TWI491890B - 製造複數個微探針之方法 - Google Patents

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Charles L Barto
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Wentworth Lab Inc
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Description

製造複數個微探針之方法
本發明係關於一種製造小型微探針或用於測試半導體晶片之電觸點之方法。
在用於電連續性測試之測試探針卡技術中，已知使用藉由機械地使一段直的細金屬絲形成為所要形狀以提供必要之大小及彈力而製成的探針來執行此種測試。圖1-3展示由Brookfield，Connecticut的Wentworth Laboratories公司生產之習知的"CobraTM "探針測試頭。此種探針頭由固持於相對的第一(上層)晶粒42與第二(下層)晶粒44之間的一探針陣列64組成。每一探針具有相對的上端及下端。上層及下層晶粒42、44含有對應於積體電路接觸焊墊上之間隔的開孔圖案，此處表示為下晶粒開孔圖案及上層晶粒開孔圖案。每一探針之上端係由上層晶粒開孔圖案來保持，且每一探針之下端穿過下層晶粒開孔圖案並延伸超出下層晶粒44而終止於探針端部。參考圖13，其說明了額外包含之安裝膜1301。安裝膜1301通常由諸如聚脂之適當聚合介電質形成並固持經蝕刻之探針81於適當位置。對於CobraTM 型探針，下層晶粒開孔圖案自上層晶粒開孔圖案偏移，且該偏移形成於探針中使得探針具有彈簧之效果。回到圖1-3，當使測試頭與待測試之晶圓形成接觸時，探針之上端保持基本上固定，而下端壓縮至測試頭本體中。此柔順度為探針長度、測試頭平面度及晶圓外形中之變化留有餘地。探針通常係藉由型鍛或衝壓直金屬絲以產生所要探針形狀及厚度而形成。此型鍛過程使探針的中心、彎曲部分變平並變寬以獲得每密耳探針偏斜所要的力。
經型鍛之區域之下端及上端亦防止探針過分延伸穿過晶粒。在習知探針製造過程中，探針係由一段直金屬絲(通常為鈹銅合金)形成。將定製加工用於每一探針之大小及設計。該加工衝壓並形成金屬絲之中心部分以獲得所要形狀及厚度，從而產生所要彈率。
參考圖9，其說明了先前技術中用來製作探針之金屬絲之橫截面複製圖(rendering)。橫截面90說明衝壓前金屬絲之大致圓形形式。橫截面91說明經衝壓及加工之金屬絲之大致橢圓形狀。橫截面90及橫截面91二者之橫截面面積大體上相等。參考橫截面91，用於形成探針之經衝壓之金屬絲具有約為7密耳(一密耳等於0.001英吋)之寬度95及約為1.8密耳之高度97。當裝配於探針頭組態中時，較佳維持探針頭中所使用之複數個探針之間有至少1密耳之間距。由於約為7密耳之寬度95及需要1密耳間距，通常將排列於探針頭內之習知探針間隔成每8密耳一個探針。隨後將金屬絲切割成適當長度，並在探針端部上研磨所要探針末端幾何形狀。完成的探針之總長度之公差為+/-.002"。因為此係探針之間太大的差異而不能進行正確測試，所以將探針裝配於探針頭內並使整個探針陣列重疊以達成更均勻的探針長度。
