CN111164729B - 带电粒子束检查的样品检查选配方案的动态确定的方法 - Google Patents

Abstract

本文中公开了一种方法，该方法包括：基于样品的第二组特性确定对样品上的区域的带电粒子束检查的选配方案的参数；使用该选配方案检查该区域。

Description

带电粒子束检查的样品检查选配方案的动态确定的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月29日提交的美国申请62/566,132的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于检查(例如，观察、测量和成像)在诸如集成电路(IC)的制造等器件制造工艺中使用的诸如晶片和掩模等样品的方法和装置。

背景技术

器件制造工艺可以包括将期望图案施加到衬底上。图案化装置(其备选地被称为掩模或掩模版)可以用于生成期望图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。单个衬底可以包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。光刻装置可以用于该转印。一种类型的光刻装置称为步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分。另一种类型的光刻装置称为扫描器，其中通过在给定方向上通过辐射束扫描图案同时平行于或反平行于该方向同步地扫描衬底来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底上。

为了监测器件制造工艺的一个或多个步骤(例如，曝光、抗蚀剂处理、刻蚀、显影、烘烤等)，可以检查样品(诸如通过器件制造工艺图案化的衬底或在其中使用的图案化装置)，其中可以测量样品的一个或多个参数。一个或多个参数可以包括例如边缘位置误差(EPE)，EPE是衬底或图案化装置上的图案的边缘与图案的预期设计的对应边缘之间的距离。检查还可能发现图案缺陷(例如，失效连接或失效分离)和不请自来的颗粒。

检查在器件制造工艺中使用的衬底和图案化装置可以帮助提高成品率。从检查中获得的信息可以用于标识缺陷或调节器件制造工艺。

发明内容

本文中公开了一种方法，该方法包括：基于样品的第二组特性确定样品上的区域的带电粒子束检查的选配方案(recipe)的参数；使用该选配方案检查该区域。

根据一个实施例，第二组特性包括样品的形状、样品的密度、样品的组分或样品的结构。

根据一个实施例，第二组特性包括在该区域中形成的图案的特性。

根据一个实施例，在该区域中形成的图案的特性包括图案的设计。

根据一个实施例，第二组特性包括形成区域中的图案所采用的工艺的特性。

根据一个实施例，工艺的特性包括刻蚀参数、光刻参数或沉积参数。

根据一个实施例，第二组特性包括该区域中的缺陷的特性。

根据一个实施例，缺陷的特性包括缺陷的存在、缺陷的密度、缺陷的类型或缺陷的几何特性。

根据一个实施例，第二组特性包括对该区域的先前检查的特性。

根据一个实施例，对该区域的先前检查的特性包括：在先前检查中使用的选配方案的参数、先前检查的结果、表示先前检查的有效性的度量。

根据一个实施例，选配方案的参数选自由以下项组成的组：一个或多个带电粒子束的着陆能量、一个或多个带电粒子束的电流、一个或多个带电粒子束的焦点、一个或多个带电粒子束的扫描方向、一个或多个带电粒子束的扫描速度、一个或多个带电粒子束的目的地、一个或多个带电粒子束的带电粒子的类型、使用一个或多个带电粒子束记录的信号的平均值、一个或多个带电粒子束的光斑尺寸、放大率、所记录的信号的类型、一个或多个带电粒子束的带电粒子的加速电压及其组合。

根据一个实施例，该方法还包括基于样品的第一组特性来标识区域。

根据一个实施例，第二组特性和第一组特性具有交叠，不具有交叠，或者相同。

根据一个实施例，第一组特性包括在该区域中形成的图案的设计和用于形成该区域中的图案的工艺的特性；并且标识区域包括基于设计和工艺的特性通过模拟图案来获得模拟结果。

根据一个实施例，模拟结果包括图案的位置或几何特性。

根据一个实施例，模拟结果包括空间图像、抗蚀剂图像或刻蚀图像。

根据一个实施例，标识区域还包括比较模拟结果和图案的规范。

根据一个实施例，第一组特性包括用于形成区域中的图案的工艺的特性；并且标识区域包括比较工艺的特性和图案的工艺窗口。

根据一个实施例，第一组特性包括在该区域中形成的图案的设计和用于形成该区域中的图案的工艺的特性；并且标识区域包括将第一组特性输入到机器学习模型中。

根据一个实施例，机器学习模型选自由以下项组成的组：决策树、系综、k-NN、线性回归、朴素贝叶斯、神经网络、逻辑回归、感知器、支持向量机(SVM)、相关性向量机(RVM)和深度学习。

