JP2007509352A - 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 - Google Patents
光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007509352A JP2007509352A JP2006536806A JP2006536806A JP2007509352A JP 2007509352 A JP2007509352 A JP 2007509352A JP 2006536806 A JP2006536806 A JP 2006536806A JP 2006536806 A JP2006536806 A JP 2006536806A JP 2007509352 A JP2007509352 A JP 2007509352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probes
- die
- photoresist
- metal material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
- G01R1/06744—Microprobes, i.e. having dimensions as IC details
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
図12を参照すると、本発明の第1の実施例の、エッチングされたプローブを製造するために用いられる、プローブの構成1205が示されている。平らな原料1201は、平らな両面を有する薄い金属の大部分が平らな薄板である。平らな原料1201は、完成されたプローブの所望の幅に対応する幅を有している。この平らな原料1201の好ましい幅は、約0.076mm(3ミル)である。
本発明の第2の実施例では、プローブ81のアレイの電気鋳造に使用するための、ステンレス鋼のマンドレルを形成するために、マスク73又はマスク73の陰画が使用される。この実施例では、フォトレジストがステンレス鋼板の一面側に施され、マスク73がフォトレジスト全体に付与される。次いで光がマスクに施されて、フォトレジストが露光される。プローブの形状に対応するステンレス鋼板上のパターン化された開放領域又は露光領域を残して、フォトレジストが現像されて洗浄される。このようにして、パターン化されたステンレス鋼板は、電気鋳造のためのマンドレルとして用いられることができる。
以下の実施例は、本発明の実施例を実践するために好ましいパラメーターを詳述している。好ましくは、材料の準備、フォト・マスキング、エッチング、化学研磨、メッキ及びこのようにして形成されたプローブの個別化のプロセスを含む、複数のステップが実践される。本明細書で使用される「DI」とは、脱イオン化を意味する記述子である。さらに、本明細書で使用される用語「UX DI」は、超音波で撹拌された脱イオン化水を意味している。
−温度設定53.3度C(128度F)(実際は52.8度C(127度F))
−ポンプ速度(ポンプ#1−45%)(ポンプ#2−73%)
−コンベヤ(11%)
−振動(通常)で、
フィブロ−テック高速回路エッチング溶液を使用して、高速回路エッチングが実行された。次に、フォイル・テスト片がキャリアに取り付けられ、エッチング材中を通された。フォイル・テスト片から生成された、結果の部品の限界寸法が測定され、必要であれば調整が行われた。調整が行われた後に、残余のフォイルが30秒の間隔でエッチング液を通された。
燐酸 濃度98%の760ミリリットル溶液
硝酸 濃度69〜70%の40ミリリットル溶液
酢酸 濃度60%の1200ミリリットル溶液
最初に、材料のテスト片を使用して、エッチング・レートが設定された。次に、プローブ材料が、取り除くために0.0025mm(0.0001インチ)エッチングされた。次に、材料がUX DI内の高温DI内で約15分間、その後脱イオン流水で約2分間洗浄された。最終的に、プローブが乾燥するまで、100度Cのオーブン内で乾燥された。
Claims (10)
- マスク(73)として、複数のプローブ(81)の形状(72)を画成するステップと、
第1の金属材料(1201)の一面にフォトレジスト(1001)を施すステップと、
前記第1の金属材料(1201)の前記面上に、前記マスク(73)を重畳させるステップと、
前記マスク(73)を通りぬける光に、前記フォトレジスト(1001)を曝露するステップと、
前記フォトレジスト(1001)を現像するステップと、
前記第1の金属材料(1201)の一部分を露出させるために、前記フォトレジスト(1001)の一部分を取り除くステップと、
前記第1の金属材料(1201)の前記露出された部分上に、第2の金属材料を電気鋳造するステップと、
複数のプローブ(81)を生成するために、前記第2の金属材料を取り除くステップとを含む、複数のマイクロ・プローブを製造する方法。 - 請求項1に記載の方法に従って製造されたマイクロ・プローブであって、
ほぼ均一の厚みを有し、複数のエッジにより境界付けられて、一平面内を実質的に直線のある長さで延伸するプローブ・ベース(5001)と、
前記プローブ・ベースに接続されたプローブ・シャフト(5003)であって、前記ほぼ均一の厚みの前記プローブ・シャフト(5003)が、複数のエッジにより境界付けられ、前記平面内を曲げられた延伸に沿って延伸するプローブ・シャフト(5003)と、
前記プローブ・シャフト(5003)に接続されたプローブ端部(5005)であって、前記ほぼ均一の厚みの前記プローブ端部(5005)が、複数のエッジにより境界付けられ、前記平面内を実質的に直線的なある距離を延伸し、前記直線的な距離が前記直線的な長さとほぼ平行であるプローブ端部(5005)と、
前記プローブ・ベース(5001)、前記プローブ・シャフト(5003)及び前記プローブ端部(5005)のエッジを含む周縁部の実質的に周囲を走る扇形の切り欠き(1003)とを含む、マイクロ・プローブ。 - 第1及び第2の反対向きの平らな表面を含む第1のダイ(42)であって、前記第1のダイ(42)がさらに、前記第1及び第2の平らな表面の双方に垂直な方向に、前記第1のダイ(42)を通って延伸する第1のダイ・ホールのパターンを含む第1のダイと、
第3及び第4の反対向きの平らな表面を含む第2のダイ(44)であって、前記第2のダイ(44)がさらに、第1のダイ・ホールの前記パターンに対応する第2のダイ・ホールのパターンを含み、前記第2のダイ・ホールは前記方向に前記第2のダイ(44)を通って延伸するものであって、前記第2のダイ・ホールが実質的に均一な方向に前記第1のダイ・ホールからオフセットされるように、前記第3の平らな表面が前記第2の平らな表面と平面で接触するように構成されている第2のダイと、
複数のプローブ(81)であって、前記プローブ(81)の各々の1つが前記第1のダイ・ホールの1つ及び前記第2のダイ・ホールの1つを通って延伸し、前記プローブが電気鋳造により形成されたものと釣り合った仕上げの表面を有する複数のプローブとを含む、プローブ・テスト・ヘッド。 - 各々の前記複数のプローブ(81)が、前記複数のプローブ(81)の他のプローブの各々と比較された場合に、実質的に均一な形状である、請求項3に記載のプローブ・テスト・ヘッド。
