KR102444744B1 - 하전 입자 빔 검사의 샘플 검사 레시피의 동적 결정 - Google Patents

하전 입자 빔 검사의 샘플 검사 레시피의 동적 결정 Download PDF

Info

Publication number
KR102444744B1
KR102444744B1 KR1020207008773A KR20207008773A KR102444744B1 KR 102444744 B1 KR102444744 B1 KR 102444744B1 KR 1020207008773 A KR1020207008773 A KR 1020207008773A KR 20207008773 A KR20207008773 A KR 20207008773A KR 102444744 B1 KR102444744 B1 KR 102444744B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
charged particle
pattern
sample
beams
Prior art date
Application number
KR1020207008773A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200043461A (ko
Inventor
중웨이 첸
잭 자우
웨이 팽
치안 쿠안
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20200043461A publication Critical patent/KR20200043461A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102444744B1 publication Critical patent/KR102444744B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817—Pattern inspection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

본 명세서에서는, 샘플의 제 2 특성 세트에 기초하여 샘플상의 영역의 하전 입자 빔 검사 레시피의 파라미터를 결정하는 단계; 및 상기 레시피를 사용하여 상기 영역을 검사하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.

Description

하전 입자 빔 검사의 샘플 검사 레시피의 동적 결정
관련 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은 2017 년 9 월 29 일에 출원된 미국 출원 62/566,132의 우선권을 주장하며, 이 출원은 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
기술 분야
본 개시는 집적 회로(IC)의 제조와 같은 디바이스 제조 공정에 사용되는 웨이퍼 및 마스크와 같은 샘플을 검사(예를 들어, 관찰, 측정 및 이미징)하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
디바이스 제조 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 대안적으로 마스크 또는 레티클로 지칭되는 패터닝 디바이스는 원하는 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 부분(예를 들어, 하나 또는 여러 다이의 일부를 포함)으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선 감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징을 통해 이루어진다. 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 부분들의 네트워크를 포함할 수 있다. 이러한 전사를 위해 리소그래피 장치가 사용될 수 있다. 한 유형의 리소그래피 장치를 스테퍼(stepper)라고 하며, 여기서 각각의 타겟 부분은 한 번에 타겟 부분 상에 전체 패턴을 노광시킴으로써 조사된다. 다른 유형의 리소그래피 장치를 스캐너(scanner)라고 하며, 여기서 주어진 방향으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캐닝하면서 이 방향에 대해 평행 또는 반 평행으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟 부분이 조사된다. 패턴을 기판 상에 임프린트함으로써 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판으로 전사하는 것이 또한 가능하다.
디바이스 제조 공정의 하나 이상의 단계(예를 들어, 노광, 레지스트 처리, 에칭, 현상, 베이킹 등)를 모니터링하기 위하여, 디바이스 제조 공정에 의해 패터닝된 기판 또는 여기에 사용된 패터닝 디바이스와 같은 샘플이 검사될 수 있으며, 여기서 샘플의 하나 이상의 파라미터가 측정될 수 있다.하나 이상의 파라미터는 예를 들어, 기판 또는 패터닝 디바이스 상의 패턴의 에지와 패턴의 의도된 설계상의 대응 에지 사이의 거리인 에지 플레이스 에러(EPE)를 포함할 수 있다. 검사는 패턴 결함(가령, 연결 실패 또는 분리 실패) 및 의도되지 않은 입자를 발견할 수도 있다.
디바이스 제조 공정에 사용되는 기판 및 패터닝 장치의 검사는 수율을 향상시키는데 도움이 될 수 있다. 검사에서 얻은 정보를 사용하여 결함을 식별하거나 디바이스 제조 프로세스를 조정할 수 있다.
본 명세서에서는, 샘플의 제 2 특성 세트에 기초하여 샘플상의 영역의 하전 입자 빔 검사 레시피의 파라미터를 결정하는 단계; 및 상기 레시피를 사용하여 상기 영역을 검사하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.
실시예에 의하면, 상기 제 2 특성 세트는 샘플의 형상, 샘플의 밀도, 샘플의 조성 또는 샘플의 구조를 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내에 형성된 패턴의 특성을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 영역에 형성된 패턴의 특성은 패턴의 디자인을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 프로세스의 특성은 에칭 파라미터, 리소그래피 파라미터 또는 증착(deposition) 파라미터를 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 결함의 특성을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 결함의 특성은 결함의 존재, 결함의 밀도, 결함의 유형 또는 결함의 기하학적 특성을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역에 대한 사전 검사의 특성을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 영역에 대한 사전 검사의 특성은 상기 사전 검사에 사용된 레시피의 파라미터, 상기 사전 검사의 결과, 상기 사전 검사의 유효성을 나타내는 메트릭을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 레시피의 파라미터는 다음으로 구성된 그룹으로부터 선택된다: 하나 이상의 하전 입자 빔의 랜딩 에너지, 하나 이상의 하전 입자 빔의 전류, 하나 이상의 하전 입자 빔의 초점, 하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 방향, 하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 속도, 하나 이상의 하전 입자 빔의 데스티그메이션(destigmation), 하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 유형, 하나 이상의 하전 입자 빔을 사용하여 기록된 신호의 평균화, 하나 이상의 하전 입자 빔의 스폿 크기, 배율(magnification), 기록된 신호 유형, 하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 가속 전압, 및 이들의 조합.
