JPH09281143A - テスト用コンタクトピンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップや液晶等のテストに適したテスト
用コンタクトピンを高アスペクト比で矩形の断面形状
で、しかも高い生産性で製造する。 【解決手段】 ベースメタル層１１を支持用金属板１０
上に形成し、層１１上にフォトレジスト層１２を形成
し、層１２に所定のパターンのマスク１３を施して露光
し、この層１２を現像することによりテスト用コンタク
トピンとなる部分を除去して層１２に開口部１２ａを形
成する。開口部１２ａの底部に臨むベースメタル層１１
の表層を所定の厚さだけ均一に除去して凹部１１ａを形
成し、この凹部１１ａを形成した開口部１２ａに金属層
１４を形成し、層１２を除去する。ピンのコンタクト部
となる部分を除いた金属層１４上にフィルム１５を被着
し、金属板１０から層１１を金属層１４とフィルム１５
とともに剥離した後、層１１を除去してフィルム１５に
支持された金属層１４からなるテスト用コンタクトピン
を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプローブピンやソケ
ットピン等として用いられるテスト用コンタクトピンの
製造方法に関する。更に詳しくは、ＩＣチップや液晶の
各端子に接触して電気的なテストを行うためのテスト用
コンタクトピンの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のテスト用コンタクトピン
は、スプリング機構を有する可動式のスプリングピン
や、テーパ形状で片持ち式のプローブピンが一般的であ
る。もっとも、スプリングピンは機構上小さくすること
が困難なためプリント基板等の比較的大きなものに適用
が限られ、ＩＣチップや液晶のテストには専らプローブ
ピンが使用されている。このプローブピンは、電解研磨
等によってピン毎に製造される。

【０００３】このような従来のテスト用コンタクトピン
は、テーパ上のプローブピンを扇状に並べてプローブカ
ードに取り付ける工程や、ＩＣパッドの配置に合わせて
先端のコンタクト部を曲げて高さやピッチを揃える工程
を経て実用に供される。これらの工程は俗に針立てとも
呼ばれ、その作業には職人芸が要求される。特に高集積
ＩＣについては多ピン化、狭ピッチ化の要求が厳しく、
これに応え得る高度な技能者は極めて限られ、製品の性
能がばらついて信頼性が低下しがちである。また使用途
中にもしばしば困難な再調整作業が必要とされる。この
ため、従来のテスト用コンタクトピンを用いた場合に
は、カードやソケット等の生産性及び性能がＩＣの進歩
に追従できなくなりつつある。

【０００４】この問題を解決するために、エッチングに
よってコンタクトピンを作る方法が提案されているが、
ドライエッチングでは生産性が悪過ぎ、ウエットエッチ
ングではテーパエッチの発生等によりピンの断面形状が
悪くて必要なコンタクト力が確保できない等の欠陥があ
る。また異方性材料を用いて断面形状を確保しても材料
が限定されるため導電性が確保できない。更にはコンタ
クト部分をピンにすることを諦めて樹脂基板上の配線パ
ターンにパッドを付けて押し付ける方法もあるが、この
方法はいわゆるオーバードライブが確保できないことか
ら、コンタクト圧がばらつき易く接触抵抗が不安定で信
頼性に欠ける。結果として、エッチングにより製造され
るこのようなコンタクトピンは、実験的或いは限定的な
使用は別として実用に耐えない。

