟图像或真实图像。图像中的每个图像和单个源都可以看作是束的发射器(由于所有子束都来自同一源，所以也称为“子束”)。源转换单元可以具有带有多个开口的导电层，这些开口可以将来自单个源的带电粒子分成多个子束。源转换单元可以具有光学元件，该光学元件可以影响子束以形成单个源的多个虚拟图像或真实图像。图像中的每个图像可以视为发出子束中的一个子束的源。子束可以以微米的距离隔开。可以具有投影系统和偏转扫描单元的单个列可以用于扫描子束并且将其聚焦在样品的多个区域上。由子束生成的信号可以由单个列内部的检测器的多个检测元件分别检测。使用来自单个源的束的装置可以称为多束装置。
至少存在形成单个源的图像的两种方法。在第一方法中，每个光学元件都具有静电微透镜，其聚焦一个子束，从而形成一个真实图像。例如，参见美国专利No.7,244,949，其公开内容整体在此通过引用。在第二方法中，每个光学元件都有静电微偏转器，其偏转一个子束，从而形成一个虚拟图像。参见美国专利No.6,943,349和美国专利申请No.15/065,342，其公开内容整体在此通过引用并入。因为真实图像具有更高的电流密度，所以第二方法中的带电粒子之间的相互作用(例如，库仑效应)可能比第一方法中的相互作用弱。
图2A示意性地示出了可以使用多个带电粒子的束进行带电粒子束检查的装置400，其中多个束中的带电粒子来自单个源。即，装置400是多束装置。装置400具有可以在自由空间中产生带电粒子的源401。在示例中，带电粒子是电子，而源401是电子枪。装置400具有光学系统419，其可以利用带电粒子在样品407的表面上生成多个探针斑点，并且扫描样品407的表面上的探针斑点。光学系统419可以具有聚光透镜404和主孔405，该主孔405相对于聚光透镜404位于上游或下游。如本文中所使用的表述“部件A相对于部件B位于上游”意指在该装置的正常操作中，带电粒子束可能在到达部件B之前到达部件A。如本文中所使用的表述“部件B相对于部件A位于下游”意指在装置的正常操作中，带电粒子束可能在到达部件A之后到达部件B。光学系统419具有源转换单元410，其被配置为形成源401的多个虚拟图像(例如，虚拟图像402和403)。虚拟图像和源401各自都可以被视为子束(例如，子束431、432和433)的发射器。源转换单元410可以具有带有多个开口的导电层412，这些开口可以将来自源401的带电粒子分成多个子束；以及光学元件411，其可以影响子束以形成源401的虚拟图像。光学元件411可以是被配置为使子束偏转的微偏转器。子束的电流可能受到导电层412中的开口的尺寸或聚光透镜404的聚焦功率的影响。光学系统419包括物镜406，其被配置为聚焦多个子束，从而将多个探针斑点形成到样品407的表面上。源转换单元410还可以具有微补偿器，其被配置为减少或消除探针斑点的像差(例如，场曲和像散)。
图2B示意性地示出了备选多束装置。聚光透镜404使来自源401的带电粒子准直。源转换单元410的光学元件411可以包括微补偿器413。微补偿器413可以与微偏转器分离或者可以与微偏转器集成。如果分离，则微补偿器413可位于微偏转器的上游。微补偿器413被配置为补偿聚光透镜404或物镜406的离轴像差(例如，场曲、像散和失真)。离轴像差可能对由离轴(即，不沿着装置的主光轴)子束形成的探针斑点的尺寸或位置产生负面影响。通过子束的偏转可能不能完全消除物镜406的离轴像差。微补偿器413可以补偿物镜406的残余离轴像差(即，不能通过子束的偏转而消除的离轴像差的部分)或探针斑点的尺寸的不均匀性。微补偿器413中的每个微补偿器与导电层412中的开口中的一个开口对齐。微补偿器413可以各自具有四个或更多个极。子束的电流可能受到导电层412中的开口的尺寸和/或聚光透镜404的位置的影响。
图2C示意性地示出了备选多束装置。源转换单元410的光学元件411可以包括预弯曲微偏转器414。预弯曲微偏转器414是被配置为在子束通过导电层412中的开口之前弯曲子束的微偏转器。
使用来自单个源的带电粒子的多个束的装置的附加描述可以参阅美国专利申请公开2016/0268096、2016/0284505和2017/0025243，美国专利9607805，美国专利申请15/365,145、15/213,781、15/216,258和62/440,493，以及PCT申请PCT/US17/15223，其公开内容整体在此通过引用并入。
当使用带电粒子的束检查样品(例如，衬底或图案化设备)的区域时，从由区域中的束形成的探针斑点中记录表示束和样品的相互作用的信号。由信号表示的相互作用可以包括束的带电粒子和样品中的电荷的相互作用。可能与束的带电粒子相互作用的电荷可能在样品内部。因此，样品中的电荷的空间分布可以用于在信号中产生空间对比度。