- 前記複数のプローブ(81)の各々の長さが、0.051mm(0.002インチ)以内であるか、又は前記複数のプローブ(81)の他のプローブの各々より短い、請求項3に記載のプローブ・テスト・ヘッド。
- 前記複数のプローブ(81)の各々の前記長さが、前記複数のプローブ(81)の他のプローブの各々の長さの、0.013mm(0.0005インチ)以内である、請求項5に記載のプローブ・テスト・ヘッド。
- 1つ又は複数のマスク(73)として、複数のプローブ(81)の形状を画成するステップと、
前記1つ又は複数のマスク(73)を使用して、前記複数のプローブ(81)を製造するステップと、
第1のダイ(42)内の、対応する第1の複数のホールを通して前記複数のプローブ(81)を配置するステップであって、前記第1のダイ(42)が第1及び第2の反対向きの平らな表面を含み、前記第1の複数のホールが前記第1及び第2の反対向きの平らな表面の間で、前記第1のダイ(42)を通って延伸する、配置するステップと、
第2のダイ(44)内の、対応する第2の複数のホールを通して前記複数のプローブ(81)を配置するステップであって、前記第2のダイ(44)が第3及び第4の反対向きの平らな表面を含み、前記第2の複数のホールが前記第3及び第4の反対向きの平らな表面の間で、前記第2のダイ(44)を通って延伸する、配置するステップとを含む、プローブ・テスト・ヘッドを製造する方法。 - 前記1つ又は複数のマスクを使用して、前記複数のプローブ(81)を製造するための前記ステップが、
第1の金属材料(1201)の一面に、フォトレジスト(1001)を施すこと、
前記第1の金属材料(1201)の前記面上に、前記1つ又は複数のマスク(73)を重畳させること、
前記1つ又は複数のマスク(73)を通過する光に、前記フォトレジスト(1001)を曝露すること、
前記フォトレジスト(1001)を現像すること、
前記第1の金属材料(1201)の一部分を露出させるために、前記フォトレジスト(1001)の一部分を取り除くこと、
前記第1の金属材料(1201)の前記露出された部分上に、第2の金属材料を電気鋳造すること、及び
複数のプローブ(81)を生成するために、前記第2の金属材料を取り除くことを含む、請求項7に記載の方法。 - 前記1つ又は複数のマスクを使用して、前記複数のプローブ(81)を製造するための前記ステップが、
金属箔の第1と第2の反対向きの面に、フォトレジスト(1001)を施すこと、
前記金属箔の第1と第2の反対向きの各々の面上に、前記少なくとも1つのマスク(73)を重畳させること、
前記マスク(73)の各々を通過する光に、前記フォトレジスト(1001)を曝露すること、
前記フォトレジスト(1001)を現像すること、
前記金属箔の一部分を露出させるために、前記フォトレジスト(1001)の一部分を取り除くこと、及び
複数のプローブ(81)を生成するために、前記露出された部分を取り除く、エッチング液を前記金属箔に施すことを含む、請求項7に記載の方法。 - 前記複数のプローブ(81)内の各々のプローブが、
ほぼ均一の厚みを有し、複数のエッジにより境界付けられて、一平面内を実質的に直線的に延伸するプローブ・ベース(5001)と、
前記プローブ・ベース(5001)に接続されたプローブ・シャフト(5003)であって、前記ほぼ均一の厚みの前記プローブ・シャフト(5003)が、複数のエッジにより境界付けられ、前記平面内を曲げられた延伸に沿って延伸するプローブ・シャフト(5003)と、
前記プローブ・シャフト(5003)に接続されたプローブ端部(5005)であって、前記ほぼ均一の厚みの前記プローブ端部(5005)が、複数のエッジにより境界付けられ、前記平面内部を実質的に直線的なある距離を延伸し、前記直線的な距離が前記直線的な長さとほぼ平行であるプローブ端部(5005)と、
前記プローブ・ベース(5001)、前記プローブ・シャフト(5003)及び前記プローブ端部(5005)のエッジを含む周縁部の実質的に周囲を走る扇形の切り欠き(1003)とを含む、請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/693,201 US6977515B2 (en) | 2001-09-20 | 2003-10-24 | Method for forming photo-defined micro electrical contacts |
PCT/US2004/034963 WO2005043594A2 (en) | 2003-10-24 | 2004-10-22 | Method for forming photo-defined micro electrical contacts |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011123522A Division JP2011237437A (ja) | 2003-10-24 | 2011-06-01 | 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007509352A true JP2007509352A (ja) | 2007-04-12 |
Family
ID=34549917
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006536806A Pending JP2007509352A (ja) | 2003-10-24 | 2004-10-22 | 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 |
JP2011123522A Pending JP2011237437A (ja) | 2003-10-24 | 2011-06-01 | 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 |
JP2015084538A Pending JP2015135350A (ja) | 2003-10-24 | 2015-04-16 | 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011123522A Pending JP2011237437A (ja) | 2003-10-24 | 2011-06-01 | 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 |
JP2015084538A Pending JP2015135350A (ja) | 2003-10-24 | 2015-04-16 | 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6977515B2 (ja) |
EP (1) | EP1685415A4 (ja) |
JP (3) | JP2007509352A (ja) |
KR (1) | KR101138217B1 (ja) |
CN (1) | CN1871522B (ja) |
MY (1) | MY130813A (ja) |
TW (2) | TWI491890B (ja) |