【０００５】以上の問題点を解決するために、光化学と
めっき処理の技術を利用したテスト用コンタクトピンの
製造方法が提案されている（特開平６−３１３７７
５）。この方法は、図１０（ａ）〜図１０（ｈ）に示す
ように、支持用金属板６上にベースメタル層１を形成
し、このベースメタル層１上にフォトレジスト層２を形
成し、このフォトレジスト層２に所定のパターンのマス
ク３を施して露光し、フォトレジスト層２を現像してテ
スト用コンタクトピンとなる部分を除去して残存するフ
ォトレジスト層２に開口部２ａを形成し、この開口部２
ａにテスト用コンタクトピンとなる金属層４をめっき処
理により形成し、金属層５の上にテスト用コンタクトピ
ンに供される部分以外をカバーするフィルム５を接着剤
５ａを介して被着した後、このフィルム５と金属層４と
ベースメタル層１からなる部分と、支持用金属板６とを
分離して、フィルム５を支持体とするテスト用コンタク
トピン４を製造する方法である。この方法によれば、Ｉ
Ｃチップや液晶等のテストに適したテスト用コンタクト
ピンを高い生産性で製造することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】テスト用コンタクトピ
ンには、導電性を確保するためにテストする電極部分を
スクラッビング（scrubbing）したときにピンが変形し
たり折損しないように、一定の強度と弾性が要求され
る。この要求に応えるためには、図５に示されるコンタ
クトピン１４の断面において、ピンの厚さｔに対するピ
ンの幅ｗの比（ｔ／ｗ）、即ちアスペクト比が高いテス
ト用コンタクトピンが求められる。上記特開平６−３１
３７７５号公報に示される方法で、この厚さｔが大き
い、高アスペクト比のテスト用コンタクトピンを製造し
ようとする場合には、フォトレジストの解像度が極端に
低下し、図１１（ａ）に示すように露光・現像後にフォ
トレジスト層２に形成される開口部２ａの底部が所望の
形状にならない。即ち、図１１（ａ）に示すように残存
するフォトレジスト層２のベースメタル層１との接触部
の一部が浸食する場合がある。この状態で開口部２ａに
金属層４を形成すると、図１１（ｂ）及び（ｃ）に示す
ようにピンのコンタクト部のエッジ（図のＣ部）がシャ
ープな形状にならない。このため、上記方法により、ピ
ン断面形状が高アスペクト比であってしかも矩形である
テスト用コンタクトピンが依然として得られない不具合
があった。

【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点を解決するものであって、ＩＣチップや液晶等のテ
ストに適したテスト用コンタクトピンを高い生産性で製
造する方法を提供することにある。本発明の別の目的
は、ピン断面形状が高アスペクト比であってしかも矩形
であるテスト用コンタクトピンを製造する方法を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１（ａ）〜図１（ｊ）に示すようにテスト用コンタク
トピンとなる金属層１４と結合可能なベースメタル層１
１をこのベースメタル層１１に対して剥離性のある平坦
かつ平滑な支持用金属板１０上にめっきにより形成する
工程と、このベースメタル層１１上にフォトレジスト層
１２を形成する工程と、このフォトレジスト層１２に所
定のパターンのマスク１３を施して露光する工程と、こ
の露光したフォトレジスト層１２を現像することにより
テスト用コンタクトピンとなる部分を除去して残存する
フォトレジスト層１２に開口部１２ａを形成する工程
と、この開口部１２ａの底部に臨むベースメタル層１１
の表層を所定の厚さだけ均一に除去して凹部１１ａを形
成する工程と、この凹部１１ａを形成した開口部１２ａ
にテスト用コンタクトピンとなる金属層１４をめっきに
より形成する工程と、残存するフォトレジスト層１２を
除去する工程と、テスト用コンタクトピンのコンタクト
部となる部分を除いた金属層１４上にフィルム１５を接
着剤１５ａを介して被着する工程と、支持用金属板１０
からベースメタル層１１を金属層１４とフィルム１５と
ともに剥離する工程と、ベースメタル層１１を除去して
フィルム１５に支持された金属層１４からなるテスト用
コンタクトピンを得る工程とを含むテスト用コンタクト
ピンの製造方法である。