실시예에 의하면, 상기 방법은 상기 샘플의 제 1 특성 세트에 기초하여 상기 영역을 식별하는 단계를 더 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 제 2 특성 세트 및 상기 제 1 특성 세트는 중첩되거나, 중첩되지 않거나 또는 동일하다.
실시예에 의하면, 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 형성된 패턴의 디자인 및 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고; 상기 영역을 식별하는 단계는 상기 디자인 및 상기 프로세스의 특성에 기초하여 패턴을 시뮬레이션함으로써 시뮬레이션 결과를 얻는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 시뮬레이션 결과는 패턴의 위치 또는 기하학적 특성을 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 시뮬레이션 결과는 에어리얼 이미지, 레지스트 이미지 또는 에칭된 이미지를 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 영역을 식별하는 단계는 시뮬레이션 결과와 패턴의 사양을 비교하는 단계를 더 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고; 상기 영역을 식별하는 단계는 상기 프로세스의 특성과 상기 패턴의 프로세스 윈도우를 비교하는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 형성된 패턴의 디자인 및 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고; 상기 영역을 식별하는 단계는 상기 제 1 특성 세트를 기계 학습 모델에 입력하는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, 상기 기계 학습 모델은 다음으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다: 의사 결정 트리, 앙상블, k-NN, 선형 회귀, naive Bayes, 신경망, 로지스틱 회귀, 퍼셉트론, 서포트 벡터 머신(SVM), 관련도 벡터 머신(RVM) 및 딥 러닝.
본 명세서에서는, 명령이 기록된 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품이 개시되며, 상기 명령은 컴퓨터에 의해 실행될 때 앞선 방법들 중 어느 하나를 구현한다.
도 1은 하전 입자 빔 검사를 수행할 수 있는 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2a는 하전 입자의 다중 빔을 사용하여 하전 입자 빔 검사를 수행할 수 있는 장치를 개략적으로 도시하며, 다중 빔 내의 하전 입자는 단일 소스로부터 나온다("멀티 빔" 장치).
도 2b는 대안적인 멀티 빔 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2c는 대안적인 멀티 빔 장치를 개략적으로 도시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 하전 입자 빔 검사를 위한 레시피(3030)를 결정하는 방법에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 도 3의 흐름도에서 선택적 단계 3005에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다.
도 5는 도 4의 단계 34051에서 사용될 수 있는 시뮬레이션 흐름도를 개략적으로 도시한다.
도 6은 일 실시예에 따른, 도 3의 흐름도에서 선택적 단계 3005에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다.
도 7은 일 실시예에 따른, 도 3의 흐름도에서 선택적 단계 3005에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다.
샘플(가령, 기판 및 패터닝 장치)을 검사하기 위한 다양한 기술이 있다. 검사 기술의 한 종류는 광학 검사인데, 여기서 광 빔은 기판 또는 패터닝 장치로 보내지고 광 빔과 샘플의 상호 작용(가령, 산란, 반사, 회절)을 나타내는 신호가 기록된다. 다른 종류의 검사 기술은 하전 입자 빔 검사이며, 여기서 하전 입자 빔(가령, 전자)이 샘플로 향하고 하전 입자와 샘플의 상호 작용(가령, 2 차 방출 및 후방 산란 방출)을 나타내는 신호와 샘플이 기록된다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 달리 구체적으로 언급되지 않는 한, 용어 "또는"은 실행 불가능한 경우를 제외하고는 모든 가능한 조합을 포함한다. 예를 들어, 데이터베이스가 A 또는 B를 포함할 수 있다고 언급되어 있는 경우, 달리 언급하거나 실행 불가능한 경우를 제외하고 데이터베이스는 A 또는 B 또는 A 및 B를 포함할 수 있다. 두 번째 예로, 데이터베이스는 A, B 또는 C를 포함할 수 있으며, 달리 구체적으로 또는 실행 불가능하게 언급되지 않는 한 데이터베이스는 A 또는 B 또는 C, 또는 A와 B 또는 A와 C 또는 B와 C, 또는 A와 B와 C를 포함할 수 있다.
도 1은 하전 입자 빔 검사를 수행할 수 있는 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 장치(100)는 자유 공간에서 하전 입자를 생성할 수 있는 소스(10), 빔 추출 전극(11), 콘덴서 렌즈(12), 빔 블랭킹 편향기(13), 개구(14), 스캐닝 편향기(15) 및 대물렌즈(16)와 같은, 하전 입자 빔을 생성 및 제어하도록 구성된 구성 요소를 포함할 수 있다. 장치(100)는 ExB 하전 입자 우회 장치(17), 신호 검출기(21)와 같은, 샘플과 하전 입자 빔의 상호 작용을 나타내는 신호를 검출하도록 구성된 구성 요소를 포함할 수 있다. 장치(100)는 또한 신호를 처리하거나 다른 구성 요소를 제어하도록 구성된 프로세서와 같은 구성 요소를 포함할 수 있다.
검사 공정의 예에서, 하전 입자 빔(18)은 스테이지(30) 상에 위치된 샘플(9)(예를 들어, 웨이퍼 또는 마스크)로 지향된다. 빔(18)과 샘플(9)의 상호 작용을 나타내는 신호(20)는 ExB 하전 입자 우회 장치(17)에 의해 신호 검출기(21)로 안내된다. 프로세서는 스테이지(30)로 하여금 이동하게 하거나 빔(18)으로 하여금 스캐닝하게 할 수 있다.