參考圖8，其說明此項技術中已知之標準探針83及本發明之經蝕刻探針81。參考圖5，其說明了探針之基本組件。探針基5001為連接至探針軸5003之相對較短且平直的擴展部分(expanse)。探針軸5003為探針81、83之輕微彎曲的擴展部分，其終止於探針端部5005。在操作中，探針端部5005與待測試電路形成接觸。
用以形成探針之習知衝壓過程經常導致探針內產生可導致疲勞壽命減少之剩餘應力。因為剩餘應力會隨著時間推移而改變，所以探針硬度之改變亦會發生。另外，對探針之需要的改變需要重新加工。此種重新加工為以此方式製造的探針之高成本的原因且在此種探針可用之前需要相當長之前置時間。此亦為機械式探針更難重新設計之情況，由於其構造與製作它們的機械構件有密切聯繫。
因此，需要一種製造此種探針來避免機械構成所產生之問題的方法。進一步需要此種方法大體上經得起生產無延長的重新加工過程之不同設計的探針之檢驗。
本發明之一態樣係關於一種製造複數個微探針之方法，其包含以下步驟：定義複數個探針之形狀為一或多個遮罩；塗覆光阻至一金屬箔之第一及第二相對側；將每一遮罩上覆於該金屬箔之相對的第一及第二側上；使光阻曝露於通過每一遮罩之光；使光阻顯影；移除光阻之一部分以曝露該金屬箔之一部分；及塗覆蝕刻劑至金屬箔表面以移除經曝光部分以製作複數個探針。
本發明之另一態樣係關於一種製造複數個微探針之方法，其包含以下步驟：定義複數個探針之形狀為一遮罩；塗覆光阻至第一金屬材料之一側；將該遮罩上覆於該第一金屬材料之該側上；使光阻曝露於通過該遮罩之光；使光阻顯影；移除光阻之一部分以曝露該第一金屬材料之一部分；在該第一金屬材料之該經曝露部分上電鑄一第二金屬材料；及移除該第二金屬材料以製作複數個探針。
本發明之另一態樣係關於一種根據前述方法而製造的微探針，其中該微探針包含一探針基，其具有以複數個邊緣為界之大致均勻之厚度且在一平面上延伸大體上平直之長度；一連接至該探針基之探針軸，該探針軸具有以複數個邊緣為界之大致均勻之厚度，並沿該平面內的一彎曲擴展部分延伸；一連接至該探針軸之探針端部，該探針端部具有以複數個邊緣為界之大致均勻之厚度，並在該平面上延伸大體上平直之距離，該平直距離與該平直長度近似平行；及一扇貝形邊，其大體上圍繞一包含該探針基、該探針軸及該探針端部之邊緣的圓周。
而本發明之又一態樣係關於一種探針測試頭，其包含：一包含第一及第二相對之平坦表面之第一晶粒，該第一晶粒進一步包含一在垂直於第一及第二平坦表面二者之方向上延伸穿過該第一晶粒之第一晶粒開孔圖案；一包含第三及第四相對之平坦表面之第二晶粒，該第二晶粒進一步包含一對應於該第一晶粒開孔圖案之第二晶粒開孔圖案，該等第二晶粒開孔在該方向上延伸穿過該第二晶粒，其中該第三平坦表面被配置成與第二平坦表面形成平面接觸以使該等第二晶粒開孔在大體上一致之方向上自該等第一晶粒開孔偏移；及複數個探針，每一探針延伸穿過該等第一晶粒開孔中之一開孔及該等第二晶粒開孔中之一開孔，該等探針具有相當於經蝕刻形成之表面光潔度。
本發明係關於一種以提供改良之均勻性同時降低探針製造成本之方式來製造探針之方法。使用一其中對探針加以光定義之過程來製造探針。"光定義"意指首先將探針之所要形狀指定為一圖形形式之影像，並使用該影像來製得一具有所要探針輪廓之重複圖案之遮罩。隨後在光蝕刻或光定義電鑄過程(而非此項技術中流行之機械衝壓過程)中連同光阻一起使用該遮罩。