【０００９】この請求項１に係る発明の製造方法では、
図２（ａ）に示すようにフォトレジスト層１２をフォト
レジストの解像度が極端に低下しない程度に形成し、換
言すればフォトレジスト層１２をあまり厚く形成しな
い。これにより露光・現像後にフォトレジスト層１２に
形成される開口部１２ａの底部は所望の形状になる。そ
の一方でベースメタル層１１を比較的厚く形成してお
き、この開口部１２ａの底部を臨むベースメタル層１１
の表層を所定の厚さだけ均一に除去して凹部１１ａを形
成すると、図２（ｂ）及び（ｃ）に示すように金属層１
４が形成される部分の深さｔは開口部１２ａの深さｔ₁
と凹部１１ａの深さｔ₂が加わって大きくなる。図１
（ｉ），（ｊ）及び図２（ｄ）に示すようにベースメタ
ル層１１は最終的に除去される。この結果、ピン断面形
状が高アスペクト比であってしかも矩形であるテスト用
コンタクトピンが得られる。また支持用金属板上のベー
スメタル層の一部の表層をエッチング処理により均一に
除去して金属層を形成するので、各コンタクトピンの接
触点の位置が比較的揃っていて、その面は平滑である。
そこで、多ピン化、狭ピッチ化の要求に対しても十分な
オーバードライブとほぼ一様で十分なコンタクト圧を確
保できるので、ＩＣのウエハやベアチップ等のテストに
好適である。更に、エッチング処理等の一般的な工程だ
けで製造できるので、ピンの製造効率も良い。

【００１０】請求項２に係る発明は、図３（ａ）〜図３
（ｊ）に示すようにテスト用コンタクトピンとなる金属
層１４と結合可能なベースメタル層１１をこのベースメ
タル層１１に対して剥離性のある平坦かつ平滑な支持用
金属板１０上にめっきにより形成する工程と、このベー
スメタル層１１上にフォトレジスト層１２を形成する工
程と、このフォトレジスト層１２に所定のパターンのマ
スク１３を施して露光する工程と、この露光したフォト
レジスト層１２を現像することによりテスト用コンタク
トピンとなる部分を除去して残存するフォトレジスト層
１２に開口部１２ａを形成する工程と、この開口部１２
ａの底部に臨むベースメタル層１１の表層を所定の厚さ
だけ均一に除去して凹部１１ａを形成する工程と、この
凹部１１ａにベースメタル層１１の金属と同一の金属か
らなる金属被膜１６をめっきにより形成する工程と、こ
の金属被膜１６を形成した開口部１２ａにテスト用コン
タクトピンとなる金属層１４をめっきにより形成する工
程と、残存するフォトレジスト層１２を除去する工程
と、テスト用コンタクトピンのコンタクト部となる部分
を除いた金属層１４上にフィルム１５を接着剤１５ａを
介して被着する工程と、支持用金属板１０からベースメ
タル層１１を金属被膜１６と金属層１４とフィルム１５
とともに剥離する工程と、ベースメタル層１１及び金属
被膜１６を除去してフィルム１５に支持された金属層１
４からなるテスト用コンタクトピンを得る工程とを含む
テスト用コンタクトピンの製造方法である。

【００１１】この請求項２に係る発明の製造方法では、
図４（ａ）に示すようにフォトレジスト層１２をフォト
レジストの解像度が極端に低下する程度にまで形成し、
換言すればフォトレジスト層１２を比較的厚く形成す
る。これにより露光・現像後にフォトレジスト層１２に
形成される開口部１２ａの底部が所望の形状にならずに
一部浸食される。図４（ｂ）に示すようにこの開口部１
２ａの底部を臨むベースメタル層１１の表層を所定の厚
さだけ均一に除去して凹部１１ａを形成した後、図４
（ｃ）に示すようにこの凹部１１ａと開口部１２ａ底部
の浸食部分を埋めるように金属被膜１６をベースメタル
層１１上に形成する。図３（ｉ），（ｊ）及び図４
（ｅ）に示すようにこの金属被膜１６は最終的にベース
メタル層１１とともに除去される。これにより、ピンの
断面形状が不所望なテーパ状となったり、ピンコンタク
ト部が異形になるのを防止して、矩形状で高アスペクト
比の好ましい断面形状のコンタクトピンを製造すること
ができる。また支持用金属板の上にめっきして後に分離
するので、各コンタクトピンの接触点の位置が比較的揃
っていて、その面は平滑である。そこで、請求項１に係
る発明と同様に、多ピン化、狭ピッチ化の要求に対して
も十分なオーバードライブとほぼ一様で十分なコンタク
ト圧を確保できるので、ＩＣのウエハやベアチップ等の
テストに好適である。更に、めっき処理等の一般的な工
程だけで製造できるので、ピンの製造効率も良い。