하전 입자 빔 검사는 하전 입자 빔 검사에 사용되는 하전 입자의 파장이 광학 검사에 사용되는 광보다 짧기 때문에 광학 검사보다 높은 해상도를 가질 수 있다. 디바이스 제조 공정이 진화함에 따라 기판 및 패터닝 디바이스 상의 패턴의 치수가 점점 작아짐에 따라 하전 입자 빔 검사가 보다 널리 사용된다.
일 예에서, 하전 입자의 다중 빔은 샘플 상의 다수의 영역을 동시에 스캔할 수 있다. 다중 빔의 스캐닝은 동기화되거나 독립적일 수 있다. 다수의 영역은 그들 사이에서 중첩을 가질 수 있거나, 연속 영역을 커버하도록 타일링되거나, 또는 서로 격리될 수 있다. 빔과 샘플의 상호 작용으로부터 생성된 신호는 다수의 검출기에 의해 수집될 수 있다. 검출기의 수는 빔의 수보다 작거나 같거나 클 수 있다. 다중 빔은 개별적으로 제어되거나 집합 적으로 제어될 수 있다.
하전 입자의 다중 빔은 샘플의 표면 상에 다중 프로브 스폿을 형성할 수 있다. 프로브 스폿은 표면의 여러 영역을 각각 또는 동시에 스캔할 수 있다. 하전된 빔의 입자는 프로브 스폿의 위치로부터 신호를 생성할 수 있다. 신호의 일례는 이차 전자이다. 이차 전자는 일반적으로 50eV 미만의 에너지를 갖는다. 신호의 다른 예는 빔의 하전된 입자가 전자인 경우 후방 산란 전자(backscattered electrons)이다. 후방 산란 전자는 일반적으로 빔 전자의 랜딩 에너지에 가까운 에너지를 갖는다. 프로브 스폿의 위치로부터의 신호는 다수의 검출기에 의해 각각 또는 동시에 수집될 수 있다.
다중 빔은 다수의 소스들 각각로부터 또는 단일 소스로부터 온 것일 수 있다. 빔들이 다수의 소스들로부터 온다면, 다수의 컬럼들이 빔들을 표면 상으로 스캔하고 포커싱할 수 있고, 빔들에 의해 생성된 신호들은 각각 컬럼들 내의 검출기들에 의해 검출될 수 있다. 다수의 소스로부터의 빔을 사용하는 장치를 멀티-컬럼(multi-column) 장치로 칭해질 수 있다. 컬럼은 독립적이거나 다축 자기(multi-axis magnetic) 또는 전자기 복합 대물 렌즈(electromagnetic-compound objective lens)일 수 있다. 전문이 본원에 참조로 포함된 US 8,294,095를 참조하라. 멀티-컬럼 장치에 의해 생성된 프로브 스폿은 30-50mm의 거리만큼 이격될 수 있다.
빔이 단일 소스로부터 온 경우, 소스-변환 유닛은 단일 소스의 다수의 가상 또는 실제 이미지를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 각각의 이미지 및 단일 소스는 빔의 방출기(모든 빔렛들이 동일한 소스로부터 온 것이므로 "빔렛(beamlet)"이라고도 함)로 볼 수 있다. 소스-변환 유닛은 하전된 입자를 단일 소스로부터 다수의 빔릿으로 분할할 수 있는 다수의 개구를 갖는 도전층을 가질 수 있다. 소스-변환 유닛은 빔렛에 영향을 주어 단일 소스의 다수의 가상 또는 실제 이미지를 형성할 수 있는 광학계 요소를 가질 수 있다. 각 이미지는 빔렛 중 하나를 방출하는 소스로 볼 수 있다. 빔렛은 마이크로 미터의 거리만큼 이격될 수 있다. 프로젝션 시스템 및 편향 스캐닝 유닛을 가질 수 있는 단일 컬럼은 샘플의 여러 영역 상에 빔렛을 스캔하고 포커싱하는데 사용될 수 있다. 빔렛들에 의해 생성된 신호들은 단일 컬럼 내부의 검출기의 다수의 검출 요소들에 의해 각각 검출될 수 있다. 단일 소스로부터의 빔을 사용하는 장치를 멀티-빔 장치라고 할 수 있다.
단일 소스의 이미지를 형성하는 적어도 두 가지 방법이 있다. 제 1 방법에서, 각각의 광학계 요소는 하나의 빔렛을 포커싱하여 하나의 실제 이미지를 형성하는 정전기 마이크로 렌즈를 갖는다. 예를 들어, 그 전문이 본원에 참조로 포함되는 US 7,244,949를 참조하라. 제 2 방법에서, 각각의 광학계 요소는 하나의 빔렛을 편향시켜 하나의 가상 이미지를 형성하는 정전기 마이크로 편향기를 갖는다. 예를 들어, 그 전문이 본원에 참조로 포함되는 US 6,943,349 및 미국 특허출원 15/065,342를 참조하라. 실제 이미지는 더 높은 전류 밀도를 갖기 때문에, 제 2 방법에서의 하전된 입자들 사이의 상호 작용(예를 들어, 쿨롱 효과)은 제 1 방법에서보다 약할 수 있다.