參考圖8，其說明本發明之光定義探針81。首先將該探針之所要形狀指定為圖形形式之影像，並使用該影像來製造一具有所要探針輪廓之重複圖案之玻璃遮罩。圖7說明了此種遮罩73之樣品。遮罩73包含複數個探針形狀72及暗間隔71。探針形狀72定義對應於本發明之光定義探針之區域且經建構以允許光線大體上不受阻礙地穿過探針形狀72。暗間隔71主要在探針形狀72之間延伸並用以將遮罩73上一探針形狀72與每一其它探針形狀72區分開。
在本發明之第一實施例中，遮罩73被用於自薄金屬扁平材料(通常為鈹銅合金)蝕刻得到探針81之過程中。在本發明之第二實施例中，藉由遮罩73來形成一不銹鋼心軸，接著在該心軸上由薄金屬(通常為鎳或鎳鈷合金)電鑄得到探針81。
實施例1-經蝕刻探針
參考圖12，其說明了用來生產本發明第一實施例之經蝕刻探針的探針組態1205。扁平材料1201為具有相對之平坦表面之基本上平坦之金屬薄片。扁平材料1201具有與完成之探針之所要寬度相當的寬度。扁平材料1201之較佳寬度約為3密耳。
隨後將光阻1001塗覆至扁平材料1201之兩個相對的平坦表面。隨後將兩個相同遮罩73固定於扁平材料1201之相對側，使每一遮罩73之一側與覆蓋扁平材料1201之一單側之光阻1001形成接觸。對準兩個遮罩73以使任一遮罩73中對應於另一遮罩73中之相同特徵的任一特徵在垂直於扁平材料1201之平坦表面擴展部分之軸線上精確對準。隨後，將光施加至每一遮罩73，該遮罩73有效曝光安置於每一遮罩73與扁平材料1201之間之光阻1001。隨後將兩個遮罩73自探針組態1205分離。在將光阻1001曝露於光之後，對光阻1001進行顯影及沖洗。作為沖洗之結果，對應於遮罩73上探針形狀72的經曝光之光阻保持黏結於扁平材料1201，而對應於暗間隔71之光阻1001未曝光部分被沖洗掉且不再與扁平材料1201接觸。
隨後將蝕刻劑大體上同時施加至扁平材料1201的兩個表面。蝕刻劑開始在自扁平材料1201外表面沿垂直於扁平材料1201之平坦擴展部分且自每一相對的平坦表面指向扁平材料1201中之軸線延伸之方向上溶解扁平材料1201。塗覆蝕刻劑至附著於一金屬基板上之光阻以溶解該金屬基板之一屬性為存在底切。如本文中所用之"底切"係指經塗覆以溶解金屬之蝕刻劑會偏離垂直於塗覆有蝕刻劑之表面延伸之蝕刻路徑的傾向。具體言之，當蝕刻劑進入金屬時其趨於向外延伸。
參考圖10，其說明底切對本發明之經蝕刻探針之影響。圖10為本發明之經蝕刻探針在塗覆蝕刻劑後之橫截面視圖。如吾人所見，蝕刻劑已有效地將包含金屬之扁平材料1201自以底切1005及蝕刻界限1007為界之區域移除。如所說明的那樣，底切1005自扁平材料1201之外表面向扁平材料1201內部延伸。應注意，底切1005輕微偏離垂直於扁平材料1201表面之垂直軸線1009。蝕刻界限1007為表示直到蝕刻劑被中和或不能進一步蝕刻為止蝕刻劑移除扁平材料1201至何種程度的邊界。蝕刻劑以大體上恆定之速率蝕刻且遵循一沿自垂直軸線1009偏離之底切1005之路徑，因此所得蝕刻界限1007形成一輕微彎曲之邊界。藉由控制蝕刻劑曝露至扁平材料1201之時間量，可能產生如圖10所說明之每一探針之橫截面幾何形狀。
所得兩個相對蝕刻界限1007之重合導致存在尖銳突起或繞每一經蝕刻探針之周邊延伸之扇貝形邊1003。應注意，自扇貝形邊基部1013至扇貝形邊尖端1015之距離形成扇貝形邊之尺寸1011。參考圖11，其說明一探針端部5005之透視圖。如吾人所見，扇貝形邊1003繞包括探針尖端1101之經蝕刻探針81之邊緣1107延伸。外部探針尖端1105位於扁平材料1201之相對側上，該扁平材料1201在探針端部5005之最遠端包含經蝕刻探針81。可以看到，由於扇貝形邊1003繞探針端部5005之終端延伸，因此探針尖端1101延伸超出外部探針尖端1105。所得之探針尖端1101超出外部探針尖端1105之延伸允許經蝕刻探針81在使用中更好地接觸電路。