WO (1) | WO2005043594A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011115082A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 日本電産リード株式会社 | 接続端子及び接続治具 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528616B2 (en) * | 2005-05-27 | 2009-05-05 | Lsi Corporation | Zero ATE insertion force interposer daughter card |
KR100849061B1 (ko) | 2006-11-23 | 2008-07-30 | (주)넴스프로브 | 3차원 프로브빔 제조방법 |
US20080238452A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Dsl Labs, Incorporated | Vertical micro probes |
US8264248B2 (en) * | 2007-03-30 | 2012-09-11 | Dsl Labs, Inc. | Micro probe assembly |
US7554348B2 (en) * | 2007-06-29 | 2009-06-30 | Wentworth Laboratories, Inc. | Multi-offset die head |
CN101526555B (zh) * | 2008-03-04 | 2011-12-07 | 跃沄科技有限公司 | 一种制探针的方法 |
US8222912B2 (en) * | 2009-03-12 | 2012-07-17 | Sv Probe Pte. Ltd. | Probe head structure for probe test cards |
US9267968B2 (en) * | 2010-12-09 | 2016-02-23 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe card assemblies and probe pins including carbon nanotubes |
US9470715B2 (en) * | 2013-01-11 | 2016-10-18 | Mpi Corporation | Probe head |
TWI525326B (zh) * | 2013-06-03 | 2016-03-11 | Probe and probe module using the probe | |
TWI522624B (zh) * | 2014-06-06 | 2016-02-21 | 旺矽科技股份有限公司 | 探針及探針製造方法 |
EP2960658B1 (en) * | 2014-06-26 | 2017-09-27 | Rasco GmbH | Method of manufacturing a contactor body |
JP2018510364A (ja) | 2015-02-26 | 2018-04-12 | クサレント リミテッド ライアビリティー カンパニー | 集積マルチチップ走査型プローブ顕微鏡 |
WO2016138398A1 (en) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Xallent, LLC | Systems and methods for manufacturing nano-electro-mechanical-system probes |
WO2017156245A1 (en) | 2016-03-09 | 2017-09-14 | Xallent, LLC | Functional prober chip |
US10663484B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-05-26 | Xallent, LLC | Multiple integrated tips scanning probe microscope with pre-alignment components |
JP7254450B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2023-04-10 | 日本電産リード株式会社 | プローブ、検査治具、検査装置、及びプローブの製造方法 |
CN110488208B (zh) * | 2019-08-26 | 2020-05-12 | 上海大学 | 一种基于磁力感测的形状探针并行制作微平台及制作方法 |
GB202010407D0 (en) | 2020-07-07 | 2020-08-19 | Univ Court Univ Of Glasgow | Micromachined mechcahnical part and methods of fabrication thereof |
KR102349333B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-01-11 | (주)피티앤케이 | 프로브 핀과 프로브 핀의 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001050981A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Japan Electronic Materials Corp | 鍔付きプローブ、鍔付きプローブの製造方法及びプローブカード |
JP2001311745A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Hioki Ee Corp | コンタクトプローブの製造方法 |
JP2002075489A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 異方性導電シートおよびその製造方法 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5065232A (ja) | 1973-10-09 | 1975-06-02 | ||
JPS5230848B2 (ja) | 1973-10-09 | 1977-08-11 | ||
US4027935A (en) | 1976-06-21 | 1977-06-07 | International Business Machines Corporation | Contact for an electrical contactor assembly |
EP0078339B1 (de) | 1981-10-30 | 1986-07-30 | Ibm Deutschland Gmbh | Tastkopfanordnung für Leiterzugüberprüfung mit mindestens einem, eine Vielzahl von federnden Kontakten aufweisenden Tastkopf |
US4451327A (en) | 1982-12-17 | 1984-05-29 | Psi Star, Inc. | Process and structure for etching copper |