도 2a는 다수의 하전 입자 빔을 사용하여 하전 입자 빔 검사를 수행할 수 있는 장치(400)를 개략적으로 도시하며, 여기서 다수의 빔 내의 하전 입자는 단일 소스로부터 온다. 즉, 장치(400)는 멀티 빔 장치이다. 장치(400)는 자유 공간에서 하전 입자를 생성할 수 있는 소스(401)를 갖는다. 일 예에서, 하전 입자는 전자이고 소스(401)는 전자총이다. 장치(400)는 광학계 시스템(419)을 갖고, 이는 하전 입자로 샘플(407)의 표면 상에 다수의 프로브 스폿을 생성하고 샘플(407)의 표면 상의 프로브 스폿을 스캔할 수 있다. 광학 시스템(419)은 콘덴서 렌즈(404) 및 콘덴서 렌즈(404)에 대해 상류 또는 하류에 메인 개구(405)를 가질 수 있다. 본 명세서에 사용된 "성분 A는 성분 B에 대해 상류"라는 표현은 하전 입자 빔이 장치의 정상 작동에서 성분 B에 도달하기 전에 성분 A에 도달할 것이라는 것을 의미한다. 본 명세서에서 사용된 "성분 B는 성분 A에 대해 하류"라는 표현은 하전 입자 빔이 장치의 정상 작동에서 성분 A에 도달한 후 성분 B에 도달할 것이라는 것을 의미한다. 광학계 시스템(419)은 소스(401)의 복수의 가상 이미지(예를 들어, 가상 이미지(402 및 403))를 형성하도록 구성된 소스-변환 유닛(410)을 갖는다. 가상 이미지 및 소스(401)는 각각 빔렛의 방출기(예를 들어, 빔렛(431, 432 및 433))로 볼 수 있다. 소스-변환 유닛(410)은 소스(401)로부터 하전된 입자를 다수의 빔렛으로 분할할 수 있는 다수의 개구를 갖는 도전층(412) 및 빔렛에 영향을 주어 광원(401)의 가상 이미지를 형성할 수 있는 광학 요소(411)를 가질 수 있다. 광학계 요소(411)는 빔렛을 편향시키도록 구성된 마이크로-편향기일 수 있다. 빔렛의 전류는 도전층(412)의 개구부의 크기 또는 콘덴서 렌즈(404)의 포커싱 파워에 의해 영향을 받을 수 있다. 광학계 시스템(419)은 다수의 빔렛을 포커싱하여 샘플(407)의 표면 상에 다수의 프로브 스폿을 형성하도록 구성된 대물 렌즈(406)를 포함한다. 소스-변환 유닛(410)은 또한 프로브 스폿의 수차(예를 들어, 필드 곡률 및 비점수차(astigmatism))를 감소시키거나 제거하도록 구성된 마이크로-보상기를 가질 수 있다.
도 2b는 대안적인 다중 빔 장치를 개략적으로 도시한다. 콘덴서 렌즈(404)는 소스(401)로부터 하전된 입자를 시준한다. 소스-변환 유닛(410)의 광학계 요소(411)는 마이크로-보상기(413)를 포함할 수 있다. 마이크로 보상기들(413)은 마이크로 편향기들로부터 분리될 수 있거나 마이크로 편향기들과 통합될 수 있다. 분리되면, 마이크로 보상기(413)는 마이크로 편향기의 상류에 위치될 수 있다. 마이크로 보상기(413)는 콘덴서 렌즈(404) 또는 대물렌즈(406)의 축외 수차(off-axis aberrations)(예를 들어, 필드 곡률, 비점수차 및 왜곡)를 보상하도록 구성된다. 축외 수차는 축외(즉, 장치의 주 광학 축을 따르지 않음) 빔렛에 의해 형성된 프로브 스폿의 크기 또는 위치에 부정적인 영향을 줄 수 있다. 대물렌즈(406)의 축외 수차는 빔렛의 편향에 의해 완전히 제거되지 않을 수 있다. 마이크로 보상기(413)는 대물렌즈(406)의 잔류 축외 수차(즉, 빔렛의 편향에 의해 제거될 수 없는 축외 수차의 일부), 또는 프로브 스폿의 크기의 불균일을 보상할 수 있다. 마이크로 보상기(413) 각각은 도전층(412) 내 개구들 중 하나와 정렬된다. 마이크로 보상기(413)는 각각 4 개 이상의 극을 가질 수 있다. 빔렛의 전류는 도전층(412)의 개구의 크기 및/또는 콘덴서 렌즈(404)의 위치에 의해 영향을 받을 수 있다.
도 2c는 대안적인 멀티-빔 장치를 개략적으로 도시한다. 소스-변환 유닛(410)의 광학계 요소(411)는 프리-벤딩(pre-bending) 마이크로 편향기(414)를 포함할 수 있다. 프리-벤딩 마이크로 편향기(414)는 빔렛이 도전층(412) 내 개구를 통과하기 전에 빔렛을 구부리도록 구성된 마이크로 편향기이다.