移除未曝光金屬導致產生一於頂端處相連之探針陣列。隨後對該探針陣列進行化學拋光及電鍍。繼而將該等探針自扁平材料1201移除並準備裝配至探針頭內。使形成該總成之探針頂部重疊同時參照一平坦表面而固持該等尖端以使該等探針成為相同長度。
實施例2-電鑄探針
在本發明之第二實施例中，使用遮罩73或遮罩73之負極(negative)來形成一用於電鑄探針陣列81之不銹鋼心軸。在此實施例中，將光阻塗覆至不銹鋼板一側，並將遮罩73塗覆於光阻之上。隨後將光施加至遮罩及曝露的光阻。對光阻進行顯影及沖洗，在不銹鋼板上留下對應於探針形狀之圖案化開放或經曝光區域。圖案化不銹鋼板即可用作電鑄之心軸。
在電鑄期間，將心軸置放於適當的電解質溶液浸泡劑中並藉由將陽極材料(如鎳或鎳鈷合金)電沉積至心軸之經曝光(陰極)部分來產生光阻定義觸點之產生或再產生。繼而將經電沉積之材料自心軸分離成一於頂端處相連之探針陣列。隨後將各個探針自該陣列移除，準備裝配至探針頭內。使形成該總成之探針頂端重疊同時參照一平坦表面而固持該等尖端以使該等探針成為相同長度。
參考圖4-6，其說明了使用蝕刻抑或電鑄方法製造的本發明之光定義探針之形狀。參考圖8，如已經描述的那樣，在沒有通常會導致探針81中存在剩餘應力的機械衝壓或其它過程之情況下將本發明之光定義探針81製造成所要組態。如本文中所用之"剩餘應力"係指由於塑性變形而殘存的應力。習知探針傾向於含有由用以產生所要探針橫截面之機械衝壓及加工所導致之剩餘應力。此等剩餘應力會在至少兩個主要方面限制習知探針之功能性。第一，剩餘應力導致習知探針回應於一段時間內施予探針之一連串恆定偏斜而表現出不均勻之抵抗力。結果，在一段時間中經常使用之習知探針傾向於遭受提供對一段時間施予之均勻偏斜的恆定抵抗力之能力的降級。第二，包含剩餘應力之習知探針更有可能回應於偏斜而折斷。相反，本發明之光定義探針81係由不需要機械衝壓或加工以達成所要橫截面特徵之蝕刻或電鑄過程所製得。結果，探針81不含有任何由機械加工或衝壓引起的剩餘應力。
如本文中所用之"屈服強度"係指探針在被施加力時在基本線性方向上偏斜或屈服同時保留在不施加力的情況下回到其原始未偏斜狀態之能力的性質。探針之屈服強度越大，在探針到達其屈服點之前可作用於該探針上之線性偏斜越大，探針在到達其屈服點後將無法回到其原始形狀。申請者預期，與由機械處理形成之探針相比，本發明之光定義探針表現出增加的屈服強度。具體言之，申請者預期，在到達屈服點之前，光定義探針可偏斜之線性距離比習知探針可偏斜之距離約大20%。
另外，申請者預期本發明之光定義探針與以習知方式形成之探針相比將具有改良之彈力均勻性。如本文中所用之"彈力"係指被偏斜一距離之探針中所產生的反向抵抗力。具體言之，申請者預期一探針測試頭中所有光定義探針之間彈力的最大差異將比一類似探針測試頭裝置中之所有習知探針之間彈力的最大差異小約20%。