US4466859A (en) | 1983-05-25 | 1984-08-21 | Psi Star, Inc. | Process for etching copper |
US5829128A (en) | 1993-11-16 | 1998-11-03 | Formfactor, Inc. | Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices |
US6043563A (en) | 1997-05-06 | 2000-03-28 | Formfactor, Inc. | Electronic components with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals |
US5917707A (en) | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
US4747907A (en) | 1986-10-29 | 1988-05-31 | International Business Machines Corporation | Metal etching process with etch rate enhancement |
US4980638A (en) | 1989-05-26 | 1990-12-25 | Dermon John A | Microcircuit probe and method for manufacturing same |
JPH0362546A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Toshiba Corp | 走査探針及びその製造方法 |
JPH06249878A (ja) | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Kobe Steel Ltd | プローブユニット及びその製造方法 |
US5326428A (en) | 1993-09-03 | 1994-07-05 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability |
US6023103A (en) | 1994-11-15 | 2000-02-08 | Formfactor, Inc. | Chip-scale carrier for semiconductor devices including mounted spring contacts |
US5508144A (en) | 1993-11-19 | 1996-04-16 | At&T Corp. | Process for fabricating a device |
US5416429A (en) | 1994-05-23 | 1995-05-16 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe assembly for testing integrated circuits |
US5495667A (en) | 1994-11-07 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects |
US6150186A (en) | 1995-05-26 | 2000-11-21 | Formfactor, Inc. | Method of making a product with improved material properties by moderate heat-treatment of a metal incorporating a dilute additive |
KR970053345A (ko) * | 1995-12-30 | 1997-07-31 | 김광호 | 캐리어(carrier) 이송 장치 |
US5928207A (en) * | 1997-06-30 | 1999-07-27 | The Regents Of The University Of California | Microneedle with isotropically etched tip, and method of fabricating such a device |
US5959461A (en) | 1997-07-14 | 1999-09-28 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe station adapter for backside emission inspection |
WO1999004273A1 (en) | 1997-07-15 | 1999-01-28 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe station with multiple adjustable probe supports |
JPH11125646A (ja) | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直針型プローブカード、その製造方法およびその不良プローブ針の交換方法 |
JPH11160356A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法 |
SE518084C2 (sv) * | 1998-01-23 | 2002-08-20 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande och anordningar relaterade till funktioner eller funktionsanordning och förfarande för att styra processflödet mellan funktioner |
US5952843A (en) | 1998-03-24 | 1999-09-14 | Vinh; Nguyen T. | Variable contact pressure probe |
US6194127B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-02-27 | Mcdonnell Douglas Corporation | Resistive sheet patterning process and product thereof |
US6503231B1 (en) | 1998-06-10 | 2003-01-07 | Georgia Tech Research Corporation | Microneedle device for transport of molecules across tissue |
US6303262B1 (en) | 1998-06-18 | 2001-10-16 | Mitsubishi Paper Mills Ltd. | Photomask material, photomask and methods for the production thereof |