단일 소스로부터 다수의 하전 입자 빔을 사용하는 장치에 대한 추가적인 설명은 미국 특허 출원 공개 2016/0268096, 2016/0284505 및 2017/0025243, 미국 특허 9607805, 미국 특허 출원 15/365,145, 15/213,781, 15/216,258 및 62/440,493, 그리고 PCT 출원 PCT/US17/15223에서 발견될 수 있으며, 이의 개시 내용은 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
하전 입자 빔 검사(charged particle beam inspection)는 많은 방식으로 조정될 수 있다. 검사를 위해 조정 가능한 파라미터 값의 컬렉션은 레시피로 명명될 수 있다. 파라미터의 예는 적어도 다음을 포함할 수 있다: 하나 이상의 하전 입자 빔의 랜딩 에너지, 하나 이상의 하전 입자 빔의 전류, 하나 이상의 하전 입자 빔의 초점, 하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 방향, 하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 속도, 하나 이상의 하전 입자 빔의 데스티그메이션(destigmation), 하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 유형, 하나 이상의 하전 입자 빔을 사용하여 기록된 신호의 평균화, 하나 이상의 하전 입자 빔의 스폿 크기, 배율(magnification), 기록된 신호의 유형, 및 하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 가속 전압. 레시피의 유효성(effectiveness)은 샘플에서 검사되는 영역의 특성에 의존한다. 샘플의 특성의 예는 적어도 다음을 포함할 수 있다: 샘플의 형상, 샘플의 밀도, 샘플의 조성, 샘플의 구조, 영역 내 형성된 패턴의 특성, 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성, 영역 내 결함의 특성, 및 영역에 대한 사전 검사의 특성. 영역 내 결함의 특성의 예는 영역 내 결함의 존재, 영역 내 결함의 밀도, 영역 내 결함의 유형, 및 영역 내 결함의 기하학적 특성을 포함할 수 있다. 영역 내의 패턴이 형성되는 프로세스의 특성의 예는 에칭 파라미터, 리소그래피 파라미터 및 증착(deposition) 파라미터를 포함할 수 있다. 영역에 대한 사전 검사의 특성의 예는 사전 검사에 사용된 레시피의 파라미터, 사전 검사의 결과, 사전 검사의 유효성을 나타내는 메트릭을 포함할 수 있다. 샘플의 다른 영역들에 적합한 레시피는 다를 수 있다. 따라서, 영역의 특성에 기초하여 레시피(즉, 레시피 내의 파라미터의 값)를 결정하면 검사의 유효성을 향상시킬 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 하전 입자 빔 검사의 레시피(3030)를 결정하는 방법에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다. 선택적인 단계 3005에서, 검사될 영역은 샘플의 제 1 특성 세트(3001)에 기초하여 샘플 상에서 식별된다. 제 1 특성 세트(3001)는 영역의 패턴 특성(예를 들어, 패턴의 설계) 또는 패턴의 프로세스 조건(즉, 영역에 패턴이 형성되는 조건)의 특성을 포함할 수 있다. 단계 3020에서, 레시피(3030)의 파라미터는 샘플의 제 2 특성 세트(3010)에 기초하여 결정된다. 제 2 특성 세트(3010) 및 제 1 특성 세트(3001)는 일부 겹치거나(즉, 제 1 세트와 제 2 세트의 교차 부분이 비어 있지 않음), 겹치지 않거나(즉, 제 1 세트와 제 2 세트의 교차가 비어 있음), 또는 동일할 수 있다. 일 예에서, 제 2 특성 세트(3010)는 영역에서의 결함 특성을 포함한다. 결함의 특성의 예는 결함의 존재, 결함의 밀도, 결함의 유형 및 결함의 기하학적 특성을 포함할 수 있다. 단계 3040에서, 레시피(3030)를 사용하여 영역이 검사된다. 즉, 영역은, 파라미터가 레시피(3030)에서 이들 파라미터의 값인 파라미터로 검사된다.
도 4는 일 실시예에 따른, 도 3의 흐름도에서 선택적 단계 3005에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다. 이 실시예에서, 제 1 특성 세트(3001)는 영역 내 패턴 설계(예: 하나 이상의 GDS 파일로 표현됨) 및 패턴의 프로세스 조건의 특성(즉, 패턴이 형성되는 조건)을 포함한다. 단계 34051에서, 패턴의 디자인 및 프로세스 조건의 특성에 기초하여 모델을 사용하여 패턴이 시뮬레이션 된다. 시뮬레이션 결과(34052)는 패턴의 위치 및 기하학적 특성(예를 들어, 형상, 측벽 각도, 라인 거칠기)을 포함할 수 있다. 단계 34054에서, 패턴의 시뮬레이션 결과(34052) 및 사양(34053)이 비교되고 영역이 검사될 영역인지의 여부가 비교에 기초하여 결정된다. 예를 들어, 시뮬레이션 된 패턴의 에지 위치가 사양에서 규정된 에지 위치로부터 너무 멀리 떨어져 있으면, 패턴이 결함일 수 있고 이 패턴을 포함하는 영역이 검사될 수 있다.