在样品中，电荷的空间分布可以显著变化。样品中化学特性和物理特性的空间分布可能会影响电荷的空间分布。这些特性的示例可以包括组成、掺杂水平、电阻、电容、电感、厚度、结晶度、介电常数等。图3示意性地示出了作为示例的样品的区域1000。区域1000包括在一个或多个化学特性和物理特性上可能具有差异的几个子区域1010-1070。在该示例中，子区域1010-1070具有不同的电阻。在该示例中，子区域1070是厚金属层；子区域1050和子区域1060是薄金属层；子区域1040是轻掺杂的半导体层；子区域1030是薄介电层；并且子区域1020和子区域1010是厚介电层。图3中示意性地示出了子区域1010-1070的电阻的次序。子区域1010-1070之间的电阻的差异可以在表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号中产生空间对比度。
在示例中，电荷可以从具有较小电阻的子区域消散而比从具有较大电阻的子区域消散得更快。如果具有较小电阻的子区域和具有较大电阻的子区域以相同的电荷的数量开始，则在有限时间段之后，具有较小电阻的子区域的电荷可能会比具有较大电阻的子区域的电荷少。因此，在有限时间段之后，带电粒子的束和具有较大电阻的子区域的相互作用可能不同于带电粒子的束和具有较小电阻的子区域的相互作用。因此，可以在表示这些相互作用的信号中产生空间对比度。
表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号中产生空间对比度的电阻的一种特殊用途是检测某些缺陷。例如，具有不良导电路径的深通孔的电阻比具有正常导电路径的类似深通孔的电阻高。因此，信号中的对比度可能显示出缺陷，诸如具有不良导电路径的深通孔。
图4示意性地示出了使用样品中的化学特性和物理特性(例如，如图3中的电阻)以在表示带电粒子的束和样品的相互作用的信号中产生空间对比度的示例。电荷可以例如使用包括电荷的扩展束1999沉积到区域1000上。扩展束1999可以足够大或不足够大以涵盖区域1000的整个区域。可以跨越区域1000扫描扩展束1999。扩展束1999的电荷可以由与来自用于检查样品的束的带电粒子的相同或不同的粒子携带。如图4所示，扩展束1999所承载的电流可以进行调制。例如，扩展束1999所承载的电流可以在定时器周期T1期间处于较高的值C1，而可以在时间段T1之后的时间段T2期间处于较低的值C2。尽管在该示例中示出了方形波形，但是扩展束1999所承载的电流可以具有其他合适波形。在将电荷沉积到区域1000上之后，子区域中的电荷的数量可能由于电阻的差异而随时间变得不同。子区域中的电荷的数量的差异可能受到调制后的电荷沉积特性(诸如C1、C2、T1和T2)的影响。
图5A至图5D、图6A至图6D、以及图7A至7D示意性地示出了说明电荷沉积特性对检查的影响的示例。在附图中进行简化，并且这些附图可能未示出在样品上沉积和消散电荷背后的所有物理机构。例如，消散率近似于与样品上的电荷的数量无关。
图5A示出了沉积到区域1000的两个子区域1050和1070中的电荷的数量的改变速率5011、从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率5012、以及从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率5013。如图3所示，因为子区域1070的电阻比子区域1050的电阻低，所以从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率5012在绝对值上高于从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率5013。图5B示出了子区域1070中的电荷的数量的净改变速率5022以及子区域1050中的电荷的数量的净改变速率5023。净改变速率5022是改变速率5011和改变速率5012之和。净改变速率5023是改变速率5011和改变速率5013之和。图5C示出了作为时间T的函数的子区域1050中的电荷5033的数量和作为时间T的函数的子区域1070中的电荷5032的数量，假设当T为零时，子区域1050和1070具有零电荷。可以通过相对于时间T积分净改变速率5022和5023来导出电荷的数量5032和5033。图5C还示出了子区域1050和1070中的每个子区域的电荷的数量的最大值5035。如果子区域1050或子区域1070中的电荷的数量超过最大值5035，则可能发生不良影响(例如，子区域1050或子区域1070中的结构可能会被损坏)。