本文中公开了一种包括在其上记录有指令的非暂态计算机可读介质的计算机程序产品，该指令在由计算机执行时实现上述任何方法。

附图说明

图1示意性地示出了可以执行带电粒子束检查的装置。

图2A示意性地示出了可以使用多个带电粒子束进行带电粒子束检查的装置，其中多个光束中的带电粒子来自单个源(“多光束”装置)。

图2B示意性地示出了备选的多光束装置。

图2C示意性地示出了备选的多光束装置。

图3示意性地示出了根据一个实施例的用于确定用于带电粒子束检查的选配方案3030的方法的流程图。

图4示意性地示出了根据一个实施例的图3的流程图中的可选步骤3005的流程图。

图5示意性地示出了可以在图4的步骤34051中使用的模拟流程图。

图6示意性地示出了根据一个实施例的图3的流程图中的可选步骤3005的流程图。

图7示意性地示出了根据一个实施例的图3的流程图中的可选步骤3005的流程图。

具体实施方式

有多种检查样品的技术(例如，衬底和图案化装置)。一种检查技术是光学检查，其中将光束引导到衬底或图案化装置并且记录表示光束和样品的相互作用(例如，散射、反射、衍射)的信号。另一种检查技术是带电粒子束检查，其中将带电粒子束(例如，电子)引导到样品并且记录表示带电粒子和样品的相互作用(例如，二次发射和背散射发射)的信号。

如本文中使用的，除非另有明确说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除非不可行。例如，如果声明数据库可以包括A或B，则除非另有明确说明或不可行，否则数据库可以包括A、或B、或A和B。作为第二示例，如果声明数据库可以包括A、B或C，则除非另有说明或不可行，否则数据库可以包括A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。

图1示意性地示出了可以执行带电粒子束检查的装置100。装置100可以包括被配置为生成和控制带电粒子束的组件，诸如可以在自由空间中产生带电粒子的源10、光束提取电极11、聚光透镜12、光束消隐偏转器13、孔径14、扫描偏转器15和物镜16。装置100可以包括被配置为检测表示带电粒子束和样品的相互作用的信号的组件，诸如E×B带电粒子迂回装置17、信号检测器21。装置100还可以包括被配置为处理信号或控制其他组件的组件，诸如处理器。

在检查过程的示例中，将带电粒子束18引导到位于工作台30上的样品9(例如，晶片或掩模)。表示光束18和样品9的相互作用的信号20由E×B带电粒子迂回装置17引导到信号检测器21。处理器可以引起工作台30移动或引起光束18进行扫描。

带电粒子束检查可以具有比光学检查更高的分辨率，这是因为，用于带电粒子束检查的带电粒子的波长比用于光学检查的光的波长短。随着衬底和图案化装置上的图案的尺寸随着器件制造工艺的发展而变得越来越小，带电粒子束检查的使用变得越来越广泛。

在一个示例中，多个带电粒子束可以同时扫描样品上的多个区域。多个光束的扫描可以是同步的或独立的。多个区域之间可以具有交叠，可以被平铺以覆盖连续区域，或者可以彼此隔离。由光束和样品的相互作用而生成的信号可以由多个检测器收集。检测器的数目可以小于、等于或大于光束的数目。多个光束可以被单独地控制或共同地控制。

多束带电粒子束可以在样品的表面上形成多个探测光斑。探测光斑可以分别或同时扫描表面上的多个区域。光束的带电粒子可以从探测光斑的位置生成信号。信号的一个示例是二次电子。二次电子的能量通常小于50eV。当光束的带电粒子是电子时，信号的另一示例是背散射电子。背散射电子的能量通常接近光束的电子的着陆能量。来自探测光斑的位置的信号可以由多个检测器分别或同时收集。

多个光束可以分别来自多个源或来自单个源。如果光束来自多个源，则多个列可以扫描光束并且将其聚焦到表面上，并且由光束生成的信号可以分别通过列中的检测器来检测。使用来自多个源的光束的装置可以称为多列装置。这些列可以是独立的，也可以共享多轴磁性或电磁复合物镜。参见美国专利No.8,294,095，其公开内容通过引用整体并入本文。由多列装置生成的探测光斑可以相隔30mm-50mm的距离。