【００１２】また図６及び図７に示すように、金属層１
４のうちテスト用コンタクトピンに供される部分以外が
フィルム１５でカバーされる。これにより、フィルム１
５が支持体となって、多数のコンタクトピン１４がフィ
ルムと一体的に形成されるので、プローブカードやＩＣ
ソケット等への組込みに際し、複数のコンタクトピンを
一括して取り扱うことができる。従って、針立て等の職
人芸が無くても容易に組立てができる。即ち、このテス
ト用コンタクトピンを用いると、カードやソケット等の
ピン組込み製品の生産性の向上をも図ることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１に本発明の第１
の実施の形態の各工程における断面模式図を示す。また
図６及び図７にテスト用コンタクトピン１４ｄとそれに
連なる引出し用配線パターン１４ｅ等とこれらが形成さ
れたフィルム１５との全体模式図を示す。これは説明用
のものであり、実際には、テスト用コンタクトピンの数
が数十から数百のものが一般的であって、ピッチも一定
とは限らない。なお、以下、テスト用コンタクトピンを
単にピンと呼び、引出し用配線パターンをパターンと呼
び、ピン１４ｄとパターン１４ｅを合わせてピン１４と
呼ぶ。またピン１４等とフィルム１５との全体をフィル
ム付きテスト用コンタクトピン２２と呼ぶ。第１の実施
の形態のピンの製造工程は、主に、ベースメタル層の形
成工程と、めっき処理の最初の工程であるレジストパタ
ーンの形成工程と、めっき処理の中間工程であるベース
メタル層の表層の一部をエッチングする工程と、めっき
処理の最終工程である金属層を形成する電解めっき工程
と、フィルムの被着工程と、分離工程の前半部である剥
離工程と、分離工程の後半部である除去工程とからな
る。なお、ピン１４の材質は、強度や靭性の観点からＮ
ｉが良い。更に、Ｐｄ等を含ませることもある。また導
電性を重視する場合には、金をコーテングして導電性を
高くするとよい。或いはＮｉに代えて銅合金を用いても
良い。

【００１４】以下、各工程をこの順に説明する。ベース
メタル層の形成工程は、支持用金属板としてのステンレ
ス板１０の上に、ベースメタル層としての銅層１１を薄
く電解めっきで形成する。ベースメタル層に銅を用いる
のは、Ｎｉ製のピン１４等との被着性に優れること、ス
テンレス板１０に対する被着力がＮｉ製のピン１４等に
対するフィルム１５の被着力よりも弱いこと、良い電導
体であることからである。銅はステンレスよりも導電性
に優れるので、電解めっきが素早く且つ均一に行われ
る。なお、ステンレス板１０は、鏡面仕上げされて、そ
の表面は平坦であり、しかも平滑である。レジストパタ
ーンの形成工程は、銅層１１の上にフォトレジスト１２
をコーティングし（図１（ａ）参照）、これにマスク１
３を介して露光する（図１（ｂ）参照）。これにより、
マスク１３に対応するパターンをレジスト１２に転写す
る。更に、これを現像してマスク１３に対応するパター
ンのレジスト１２を形成して、銅層１１の上にレジスト
マスクを施こす（図１（ｃ）参照）。