图5D示出了作为时间T的函数的子区域1050中的电荷的数量与子区域1070中的电荷的数量之间的差异5046。图5C和图5D指示差异5046可能由于对沉积到子区域1050和1070中的电荷的数量的改变速率5011的调制以及从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率5012和从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率5013的差别而随时间T增加。最大值5035的存在限制了电荷沉积到子区域1050和1070的时间长度，并且因此限制了子区域1050中的电荷的数量和子区域1070中的电荷的数量之间的差异5046。图4中所示的扩展束1999可以用于产生图5A中的改变速率5011。例如，当C2约为C1的一半并且T2约为T1的长度的一半时，扩展束1999可以产生图5A中的改变速率5011。在图5A至图5D所示的示例中，差异5046可以达到最大值5035的约2/5。
图6A示出了沉积到区域1000的两个子区域1050和1070中的电荷的数量的改变速率6011、从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率6012、以及从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率6013。如图3所示，因为子区域1070的电阻低于子区域1050的电阻，所以从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率6012在绝对值上高于从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率6013。图6B示出了子区域1070中的电荷的数量的净改变速率6022、以及子区域1050中的电荷的数量的净改变速率6023。净改变速率6022是改变速率6011和改变速率6012之和。净改变速率6023是改变速率6011和改变速率6013之和。图6C示出了作为时间T的函数的子区域1050中的电荷6033的数量和作为时间T的函数的子区域1070中的电荷6032的量，假设当T为零时，子区域1050和1070具有零电荷。可以通过相对于时间T积分净改变速率6022和6023来导出电荷的数量6032和6033。图6C示出了净改变速率6022和6023可以是负的(即，子区域1050和1070中的电荷的净数量可能正在减小)。图6C还示出了子区域1050和1070中的每个子区域的电荷的数量的最大值6035。如果子区域1050或子区域1070中的电荷的数量超过最大值6035，则可能产生不良影响(例如，子区域1050或子区域1070中的结构可能会被损坏)。图6D示出了作为时间T的函数的子区域1050中的电荷的数量与子区域1070中的电荷的数量之间的差异6046。图6C和图6D指示差异6046可能由于对沉积到子区域1050和1070中的电荷的数量的改变速率6011的调制以及从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率6012和从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率6013的差别而随时间T增加。最大值6035的存在限制了电荷沉积到子区域1050和1070的时间长度，并且因此限制了子区域1050中的电荷的数量和子区域1070中的电荷的数量之间的差异6046。图4中所示的扩展束1999可以用于产生图6A中的改变速率6011。例如，当C2约为零并且T2约为T1的长度的一半时，扩展束1999可以产生图6A中的改变速率6011。在图6A至图6D所示的示例中，差异6046可以达到最大值6035的约3/5。在图6A至图6D所示的示例中，因为在T2期间没有沉积电荷，所以在超过最大值6035之前将电荷沉积到子区域1050和1070中的时间长度比在图5A至图5D中在超过最大值5035之前将电荷沉积到子区域1050和1070的时间长度长。差异6046和差异5046随时间T单调增加。因此，较长的沉积导致该差异6046大于差异5046。