如果光束来自单个源，则源转换单元可以用于形成单个源的多个虚拟或真实图像。每个图像和单个源可以被视为光束的发射器(也称为“子束”，因为所有子束来自同一源)。源转换单元可以具有带有多个开口的导电层，这些开口可以将来自单个源的带电粒子分成多个子束。源转换单元可以具有可以影响子束以形成单个源的多个虚拟或真实图像的光学元件。每个图像可以被视为发出子束之一的源。子束可以以微米的距离间隔开。可以具有投影系统和偏转扫描单元的单列可以用于扫描子束和将其聚焦在样品的多个区域上。由子束生成的信号可以由单个列内的检测器的多个检测元件分别检测。使用来自单个源的光束的装置可以称为多光束装置。

至少有两种方法来形成单个源的图像。在第一种方法中，每个光学元件具有聚焦一个子束并且从而形成一个真实图像的静电微透镜。参见例如美国专利No.7,244,949，其公开内容通过引用整体并入本文。在第二种方法中，每个光学元件具有偏转一个子束并且从而形成一个虚拟图像的静电微偏转器。参见例如美国专利No.6,943,349和美国专利申请No.15/065,342，其全部内容通过引用并入本文。第二方法中的带电粒子之间的相互作用(例如，库仑效应)可能比第一方法中的弱，因为真实图像具有更高的电流密度。

图2A示意性地示出了可以使用多个带电粒子束进行带电粒子束检查的装置400，其中多个光束中的带电粒子来自单个源。即，装置400是多光束装置。装置400具有可以在自由空间中产生带电粒子的源401。在一个示例中，带电粒子是电子，并且源401是电子枪。装置400具有光学系统419，光学系统419可以利用带电粒子在样品407的表面上生成多个探测光斑并且扫描样品407的表面上的探测光斑。光学系统419可以具有聚光透镜404和相对于聚光透镜404位于上游或下游的主孔405。如本文中使用的表述“组件A相对于组件B位于上游”是指在装置的正常操作中，带电粒子束将在到达组件B之前到达组件A。如本文中使用的表述“组件B相对于组件A位于下游”是指在装置的正常操作中，带电粒子束将在到达组件A之后到达组件B。光学系统419具有被配置为形成源401的多个虚拟图像(例如，虚拟图像402和403)的源转换单元410。虚拟图像和源401均可以被视为子束(例如，子束431、432和433)的发射器。源转换单元410可以具有导电层412以及光学元件411，导电层412带有可以将来自源401的带电粒子分成多个子束的多个开口，光学元件411可以影响子束以形成源401的虚拟图像。光学元件411可以是被配置为使子束偏转的微偏转器。子束的电流可能受到导电层412中的开口的尺寸或聚光透镜404的聚焦能力的影响。光学系统419包括物镜406，物镜406被配置为聚焦多个子束并且由此向样品407的表面上形成多个探测光斑。源转换单元410还可以具有被配置为减少或消除探测光斑的像差(例如，场曲和像散)的微补偿器。

图2B示意性地示出了备选的多光束装置。聚光透镜404使来自源401的带电粒子准直。源转换单元410的光学元件411可以包括微补偿器413。微补偿器413可以与微偏转器分离，也可以与微偏转器集成。如果分开，则微补偿器413可以定位在微偏转器上游。微补偿器413被配置为补偿聚光透镜404或物镜406的离轴像差(例如，场曲、像散和畸变)。离轴像差可能对由离轴(即，未沿着装置的主光轴)子束形成的探测光斑的尺寸或位置产生负面影响。物镜406的离轴像差可能无法通过子束的偏转来完全消除。微补偿器413可以补偿物镜406的残余的离轴像差(即，无法通过子束的偏转而消除的离轴像差的部分)、或探测光斑的尺寸的不均匀性。每个微补偿器413与导电层412中的开口之一对准。每个微补偿器413可以具有四个或更多个极。子束的电流可能受到导电层412中的开口的尺寸和/或聚光透镜404的位置的影响。

图2C示意性地示出了备选的多光束装置。源转换单元410的光学元件411可以包括预弯曲微偏转器414。预弯曲微偏转器414是被配置为在子束通过导电层412中的开口之前使子束弯曲的微偏转器。

使用来自单个源的多个带电粒子束的装置的其他描述可以在美国专利申请公开2016/0268096、2016/0284505和2017/0025243、美国专利9607805、美国专利申请15/365,145、15/213,781、15/216,258和62/440,493、以及PCT申请PCT/US17/15223中找到，其全部公开内容通过引用并入本文。