도 5는 도 4의 단계 34051에서 사용될 수 있는 시뮬레이션 흐름도를 개략적으로 도시한다. 소스 모델(5031)은 패턴을 영역 내 형성하는데 사용될 수 있는 리소그래피 장치의 방사선 소스의 광학 특성(방사선 세기 분포 및/또는 위상 분포를 포함)을 나타낸다. 투영 광학 모델(5032)은 리소그래피 장치의 투영 광학의 광학 특성(투영 광학에 의해 야기되는 방사선 세기 분포 및/또는 위상 분포의 변화를 포함)을 나타낸다. 패터닝 디바이스 모델(5035)은 패턴을 영역 내 형성하는데 사용되는 패터닝 디바이스의 광학 특성(패터닝 디바이스 상에 표현된 주어진 디자인 레이아웃에 의해 야기되는 방사선 세기 분포 및/또는 위상 분포의 변화를 포함)을 나타낸다. 패턴의 에어리얼 이미지(5036)는 소스 모델(5031), 투영 광학 모델(5032) 및 패터닝 디바이스 모델(5035)로부터 시뮬레이션 될 수 있다. 패턴의 레지스트 이미지(5038)는 레지스트 모델(5037)을 사용하여 에어리얼 이미지(5036)로부터 시뮬레이션 될 수 있다. 레지스트 모델(5037)은 샘플 상의 레지스트의 물리적 및 화학적 특성(예를 들어, 노광, PEB 및 현상에서 레지스트의 거동)을 나타낸다. 패턴의 에칭 이미지(5040)는 에칭 모델(5039)을 사용하여 레지스트 이미지(5038)로부터 시뮬레이션 될 수 있다. 에칭 모델(5039)은 패턴을 형성하기 위한 에칭 프로세스의 특성을 나타낸다.
보다 구체적으로, 소스 모델(5031)은 개구 수 설정, 조명 시그마(σ) 설정 및 임의의 특정 조명 형태(예: 환형, 사중극자, 쌍극자 등과 같은 축외 방사선원)를 포함하지만 이에 제한되지 않는 소스의 광학 특성을 나타낼 수 있다. 투영 광학 모델(5032)은 수차, 왜곡, 하나 이상의 굴절률, 하나 이상의 물리적 크기, 하나 이상의 물리적 치수 등을 포함하는 투영 광학의 광학 특성을 나타낼 수 있다. 패터닝 디바이스 모델(5035)은, 예를 들어 그 전문이 본원에 참조로 포함되는 미국 특허 제 7,587,704 호에 설명된 바와 같이, 물리적인 패터닝 디바이스의 하나 이상의 물리적 특성을 나타낼 수 있다. 에칭 모델(5039)은 가스 조성, 마이크로파 전력, 지속 시간, 기판의 재료 등과 같은 에칭 프로세스의 특성을 나타낼 수 있다.
시뮬레이션은 에어리얼, 레지스트 또는 에칭된 이미지의 일부를 시뮬레이션 할 필요가 없으며; 그 다양한 특성을 시뮬레이션 할 수 있다. 예를 들어, 시뮬레이션은 에어리얼, 레지스트 또는 에칭된 이미지에서 패턴의 기하학적 특성을 시뮬레이션 할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른, 도 3의 흐름도에서 선택적 단계 3005에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다. 이 실시예에서, 제 1 특성 세트(3001)는 영역 내 패턴의 프로세스 조건(즉, 패턴이 형성되는 조건)의 특성을 포함한다. 단계 35051에서, 패턴들의 프로세스 조건들 및 프로세스 윈도우들(35052)의 특성들이 비교되고, 영역이 검사될 영역인지 여부가 비교에 기초하여 결정된다. 예를 들어, 패턴 중 하나의 프로세스 조건이 해당 패턴의 프로세스 윈도우 밖에 있는 경우, 해당 패턴에 결함이 있을 수 있으며 이 패턴이 포함된 영역을 검사할 수 있다. 패턴의 프로세스 윈도우는 사양 내에서 패턴이 생성될 프로세스 파라미터의 공간이다. 수학적 관점에서 볼 때 프로세스 윈도우는 모든 프로세스 파라미터에 의해 스캐닝되는 벡터 공간의 일부이다. 주어진 리소그래피 프로세스에서, 패턴의 프로세스 윈도우는 리소그래피 프로세스에 관련된 물리 및 패턴의 사양에 의해서만 지시된다. 즉, 리소그래피 프로세스 동안 사양 및 물리가 변경되지 않으면 프로세스 윈도우는 변하지 않는다.
도 7은 일 실시예에 따른, 도 3의 흐름도에서 선택적 단계 3005에 대한 흐름도를 개략적으로 도시한다. 이 실시예에서, 제 1 특성 세트(3001)는, 영역 내 패턴 디자인(예 : 하나 이상의 GDS 파일로 표시) 및 패턴의 프로세스 조건의 특성(즉, 패턴이 형성되는 조건)을 포함한다. 단계 36051에서, 제 1 특성 세트(3001)는 기계 학습 모델(36051)로 입력된다. 기계 학습 모델(36051)은 패턴이 결함인지의 여부 및 영역이 검사될 영역인지를 결정한다. 예를 들어, 영역이 결함을 포함하거나 결함을 포함할 가능성이 높은 경우, 영역이 검사될 수 있다. 기계 학습 모델은, 의사 결정 트리(decision trees), 앙상블(배깅, 부스팅, 랜덤 포레스트), k-NN, 선형 회귀, naive Bayes, 신경망, 로지스틱 회귀, 퍼셉트론, 서포트 벡터 머신(SVM), 관련도 벡터 머신(RVM) 및 딥 러닝 모델을 포함한다.
실시예들은 다음의 조항을 사용하여 추가로 설명될 수 있다:
1. 방법으로서,
샘플의 제 2 특성 세트에 기초하여 샘플상의 영역의 하전 입자 빔 검사 레시피의 파라미터를 결정하는 단계; 및
상기 레시피를 사용하여 상기 영역을 검사하는 단계를 포함하는 방법.
2. 조항 1의 방법에서, 상기 제 2 특성 세트는 샘플의 형상, 샘플의 밀도, 샘플의 조성 또는 샘플의 구조를 포함하는 방법.