參考圖10，經蝕刻探針81具有深度1017及寬度1019。深度1017通常約為3密耳而寬度1019通常約為1密耳。經電鑄探針81可被製成類似尺寸。因為光定義探針81(無論經蝕刻或電鑄而成)比習知探針83窄得多，所以當被裝配至探針頭內時，光定義探針81可被裝配成約每4密耳加以間隔，而習知探針83通常約每8密耳加以間隔。由於裝配於探針頭中之本發明之光定義探針之間中心至中心的距離可小至4密耳，相對於習知探針所需要的約8密耳，光定義探針可用於測試更小的積體電路，其中該積體電路晶圓上的觸點之間的距離小至約4密耳。
另外，由於複數個光定義探針81係由單一扁平材料1201(在蝕刻情況下)或單一電鑄過程(在電鑄情況下)使用一共同遮罩73(任一情況下)所鑄成，因此每一經蝕刻探針81在其物理特徵上與每一其它經蝕刻探針81大體上類似。
示例1
以下示例詳述了實行本發明之一實施例之較佳參數。較佳實行複數個步驟，包括材料製備、光掩蔽(photo masking)、化學拋光、電鍍，及使如此形成之探針個別化之過程。如本文中所用之"DI"為意指去離子化之描述符。另外，如本文中所用之"UXDI"係指超音波攪拌去離子水。
為了製備用以形成探針之材料，將BeCu 17200扁平材料切割成具有約四英吋邊長之方塊。隨後用Citra-solv(由Danbury，CT的Citra-solv，LLC生產)/DI H2 O 20 ML/1L(UX 15 Min.)清洗該扁平材料。隨後將該扁平材料表面用空氣吹乾且隨後在真空中於600℉下加熱所得封裝約兩小時使其硬化。
接下來，對製備好的材料進行光掩蔽。為完成光掩蔽，再次使用Clean Citra-Solv/DI H2 O 20 ML/1L(UX 15 Min.)來清洗該材料。接下來以13.3 Sec./lin.(Shipley SP2029-1)之拉速、在21℃時變薄至35 Zon/Sec.條件下，為該材料提供浸漬塗層。隨後將該材料於90℃下烘乾約30分鐘並允許其在大於百分之五十相對濕度之條件下於室溫下冷卻。接下來，將該材料已製備好的表面曝露於約100毫焦耳365奈米波長之UV光。隨後將經曝光表面顯影約1分鐘30秒(由Newton Massachusetts的Shipley公司生產之Shipley 303顯影劑，於85℉下)。最後，將製備好之表面於噴流的DI水中沖洗15分鐘隨後用空氣吹乾並儲存。
接下來，使用Huntington Beach，California的Marseco公司生產之Marseco Mod.# CES-24來執行蝕刻。隨後使用Phibro-Tech高速電路蝕刻溶液來執行高速電路蝕刻，其參數設定如下：
-溫度設定為128℉(127℉起作用)
-泵速(泵＃1-45%)(泵＃2-73%)
-輸送機(11%)
-振盪(正常)
隨後將一箔測試片安裝於載體上並穿過蝕刻劑。隨後量測由該箔測試片製成之所得部分的臨界尺寸並視需要作出調整。在作出調整後，以30秒時間間隔使剩餘箔穿過蝕刻劑。
接下來對蝕刻形成之探針應用化學拋光/光澤浸漬。在145-150℉下將該等探針浸入2L燒杯中之PNA Etch中同時攪動。該溶液包含以下成分：
磷酸　760 ML之98%溶液
硝酸　40 ML之69-70%溶液
醋酸　1200 ML之60%溶液
首先，使用一材料測試片來確立蝕刻速率。接下來，對探針材料進行蝕刻以移除.0001"。接下來在熱DI中沖洗該材料，在UX DI中沖洗約15分鐘並在DI噴流中沖洗2分鐘。最後，於100℃下烘乾該等探針直到其乾燥。
接下來，使用Cranston Rhode Island的Technic公司生產之Pallamerse Immersion Palladium之5%溶液、Technic公司生產之Pd活化劑之25%溶液及Wilmington，Delaware的Dupont Fluoroproducts生產之Vertrel溶劑來電鍍該等探針。隨後稱量該等探針並記錄其重量。隨後將該等探針於Vertrel溶劑中洗滌約兩分鐘。接下來，將該等探針在DI H2 O中沖洗一分鐘並於10%的硫酸溶液中沖洗兩分鐘，然後於DI H2 O中再沖洗兩分鐘。然後將該等探針浸入Technic Pd活化劑中30秒並再次於DI H2 O中沖洗30秒。隨後將該等探針浸入Technic immersion Palladium中約45分鐘同時緩慢攪動，用DI H2 O對其進行沖洗並乾燥。隨後再次稱量該等探針並記錄其重量。
最後，個別化該等探針。對該等探針之一樣品(最好為五或六個探針)進行測試以量測一毫米增量偏斜一至八毫米時各探針中產生之抵抗力的值。表1說明了對探針之一組此種測試的結果。使用該等測試結果來估定由任一初始扁平材料所製得之探針之均勻性以及與所要特徵之一致性。隨後將該等探針置於惡劣條件(vile)中並標記有尖端及柄部尺寸。
因此本文中提供一可大規模生產用於半導體晶片測試之小型微探針或電觸點之過程，該過程與習知探針製造過程相比具有以下優點。首先，本發明之方法提供探針之間的改良之均勻性性及尺寸精確度。玻璃遮罩確定探針之幾何形狀，消除探針之間的機械差異。結果，探針之硬度更加均勻，允許整個陣列上具有平衡接觸力。
另外，製造期間不會在探針中引起應力，導致改良之探針強度及耐久性。習知衝壓過程導致剩餘應力，使疲勞壽命減少。應力可隨時間而改變，使探針硬度發生變化。
本發明提供較低成本及在製造過程中的較短前置時間。同時製造許多探針，且可經由蝕刻或電鑄過程來製成尖端幾何形狀，而非作為相繼過程步驟。磨光與電鍍過程亦同時進行。
本發明之探針設計可容易地進行修改。在使用蝕刻的情況下，可藉由改變用來製作玻璃遮罩之原圖及所選金屬扁平材料之厚度來控制彈率。在使用電鑄的情況下，可藉由改變用以製作玻璃遮罩之原圖及控制電鑄之厚度來控制彈率。在任一情況下，可藉由簡單地製作新遮罩來得到作出新設計。不需昂貴且消耗時間的重新加工。
最後，藉由本發明之方法生產之經蝕刻或電鑄的探針不需要型鍛來達成所要硬度。結果，可將該等探針置放得更緊密，允許形成更密集之陣列。
42．．．上層晶粒
44．．．下層晶粒
71．．．探針形狀
72．．．暗間隔
73．．．遮罩
81．．．本發明之探針
83．．．先前技術之探針
90．．．橫截面
91．．．橫截面
95．．．寬度
97．．．高度
1001．．．光阻
1003．．．扇貝形邊
1005．．．底切
1007．．．蝕刻界限
1009．．．垂直軸線
1011．．．尺寸
1013．．．扇貝形邊基部
1015．．．扇貝形邊尖端
1017．．．深度
1019．．．寬度
1101．．．探針尖端
1105．．．外部探針尖端
1107．．．探針邊緣
1201．．．扁平材料
1205．．．探針組態
1301．．．安裝膜
5001．．．探針基
5003．．．探針軸
5005．．．探針端部
圖1為此項技術中已知之探針測試頭之透視圖。
圖2為此項技術中已知之探針測試頭橫截面之透視圖。
圖3為此項技術中已知之探針測試頭之一部分之橫截面。
圖4為本發明之探針之正視圖。
圖5為本發明之探針之側視圖。
圖6為本發明之探針之等角視圖。
圖7為本發明之遮罩之照片。
圖8為此項技術中已知之標準探針及本發明之光定義探針之照片。
圖9為此項技術中已知之探針加工前及加工後之橫截面圖。
圖10為本發明之探針經蝕刻後之橫截面圖。
圖11為本發明的探針末端之透視圖。
圖12為本發明之遮罩、光阻及扁平材料在蝕刻前之組態之透視圖。
圖13為本發明之探針測試頭之一部分之橫截面。
42．．．第一晶粒
44．．．第二晶粒
81．．．探針
1301．．．安裝膜

Claims (4)

  1. 一種製造一探針測試頭之方法，該方法包含：定義複數個探針(81)之形狀為一或多個遮罩(73)，該等形狀之每一者包括一探針基、連接至該探針基之一探針軸、連接至該探針軸之一探針端部、以及在該探針基、該探針端部、及該探針軸之至少一者上之一或多個浮凸的表面；一使用該一或多個遮罩(73)來製造該複數個探針(81)之步驟，該複數個探針(81)之每一者包括一探針基、連接至該探針基之一探針軸、連接至該探針軸之一探針端部、以及在該探針基、該探針端部、及該探針軸之至少一者上之一或多個浮凸的表面；經由一第一晶粒(42)中之對應的第一複數個開孔來安置該複數個探針(81)，該第一晶粒(42)包括第一及第二相對之平坦表面及延伸穿過該第一與該第二相對之平坦表面之間的該第一晶粒(42)之該第一複數個開孔；及經由一第二晶粒(44)中之對應的第二複數個開孔來安置該複數個探針(81)，該第二晶粒(44)包括第三及第四相對之平坦表面及延伸穿過該第三與該第四相對之平坦表面之間的該第二晶粒(44)之該第二複數個開孔。
  2. 如請求項1之方法，其中該使用該一或多個遮罩來製造該複數個探針(81)之步驟包括：塗覆一光阻(1001)至一第一金屬材料(1201)之一側；將該一或多個遮罩(73)上覆於該第一金屬材料(1201) 之該側上；將該光阻(1001)曝露於穿過該一或多個遮罩(73)之光；顯影該光阻(1001)；移除該光阻(1001)之一部分以曝露該第一金屬材料(1201)之一部分；於該第一金屬材料(1201)之該經曝露部分上電鑄一第二金屬材料；及移除該第二金屬材料以產生複數個探針(81)。
  3. 如請求項1之方法，其中該使用該一或多個遮罩來製造該複數個探針(81)之步驟包括：塗覆一光阻(1001)至一金屬箔之第一及第二相對側；將該等遮罩(73)中之至少一者上覆於該金屬箔之第一及第二相對側之每一者上；將該光阻(1001)曝露於穿過該遮罩(73)中之每一者之光；顯影該光阻(1001)；移除該光阻(1001)之一部分以曝露該金屬箔之一部分；及塗覆一蝕刻劑至該金屬箔之該表面以移除該經曝露部分以產生複數個探針(81)。
  4. 如請求項1之方法，其中該複數個探針(81)中之每一探針包括：該探針基(5001)，其具有一以複數個邊緣為界之大致 均勻之厚度並於一平面內延伸一大體上平直之長度；連接至該探針基(5001)之該探針軸(5003)，該探針軸(5003)具有以複數個邊緣為界之該大致均勻之厚度，並於該平面內沿一彎曲的擴展部分延伸；連接至該探針軸(5003)之該探針端部(5005)，該探針端部(5005)具有以複數個邊緣為邊界之該大致均勻之厚度，並於該平面內延伸一大體上平直之距離，該平直距離與該平直長度近似平行；及一扇貝形邊(1003)，其大體上圍繞一包含該探針基(5001)、該探針軸(5003)及該探針端部(5005)之該等邊緣的圓周。
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