带电粒子束检查可以通过很多方式进行调节。用于检查的可调节参数的值的集合可以被称为选配方案。参数的示例至少可以包括一个或多个带电粒子束的着陆能量、一个或多个带电粒子束的电流、一个或多个带电粒子束的焦点、一个或多个带电粒子束的扫描方向、一个或多个带电粒子束的扫描速度、一个或多个带电粒子束的目的地、一个或多个带电粒子束的带电粒子的类型、使用一个或多个带电粒子束记录的信号的平均值、一个或多个带电粒子束的光斑尺寸、放大率、所记录的信号的类型以及一个或多个带电粒子束的带电粒子的加速电压。选配方案的有效性可以取决于样品上的被检查区域的特性。样品的特性的示例至少可以包括样品的形状、样品的密度、样品的组分、样品的结构、在该区域中形成的图案的特性、用于形成该区域中的图案的工艺的特性、该区域中的缺陷的特性以及对该区域的先前检查的特性。该区域中的缺陷的特性的示例可以包括该区域中的缺陷的存在、该区域中的缺陷的密度、该区域中的缺陷的类型以及该区域中的缺陷的几何特性。用于形成该区域中的图案的工艺的特性的示例至少可以包括刻蚀参数、光刻参数和沉积参数。对该区域的先前检查的特性的示例可以包括在先前检查中使用的选配方案的参数、先前检查的结果、表示先前检查的有效性的度量。适合于样品不同区域的选配方案可以不同。因此，基于区域的特性来确定选配方案(即，选配方案中的参数的值)可以提高检查的有效性。

图3示意性地示出了根据一个实施例的用于确定带电粒子束检查的选配方案3030的方法的流程图。在可选步骤3005中，基于样品的第一组特性3001在样品上标识待检查区域。第一组特性3001可以包括该区域中的图案的特性(例如，图案的设计)或该图案的工艺条件的特性(即，在该区域中形成图案的条件)。在步骤3020中，基于样品的第二组特性3010确定选配方案3030的参数。第二组特性3010和第一组特性3001可以具有一些交叠(即，第一组和第二组的交集不为空)，无交叠(即，第一组和第二组的交集为空)，或者相同。在一个示例中，第二组特性3010包含该区域中的缺陷的特性。缺陷的特性的实例可以包括缺陷的存在、缺陷的密度、缺陷的类型以及缺陷的几何特性。在步骤3040中，使用选配方案3030检查该区域。即，以其参数作为选配方案3030中的这些参数的值来检查该区域。

图4示意性地示出了根据一个实施例的图3的流程图中的可选步骤3005的流程图。在该实施例中，第一组特性3001包括区域中的图案的设计(例如，如一个或多个GDS文件中表示的)和图案的工艺条件的特性(即，形成图案的条件)。在步骤34051中，基于图案的设计和工艺条件的特性使用模型来模拟图案。模拟结果34052可以包括图案的位置和几何特性(例如，形状、侧壁角度、线粗糙度)。在步骤34054中，比较模拟结果34052和图案的规范34053，并且基于该比较来确定该区域是否是待检查区域。例如，如果所模拟的图案的边缘位置与规范中规定的边缘位置相距太远，则该图案很可能是缺陷，并且可以检查包含该图案的区域。

图5示意性地示出了可以在图4的步骤34051中使用的模拟流程图。源模型5031表示可以用于将图案形成到区域中的光刻装置的辐射源的光学特性(包括辐射强度分布和/或相位分布)。投影光学器件模型5032表示光刻装置的投影光学器件的光学特性(包括由投影光学器件引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)。图案化装置模型5035表示要用于将图案形成到区域中的图案化装置的光学特性(包括由图案化装置上表示的给定设计布局引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)。图案的空间图像5036可以根据源模型5031、投影光学器件模型5032和图案化装置模型5035进行模拟。图案的抗蚀剂图像5038可以使用抗蚀剂模型5037从空间图像5036进行模拟。抗蚀剂模型5037表示样品上的抗蚀剂的物理和化学性质(例如，抗蚀剂在曝光、PEB和显影时的行为)。图案的刻蚀图像5040可以使用刻蚀模型5039从抗蚀剂图像5038进行模拟。刻蚀模型5039表示用于形成图案的刻蚀工艺的特性。