US6124723A (en) | 1998-08-31 | 2000-09-26 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe holder for low voltage, low current measurements in a water probe station |
KR20010099655A (ko) * | 1998-09-28 | 2001-11-09 | 블라디미르 맨체프스키 | Mems 장치의 기능 소자로서의 탄소 나노튜브를제조하기 위한 방법 |
US6160412A (en) | 1998-11-05 | 2000-12-12 | Wentworth Laboratories, Inc. | Impedance-matched interconnection device for connecting a vertical-pin integrated circuit probing device to integrated circuit test equipment |
US5989994A (en) * | 1998-12-29 | 1999-11-23 | Advantest Corp. | Method for producing contact structures |
US6297657B1 (en) | 1999-01-11 | 2001-10-02 | Wentworth Laboratories, Inc. | Temperature compensated vertical pin probing device |
US6163162A (en) | 1999-01-11 | 2000-12-19 | Wentworth Laboratories, Inc. | Temperature compensated vertical pin probing device |
US6255602B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-07-03 | Wentworth Laboratories, Inc. | Multiple layer electrical interface |
US6330744B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-12-18 | Pjc Technologies, Inc. | Customized electrical test probe head using uniform probe assemblies |
AU7319900A (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-30 | Citizen Watch Co. Ltd. | Electroless plating method |
US6363605B1 (en) | 1999-11-03 | 2002-04-02 | Yi-Chi Shih | Method for fabricating a plurality of non-symmetrical waveguide probes |
FR2802346B1 (fr) | 1999-12-13 | 2002-02-08 | Upsys Probe Technology Sas | Connecteur de test de haute densite d'interconnexion destine notamment a la verification de circuits integres |
US6633175B1 (en) | 2000-03-06 | 2003-10-14 | Wenworth Laboratories, Inc. | Temperature compensated vertical pin probing device |
US6448506B1 (en) | 2000-12-28 | 2002-09-10 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and circuit board for making the package |
US6564454B1 (en) | 2000-12-28 | 2003-05-20 | Amkor Technology, Inc. | Method of making and stacking a semiconductor package |
CN100339715C (zh) * | 2001-04-13 | 2007-09-26 | 住友电气工业株式会社 | 接触探针 |
US6906540B2 (en) * | 2001-09-20 | 2005-06-14 | Wentworth Laboratories, Inc. | Method for chemically etching photo-defined micro electrical contacts |
TW513380B (en) * | 2002-03-15 | 2002-12-11 | Chipmos Technologies Inc | Method and application for making 3-D macro elastic probe devices by MEMS technique |
-
2003
- 2003-10-24 US US10/693,201 patent/US6977515B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-10-22 EP EP04796027A patent/EP1685415A4/en not_active Withdrawn
- 2004-10-22 CN CN2004800314605A patent/CN1871522B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-22 JP JP2006536806A patent/JP2007509352A/ja active Pending
- 2004-10-22 WO PCT/US2004/034963 patent/WO2005043594A2/en active Application Filing
- 2004-10-22 KR KR1020067010070A patent/KR101138217B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-10-22 TW TW100149889A patent/TWI491890B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-22 TW TW093132266A patent/TWI363876B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-23 MY MYPI20044382A patent/MY130813A/en unknown
-
2011
- 2011-06-01 JP JP2011123522A patent/JP2011237437A/ja active Pending
-
2015