【００１５】銅層の表層の一部をエッチングする工程
は、レジストマスクされていない部分に現れている銅層
１１の表層をウエットエッチングにより所定の深さだけ
均一に除去して凹部１１ａを形成する（図１（ｄ）の拡
大図及び図２（ｂ）参照）。この深さｔ₂は銅層１１の
６〜４０％である。例えば銅層の厚さが２０〜５０μｍ
であれば、この深さｔ₂は２〜２０μｍである。この深
さｔ₂は最終的なピンの断面形状を高アスペクト比にす
るために、極力大きいことが望ましい。次いでＮｉをこ
の凹部１１ａに電解めっきにより付着し、更に開口部１
２ａ内に成長させてＮｉ層１４を形成する（図１（ｅ）
参照）。Ｎｉめっきの終了後は、レジスト１２を除去す
る（図１（ｆ）及び図２（ｃ）参照）。このようにして
形成されたＮｉ層１４はピンに供される。

【００１６】フィルムの被着工程は、図７に示されるピ
ンに供される部分１４ｄ以外のパターン１４ｅ等をカバ
ーするポリイミドのフィルム１５をＮｉ層１４の上に被
着する。具体的には、接着剤（接着用プラスチック）１
５ａを挟んでフィルム１５の上方から平坦な押圧面の治
具で熱圧着する（図１（ｇ）参照）。これにより、プラ
スチック側がピン１４に合わせて一部変形するので、Ｎ
ｉ層１４の上面に存在する微少な凹凸や厚さのむらが吸
収される。その結果、図５に示されるフィルム付きテス
ト用コンタクトピン２２の厚さを一様にすることができ
る。またフィルム１５は、窓孔１５ｂを有する（図７参
照）。この窓孔１５ｂの部分にピン１４の部分１４ｄを
臨ませてフィルム１５をピン（Ｎｉ層）１４に接着す
る。これにより、ピンの部分１４ｄが片持ち梁の状態で
フィルム１５に支持され、フィルム１５がピン１４ｄ等
を纏めて一体として支持する支持体として利用される。

【００１７】剥離工程は、銅層１１とＮｉ層１４とフィ
ルム１５とからなる部分を、ステンレス板１０と銅層１
１との間で、ステンレス板１０から引き剥がして分離す
る。ベースメタル層の形成工程の説明で説明したように
ステンレス板１０に対応する被着力がＮｉ製のピン１４
等に対応するフィルム１５の被着力よりも弱いことか
ら、フィルム１５等を損なうことなく、これらは容易に
分離する（図１（ｈ）参照）。除去工程は、銅層１１を
Ｎｉ層１４からウエットエッチングで除去する。銅層１
１は極薄であるので、選択比の高いエッチング液を用い
てＮｉ層１４を損なうことなく、銅層１１が除去される
（図１（ｉ），（ｊ）及び図２（ｄ）参照）。

【００１８】このようにして製造されたテスト用コンタ
クトピン１４は、その断面がほぼ矩形状で、高アスペク
ト比である。通常、図５に示すｗは３０〜１００μｍ、
ｔは５０μｍである。ｔ₂を２０μｍ程度にすることに
より、ｔが約７０μｍでｗが５０μｍの断面のテスト用
コンタクトピン１４が得られる。

【００１９】図３に本発明の第２の実施の形態の各工程
における断面模式図を示す。このピンの製造工程は、主
に、ベースメタル層の形成工程と、めっき処理の最初の
工程であるレジストパターンの形成工程と、めっき処理
の中間工程である金属被膜を形成する電解めっき工程
と、めっき処理の最終工程である金属層を形成する電解
めっき工程と、フィルムの被着工程と、分離工程の前半
部である剥離工程と、分離工程の後半部である除去工程
とからなる。なお、ピン１４の材質は第１の実施の形態
と同じである。