更具体地，源模型5031可以表示源的光学特性，包括但不限于数值孔径设置、照射sigma(σ)设置以及任何特定的照射形状(例如，离轴辐射源，诸如环形、四极、偶极等)。投影光学器件模型5032可以表示投影光学器件的光学特性，包括像差、畸变、一个或多个折射率、一个或多个物理尺寸、一个或多个物理维度等。图案化装置模型5035可以表示物理图案化装置的一个或多个物理性质，例如美国专利No.7,587,704中所述，该专利通过引用整体并入本文。刻蚀模型5039可以表示刻蚀工艺的特性，诸如气体成分、微波功率、持续时间、衬底的材料等。

该模拟不必模拟空间图像、抗蚀剂图像或刻蚀图像的一部分；它可以模拟其各种特性。例如，模拟可以模拟空间图像、抗蚀剂图像或刻蚀图像中的图案的几何特性。

图6示意性地示出了根据一个实施例的图3的流程图中的可选步骤3005的流程图。在该实施例中，第一组特性3001包括区域中的图案的工艺条件(即，形成图案的条件)的特性。在步骤35051中，比较工艺条件的特性和图案的工艺窗口35052，并且基于该比较来确定该区域是否是待检查区域。例如，如果图案之一的工艺条件在该图案的工艺窗口之外，则该图案很可能是缺陷并且可以检查包含该图案的区域。图案的工艺窗口是工艺参数的空间，在规范的范围内将在该空间下产生图案。从数学的角度来看，工艺窗口是矢量空间中由所有工艺参数覆盖的一部分。在给定的光刻工艺中，图案的工艺窗口仅由图案的规范和光刻工艺中涉及的物理条件决定。即，如果在光刻工艺期间规范和物理特性不改变，则工艺窗口不改变。

图7示意性地示出了根据一个实施例的图3的流程图中的可选步骤3005的流程图。在该实施例中，第一组特性3001包括区域中的图案的设计(例如，如一个或多个GDS文件中表示的)和图案的工艺条件的特性(即，形成图案的条件)。在步骤36051中，将第一组特性3001输入到机器学习模型36051中。机器学习模型36051确定图案是否为缺陷或图案为缺陷的概率、以及该区域是否为待检查区域。例如，如果该区域包含缺陷或包含缺陷的概率很高，则可以检查该区域。机器学习模型的示例包括决策树、系综(装袋、增强，随机森林)、k-NN、线性回归、朴素贝叶斯、神经网络、逻辑回归、感知器、支持向量机(SVM)、相关性向量机(RVM)和深度学习模型。