图7A示出了沉积到区域1000的两个子区域1050和1070中的电荷的数量的改变速率7011、从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率7012、以及从子区域1050消散的电荷的改变速率7013。如图3所示，因为子区域1070的电阻低于子区域1050的电阻，所以从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率7012在绝对值上高于从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率7013。图7B示出了子区域1070中的电荷的数量的净改变速率7022、以及子区域1050中的电荷的数量的净改变速率7023。净改变速率7022是改变速率7011和改变速率7012之和。净改变速率7023是改变速率7011和改变速率7013之和。图7C示出了作为时间T的函数的子区域1050中的电荷7033的数量和作为时间T的函数的子区域1070中的电荷7032的数量，假设当T为零时，子区域1050和1070具有零电荷。可以通过相对于时间T积分净改变速率7022和7023来导出电荷的数量7032和7033。图7C还示出了子区域1050和1070中的每个子区域的电荷的数量的最大值7035。如果子区域1050或子区域1070中的电荷的数量超过最大值7035，则可能产生不良影响(例如，子区域1050或子区域1070中的结构可能会被损坏)。图7D示出了作为时间T的函数的子区域1050中的电荷的数量与子区域1070中的电荷的数量之间的差异7046。图7C和图7D指示差异7046可能由于对沉积到子区域1050和1070中的电荷的数量的改变速率7011的调制以及从子区域1070消散的电荷的数量的改变速率7012和从子区域1050消散的电荷的数量的改变速率7013的差别而随时间T增加。最大值7035的存在限制了电荷沉积到子区域1050和1070的时间长度，并且因此限制了子区域1050中的电荷的数量和子区域1070中的电荷的数量之间的差异7046。图4中所示的扩展束1999可以用于产生图7A中的改变速率7011。例如，当C2约为零并且T1约为T2的长度的一半时，扩展束1999可以产生图7A中的改变速率7011。在图7A至图7D所示的示例中，差异7046可以达到最大值7035的约7/8。在图7A至图7D所示的示例中，在T1期间沉积到子区域1070上的所有电荷在T2期间从子区域1070消散，因此在T2的一部分期间，子区域1070中的电荷的数量为零。另一方面，子区域1050中的电荷的数量随T1和T2的周期的数目而增加，并且最终接近最大值7035。因此，差异7046几乎可以达到最大值7035的完全幅度。因为差异7046在图5A至图5D、图6A至图6D、以及图7A至图7D的示例中最大，所以图7A至图7D中的示例在表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号中产生最大的空间对比度。
图8示出了根据实施例的使用带电粒子的束检查样品的方法的流程图。在过程810中，进行电荷调制沉积到样品的区域中。调制沉积至少包括第一时间段和第二时间段。过程810包括子过程811，其中在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到该区域中。过程810包括子过程812，其中在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到该区域中。可以重复子过程811和812。第一时间段期间的平均沉积速率(即，第一数量除以第一时间段的长度)不同于第二时间段期间的平均沉积速率(即，第二数量除以第二时间段的长度)。第一数量或第二数量可以为零。第一数量和第二数量可以不同。第一时间段的长度和第二时间段的长度可以不同。该区域可能具有一个或多个化学特性或物理特性的不均匀空间分布。在步骤820中，跨越区域扫描带电粒子的束，并且记录表示带电粒子和样品的相互作用的信号。可以使用步骤820中使用的带电粒子相同的束来进行过程810中的调制沉积。可以使用与步骤820中使用的带电粒子的束不同的束来实现过程810中的调制沉积，其中不同的束的横截面面积可能为步骤820中使用的带电粒子的束的横截面积的至少2倍。
图9示意性地示出了根据实施例的被配置为使用带电粒子的束检查样品的装置9000的部件图。该装置9000具有带电粒子的源9001、台9003、光学器件9002，该光学器件9002被配置为将带电粒子的束引导到支撑在台9003上的样品。台9003可以被配置为移动样品。光学器件9002可以被配置为相对于样品扫描由束在样品上形成的探针斑点。该装置9000包括控制器9010，其被配置为控制源9001和光学器件9002。该装置9000还包括检测器9004，其被配置为记录表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号。源9001、光学器件9002和控制器9010可以被配置为生成要记录的信号，并且还可以被配置为进行电荷调制沉积到样品中。在实施例中，该装置9000可选地包括另一源9101、另一光学器件9102、以及控制器9110，该控制器专用于进行将电荷调制沉积到样品中。