【００２０】この実施の形態のベースメタル層の形成工
程、レジストパターンの形成工程、フィルムの被着工
程、分離工程の前半部である剥離工程、及び分離工程の
後半部である除去工程は第１の実施の形態と実質的に同
じである。この実施の形態の特徴ある点は、図３（ｄ）
に示す工程、即ち図４（ｂ）及び図４（ｃ）の工程であ
る。即ち、図４（ｂ）に示すようにレジストマスクされ
ていない部分に現れている銅層１１の表層をウエットエ
ッチングにより所定の深さだけ均一に除去して凹部１１
ａを形成する。次いで図４（ｃ）に示すようにこの凹部
１１ａに電解めっきによりベースメタル層と同一のＣｕ
を形成する。このめっきの付着量は最終的なピンの断面
形状を高アスペクト比にするために、極力少ないことが
望ましい。即ち金属被膜１６の厚さは、図４（ｃ）に示
すように開口部１２ａの異形の底部を平坦にし得る最少
量である。次いでこの金属被膜１６上にＮｉを電解めっ
きにより付着成長させて形成する（図１（ｅ）参照）。
Ｎｉめっきの終了後は、レジスト１２を除去する（図１
（ｆ）及び図２（ｄ）参照）。このようにして形成され
たＮｉ層１４は開口部１２ａの底部が異形であっても金
属被膜１６により整形される。このＮｉ層１４はピンに
供されるものである。

【００２１】上述した第１及び第２の実施の形態で得ら
れたテスト用コンタクトピン１４は、それぞれ片持ち梁
状に曲げてＩＣチップや液晶等と接触したときに、三角
断面や円形断面等のピンよりも大きな接触圧とオーバー
ドライブ能力を発揮することができる。また斜め方向の
曲げ剛性が大きくて斜めに曲がることが少ない。そこ
で、ピッチを狭くしても不都合がない（約５０μｍ）。
またＩＣチップや液晶と接触するコンタクト部１４ａ，
１４ｂ，１４ｃ（図１（ｊ）及び図３（ｊ））は、ステ
ンレス板１０の表面が平坦であることに対応して、それ
らの高さが揃っている。そこで、ピン先の高さ調整の作
業をする必要が全くない。更に、ＩＣチップや液晶と接
触したときに引張応力が加わるコンタクト部１４ａ，１
４ｂ，１４ｃは、ステンレス板１０の表面が平滑である
ことに対応して、表面状態が滑らかである。そこで、表
面の平滑度の影響を受ける疲労強度が増して、繰り返し
使用回数が向上する。

【００２２】なお、図８及び図９に、このようにして製
造されたフィルム付きテスト用コンタクトピン２２を適
用した例として、テストに供すべきＩＣのベアチップ３
０を内側に保持する、いわゆるチップキャリアを示す。
図８及び図９において、２０はチップキャリア本体、２
１はフィルム付きピン固定用治具、２３はフィルム付き
ピン保持用治具、２４はピンをチップに圧接するための
スプリングメタル、２５は位置合わせ用支持体である。
また図示は割愛するが、フィルム付きテスト用コンタク
トピン２２はプローブカードにも適用される。

【００２３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明のテスト用コ
ンタクトピンの製造方法によれば、光化学とめっき処理
の技術を用いて、ＩＣチップや液晶等のテストに適した
テスト用コンタクトピンを高い生産性で製造することが
でき、かつそのピン断面形状が高アスペクト比であって
矩形のものが得られる特長がある。これにより、ＩＣチ
ップや液晶等のテストに適した生産性の高いテスト用コ
ンタクトピンの製造方法を実現できるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のテスト用コンタク
トピンの製造工程を工程順に示す断面図。