- 2015-04-16 JP JP2015084538A patent/JP2015135350A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001050981A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Japan Electronic Materials Corp | 鍔付きプローブ、鍔付きプローブの製造方法及びプローブカード |
JP2001311745A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Hioki Ee Corp | コンタクトプローブの製造方法 |
JP2002075489A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 異方性導電シートおよびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011115082A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 日本電産リード株式会社 | 接続端子及び接続治具 |
JP5903888B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2016-04-13 | 日本電産リード株式会社 | 接続端子及び検査用治具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI363876B (en) | 2012-05-11 |
WO2005043594A3 (en) | 2005-11-03 |
TWI491890B (zh) | 2015-07-11 |
TW201224475A (en) | 2012-06-16 |
JP2015135350A (ja) | 2015-07-27 |
EP1685415A4 (en) | 2011-07-20 |
KR101138217B1 (ko) | 2012-04-24 |
EP1685415A2 (en) | 2006-08-02 |
TW200526967A (en) | 2005-08-16 |
KR20060126480A (ko) | 2006-12-07 |
US20040157350A1 (en) | 2004-08-12 |
WO2005043594B1 (en) | 2005-12-22 |
WO2005043594A2 (en) | 2005-05-12 |
JP2011237437A (ja) | 2011-11-24 |
CN1871522B (zh) | 2011-09-07 |
US6977515B2 (en) | 2005-12-20 |
MY130813A (en) | 2007-07-31 |
CN1871522A (zh) | 2006-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015135350A (ja) | 光画成(photo−defined)マイクロ電気接点の形成方法 | |
JP3696849B2 (ja) | 化学的にエッチングした光画定された微小電気接点 | |
JP2008128882A (ja) | コンタクトプローブおよびその製造方法 | |
JP2002134570A (ja) | プローブカード及びそれに用いられる異方性導電シートの製造方法 | |
JP2007121198A (ja) | コンタクトプローブ、その製造方法、プローブユニットおよびプローブカード | |
US7637009B2 (en) | Approach for fabricating probe elements for probe card assemblies using a reusable substrate | |
JP2007086025A (ja) | コンタクトプローブ、プローブユニットおよびプローブカード | |
KR101172998B1 (ko) | 바우프로브를 갖는 바우프로브블록 및 그의 바우프로브 제조방법. | |
JP2004117215A (ja) | プローブユニット及びその製造方法 | |
JP7439338B1 (ja) | プローブ、プローブカード、およびプローブの製造方法 | |
KR100980349B1 (ko) | 프로브 어셈블리 및 그 제조방법 | |
KR100842395B1 (ko) | 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법 | |
JP3902294B2 (ja) | コンタクトプローブおよびその製造方法 | |
JP3446636B2 (ja) | コンタクトプローブ及びプローブ装置 | |
KR20080105264A (ko) | 유리잉크 코팅법을 이용한 프로브카드용 탐침의 절연방법 | |
KR20230158290A (ko) | 프로브 팁의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 프로브 팁 | |
JPH09159696A (ja) | テスト用コンタクトピンの製造方法 | |
JP2000292438A (ja) | 微小プローブとこれを用いた垂直作動型プローブカード | |
JP2005127997A (ja) | プローブピン及びプローブ装置 | |
JPH09281143A (ja) | テスト用コンタクトピンの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100402 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100702 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100802 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100726 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110601 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110609 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110705 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110902 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120123 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120126 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120221 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120224 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120321 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120326 |