可以使用以下条款对实施例进行进一步描述：
1.一种方法，包括：
在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到样品的区域中；
在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到区域中；以及
在扫描带电粒子的束在样品上生成的探针斑点的同时，从探针斑点中记录表示带电粒子的束与样品的相互作用的信号，
其中第一时间段期间的平均沉积速率和第二时间段期间的平均沉积速率不同。
2.根据条款1所述的方法，还包括：重复在第一时间段期间将第一数量的电荷沉积到该区域中和在第二时间段期间将第二数量的电荷沉积到该区域中。
3.根据条款1至2中任一项所述的方法，其中第一数量或第二数量为零。
4.根据条款1至3中任一项所述的方法，其中第一数量和第二数量不同。
5.根据条款1至4中任一项所述的方法，其中第一时间段的长度和第二时间段的长度不同。
6.根据条款1至5中任一项所述的方法，其中该区域具有化学特性或物理特性的不均匀空间分布。
7.根据条款6所述的方法，其中化学特性或物理特性选自由组成、掺杂水平、电阻、电容、电感、厚度、结晶度、以及介电常数组成的组。
8.根据条款1至7中任一项所述的方法，其中使用带电粒子的束来进行沉积第一数量的电荷或沉积第二数量的电荷。
9.根据条款1至8中任一项所述的方法，其中使用包括电荷的另一束而非使用带电粒子的束来进行沉积第一数量的电荷或沉积第二数量的电荷。
10.根据条款9所述的方法，其中另一束的横截面面积为带电粒子的束的横截面面积的至少2倍。
11.根据条款1至10中任一项所述的方法，其中区域包括第一子区域和第二子区域，其中从第一子区域消散的电荷的数量的改变速率和从第二子区域消散的电荷的数量的改变速率不同。
12.根据条款1至11中任一项所述的方法，其中该区域包括第一子区域和第二子区域，其中沉积到第一子区域中的电荷的数量的改变速率和沉积到第二子区域中的电荷的数量的改变速率相同。
13.根据条款1至12中的任一项所述的方法，其中该区域包括第一子区域和第二子区域，其中第一子区域中的电荷的数量的净改变速率和第二子区域中的电荷的数量的净改变速率不同。
14.根据条款1至13中任一项所述的方法，其中该区域包括第一子区域和第二子区域，其中第一子区域中的电荷的数量的净改变速率或第二子区域中的电荷的数量的净子改变速率为负。
15.根据条款1至14中任一项所述的方法，其中该区域包括第一子区域和第二子区域，其中第一子区域中的电荷的数量与第二子区域中的电荷的数量之间的差异随时间增加。
16.根据条款1至15中任一项所述的方法，其中该区域包括子区域，其中在第二时间段的一部分期间，该子区域中的电荷的数量为零。
17.一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，该指令当由计算机执行时实现根据条款1至16中任一项所述的方法。
18.一种被配置为检查样品的装置，该装置包括：
带电粒子的源；
台；
光学器件，被配置为将带电粒子的束引导到支撑在台上的样品；以及
控制器，被配置为控制源和光学器件；
其中源、光学器件和控制器被共同配置为：
在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到样品的区域中，以及
在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到该区域中，
其中第一时间段期间的平均沉积速率和第二时间段期间的平均沉积速率不同。
19.根据条款18所述的装置，还包括检测器，其被配置为记录表示束和样品的相互作用的信号。
20.根据条款19所述的装置，其中源、光学器件和控制器被共同配置为生成该信号。
21.根据条款19所述的装置，其中光学器件被配置为相对于样品扫描由束在样品上形成的探针斑点。
22.根据条款19所述的装置，其中台被配置为移动该样品。
虽然本文中所公开的概念可以用于检查样品，诸如硅晶片或图案化设备(诸如玻璃上的铬)，但是应当理解，所公开的概念可以与任何类型的样品(例如，检查除了硅晶片之外的样品)一起使用。
上述描述旨在是说明性的，而非限制性的。因此，对于本领域的技术人员而言，显而易见的是，在不背离下文所提出的权利要求的范围的情况下，可以根据描述进行修改。
Claims (20)
1.一种被配置为检查样品的装置，所述装置包括：