可以使用以下条款进一步描述实施例：

1.一种方法，包括：

基于样品的第二组特性确定所述样品上的区域的带电粒子束检查的选配方案的参数；以及

使用所述选配方案检查所述区域。

2.根据条款1所述的方法，其中所述第二组特性包括所述样品的形状、所述样品的密度、所述样品的组分或所述样品的结构。

3.根据条款1所述的方法，其中所述第二组特性包括在所述区域中形成的图案的特性。

4.根据条款3所述的方法，其中在所述区域中形成的所述图案的特性包括所述图案的设计。

5.根据条款1所述的方法，其中所述第二组特性包括用于形成所述区域中的图案的工艺的特性。

6.根据条款5所述的方法，其中所述工艺的特性包括刻蚀参数、光刻参数或沉积参数。

7.根据条款1所述的方法，其中所述第二组特性包括所述区域中的缺陷的特性。

8.根据条款7所述的方法，其中所述缺陷的特性包括缺陷的存在、缺陷的密度、缺陷的类型或缺陷的几何特性。

9.根据条款1所述的方法，其中所述第二组特性包括对所述区域的先前检查的特性。

10.根据条款9所述的方法，其中对所述区域的所述先前检查的特性包括在所述先前检查中使用的选配方案的参数、所述先前检查的结果、表示所述先前检查的有效性的度量。

11.根据条款1所述的方法，其中所述选配方案的参数选自由以下项组成的组：

一个或多个带电粒子束的着陆能量，

一个或多个带电粒子束的电流，

一个或多个带电粒子束的焦点，

一个或多个带电粒子束的扫描方向，

一个或多个带电粒子束的扫描速度，

一个或多个带电粒子束的目的地，

一个或多个带电粒子束的带电粒子的类型，

使用一个或多个带电粒子束记录的信号的平均值，

一个或多个带电粒子束的光斑尺寸，

放大率，

所记录的信号的类型，

一个或多个带电粒子束的带电粒子的加速电压，以及

其组合。

12.根据条款1所述的方法，还包括基于所述样品的第一组特性来标识所述区域。

13.根据条款12所述的方法，其中所述第二组特性和所述第一组特性具有交叠，不交叠或者相同。

14.根据条款12所述的方法，其中所述第一组特性包括在所述区域中形成的图案的设计和用于形成所述区域中的所述图案的工艺的特性；

其中标识所述区域包括：基于所述设计和所述工艺的特性通过模拟所述图案来获得模拟结果。

15.根据条款14所述的方法，其中所述模拟结果包括所述图案的位置或几何特性。

16.根据条款14所述的方法，其中所述模拟结果包括空间图像、抗蚀剂图像或刻蚀图像。

17.根据条款12所述的方法，其中标识所述区域还包括比较所述模拟结果和所述图案的规范。

18.根据条款12所述的方法，其中所述第一组特性包括用于形成所述区域中的图案的工艺的特性；

其中标识所述区域包括比较所述工艺的特性和所述图案的工艺窗口。

19.根据条款12所述的方法，其中所述第一组特性包括在所述区域中形成的图案的设计和用于形成所述区域中的图案的工艺的特性；

其中标识所述区域包括：将所述第一组特性输入到机器学习模型中。

20.根据条款19所述的方法，其中所述机器学习模型选自由以下项组成的组：决策树、系综、k-NN、线性回归、朴素贝叶斯、神经网络、逻辑回归、感知器、支持向量机(SVM)、相关性向量机(RVM)和深度学习。

21.一种计算机程序产品，包括在其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时执行根据条款1至20中任一项所述的方法。

虽然本文中公开的概念可以用于检查诸如硅晶片等样品或诸如玻璃上的铬等图案化装置，但是应当理解，所公开的概念可以与任何类型的样品一起使用，例如，检查除硅晶片以外的样品。

上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将很清楚的是，可以在不背离下面提出的权利要求的范围的情况下进行描述的修改。

Claims (15)

1.一种用于带电粒子束检查的方法，包括：

基于样品的第一组特性来标识区域，其中所述第一组特性包括工艺的特性，所述区域中的图案通过所述工艺的所述特性而被形成，其中标识所述区域包括：比较所述工艺的所述特性和所述图案的工艺窗口；以及

基于所述样品的第二组特性，确定对所述样品上的所述区域的带电粒子束检查的选配方案的参数；以及

使用所述选配方案检查所述区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组特性包括所述样品的形状、所述样品的密度、所述样品的组分或所述样品的结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组特性包括：在所述区域中形成的图案的特性。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述区域中形成的所述图案的特性包括：所述图案的设计。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组特性包括：工艺的特性，所述区域中的图案通过所述工艺的所述特性而被形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述工艺的所述特性包括：刻蚀参数、光刻参数或沉积参数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组特性包括：所述区域中的缺陷的特性。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述缺陷的特性包括：缺陷的存在、缺陷的密度、缺陷的类型或缺陷的几何特性。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组特性包括：对所述区域的先前检查的特性。

10.根据权利要求9所述的方法，其中对所述区域的所述先前检查的特性包括：在所述先前检查中使用的选配方案的参数、所述先前检查的结果、表示所述先前检查的有效性的度量。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述选配方案的所述参数是以下中的任一项：

一个或多个带电粒子束的着陆能量，

一个或多个带电粒子束的电流，

一个或多个带电粒子束的焦点，

一个或多个带电粒子束的扫描方向，

一个或多个带电粒子束的扫描速度，

一个或多个带电粒子束的目的地，

一个或多个带电粒子束的带电粒子的类型，

使用一个或多个带电粒子束所记录的信号的平均值，

一个或多个带电粒子束的光斑尺寸，

放大率，

所记录的信号的类型，或者

一个或多个带电粒子束的带电粒子的加速电压。

12.根据权利要求1所述的方法，其中标识所述区域还包括：通过基于设计和所述工艺的所述特性对所述图案进行模拟来获得模拟结果。

13.一种用于带电粒子束检查的方法，包括：

基于样品的第一组特性来标识区域，其中所述第一组特性包括工艺的特性，所述区域中的图案通过所述工艺的所述特性而被形成其中标识所述区域包括：通过基于设计和所述工艺的所述特性对所述图案进行模拟来获得模拟结果；以及

基于所述样品的第二组特性，确定对所述样品上的所述区域的带电粒子束检查的选配方案的参数；以及

使用所述选配方案检查所述区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二组特性包括：所述区域中的缺陷的特性。

15.一种计算机程序产品，包括在其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实现根据权利要求1所述的方法或根据权利要求13所述的方法。

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