【図２】その要部の工程を示す断面図。

【図３】本発明の第２の実施の形態のテスト用コンタク
トピンの製造工程を工程順に示す断面図。

【図４】その要部の工程を示す断面図。

【図５】そのテスト用コンタクトピンの要部斜視図。

【図６】そのフィルム付きテスト用コンタクトピンを示
す図７のＡ−Ａ線断面図。

【図７】そのフィルム付きテスト用コンタクトピンの平
面図。

【図８】そのフィルム付きテスト用コンタクトピンを用
いたチップキャリアの斜視図。

【図９】図８のＢ−Ｂ線拡大断面図。

【図１０】従来のテスト用コンタクトピンの製造工程を
工程順に示す断面図。

【図１１】その要部の工程を示す断面図。

【符号の説明】

１０ 支持用金属板 １１ ベースメタル層 １１ａ 凹部 １２ フォトレジスト層 １２ａ 開口部 １３ マスク １４ Ｎｉ層（金属層），ピン １５ フィルム １５ａ 接着剤 １６ 金属被膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク12番地の６ 三 菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 増田 昭裕 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テスト用コンタクトピンとなる金属層(1
   4)と結合可能なベースメタル層(11)をこのベースメタル
   層(11)に対して剥離性のある平坦かつ平滑な支持用金属
   板(10)上にめっきにより形成する工程と、 前記ベースメタル層(11)上にフォトレジスト層(12)を形
   成する工程と、 前記フォトレジスト層(12)に所定のパターンのマスク(1
   3)を施して露光する工程と、 前記露光したフォトレジスト層(12)を現像することによ
   りテスト用コンタクトピンとなる部分を除去して前記残
   存するフォトレジスト層(12)に開口部(12a)を形成する
   工程と、 前記開口部(12a)の底部に臨む前記ベースメタル層(11)
   の表層を所定の厚さだけ均一に除去して凹部(11a)を形
   成する工程と、 前記凹部(11a)を形成した開口部(12a)に前記テスト用コ
   ンタクトピンとなる金属層(14)をめっきにより形成する
   工程と、 前記残存するフォトレジスト層(12)を除去する工程と、 前記テスト用コンタクトピンのコンタクト部となる部分
   を除いた前記金属層(14)上にフィルム(15)を接着剤(15
   a)を介して被着する工程と、 前記支持用金属板(10)から前記ベースメタル層(11)を前
   記金属層(14)と前記フィルム(15)とともに剥離する工程
   と、 前記ベースメタル層(11)を除去して前記フィルム(15)に
   支持された金属層(14)からなるテスト用コンタクトピン
   を得る工程とを含むテスト用コンタクトピンの製造方
   法。
2. 【請求項２】 テスト用コンタクトピンとなる金属層(1
   4)と結合可能なベースメタル層(11)をこのベースメタル
   層(11)に対して剥離性のある平坦かつ平滑な支持用金属
   板(10)上にめっきにより形成する工程と、 前記ベースメタル層(11)上にフォトレジスト層(12)を形
   成する工程と、 前記フォトレジスト層(12)に所定のパターンのマスク(1
   3)を施して露光する工程と、 前記露光したフォトレジスト層(12)を現像することによ
   りテスト用コンタクトピンとなる部分を除去して前記残
   存するフォトレジスト層(12)に開口部(12a)を形成する
   工程と、 前記開口部(12a)の底部に臨む前記ベースメタル層(11)
   の表層を所定の厚さだけ均一に除去して凹部(11a)を形
   成する工程と、 前記凹部(11a)にベースメタル層(11)の金属と同一の金
   属からなる金属被膜(16)をめっきにより形成する工程
   と、 前記金属被膜(16)を形成した開口部(12a)に前記テスト
   用コンタクトピンとなる金属層(14)をめっきにより形成
   する工程と、 前記残存するフォトレジスト層(12)を除去する工程と、 前記テスト用コンタクトピンのコンタクト部となる部分
   を除いた前記金属層(14)上にフィルム(15)を接着剤(15
   a)を介して被着する工程と、 前記支持用金属板(10)から前記ベースメタル層(11)を前
   記金属被膜(16)と前記金属層(14)と前記フィルム(15)と
   ともに剥離する工程と、 前記ベースメタル層(11)及び前記金属被膜(16)を除去し
   て前記フィルム(15)に支持された金属層(14)からなるテ
   スト用コンタクトピンを得る工程とを含むテスト用コン
   タクトピンの製造方法。