3. 조항 1의 방법에서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내에 형성된 패턴의 특성을 포함하는 방법.
4. 조항 3의 방법에서, 상기 영역에 형성된 패턴의 특성은 패턴의 디자인을 포함하는 방법.
5. 조항 1의 방법에서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하는 방법.
6. 조항 5의 방법에서, 상기 프로세스의 특성은 에칭 파라미터, 리소그래피 파라미터 또는 증착(deposition) 파라미터를 포함하는 방법.
7. 조항 1의 방법에서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 결함의 특성을 포함하는 방법.
8. 조항 7의 방법에서, 상기 결함의 특성은 결함의 존재, 결함의 밀도, 결함의 유형 또는 결함의 기하학적 특성을 포함하는 방법.
9. 조항 1의 방법에서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역에 대한 사전 검사의 특성을 포함하는 방법.
10. 조항 9의 방법에서, 상기 영역에 대한 사전 검사의 특성은 상기 사전 검사에 사용된 레시피의 파라미터, 상기 사전 검사의 결과, 상기 사전 검사의 유효성을 나타내는 메트릭을 포함하는 방법.
11. 조항 1의 방법에서, 상기 레시피의 파라미터는 다음으로 구성된 그룹으로부터 선택된 방법:
하나 이상의 하전 입자 빔의 랜딩 에너지, 하나 이상의 하전 입자 빔의 전류,
하나 이상의 하전 입자 빔의 초점,
하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 방향,
하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 속도,
하나 이상의 하전 입자 빔의 데스티그메이션(destigmation),
하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 유형,
하나 이상의 하전 입자 빔을 사용하여 기록된 신호의 평균화,
하나 이상의 하전 입자 빔의 스폿 크기,
배율(magnification),
기록된 신호 유형
하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 가속 전압, 및
이들의 조합.
12. 조항 1의 방법에서, 상기 샘플의 제 1 특성 세트에 기초하여 상기 영역을 식별하는 단계를 더 포함하는 방법.
13. 조항 12의 방법에서, 상기 제 2 특성 세트 및 상기 제 1 특성 세트는 중첩되거나, 중첩되지 않거나 또는 동일한 방법.
14. 조항 12의 방법에서, 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 형성된 패턴의 디자인 및 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고;
상기 영역을 식별하는 단계는 상기 디자인 및 상기 프로세스의 특성에 기초하여 패턴을 시뮬레이션함으로써 시뮬레이션 결과를 얻는 단계를 포함하는 방법.
15. 조항 14의 방법에서, 상기 시뮬레이션 결과는 패턴의 위치 또는 기하학적 특성을 포함하는 방법.
16. 조항 14의 방법에서, 상기 시뮬레이션 결과는 에어리얼 이미지, 레지스트 이미지 또는 에칭된 이미지를 포함하는 방법.
17. 조항 12의 방법에서, 상기 영역을 식별하는 단계는 시뮬레이션 결과와 패턴의 사양을 비교하는 단계를 더 포함하는 방법.
18. 조항 12의 방법에서, 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고;
상기 영역을 식별하는 단계는 상기 프로세스의 특성과 상기 패턴의 프로세스 윈도우를 비교하는 단계를 포함하는 방법.
19. 조항 12의 방법에서, 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 형성된 패턴의 디자인 및 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고;
상기 영역을 식별하는 단계는 상기 제 1 특성 세트를 기계 학습 모델에 입력하는 단계를 포함하는 방법.
20. 조항 19의 방법에서, 상기 기계 학습 모델은 다음으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법:
의사 결정 트리, 앙상블, k-NN, 선형 회귀, naive Bayes, 신경망, 로지스틱 회귀, 퍼셉트론, 서포트 벡터 머신(SVM), 관련도 벡터 머신(RVM) 및 딥 러닝.
21. 명령이 기록된 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품으로서, 상기 명령은 컴퓨터에 의해 실행될 때 조항 1 내지 20 중 어느 하나의 방법을 구현하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
본 명세서에 개시된 개념은 실리콘 웨이퍼 또는 유리 상의 크롬과 같은 패터닝 장치와 같은 샘플에 대한 검사를 위해 사용될 수 있지만, 개시된 개념은 임의의 유형의 샘플, 가령, 실리콘 웨이퍼 이외의 샘플 검사와 함께 사용될 수 있음을 이해해야 한다.