带电粒子的源；
台；
光学器件，被配置为将所述带电粒子的束引导到支撑在所述台上的样品；以及
控制器，被配置为控制所述源和所述光学器件；
其中所述源、所述光学器件和所述控制器被共同配置为：
在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到所述样品的区域中，以及
在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到所述区域中，
其中所述第一时间段期间的平均沉积速率和所述第二时间段期间的平均沉积速率不同。
2.根据权利要求1所述的装置，还包括检测器，所述检测器被配置为记录表示所述束和所述样品的相互作用的信号。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述源、所述光学器件和所述控制器被共同配置为生成所述信号。
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述光学器件被配置为相对于所述样品扫描由所述束在所述样品上形成的探针斑点。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述源、所述光学器件和所述控制器还被共同配置为：
重复在所述第一时间段期间将所述第一数量的电荷沉积到所述区域中、以及在所述第二时间段期间将所述第二数量的电荷沉积到所述区域中。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一数量或所述第二数量为零。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一数量和所述第二数量不同。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一时间段的长度和所述第二时间段的长度不同。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述区域具有化学特性或物理特性的不均匀空间分布。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述化学特性或物理特性选自由组成、掺杂水平、电阻、电容、电感、厚度、结晶度、以及介电常数组成的组。
11.根据权利要求1所述的装置，其中使用带电粒子的束来进行沉积所述第一数量的电荷或沉积所述第二数量的电荷。
12.根据权利要求1所述的装置，其中使用包括电荷的另一束而非使用带电粒子的所述束来进行沉积所述第一数量的电荷或沉积所述第二数量的电荷。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述另一束的横截面面积为所述带电粒子的束的横截面面积的至少2倍。
14.根据权利要求1所述的装置，其中所述区域包括第一子区域和第二子区域，其中从所述第一子区域消散的电荷的数量的改变速率和从所述第二子区域消散的电荷的数量的改变速率不同。
15.根据权利要求1所述的装置，其中所述区域包括第一子区域和第二子区域，其中沉积到所述第一子区域中的电荷的数量的改变速率和沉积到所述第二子区域中的电荷的数量的改变速率相同。
16.根据权利要求1所述的装置，其中所述区域包括第一子区域和第二子区域，其中第一子区域中的电荷的数量的净改变速率和第二子区域中的电荷的数量的净改变速率不同。
17.根据权利要求1所述的装置，其中所述区域包括第一子区域和第二子区域，其中所述第一子区域中的电荷的数量的净改变速率或所述第二子区域中的电荷的数量的净改变速率为负。
18.根据权利要求1所述的装置，其中所述区域包括第一子区域和第二子区域，其中所述第一子区域中的电荷的数量与所述第二子区域中的电荷的数量之间的差异随时间增加。
19.根据条款1所述的装置，其中所述区域包括子区域，其中在所述第二时间段的一部分期间，所述子区域中的电荷的数量为零。
20.一种计算机程序产品，包括非暂态计算机可读介质，所述非暂态计算机可读介质包括一组指令，所述指令能够由计算机的一个或多个处理器执行，以使得所述计算机执行方法，所述方法包括：
在第一时间段期间，将第一数量的电荷沉积到样品的区域中；
在第二时间段期间，将第二数量的电荷沉积到所述区域中；以及
在扫描由带电粒子的束在所述样品上生成的探针斑点的同时，从所述探针斑点中记录表示带电粒子的束与所述样品的相互作用的信号，
其中所述第一时间段期间的平均沉积速率和第二时间段期间的平均沉积速率不同。
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