위 설명은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 따라서, 후술되는 청구범위의 범주를 벗어나지 않으면서 기술된 바와 같이 수정이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 샘플의 제 1 특성 세트에 기초하여 영역을 식별하는 단계 - 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고, 상기 영역을 식별하는 단계는 상기 프로세스의 특성과 상기 패턴의 프로세스 윈도우를 비교하는 단계를 포함함 - ;
    상기 샘플의 제 2 특성 세트에 기초하여 상기 샘플 상의 영역의 하전 입자 빔 검사 레시피의 파라미터를 결정하는 단계; 및
    상기 레시피를 사용하여 상기 영역을 검사하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 특성 세트는 샘플의 형상, 샘플의 밀도, 샘플의 조성 또는 샘플의 구조를 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 형성된 패턴의 특성을 포함하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 영역 내 형성된 패턴의 특성은 패턴의 디자인을 포함하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 프로세스의 특성은 에칭 파라미터, 리소그래피 파라미터 또는 증착(deposition) 파라미터를 포함하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 결함의 특성을 포함하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 결함의 특성은 결함의 존재, 결함의 밀도, 결함의 유형 또는 결함의 기하학적 특성을 포함하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역에 대한 사전 검사의 특성을 포함하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 영역에 대한 사전 검사의 특성은 상기 사전 검사에 사용된 레시피의 파라미터, 상기 사전 검사의 결과, 상기 사전 검사의 유효성을 나타내는 메트릭을 포함하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 레시피의 파라미터는 다음 중 어느 하나인 방법:
    하나 이상의 하전 입자 빔의 랜딩 에너지, 하나 이상의 하전 입자 빔의 전류,
    하나 이상의 하전 입자 빔의 초점,
    하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 방향,
    하나 이상의 하전 입자 빔의 스캔 속도,
    하나 이상의 하전 입자 빔의 데스티그메이션(destigmation),
    하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 유형,
    하나 이상의 하전 입자 빔을 사용하여 기록된 신호의 평균화,
    하나 이상의 하전 입자 빔의 스폿 크기,
    배율(magnification),
    기록된 신호 유형, 또는
    하나 이상의 하전 입자 빔의 하전 입자의 가속 전압.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 영역을 식별하는 단계는 상기 프로세스의 특성과 디자인에 기초하여 상기 패턴을 시뮬레이션함으로써 시뮬레이션 결과를 얻는 단계를 더 포함하는 방법.
  13. 샘플의 제 1 특성 세트에 기초하여 영역을 식별하는 단계 - 상기 제 1 특성 세트는 상기 영역 내 패턴이 형성되는 프로세스의 특성을 포함하고, 상기 영역을 식별하는 단계는 디자인 및 상기 프로세스의 특성에 기초하여 패턴을 시뮬레이션함으로써 시뮬레이션 결과를 얻는 단계를 포함함 -;
    상기 샘플의 제 2 특성 세트에 기초하여 상기 샘플 상의 영역의 하전 입자 빔 검사 레시피의 파라미터를 결정하는 단계; 및
    상기 레시피를 사용하여 상기 영역을 검사하는 단계를 포함하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 특성 세트는 상기 영역 내 결함의 특성을 포함하는 방법.
  15. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램으로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 명령을 포함하고, 상기 명령은 컴퓨터에 의해 실행될 때 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항의 방법을 구현하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
KR1020207008773A 2017-09-29 2018-09-25 하전 입자 빔 검사의 샘플 검사 레시피의 동적 결정 KR102444744B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762566132P 2017-09-29 2017-09-29
US62/566,132 2017-09-29
PCT/EP2018/075986 WO2019063559A1 (en) 2017-09-29 2018-09-25 DYNAMIC DETERMINATION OF A CHARGED PARTICLE BEAM INSPECTION SAMPLE INSPECTION RECIPE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200043461A KR20200043461A (ko) 2020-04-27
KR102444744B1 true KR102444744B1 (ko) 2022-09-19

Family

ID=63708367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207008773A KR102444744B1 (ko) 2017-09-29 2018-09-25 하전 입자 빔 검사의 샘플 검사 레시피의 동적 결정

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20200286710A1 (ko)
KR (1) KR102444744B1 (ko)
CN (1) CN111164729B (ko)
WO (1) WO2019063559A1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208202A (ja) 2006-02-06 2007-08-16 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法
JP2012178359A (ja) * 2006-02-17 2012-09-13 Hitachi High-Technologies Corp 撮像方法及び撮像装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1150327B1 (en) 2000-04-27 2018-02-14 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi beam charged particle device
EP2579273B8 (en) 2003-09-05 2019-05-22 Carl Zeiss Microscopy GmbH Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
US7617477B2 (en) 2005-09-09 2009-11-10 Brion Technologies, Inc. Method for selecting and optimizing exposure tool using an individual mask error model
US8294095B2 (en) 2010-12-14 2012-10-23 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
JP5743955B2 (ja) * 2012-05-28 2015-07-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン検査装置およびパターン検査方法
US9831062B2 (en) * 2013-01-23 2017-11-28 Hitachi High-Technologies Corporation Method for pattern measurement, method for setting device parameters of charged particle radiation device, and charged particle radiation device
US9257260B2 (en) * 2013-04-27 2016-02-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for adaptively scanning a sample during electron beam inspection
US9691588B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US10236156B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9607805B2 (en) 2015-05-12 2017-03-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US10018571B2 (en) * 2015-05-28 2018-07-10 Kla-Tencor Corporation System and method for dynamic care area generation on an inspection tool
IL294759B1 (en) 2015-07-22 2024-05-01 Asml Netherlands Bv Device for multiple charged particle beams

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208202A (ja) 2006-02-06 2007-08-16 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法
JP2012178359A (ja) * 2006-02-17 2012-09-13 Hitachi High-Technologies Corp 撮像方法及び撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200286710A1 (en) 2020-09-10
CN111164729A (zh) 2020-05-15
CN111164729B (zh) 2023-04-11
KR20200043461A (ko) 2020-04-27
WO2019063559A1 (en) 2019-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240044820A1 (en) Methods of inspecting samples with a beam of charged particles
KR102444744B1 (ko) 하전 입자 빔 검사의 샘플 검사 레시피의 동적 결정
KR102444511B1 (ko) 샘플 검사에서 이미지 콘트라스트 향상
KR102535162B1 (ko) 다중 하전 입자 빔으로 샘플을 검사하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant