JP3505650B2 - 異方性導電シートおよびその製造方法 - Google Patents
異方性導電シートおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、異方性導電シー
トおよびその製造方法に関し、特に、異方性導電シート
を構成する導電体は絶縁材料シートの表裏両面に整然と
貫通露出し、導電体自体に弾性が付与されており、デバ
イスと配線基板との間にこの導電体が介在することによ
り両者間を弾性的に確実に電気接続する、簡単容易に製
造することができる異方性導電シートおよびその製造方
法に関する。
トおよびその製造方法に関し、特に、異方性導電シート
を構成する導電体は絶縁材料シートの表裏両面に整然と
貫通露出し、導電体自体に弾性が付与されており、デバ
イスと配線基板との間にこの導電体が介在することによ
り両者間を弾性的に確実に電気接続する、簡単容易に製
造することができる異方性導電シートおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）を更に
高密度化したランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）、チップ
サイズパッケージ（ＣＳＰ）の如き微小間隔の端子が裏
面に形成されるデバイスを配線基板に電気的に接続する
には、このデバイスと配線基板の間に電気機械的な接続
のみに専用の接続部材としてソケットを介在させて両者
間を接続する。しかし、ソケットは一般に構造が複雑で
小型化するのが困難である。
高密度化したランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）、チップ
サイズパッケージ（ＣＳＰ）の如き微小間隔の端子が裏
面に形成されるデバイスを配線基板に電気的に接続する
には、このデバイスと配線基板の間に電気機械的な接続
のみに専用の接続部材としてソケットを介在させて両者
間を接続する。しかし、ソケットは一般に構造が複雑で
小型化するのが困難である。
【０００３】そして、ソケットの代わりに、絶縁材料シ
ートに導電性微粒子或いは導電性微小短針を分散させた
異方性導電シートを製造し、これをデバイスと配線基板
の間に介在させ、デバイスを異方性導電シートに強く圧
接してデバイスと配線基板の間に導電経路を形成するこ
とに依っても、裏面に端子が形成されるデバイスを配線
基板に電気的に接続することができる。しかし、この異
方性導電シートは、配線基板に電気的に接続される複数
のデバイスの端子の相互間隔を１００μｍ程度の狭ピッ
チに接続することができるものであるが、これより狭ピ
ッチの接続に対応することができない。そして、この異
方性導電シートは絶縁材料シートに分散される導電性微
粒子或いは導電性微小短針を介して導電経路を形成する
ものであるので、導電経路自体の硬さが大であり、良好
な電気接触を実現することができない。
ートに導電性微粒子或いは導電性微小短針を分散させた
異方性導電シートを製造し、これをデバイスと配線基板
の間に介在させ、デバイスを異方性導電シートに強く圧
接してデバイスと配線基板の間に導電経路を形成するこ
とに依っても、裏面に端子が形成されるデバイスを配線
基板に電気的に接続することができる。しかし、この異
方性導電シートは、配線基板に電気的に接続される複数
のデバイスの端子の相互間隔を１００μｍ程度の狭ピッ
チに接続することができるものであるが、これより狭ピ
ッチの接続に対応することができない。そして、この異
方性導電シートは絶縁材料シートに分散される導電性微
粒子或いは導電性微小短針を介して導電経路を形成する
ものであるので、導電経路自体の硬さが大であり、良好
な電気接触を実現することができない。
【０００４】また、以前はフロー半田付けによりデバイ
スを配線基板に対して電気機械的に接続していた。これ
は比較的に大型のデバイスと配線基板の間の接続に適用
される接続の仕方である。
スを配線基板に対して電気機械的に接続していた。これ
は比較的に大型のデバイスと配線基板の間の接続に適用
される接続の仕方である。
【０００５】更に、導電シートにホトリソグラフィ技術
およびエッチング技術を適用して導電体が絶縁材料シー
トを貫通一体化された異方性導電シートも知られている
（特公平７−３６３５０号公報 参照）。この製造工程
は総計すると極めて多数の工程より成り、必ずしも簡単
容易な製造工程とは言い難い。
およびエッチング技術を適用して導電体が絶縁材料シー
トを貫通一体化された異方性導電シートも知られている
（特公平７−３６３５０号公報 参照）。この製造工程
は総計すると極めて多数の工程より成り、必ずしも簡単
容易な製造工程とは言い難い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来例は、何れも、一般に構造が複雑で小型化するのが困
難であり、或いは配線基板に電気的に接続される複数の
デバイスの相互間隔を１００μｍ程度以下の狭ピッチに
することに対応することができず、或いは小型微小なデ
バイスと配線基板の間の接続に適用するには不適であ
り、或いは製造工程が極めて多数の工程より成る必ずし
も簡単容易な製造工程とは言い難いものである。
来例は、何れも、一般に構造が複雑で小型化するのが困
難であり、或いは配線基板に電気的に接続される複数の
デバイスの相互間隔を１００μｍ程度以下の狭ピッチに
することに対応することができず、或いは小型微小なデ
バイスと配線基板の間の接続に適用するには不適であ
り、或いは製造工程が極めて多数の工程より成る必ずし
も簡単容易な製造工程とは言い難いものである。
【０００７】この発明は、異方性導電シートを構成する
導電体は絶縁材料シートの表裏両面に整然と貫通露出
し、導電体自体に弾性が付与されており、デバイスと配
線基板との間にこの導電体が介在することにより両者間
を弾性的に確実に電気接続する上述の問題を解消した異
方性導電シートおよびその製造方法を提供するものであ
る。
導電体は絶縁材料シートの表裏両面に整然と貫通露出
し、導電体自体に弾性が付与されており、デバイスと配
線基板との間にこの導電体が介在することにより両者間
を弾性的に確実に電気接続する上述の問題を解消した異
方性導電シートおよびその製造方法を提供するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１：相対向する電
気部材間に介在して両電気部材を電気的に接続する異方
性導電シートにおいて、絶縁材料シート４’と、絶縁材
料シート４’を貫通して上下両端部を露出する中空の薄
膜状の立体構造３０を有する立体構造の導電体より成
り、中空の薄膜状の立体構造３０は絶縁材料シート４’
に分布して配列形成した異方性導電シートを構成した。
気部材間に介在して両電気部材を電気的に接続する異方
性導電シートにおいて、絶縁材料シート４’と、絶縁材
料シート４’を貫通して上下両端部を露出する中空の薄
膜状の立体構造３０を有する立体構造の導電体より成
り、中空の薄膜状の立体構造３０は絶縁材料シート４’
に分布して配列形成した異方性導電シートを構成した。
【０００９】請求項２：請求項１に記載される異方性導
電シートにおいて、中空の薄膜状の立体構造３０は上端
部を閉塞すると共に下端部を開放する円錐状導電体であ
る異方性導電シートを構成した。
電シートにおいて、中空の薄膜状の立体構造３０は上端
部を閉塞すると共に下端部を開放する円錐状導電体であ
る異方性導電シートを構成した。
【００１０】請求項３：請求項１に記載される異方性導
電シートにおいて、中空の薄膜状の立体構造３０はアー
チ型に形成されたアーチ状導電体である異方性導電シー
トを構成した。
電シートにおいて、中空の薄膜状の立体構造３０はアー
チ型に形成されたアーチ状導電体である異方性導電シー
トを構成した。
【００１１】請求項４：請求項１ないし請求項３の内の
何れかに記載される異方性導電シートにおいて、立体構
造の導電体３０はメッキ或いは蒸着により形成されたも
のである異方性導電シートを構成した。
何れかに記載される異方性導電シートにおいて、立体構
造の導電体３０はメッキ或いは蒸着により形成されたも
のである異方性導電シートを構成した。
【００１２】請求項５：導電材料を原材料とする導電材
料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立して
形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶縁
材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の表
裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する椀
状導電体７０’を構成した異方性導電シートを構成し
た。
料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立して
形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶縁
材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の表
裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する椀
状導電体７０’を構成した異方性導電シートを構成し
た。
【００１３】請求項６：導電材料を原材料とする導電材
料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立して
形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶縁
材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の表
裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する椀
状導電体７０’を構成した異方性導電シートを、互いに
対向して重ね合わせ一体化して構成した異方性導電シー
トを構成した。
料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立して
形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶縁
材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の表
裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する椀
状導電体７０’を構成した異方性導電シートを、互いに
対向して重ね合わせ一体化して構成した異方性導電シー
トを構成した。
【００１４】請求項７：半導体材料を原材料とする半導
体シート８に表面からダイシング加工を施して、残存半
導体シート８’を有して導電体形成凸部８２を独立して
形成し、残存半導体シート８’および導電体形成凸部８
２の表面に絶縁材料層８３を塗布硬化し、残存半導体シ
ート８’をその導電体形成凸部８２との間の結合部から
その絶縁材料層８３との間の結合部に亘って除去し、硬
化形成した絶縁材料シート８３’の表裏面に導電体形成
凸部８２を半導体端子８２’として露出せしめて構成し
た異方性導電シートを構成した。
体シート８に表面からダイシング加工を施して、残存半
導体シート８’を有して導電体形成凸部８２を独立して
形成し、残存半導体シート８’および導電体形成凸部８
２の表面に絶縁材料層８３を塗布硬化し、残存半導体シ
ート８’をその導電体形成凸部８２との間の結合部から
その絶縁材料層８３との間の結合部に亘って除去し、硬
化形成した絶縁材料シート８３’の表裏面に導電体形成
凸部８２を半導体端子８２’として露出せしめて構成し
た異方性導電シートを構成した。
【００１５】請求項８：半導体材料を原材料とする半導
体シート８に表面からダイシング加工を施して半導体ブ
ロック８５を分離独立して形成し、半導体ブロック８５
をその上下両端部を露出して絶縁材料層８３内に埋設
し、硬化形成された絶縁材料シート８３’の表裏面に半
導体ブロック８５を露出せしめて構成した異方性導電シ
ートを構成した。
体シート８に表面からダイシング加工を施して半導体ブ
ロック８５を分離独立して形成し、半導体ブロック８５
をその上下両端部を露出して絶縁材料層８３内に埋設
し、硬化形成された絶縁材料シート８３’の表裏面に半
導体ブロック８５を露出せしめて構成した異方性導電シ
ートを構成した。
【００１６】請求項９：請求項８に記載される異方性導
電シートにおいて、半導体ブロック８５の表面に回路素
子８６を形成した異方性導電シートを構成した。
電シートにおいて、半導体ブロック８５の表面に回路素
子８６を形成した異方性導電シートを構成した。
【００１７】ここで、請求項１０：表面に突起１１が多
数形成される金型１を準備し、シート２１に金型１の突
起１１の裾野の径より大なる径の貫通孔２２を形成した
ものより成るマスク２を金型１の表面に取付け、金型１
の表面に金属メッキ或いは蒸着を施し、金型１の表面か
らマスク２を取り外して金型１の突起１１の全表面に薄
膜状の立体構造の導電体３０を残存形成し、金型１の表
面に絶縁材料層４を塗布して導電体３０をその頂上まで
絶縁材料層４に埋没させ、第２の型５を導電体３３の表
面に圧し付けて絶縁材料層４を硬化するのを待ち、離型
し、絶縁材料層を貫通して上下両端部を露出する中空の
薄膜状の立体構造を有する立体構造の導電体を形成する
異方性導電シートの製造方法を構成した。
数形成される金型１を準備し、シート２１に金型１の突
起１１の裾野の径より大なる径の貫通孔２２を形成した
ものより成るマスク２を金型１の表面に取付け、金型１
の表面に金属メッキ或いは蒸着を施し、金型１の表面か
らマスク２を取り外して金型１の突起１１の全表面に薄
膜状の立体構造の導電体３０を残存形成し、金型１の表
面に絶縁材料層４を塗布して導電体３０をその頂上まで
絶縁材料層４に埋没させ、第２の型５を導電体３３の表
面に圧し付けて絶縁材料層４を硬化するのを待ち、離型
し、絶縁材料層を貫通して上下両端部を露出する中空の
薄膜状の立体構造を有する立体構造の導電体を形成する
異方性導電シートの製造方法を構成した。
【００１８】請求項１１：導電材料を原材料とする導電
材料シートを保持粘着テープに貼り付けたものを準備
し、この導電材料シートにホトリソグラフィ技術および
エッチング技術を適用して保持粘着テープに貼り付けら
れた状態の導電ブロックを分離独立して形成し、導電材
料シートのエッチング除去領域に合成樹脂より成る絶縁
材料を充填し、充填形成された絶縁材料層の表面に第２
の型を圧し付けて絶縁材料層表面の一部を排除除去し、
導電ブロックの上下両端部を絶縁材料層の表裏両面に露
出せしめる異方性導電シートの製造方法を構成した。
材料シートを保持粘着テープに貼り付けたものを準備
し、この導電材料シートにホトリソグラフィ技術および
エッチング技術を適用して保持粘着テープに貼り付けら
れた状態の導電ブロックを分離独立して形成し、導電材
料シートのエッチング除去領域に合成樹脂より成る絶縁
材料を充填し、充填形成された絶縁材料層の表面に第２
の型を圧し付けて絶縁材料層表面の一部を排除除去し、
導電ブロックの上下両端部を絶縁材料層の表裏両面に露
出せしめる異方性導電シートの製造方法を構成した。
【００１９】請求項１２：請求項１１に記載される異方
性導電シートの製造方法において、導電材料を原材料と
する導電材料シート７を準備し、導電材料シート７の表
裏両面にホトリソグラフィ技術を適用して環状のレジス
ト７１、７１’を多数パターニング形成し、導電材料シ
ート７にエッチング加工を施し、このエッチング加工は
結合領域７２を残存して導電材料シート７が表裏貫通し
て分離する寸前迄実行され、導電材料シート７の裏面に
保持粘着テープ７３を貼り合わせ、導電材料シート７に
更なるエッチング加工を施し、結合領域７２に導電体分
離溝７２１を形成することにより導電ブロック７’を相
互に分離独立して形成し、導電材料シート７のエッチン
グ除去領域に絶縁材料を充填し、形成された絶縁材料層
７６の表面に第２の型を圧し付け、剥離して絶縁材料シ
ートの表裏面に導電ブロック７’の上下両端部を露出せ
しめる異方性導電シートの製造方法を構成した。
性導電シートの製造方法において、導電材料を原材料と
する導電材料シート７を準備し、導電材料シート７の表
裏両面にホトリソグラフィ技術を適用して環状のレジス
ト７１、７１’を多数パターニング形成し、導電材料シ
ート７にエッチング加工を施し、このエッチング加工は
結合領域７２を残存して導電材料シート７が表裏貫通し
て分離する寸前迄実行され、導電材料シート７の裏面に
保持粘着テープ７３を貼り合わせ、導電材料シート７に
更なるエッチング加工を施し、結合領域７２に導電体分
離溝７２１を形成することにより導電ブロック７’を相
互に分離独立して形成し、導電材料シート７のエッチン
グ除去領域に絶縁材料を充填し、形成された絶縁材料層
７６の表面に第２の型を圧し付け、剥離して絶縁材料シ
ートの表裏面に導電ブロック７’の上下両端部を露出せ
しめる異方性導電シートの製造方法を構成した。
【００２０】請求項１３：導電材料を原材料とする導電
材料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッ
チング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立し
て形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶
縁材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の
表裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する
椀状導電体７０’を構成した異方性導電シートの製造方
法を構成した。
材料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッ
チング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立し
て形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶
縁材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の
表裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する
椀状導電体７０’を構成した異方性導電シートの製造方
法を構成した。
【００２１】請求項１４：請求項１３に記載される異方
性導電シートの製造方法において、導電材料を原材料と
する導電材料シート７を準備し、導電材料シート７の表
面にホトリソグラフィ技術を適用して円形領域Ｃを多数
露出せしめて残余の全面にレジスト７１をパターニング
し、導電材料シート７にエッチング加工を施し、露出す
る円形領域Ｃに対応して薄膜状の椀状部７０を形成し、
導電材料シート７の上面に保持粘着テープ７３を貼り付
けて保持粘着テープ７３側を下側にし、導電材料シート
７の椀状部７０の頂点に対応して十字状スリットにレジ
スト７４をパターニングし、十字状にパターニングした
導電材料シート７にエッチング加工を施し、椀状部７０
の頂点に十字状切り割り７０１を形成すると共に導電体
分離溝７２１を形成して、この椀状部７０を保持粘着テ
ープ７３に貼り付けられた状態で導電体分離溝７２１に
より相互に分離独立せしめ、椀状部７０の上側に第２の
保持粘着テープ７５を貼合わせ、保持粘着テープ７３を
剥離し、第２の保持粘着テープ７５側を下側にし、椀状
部７０の表裏両面に絶縁材料層７６を塗布形成し、椀状
部７０の上側に第３の保持粘着テープ７５’を貼り合わ
せ、第２の保持粘着テープ７５を剥離し、第３の保持粘
着テープ７５’側を下側にし、第３の保持粘着テープ７
５’を剥離して、絶縁材料層７６が硬化して形成された
絶縁材料シート７６’の表裏面に導電ブロック７’の上
下両端部を露出せしめる異方性導電シートの製造方法を
構成した。
性導電シートの製造方法において、導電材料を原材料と
する導電材料シート７を準備し、導電材料シート７の表
面にホトリソグラフィ技術を適用して円形領域Ｃを多数
露出せしめて残余の全面にレジスト７１をパターニング
し、導電材料シート７にエッチング加工を施し、露出す
る円形領域Ｃに対応して薄膜状の椀状部７０を形成し、
導電材料シート７の上面に保持粘着テープ７３を貼り付
けて保持粘着テープ７３側を下側にし、導電材料シート
７の椀状部７０の頂点に対応して十字状スリットにレジ
スト７４をパターニングし、十字状にパターニングした
導電材料シート７にエッチング加工を施し、椀状部７０
の頂点に十字状切り割り７０１を形成すると共に導電体
分離溝７２１を形成して、この椀状部７０を保持粘着テ
ープ７３に貼り付けられた状態で導電体分離溝７２１に
より相互に分離独立せしめ、椀状部７０の上側に第２の
保持粘着テープ７５を貼合わせ、保持粘着テープ７３を
剥離し、第２の保持粘着テープ７５側を下側にし、椀状
部７０の表裏両面に絶縁材料層７６を塗布形成し、椀状
部７０の上側に第３の保持粘着テープ７５’を貼り合わ
せ、第２の保持粘着テープ７５を剥離し、第３の保持粘
着テープ７５’側を下側にし、第３の保持粘着テープ７
５’を剥離して、絶縁材料層７６が硬化して形成された
絶縁材料シート７６’の表裏面に導電ブロック７’の上
下両端部を露出せしめる異方性導電シートの製造方法を
構成した。
【００２２】請求項１５：導電材料を原材料とする導電
材料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッ
チング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立し
て形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶
縁材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の
表裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する
椀状導電体７０’を構成した異方性導電シートを、互い
に対向して重ね合わせ一体化した異方性導電シートの製
造方法を構成した。
材料シート７の表面にホトリソグラフィ技術およびエッ
チング技術を適用して薄膜状の椀状部７０を分離独立し
て形成し、導電材料シート７のエッチング除去領域に絶
縁材料４を充填し、硬化形成した絶縁材料シート４’の
表裏面に上下両端部を露出せしめた椀状部７０を有する
椀状導電体７０’を構成した異方性導電シートを、互い
に対向して重ね合わせ一体化した異方性導電シートの製
造方法を構成した。
【００２３】請求項１６：請求項１５に記載される異方
性導電シートの製造方法において、導電材料を原材料と
する導電材料シート７を準備し、導電材料シート７の表
面にホトリソグラフィ技術を適用して円形領域Ｃを多数
露出せしめて残余の全面にレジスト７１をパターニング
し、導電材料シート７にエッチング加工を施し、露出す
る円形領域Ｃに対応して薄膜状の椀状部７０を形成し、
導電材料シート７の上面に保持粘着テープ７３を貼り付
けて保持粘着テープ７３側を下側にし、導電材料シート
７の椀状部７０の頂点に対応して十字状スリットにレジ
スト７４をパターニングし、十字状にパターニングした
導電材料シート７にエッチング加工を施して、椀状部７
０の頂点に十字状切り割り７０１を形成すると共に導電
体分離溝７２１を形成して、この椀状部７０を保持粘着
テープ７３に貼り付けられた状態で導電体分離溝７２１
により相互に分離独立せしめ、椀状部７０の上側に第２
の保持粘着テープ７５を貼り合わせ、保持粘着テープ７
３を剥離し、第２の保持粘着テープ７５側を下側にし、
椀状部７０の表裏両面に絶縁材料層７６を塗布形成し、
椀状部７０の上側に第３の保持粘着テープ７５’を貼り
合わせ、第２の保持粘着テープ７５を剥離し、第３の保
持粘着テープ７５’側を下側にし、第３の保持粘着テー
プ７５’を剥離して、絶縁材料層７６が硬化して形成さ
れた絶縁材料シート７６’の表裏面に導電ブロック７’
の上下両端部を露出せしめて異方性導電シートを製造
し、製造された異方性導電シートの周縁端面同志を突き
合わせ、両者を一体化した異方性導電シートの製造方法
を構成した。
性導電シートの製造方法において、導電材料を原材料と
する導電材料シート７を準備し、導電材料シート７の表
面にホトリソグラフィ技術を適用して円形領域Ｃを多数
露出せしめて残余の全面にレジスト７１をパターニング
し、導電材料シート７にエッチング加工を施し、露出す
る円形領域Ｃに対応して薄膜状の椀状部７０を形成し、
導電材料シート７の上面に保持粘着テープ７３を貼り付
けて保持粘着テープ７３側を下側にし、導電材料シート
７の椀状部７０の頂点に対応して十字状スリットにレジ
スト７４をパターニングし、十字状にパターニングした
導電材料シート７にエッチング加工を施して、椀状部７
０の頂点に十字状切り割り７０１を形成すると共に導電
体分離溝７２１を形成して、この椀状部７０を保持粘着
テープ７３に貼り付けられた状態で導電体分離溝７２１
により相互に分離独立せしめ、椀状部７０の上側に第２
の保持粘着テープ７５を貼り合わせ、保持粘着テープ７
３を剥離し、第２の保持粘着テープ７５側を下側にし、
椀状部７０の表裏両面に絶縁材料層７６を塗布形成し、
椀状部７０の上側に第３の保持粘着テープ７５’を貼り
合わせ、第２の保持粘着テープ７５を剥離し、第３の保
持粘着テープ７５’側を下側にし、第３の保持粘着テー
プ７５’を剥離して、絶縁材料層７６が硬化して形成さ
れた絶縁材料シート７６’の表裏面に導電ブロック７’
の上下両端部を露出せしめて異方性導電シートを製造
し、製造された異方性導電シートの周縁端面同志を突き
合わせ、両者を一体化した異方性導電シートの製造方法
を構成した。
【００２４】請求項１７：半導体材料を原材料とする半
導体シート８に表面からダイシング加工を施し、残存半
導体シート８’を有して導電体形成凸部８２を独立して
形成し、残存半導体シート８’および導電体形成凸部８
２の表面に絶縁材料層８３を塗布硬化し、残存半導体シ
ート８’をその導電体形成凸部８２との間の結合部から
その絶縁材料層８３との間の結合部に亘って除去し、硬
化形成した絶縁材料シート８３’の表裏面に導電体形成
凸部８２を半導体端子８２’として露出せしめた異方性
導電シートの製造方法を構成した。
導体シート８に表面からダイシング加工を施し、残存半
導体シート８’を有して導電体形成凸部８２を独立して
形成し、残存半導体シート８’および導電体形成凸部８
２の表面に絶縁材料層８３を塗布硬化し、残存半導体シ
ート８’をその導電体形成凸部８２との間の結合部から
その絶縁材料層８３との間の結合部に亘って除去し、硬
化形成した絶縁材料シート８３’の表裏面に導電体形成
凸部８２を半導体端子８２’として露出せしめた異方性
導電シートの製造方法を構成した。
【００２５】請求項１８：請求項１７に記載される異方
性導電シートの製造方法において、半導体材料を原材料
とする半導体シート８を準備し、半導体シート８の下面
に保持粘着テープ８１を貼り合わせ、半導体シート８に
表面からダイシング加工を施し、残存半導体シート８’
を有して半導体端子形成凸部８２を分布形成し、残存半
導体シート８’および半導体端子形成凸部８２の表面に
絶縁材料層８３を塗布し、半導体端子形成凸部８２の上
側に第２の保持粘着テープ８４を貼り合わせ、保持粘着
テープ８１を残存半導体シート８’から剥離すると共
に、第２の保持粘着テープ８４を半導体端子形成凸部８
２から剥離し、半導体端子形成凸部８２の端面に保持粘
着テープ８１を貼り合わせ、残存半導体シート８’を、
その半導体端子形成凸部８２との間の結合部からその絶
縁材料層８３との間の結合部に亘って、ダイシング加工
を施して除去して半導体端子形成凸部８２を相互に電気
機械的に切り離す異方性導電シートの製造方法を構成し
た。
性導電シートの製造方法において、半導体材料を原材料
とする半導体シート８を準備し、半導体シート８の下面
に保持粘着テープ８１を貼り合わせ、半導体シート８に
表面からダイシング加工を施し、残存半導体シート８’
を有して半導体端子形成凸部８２を分布形成し、残存半
導体シート８’および半導体端子形成凸部８２の表面に
絶縁材料層８３を塗布し、半導体端子形成凸部８２の上
側に第２の保持粘着テープ８４を貼り合わせ、保持粘着
テープ８１を残存半導体シート８’から剥離すると共
に、第２の保持粘着テープ８４を半導体端子形成凸部８
２から剥離し、半導体端子形成凸部８２の端面に保持粘
着テープ８１を貼り合わせ、残存半導体シート８’を、
その半導体端子形成凸部８２との間の結合部からその絶
縁材料層８３との間の結合部に亘って、ダイシング加工
を施して除去して半導体端子形成凸部８２を相互に電気
機械的に切り離す異方性導電シートの製造方法を構成し
た。
【００２６】請求項１９：半導体材料を原材料とする半
導体シート８に表面からダイシング加工を施して半導体
ブロック８５を分離独立して形成し、半導体ブロック８
５をその上下両端部を露出して絶縁材料層８３内に埋設
し、硬化形成された絶縁材料シート８３’の表裏面に半
導体ブロック８５を露出せしめる異方性導電シートの製
造方法を構成した。
導体シート８に表面からダイシング加工を施して半導体
ブロック８５を分離独立して形成し、半導体ブロック８
５をその上下両端部を露出して絶縁材料層８３内に埋設
し、硬化形成された絶縁材料シート８３’の表裏面に半
導体ブロック８５を露出せしめる異方性導電シートの製
造方法を構成した。
【００２７】請求項２０：請求項１９に記載される異方
性導電シートの製造方法において、半導体材料を原材料
とする半導体シート８を準備し、半導体シート８の下面
に保持粘着テープ８１を貼り合わせ、半導体シート８に
表面から保持粘着テープ８１の表面に到るまでダイシン
グ加工を施し、半導体ブロック８５を分離独立して形成
し、半導体ブロック８５が分離独立して保持される保持
粘着テープ８１の表面に絶縁材料層８３を塗布し、絶縁
材料層８３内に半導体ブロック８５を埋設し、半導体ブ
ロック８５の上端部に第２の保持粘着テープ８４を貼り
合わせ、保持粘着テープ８１および第２の保持粘着テー
プ８４を剥離する異方性導電シートの製造方法を構成し
た。
性導電シートの製造方法において、半導体材料を原材料
とする半導体シート８を準備し、半導体シート８の下面
に保持粘着テープ８１を貼り合わせ、半導体シート８に
表面から保持粘着テープ８１の表面に到るまでダイシン
グ加工を施し、半導体ブロック８５を分離独立して形成
し、半導体ブロック８５が分離独立して保持される保持
粘着テープ８１の表面に絶縁材料層８３を塗布し、絶縁
材料層８３内に半導体ブロック８５を埋設し、半導体ブ
ロック８５の上端部に第２の保持粘着テープ８４を貼り
合わせ、保持粘着テープ８１および第２の保持粘着テー
プ８４を剥離する異方性導電シートの製造方法を構成し
た。
【００２８】請求項２１：請求項１９および請求項２０
の内の何れかに記載される異方性導電シートの製造方法
において、半導体ブロック８５が分離独立して形成され
たところで、その面に回路素子８６を半導体微細加工技
術を適用して形成する異方性導電シートの製造方法を構
成した。
の内の何れかに記載される異方性導電シートの製造方法
において、半導体ブロック８５が分離独立して形成され
たところで、その面に回路素子８６を半導体微細加工技
術を適用して形成する異方性導電シートの製造方法を構
成した。
【００２９】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１およ
び図２の第１の実施例を参照して説明する。図１（ａ）
は金型の一部断面斜視図、図１（ｂ）は金型に取り付け
られたマスクを上から視た図、図１（ｃ）は製造された
異方性導電シートの一部断面斜視図である。図２は異方
性導電シートの製造工程を説明する図である。
び図２の第１の実施例を参照して説明する。図１（ａ）
は金型の一部断面斜視図、図１（ｂ）は金型に取り付け
られたマスクを上から視た図、図１（ｃ）は製造された
異方性導電シートの一部断面斜視図である。図２は異方
性導電シートの製造工程を説明する図である。
【００３０】以下、異方性導電シートの製造工程を説明
する。 （工程１） 金型１を準備する。金型１はステンレス鋼の如きメッキ
の剥がれ易い金属材料により構成される。この金型１の
表面には一例としてマトリクス状に円錐状突起１１が多
数形成されている。 （工程２） 金型１の表面にマスク２を取り付け固定する。マスク２
はシート２１に金型１の円錐状突起１１の裾野の径より
大なる径の貫通孔２２が形成されたものより成る。 （工程３） マスク２を取り付け固定した金型１の表面に、通常のメ
ッキとは逆に、金の如き付着力の小さい金属をメッキし
て、メッキ層３を形成する。マスク２が存在することに
より、金型１の円錐状突起１１の表面および円錐状突起
１１の裾野と貫通孔２２の周縁との間の金型１表面に薄
膜の金メッキが形成される。或いは、この金の薄膜は蒸
着により形成する。必要に応じて金メッキの表面に重ね
てニッケルメッキを施して金メッキに剛性を付与する。 （工程４） 金型１の表面からマスク２を取り外す。これにより金型
１の円錐状突起１１の全表面に中空の薄膜状の立体構造
である円錐状導電体３０が残存形成される。 （工程５） マスク２を取り外した金型１の表面にポリイミド樹脂よ
り成る絶縁材料層４を塗布し、円錐状導電体３０をその
頂上まで絶縁材料層４に埋設させる。 （工程６） 絶縁材料層４が硬化するに先だって、テフロンシート或
いは粘着テープの如き弾性材料より成る第２の型５を円
錐状導電体３０の表面に圧し付け或いは貼り付けて、円
錐状導電体３０の上端面から絶縁材料を排除し、絶縁材
料層４を硬化するのを待つ。５１は粘着テープ５の表面
に形成された粘着層を示す。 （工程７） 第２の型５を取り外すことにより、絶縁材料層４の表層
が排除、除去されて円錐状導電体３０の上端部は露出せ
しめられる。次いで、離型することにより、ポリイミド
樹脂より成る絶縁材料シート４’を貫通してその表裏面
に上下両端部を露出した中空の薄膜状の立体構造、即
ち、円錐状導電体３０を有する立体構造の導電体を具備
する図１（ｃ）の異方性導電シート６が形成される。
する。 （工程１） 金型１を準備する。金型１はステンレス鋼の如きメッキ
の剥がれ易い金属材料により構成される。この金型１の
表面には一例としてマトリクス状に円錐状突起１１が多
数形成されている。 （工程２） 金型１の表面にマスク２を取り付け固定する。マスク２
はシート２１に金型１の円錐状突起１１の裾野の径より
大なる径の貫通孔２２が形成されたものより成る。 （工程３） マスク２を取り付け固定した金型１の表面に、通常のメ
ッキとは逆に、金の如き付着力の小さい金属をメッキし
て、メッキ層３を形成する。マスク２が存在することに
より、金型１の円錐状突起１１の表面および円錐状突起
１１の裾野と貫通孔２２の周縁との間の金型１表面に薄
膜の金メッキが形成される。或いは、この金の薄膜は蒸
着により形成する。必要に応じて金メッキの表面に重ね
てニッケルメッキを施して金メッキに剛性を付与する。 （工程４） 金型１の表面からマスク２を取り外す。これにより金型
１の円錐状突起１１の全表面に中空の薄膜状の立体構造
である円錐状導電体３０が残存形成される。 （工程５） マスク２を取り外した金型１の表面にポリイミド樹脂よ
り成る絶縁材料層４を塗布し、円錐状導電体３０をその
頂上まで絶縁材料層４に埋設させる。 （工程６） 絶縁材料層４が硬化するに先だって、テフロンシート或
いは粘着テープの如き弾性材料より成る第２の型５を円
錐状導電体３０の表面に圧し付け或いは貼り付けて、円
錐状導電体３０の上端面から絶縁材料を排除し、絶縁材
料層４を硬化するのを待つ。５１は粘着テープ５の表面
に形成された粘着層を示す。 （工程７） 第２の型５を取り外すことにより、絶縁材料層４の表層
が排除、除去されて円錐状導電体３０の上端部は露出せ
しめられる。次いで、離型することにより、ポリイミド
樹脂より成る絶縁材料シート４’を貫通してその表裏面
に上下両端部を露出した中空の薄膜状の立体構造、即
ち、円錐状導電体３０を有する立体構造の導電体を具備
する図１（ｃ）の異方性導電シート６が形成される。
【００３１】以上の通り、金型１の表面にメッキ層３を
形成し、次いで、メッキ層３の表面に絶縁材料層４を塗
布し、絶縁材料層４が硬化するに先だってその表面に第
２の型５を圧し付け、表面の一部を排除することによ
り、絶縁材料シート４’の表裏面に露出する異方性導電
シート６が形成される。第２の型５として特に粘着テー
プを採用することにより、円錐状導電体３０の上端部の
絶縁材料は確実に除去され露出せしめられる。
形成し、次いで、メッキ層３の表面に絶縁材料層４を塗
布し、絶縁材料層４が硬化するに先だってその表面に第
２の型５を圧し付け、表面の一部を排除することによ
り、絶縁材料シート４’の表裏面に露出する異方性導電
シート６が形成される。第２の型５として特に粘着テー
プを採用することにより、円錐状導電体３０の上端部の
絶縁材料は確実に除去され露出せしめられる。
【００３２】第１の実施例の効果については、配線基板
に対してデバイスを接続する円錐状導電体のピッチ精度
は金型の表面に形成される円錐状突起のピッチ精度に依
存する。ところで、この金型はステンレス鋼の如き金属
材料の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を適用して円錐状突起を高ピッチ精度に簡単に形成す
ることができるので、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ
を確実容易に保証することができる。そして、絶縁材料
層が硬化するに先だって、メッキ表面に第２の型として
テフロンシート或いは粘着テープをその表面に圧し付け
或は貼り付け、これを取り外して絶縁材料層表層を排
除、除去して、絶縁材料シートの表面に円錐状導電体の
上端部を露出せしめることにより、円錐状導電体頂面の
残留絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な導通を確保す
ることができる。そして、導電体自体に弾性が付与され
ているので、デバイスと配線基板との間にこの導電体が
介在することにより両者間を弾性的に確実に電気接続す
ることができる。
に対してデバイスを接続する円錐状導電体のピッチ精度
は金型の表面に形成される円錐状突起のピッチ精度に依
存する。ところで、この金型はステンレス鋼の如き金属
材料の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を適用して円錐状突起を高ピッチ精度に簡単に形成す
ることができるので、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ
を確実容易に保証することができる。そして、絶縁材料
層が硬化するに先だって、メッキ表面に第２の型として
テフロンシート或いは粘着テープをその表面に圧し付け
或は貼り付け、これを取り外して絶縁材料層表層を排
除、除去して、絶縁材料シートの表面に円錐状導電体の
上端部を露出せしめることにより、円錐状導電体頂面の
残留絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な導通を確保す
ることができる。そして、導電体自体に弾性が付与され
ているので、デバイスと配線基板との間にこの導電体が
介在することにより両者間を弾性的に確実に電気接続す
ることができる。
【００３３】図３および図４を参照して第２の実施例を
説明する。図３（ａ）は金型の斜視図、図３（ｂ）は金
型の側面図、図３（ｃ）はマスクの上面図、図３（ｄ）
は製造された異方性導電シートの斜視図、図３（ｅ）は
アーチ状導電体の拡大した斜視図である。図４は異方性
導電シートの製造工程を説明する図である。
説明する。図３（ａ）は金型の斜視図、図３（ｂ）は金
型の側面図、図３（ｃ）はマスクの上面図、図３（ｄ）
は製造された異方性導電シートの斜視図、図３（ｅ）は
アーチ状導電体の拡大した斜視図である。図４は異方性
導電シートの製造工程を説明する図である。
【００３４】（工程１）
金型１を準備する。この金型１の表面には一例としてマ
トリクス状に断面アーチ型のアーチ状突起１１１が多数
形成されている。 （工程２） 金型１の表面にマスク２を取り付け固定する。マスク２
はシート２１に金型１のアーチ状突起１１１の配列に対
応して貫通角孔２４を形成したものより成り、この貫通
角孔２４の長辺の長さはアーチ状突起１１１の長さと比
較して少し大きく形成されている。 （工程３） マスク２を取り付け固定した金型１の表面に、金の如き
付着力の小さい金属をメッキしてメッキ層３を形成す
る。マスク２が存在することにより、金型１のアーチ状
突起１１１の表面およびアーチ状突起１１１の裾野と貫
通角孔２４の短辺との間の金型１表面に金メッキが形成
される。必要に応じて金メッキの表面に重ねてニッケル
メッキを施して金メッキに剛性を付与する。 （工程４） 金型１の表面からマスク２を取り外す。これにより金型
１のアーチ状突起１１１の上面にアーチ状導電体３１が
残存形成される。アーチ状導電体３１の下端部は金型１
の表面に接触している。 （工程５） マスク２を取り外した金型１のメッキ表面にポリイミド
樹脂より成る絶縁材料層４を塗布する。 （工程６） ポリイミド樹脂より成る絶縁材料層４が硬化するに先だ
って、そのメッキ表面に弾性材料より成る第２の型５と
してテフロンシート或いは粘着テープをその表面に圧し
付け或いは貼り付け、硬化するのを待つ。５１は第２の
型を粘着テープとした場合の表面に形成された粘着層を
示す。 （工程７） テフロンシート或いは粘着テープより成る第２の型５を
取り外して絶縁材料層４の表層を排除、除去して、絶縁
材料シート４’の表面にアーチ状導電体３１の上端部を
露出せしめる。 （工程８） 次いで、離型することにより絶縁材料シート４’の表裏
面にアーチ状導電体３１が露出した異方性導電シート６
が形成される。異方性導電シート６は斜視図により示す
と図３（ｄ）および図３（ｅ）の通りとなる。
トリクス状に断面アーチ型のアーチ状突起１１１が多数
形成されている。 （工程２） 金型１の表面にマスク２を取り付け固定する。マスク２
はシート２１に金型１のアーチ状突起１１１の配列に対
応して貫通角孔２４を形成したものより成り、この貫通
角孔２４の長辺の長さはアーチ状突起１１１の長さと比
較して少し大きく形成されている。 （工程３） マスク２を取り付け固定した金型１の表面に、金の如き
付着力の小さい金属をメッキしてメッキ層３を形成す
る。マスク２が存在することにより、金型１のアーチ状
突起１１１の表面およびアーチ状突起１１１の裾野と貫
通角孔２４の短辺との間の金型１表面に金メッキが形成
される。必要に応じて金メッキの表面に重ねてニッケル
メッキを施して金メッキに剛性を付与する。 （工程４） 金型１の表面からマスク２を取り外す。これにより金型
１のアーチ状突起１１１の上面にアーチ状導電体３１が
残存形成される。アーチ状導電体３１の下端部は金型１
の表面に接触している。 （工程５） マスク２を取り外した金型１のメッキ表面にポリイミド
樹脂より成る絶縁材料層４を塗布する。 （工程６） ポリイミド樹脂より成る絶縁材料層４が硬化するに先だ
って、そのメッキ表面に弾性材料より成る第２の型５と
してテフロンシート或いは粘着テープをその表面に圧し
付け或いは貼り付け、硬化するのを待つ。５１は第２の
型を粘着テープとした場合の表面に形成された粘着層を
示す。 （工程７） テフロンシート或いは粘着テープより成る第２の型５を
取り外して絶縁材料層４の表層を排除、除去して、絶縁
材料シート４’の表面にアーチ状導電体３１の上端部を
露出せしめる。 （工程８） 次いで、離型することにより絶縁材料シート４’の表裏
面にアーチ状導電体３１が露出した異方性導電シート６
が形成される。異方性導電シート６は斜視図により示す
と図３（ｄ）および図３（ｅ）の通りとなる。
【００３５】第２の実施例の効果について、第２の実施
例も、アーチ状導電体３１のピッチ精度を１００μｍ以
下の高精度狭ピッチに容易に確保すると共に、アーチ状
導電体頂面の残留絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な
導通を確保することができるものである。その上に、導
電体の形状をアーチ状とすることにより、大きな柔軟性
を導電体に付与することができる。従って、導電体自体
に弾性が付与されているので、デバイスと配線基板との
間にこの導電体が介在することにより両者間を弾性的に
確実に電気接続することができる。
例も、アーチ状導電体３１のピッチ精度を１００μｍ以
下の高精度狭ピッチに容易に確保すると共に、アーチ状
導電体頂面の残留絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な
導通を確保することができるものである。その上に、導
電体の形状をアーチ状とすることにより、大きな柔軟性
を導電体に付与することができる。従って、導電体自体
に弾性が付与されているので、デバイスと配線基板との
間にこの導電体が介在することにより両者間を弾性的に
確実に電気接続することができる。
【００３６】第３の実施例としてメタル埋め込み型異方
性導電シートを説明する。メタル埋め込み型異方性導電
シートを製造するには、銅の如き導電材料を原材料とす
る導電材料シートを保持粘着テープに貼り付けたものを
準備し、この導電材料シートにホトリソグラフィ技術お
よびエッチング技術を適用して保持粘着テープに貼り付
けられた状態の導電ブロックを分離独立して形成し、導
電材料シートのエッチング除去領域に合成樹脂より成る
絶縁材料を充填し、充填形成された絶縁材料層の表面に
粘着テープを貼り付けて材料層表面の一部を排除除去
し、導電ブロックの上端部を露出せしめる。
性導電シートを説明する。メタル埋め込み型異方性導電
シートを製造するには、銅の如き導電材料を原材料とす
る導電材料シートを保持粘着テープに貼り付けたものを
準備し、この導電材料シートにホトリソグラフィ技術お
よびエッチング技術を適用して保持粘着テープに貼り付
けられた状態の導電ブロックを分離独立して形成し、導
電材料シートのエッチング除去領域に合成樹脂より成る
絶縁材料を充填し、充填形成された絶縁材料層の表面に
粘着テープを貼り付けて材料層表面の一部を排除除去
し、導電ブロックの上端部を露出せしめる。
【００３７】以下、メタル埋め込み型異方性導電シート
の製造工程を図５を参照して具体的に説明する。 （工程１） 導電材料シート７を準備する。導電材料シ
ート７は銅の如き導電材料を原材料としている。 （工程２） 導電材料シート７の表裏両面にホトリソグ
ラフィ技術を適用して方形の或いは円形のレジスト７
１、７１’をマトリクス状にパターニング形成する。導
電材料シート７の表裏両面に形成された方形或いは円形
レジスト７１、７１’は導電材料シート７の厚さ方向に
互いに対向して形成されている。 （工程３） 方形或いは円形レジスト７１、７１’を表
裏両面にパターニングした導電材料シート７にエッチン
グ加工を施す。エッチング加工は結合領域７２を残存し
て導電材料シート７が表裏貫通して分離する寸前迄実行
される。 （工程４） 裏面に形成されるレジスト７１’を除去す
る。 （工程５） 導電材料シート７の裏面に保持粘着テープ
７３を貼り合わせ、エッチング加工を施された導電材料
シート７を機械的に補強する。７３１は保持粘着テープ
７３の表面に形成された粘着層を示す。 （工程６） 保持粘着テープ７３により機械的に補強さ
れた状態の導電材料シート７に更なるエッチング加工を
施す。更なるエッチング加工を進行せしめ、最終的には
導電体分離溝７２１を形成して結合領域７２を消滅す
る。導電体分離溝７２１が形成されたことにより、導電
ブロック７’が相互に分離独立して形成される。ここ
で、導電材料シート７のエッチング除去領域に合成樹脂
より成る絶縁材料を充填し、形成された絶縁材料層７６
の表面にテフロンシート或いは粘着テープその他の弾性
材料より成る第２の型を圧し付け、絶縁材料層７６の表
層の一部を除去排除し、形成された絶縁材料シートの表
面に導電ブロック７’の上端部を露出せしめる。
の製造工程を図５を参照して具体的に説明する。 （工程１） 導電材料シート７を準備する。導電材料シ
ート７は銅の如き導電材料を原材料としている。 （工程２） 導電材料シート７の表裏両面にホトリソグ
ラフィ技術を適用して方形の或いは円形のレジスト７
１、７１’をマトリクス状にパターニング形成する。導
電材料シート７の表裏両面に形成された方形或いは円形
レジスト７１、７１’は導電材料シート７の厚さ方向に
互いに対向して形成されている。 （工程３） 方形或いは円形レジスト７１、７１’を表
裏両面にパターニングした導電材料シート７にエッチン
グ加工を施す。エッチング加工は結合領域７２を残存し
て導電材料シート７が表裏貫通して分離する寸前迄実行
される。 （工程４） 裏面に形成されるレジスト７１’を除去す
る。 （工程５） 導電材料シート７の裏面に保持粘着テープ
７３を貼り合わせ、エッチング加工を施された導電材料
シート７を機械的に補強する。７３１は保持粘着テープ
７３の表面に形成された粘着層を示す。 （工程６） 保持粘着テープ７３により機械的に補強さ
れた状態の導電材料シート７に更なるエッチング加工を
施す。更なるエッチング加工を進行せしめ、最終的には
導電体分離溝７２１を形成して結合領域７２を消滅す
る。導電体分離溝７２１が形成されたことにより、導電
ブロック７’が相互に分離独立して形成される。ここ
で、導電材料シート７のエッチング除去領域に合成樹脂
より成る絶縁材料を充填し、形成された絶縁材料層７６
の表面にテフロンシート或いは粘着テープその他の弾性
材料より成る第２の型を圧し付け、絶縁材料層７６の表
層の一部を除去排除し、形成された絶縁材料シートの表
面に導電ブロック７’の上端部を露出せしめる。
【００３８】次いで、レジスト７１および保持粘着テー
プ７３を剥離して絶縁材料シートの表裏面に導電ブロッ
ク７’が露出したメタル埋め込み型異方性導電シートが
製造される。
プ７３を剥離して絶縁材料シートの表裏面に導電ブロッ
ク７’が露出したメタル埋め込み型異方性導電シートが
製造される。
【００３９】第３の実施例の効果について、銅の如き導
電材料を原材料とする導電材料シートを使用し、この表
面にホトリソグラフィ技術を適用して導電ブロック７’
が露出したメタル埋め込み型異方性導電シートを構成す
るものであり、導電ブロック７’を整然と高精度狭ピッ
チ間隔で配列形成するに特に加工性の良好な実施例であ
ると言うことができる。そして、配線基板に対してデバ
イスを接続する導電ブロック７’相互間のピッチ精度は
ホトリソグラフィのピッチ精度で設定されることにな
り、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ間隔の導電ブロッ
ク７’の異方性導電シートを構成することができる。そ
して、導電材料シート７の裏面に保持粘着テープ７３を
貼り合わせて仮止めしておくことにより、各加工工程に
おいて切断分離される部分間の相互位置関係は一定に保
持、確保される。部分間の相互位置関係は絶縁材料シー
トが最終的に硬化するまで保持、確保され、１００μｍ
以下の高精度狭ピッチを保証する。
電材料を原材料とする導電材料シートを使用し、この表
面にホトリソグラフィ技術を適用して導電ブロック７’
が露出したメタル埋め込み型異方性導電シートを構成す
るものであり、導電ブロック７’を整然と高精度狭ピッ
チ間隔で配列形成するに特に加工性の良好な実施例であ
ると言うことができる。そして、配線基板に対してデバ
イスを接続する導電ブロック７’相互間のピッチ精度は
ホトリソグラフィのピッチ精度で設定されることにな
り、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ間隔の導電ブロッ
ク７’の異方性導電シートを構成することができる。そ
して、導電材料シート７の裏面に保持粘着テープ７３を
貼り合わせて仮止めしておくことにより、各加工工程に
おいて切断分離される部分間の相互位置関係は一定に保
持、確保される。部分間の相互位置関係は絶縁材料シー
トが最終的に硬化するまで保持、確保され、１００μｍ
以下の高精度狭ピッチを保証する。
【００４０】第４の実施例として更なるメタル埋め込み
型異方性導電シートを図６ないし図８を参照して説明す
る。 （工程１） 銅の如き導電材料を原材料とする導電材料
シート７を準備し、導電材料シート７の表面にホトリソ
グラフィ技術を適用し、導電材料シート７の表面に円形
領域Ｃをマトリクス状に露出せしめて残余の全面にレジ
スト７１をパターニングする。導電材料シート７の裏面
に保持粘着テープ７３を貼り付ける。 （工程２） 工程１のレジストを形成した導電材料シー
ト７にエッチング加工を施し、露出する円形領域Ｃに対
応して薄膜状の椀状部７０を形成する。 （工程３） 椀状部７０が形成された導電材料シート７
の表面からレジスト７１を除去する。 （工程４） 導電材料シート７の裏面から保持粘着テー
プ７３を剥離する。 （工程５） 工程４の導電材料シート７の上面に保持粘
着テープ７３を貼り付けて、保持粘着テープ７３側を下
側にする。 （工程６） 導電材料シート７の椀状部７０の頂点に対
応して十字状スリットにレジスト７４をパターニングす
る。 （工程７） 十字状にパターニングした導電材料シート
７にエッチング加工を施し、椀状部７０の頂点に十字状
切り割り７０１を形成すると共に導電体分離溝７２１を
形成する。この椀状部７０は、保持粘着テープ７３に貼
り付けられた状態で導電体分離溝７２１により相互に分
離独立せしめられる。 （工程８） レジスト７４を除去する。 （工程９） レジスト７４を除去された椀状部７０の上
側に第２の保持粘着テープ７５を貼り合わせる。７５１
は第２の保持粘着テープ７５の表面に形成された粘着層
を示す。 （工程１０） 工程９に続いて、椀状部７０の裏側から
保持粘着テープ７３を剥離し、第２の保持粘着テープ７
５側を下側にする。 （工程１１） 工程１０に続いて、椀状部７０の表裏両
面にポリイミド樹脂より成る絶縁材料層７６を塗布形成
する。ここで、絶縁材料層７６は、十字状切り割り７０
１および導電体分離溝７２１にも充填された状態で、椀
状部７０の面の内の第２の保持粘着テープ７５の粘着層
７５１に接合しているところを除き、表裏全面に塗布形
成される。 （工程１２） 工程１１に続いて、椀状部７０の上側に
第３の保持粘着テープ７５’を貼り合わせる。 （工程１３） 工程１２に続いて、第２の保持粘着テー
プ７５を剥離し、第３の保持粘着テープ７５’側を下側
にする。この剥離により、椀状部７０の上端部に形成さ
れた絶縁材料層７６は除去され、露出する。 （工程１４） 第３の保持粘着テープ７５’を剥離す
る。この剥離により椀状部７０の周縁端面も露出する。
ここで、椀状部７０はその上端部および周縁端面が絶縁
材料シート７６’の表裏面に露出し、絶縁材料シート７
６’の表裏面に導電ブロック７’が露出したメタル埋め
込み型異方性導電シートが製造される。 （工程１５） 工程１４において製造されたメタル埋め
込み型異方性導電シートの周縁端面同志を突き合わせ、
両者を相互接続して弾性を付与されたメタル埋め込み型
異方性導電シートが製造される。
型異方性導電シートを図６ないし図８を参照して説明す
る。 （工程１） 銅の如き導電材料を原材料とする導電材料
シート７を準備し、導電材料シート７の表面にホトリソ
グラフィ技術を適用し、導電材料シート７の表面に円形
領域Ｃをマトリクス状に露出せしめて残余の全面にレジ
スト７１をパターニングする。導電材料シート７の裏面
に保持粘着テープ７３を貼り付ける。 （工程２） 工程１のレジストを形成した導電材料シー
ト７にエッチング加工を施し、露出する円形領域Ｃに対
応して薄膜状の椀状部７０を形成する。 （工程３） 椀状部７０が形成された導電材料シート７
の表面からレジスト７１を除去する。 （工程４） 導電材料シート７の裏面から保持粘着テー
プ７３を剥離する。 （工程５） 工程４の導電材料シート７の上面に保持粘
着テープ７３を貼り付けて、保持粘着テープ７３側を下
側にする。 （工程６） 導電材料シート７の椀状部７０の頂点に対
応して十字状スリットにレジスト７４をパターニングす
る。 （工程７） 十字状にパターニングした導電材料シート
７にエッチング加工を施し、椀状部７０の頂点に十字状
切り割り７０１を形成すると共に導電体分離溝７２１を
形成する。この椀状部７０は、保持粘着テープ７３に貼
り付けられた状態で導電体分離溝７２１により相互に分
離独立せしめられる。 （工程８） レジスト７４を除去する。 （工程９） レジスト７４を除去された椀状部７０の上
側に第２の保持粘着テープ７５を貼り合わせる。７５１
は第２の保持粘着テープ７５の表面に形成された粘着層
を示す。 （工程１０） 工程９に続いて、椀状部７０の裏側から
保持粘着テープ７３を剥離し、第２の保持粘着テープ７
５側を下側にする。 （工程１１） 工程１０に続いて、椀状部７０の表裏両
面にポリイミド樹脂より成る絶縁材料層７６を塗布形成
する。ここで、絶縁材料層７６は、十字状切り割り７０
１および導電体分離溝７２１にも充填された状態で、椀
状部７０の面の内の第２の保持粘着テープ７５の粘着層
７５１に接合しているところを除き、表裏全面に塗布形
成される。 （工程１２） 工程１１に続いて、椀状部７０の上側に
第３の保持粘着テープ７５’を貼り合わせる。 （工程１３） 工程１２に続いて、第２の保持粘着テー
プ７５を剥離し、第３の保持粘着テープ７５’側を下側
にする。この剥離により、椀状部７０の上端部に形成さ
れた絶縁材料層７６は除去され、露出する。 （工程１４） 第３の保持粘着テープ７５’を剥離す
る。この剥離により椀状部７０の周縁端面も露出する。
ここで、椀状部７０はその上端部および周縁端面が絶縁
材料シート７６’の表裏面に露出し、絶縁材料シート７
６’の表裏面に導電ブロック７’が露出したメタル埋め
込み型異方性導電シートが製造される。 （工程１５） 工程１４において製造されたメタル埋め
込み型異方性導電シートの周縁端面同志を突き合わせ、
両者を相互接続して弾性を付与されたメタル埋め込み型
異方性導電シートが製造される。
【００４１】第４の実施例の効果について、第４の実施
例は、第３の実施例と同様に、配線基板に対してデバイ
スを接続する導電ブロック７’のピッチ精度をホトリソ
グラフィのピッチ精度で設定すると共に、各加工工程に
おいて切断分離される部分間の相互位置関係を一定に保
持、確保し、部分間の相互位置関係は絶縁材料シートが
最終的に硬化するまで保持、確保することができる。そ
の上に、工程１４までにおいて製造されたメタル埋め込
み型異方性導電シートの周縁端面同志を突き合わせ、両
者を相互接続することにより、構成されたメタル埋め込
み型異方性導電シートに大きな弾性を付与することがで
きる。
例は、第３の実施例と同様に、配線基板に対してデバイ
スを接続する導電ブロック７’のピッチ精度をホトリソ
グラフィのピッチ精度で設定すると共に、各加工工程に
おいて切断分離される部分間の相互位置関係を一定に保
持、確保し、部分間の相互位置関係は絶縁材料シートが
最終的に硬化するまで保持、確保することができる。そ
の上に、工程１４までにおいて製造されたメタル埋め込
み型異方性導電シートの周縁端面同志を突き合わせ、両
者を相互接続することにより、構成されたメタル埋め込
み型異方性導電シートに大きな弾性を付与することがで
きる。
【００４２】第５の実施例として半導体埋め込み型異方
性導電シートを図９および図１０を参照して説明する。
性導電シートを図９および図１０を参照して説明する。
【００４３】（工程１） 半導体シート８を準備する。
半導体シート８はシリコンの如き半導体材料を原材料と
している。 （工程２） 半導体シート８の下面に保持粘着テープ８
１を貼り合わせる。８１１は保持粘着テープ８１の表面
に形成された粘着層を示す。 （工程３） 保持粘着テープ８１に保持された状態にあ
る半導体シート８に表面からダイシング加工を施し、残
存半導体シート８’を有して半導体端子形成凸部８２を
マトリクス状に分布して形成する。 （工程４） 残存半導体シート８’および半導体端子形
成凸部８２の表面にポリイミド樹脂の如き合成樹脂材料
より成る絶縁材料層８３を塗布する。 （工程５） 工程４に続いて、半導体端子形成凸部８２
の上側に第２の保持粘着テープ８４を貼り合わせる。こ
こで、半導体端子形成凸部８２の上端部に塗布された絶
縁材料は保持粘着テープ８１により半導体端子形成凸部
８２の周囲に押し退けられる。 （工程６） 保持粘着テープ８１を残存半導体シート
８’から剥離すると共に第２の保持粘着テープ８４を半
導体端子形成凸部８２から剥離する。ここで、保持粘着
テープ８１の剥離により残存半導体シート８’の下面は
露出すると共に第２の保持粘着テープ８４の剥離により
半導体端子形成凸部８２の端面は絶縁材料層８３が除去
されて露出する。 （工程７） 工程６における露出した半導体端子形成凸
部８２の端面に保持粘着テープ８１を貼り合わせる。 （工程８） 残存半導体シート８’を、その半導体端子
形成凸部８２との間の結合部からその絶縁材料層８３と
の間の結合部に亘って、ダイシング加工を施して除去す
る。これにより、半導体端子形成凸部８２は相互に電気
機械的に切り離され独立せしめられる。 （工程９） 保持粘着テープ８１を剥離する。この剥離
により半導体端子形成凸部８２の下端部も露出する。こ
こで、半導体端子形成凸部８２はその上端部および下端
部が絶縁材料シート８３’の表裏両面に露出し、絶縁材
料シート８３’の表裏面に半導体端子８２’が露出した
半導体埋め込み型異方性導電シートが製造される。
半導体シート８はシリコンの如き半導体材料を原材料と
している。 （工程２） 半導体シート８の下面に保持粘着テープ８
１を貼り合わせる。８１１は保持粘着テープ８１の表面
に形成された粘着層を示す。 （工程３） 保持粘着テープ８１に保持された状態にあ
る半導体シート８に表面からダイシング加工を施し、残
存半導体シート８’を有して半導体端子形成凸部８２を
マトリクス状に分布して形成する。 （工程４） 残存半導体シート８’および半導体端子形
成凸部８２の表面にポリイミド樹脂の如き合成樹脂材料
より成る絶縁材料層８３を塗布する。 （工程５） 工程４に続いて、半導体端子形成凸部８２
の上側に第２の保持粘着テープ８４を貼り合わせる。こ
こで、半導体端子形成凸部８２の上端部に塗布された絶
縁材料は保持粘着テープ８１により半導体端子形成凸部
８２の周囲に押し退けられる。 （工程６） 保持粘着テープ８１を残存半導体シート
８’から剥離すると共に第２の保持粘着テープ８４を半
導体端子形成凸部８２から剥離する。ここで、保持粘着
テープ８１の剥離により残存半導体シート８’の下面は
露出すると共に第２の保持粘着テープ８４の剥離により
半導体端子形成凸部８２の端面は絶縁材料層８３が除去
されて露出する。 （工程７） 工程６における露出した半導体端子形成凸
部８２の端面に保持粘着テープ８１を貼り合わせる。 （工程８） 残存半導体シート８’を、その半導体端子
形成凸部８２との間の結合部からその絶縁材料層８３と
の間の結合部に亘って、ダイシング加工を施して除去す
る。これにより、半導体端子形成凸部８２は相互に電気
機械的に切り離され独立せしめられる。 （工程９） 保持粘着テープ８１を剥離する。この剥離
により半導体端子形成凸部８２の下端部も露出する。こ
こで、半導体端子形成凸部８２はその上端部および下端
部が絶縁材料シート８３’の表裏両面に露出し、絶縁材
料シート８３’の表裏面に半導体端子８２’が露出した
半導体埋め込み型異方性導電シートが製造される。
【００４４】第５の実施例の効果について、導電材料と
してシリコンの如き半導体材料を原材料とすることによ
り、半導体微細加工技術を適用して配線基板に対して接
続されるべきデバイス間のピッチを１００μｍ以下の狭
ピッチに設定することができる。そして、加工工程も単
純な工程の組み合わせであり、工程数も比較的に少な
い。
してシリコンの如き半導体材料を原材料とすることによ
り、半導体微細加工技術を適用して配線基板に対して接
続されるべきデバイス間のピッチを１００μｍ以下の狭
ピッチに設定することができる。そして、加工工程も単
純な工程の組み合わせであり、工程数も比較的に少な
い。
【００４５】第６の実施例として更なる半導体埋め込み
型異方性導電シートを図１１および図１２を参照して説
明する。 （工程１） 半導体シート８を準備する。半導体シート
８はシリコンの如き半導体材料を原材料としている。 （工程２） 半導体シート８の下面に保持粘着テープ８
１を貼り合わせる。８１１は保持粘着テープ８１の表面
に形成された粘着層を示す。 （工程３） 保持粘着テープ８１に保持された状態にあ
る半導体シート８に表面から保持粘着テープ８１の表面
に到るまでダイシング加工を施し、半導体ブロック８５
をマトリクス状に分離独立して形成する。半導体ブロッ
ク８５をマトリクス状に分離独立して形成した状態は図
１１（ａ）に斜視図として示されている。 （工程４） 半導体ブロック８５がマトリクス状に分離
独立して保持される保持粘着テープ８１の表面にポリイ
ミド樹脂の如き合成樹脂材料より成る絶縁材料層８３を
塗布し、絶縁材料層８３内に半導体ブロック８５を埋設
する。 （工程５） 半導体ブロック８５の上端部に第２の保持
粘着テープ８４を貼り合わせ、半導体ブロック８５の上
端部に塗布された絶縁材料は第２の保持粘着テープ８４
により半導体ブロック８５の周囲に押し退け、絶縁材料
層８３を硬化する。 （工程６） 保持粘着テープ８１および第２の保持粘着
テープ８４を剥離する。ここで、保持粘着テープ８１の
剥離により半導体ブロック８５の下面は露出すると共
に、第２の保持粘着テープ８４の剥離により半導体ブロ
ック８５の上端部は絶縁材料層８３が除去されて露出
し、絶縁材料シート８３’の表裏面に半導体ブロック８
５が露出した半導体埋め込み型異方性導電シートが製造
される。
型異方性導電シートを図１１および図１２を参照して説
明する。 （工程１） 半導体シート８を準備する。半導体シート
８はシリコンの如き半導体材料を原材料としている。 （工程２） 半導体シート８の下面に保持粘着テープ８
１を貼り合わせる。８１１は保持粘着テープ８１の表面
に形成された粘着層を示す。 （工程３） 保持粘着テープ８１に保持された状態にあ
る半導体シート８に表面から保持粘着テープ８１の表面
に到るまでダイシング加工を施し、半導体ブロック８５
をマトリクス状に分離独立して形成する。半導体ブロッ
ク８５をマトリクス状に分離独立して形成した状態は図
１１（ａ）に斜視図として示されている。 （工程４） 半導体ブロック８５がマトリクス状に分離
独立して保持される保持粘着テープ８１の表面にポリイ
ミド樹脂の如き合成樹脂材料より成る絶縁材料層８３を
塗布し、絶縁材料層８３内に半導体ブロック８５を埋設
する。 （工程５） 半導体ブロック８５の上端部に第２の保持
粘着テープ８４を貼り合わせ、半導体ブロック８５の上
端部に塗布された絶縁材料は第２の保持粘着テープ８４
により半導体ブロック８５の周囲に押し退け、絶縁材料
層８３を硬化する。 （工程６） 保持粘着テープ８１および第２の保持粘着
テープ８４を剥離する。ここで、保持粘着テープ８１の
剥離により半導体ブロック８５の下面は露出すると共
に、第２の保持粘着テープ８４の剥離により半導体ブロ
ック８５の上端部は絶縁材料層８３が除去されて露出
し、絶縁材料シート８３’の表裏面に半導体ブロック８
５が露出した半導体埋め込み型異方性導電シートが製造
される。
【００４６】第６の実施例の効果について、半導体シー
ト８の切断は、保持粘着テープ８１に保持された状態に
ある半導体シート８にダイシング加工を施して実行し、
半導体ブロック８５をマトリクス状に分離独立させるの
で、半導体ブロック８５のピッチはダイシングの精密な
ピッチ精度により精密に設定することができる。導電性
微粒子を分散させた異方性導電シートは１００μｍ程度
の狭ピッチの接続に対応することができるものである
が、この実施例の半導体ブロック８５のピッチは１００
μｍ以下の狭ピッチにも対応することができる。
ト８の切断は、保持粘着テープ８１に保持された状態に
ある半導体シート８にダイシング加工を施して実行し、
半導体ブロック８５をマトリクス状に分離独立させるの
で、半導体ブロック８５のピッチはダイシングの精密な
ピッチ精度により精密に設定することができる。導電性
微粒子を分散させた異方性導電シートは１００μｍ程度
の狭ピッチの接続に対応することができるものである
が、この実施例の半導体ブロック８５のピッチは１００
μｍ以下の狭ピッチにも対応することができる。
【００４７】ここで、（工程３）と（工程４）の間に
（工程３’）を介在させて第６の実施例の変形例を構成
する。 （工程３’） （工程３）において、図１１（ａ）に示
される如く、半導体ブロック８５がマトリクス状に分離
独立して形成されたところで、半導体ブロック８５の表
面に図１１（ｃ）に示されるマイクロブリッジ接点、ｐ
ｎジャンクション、マイクロヒューズの如き回路素子８
６を半導体微細加工技術を適用して形成する。図１１
（ｃ）は回路素子８６が形成される半導体ブロック８５
の厚さ方向の断面を示す図である。半導体ブロック８５
の表面にｐｎジャンクションが形成され、ｐｎジャンク
ションの上側にマイクロブリッジ接点が形成されてい
る。そして、半導体ブロック８５の裏面にマイクロヒュ
ーズが形成されている。ここで、デバイスがマイクロブ
リッジ接点に上側から接続し、ｐｎジャンクション、半
導体ブロック８５自体、マイクロヒューズを経由して、
下側の配線基板に接続する。
（工程３’）を介在させて第６の実施例の変形例を構成
する。 （工程３’） （工程３）において、図１１（ａ）に示
される如く、半導体ブロック８５がマトリクス状に分離
独立して形成されたところで、半導体ブロック８５の表
面に図１１（ｃ）に示されるマイクロブリッジ接点、ｐ
ｎジャンクション、マイクロヒューズの如き回路素子８
６を半導体微細加工技術を適用して形成する。図１１
（ｃ）は回路素子８６が形成される半導体ブロック８５
の厚さ方向の断面を示す図である。半導体ブロック８５
の表面にｐｎジャンクションが形成され、ｐｎジャンク
ションの上側にマイクロブリッジ接点が形成されてい
る。そして、半導体ブロック８５の裏面にマイクロヒュ
ーズが形成されている。ここで、デバイスがマイクロブ
リッジ接点に上側から接続し、ｐｎジャンクション、半
導体ブロック８５自体、マイクロヒューズを経由して、
下側の配線基板に接続する。
【００４８】第６の実施例の変形例の効果について、従
来の異方性導電シートの導電体は単なる電流導通部材に
過ぎないので、当然にデバイスと配線基板との間に不適
切な向きの電流をそのまま流通させる上に過電流もその
まま流通させる。ところが、半導体埋め込み型異方性導
電シートに関して相対向するデバイスと配線基板の間
を、この異方性導電シートの半導体ブロック８５に形成
されるこれらの回路素子８６および半導体ブロック８５
を介して相互に接続する構成を採用することにより、電
流の向きおよび大きさを制御する作用を異方性導電シー
トに付与することができる。即ち、半導体ブロック８５
の表面にｐｎジャンクションを形成することにより、半
導体ブロック８５を介して流通する電流の向きを制御す
ることができる。そして、マイクロブリッジ接点、マイ
クロヒューズを形成することにより半導体ブロック８５
を介して流通する電流を制限することができる。
来の異方性導電シートの導電体は単なる電流導通部材に
過ぎないので、当然にデバイスと配線基板との間に不適
切な向きの電流をそのまま流通させる上に過電流もその
まま流通させる。ところが、半導体埋め込み型異方性導
電シートに関して相対向するデバイスと配線基板の間
を、この異方性導電シートの半導体ブロック８５に形成
されるこれらの回路素子８６および半導体ブロック８５
を介して相互に接続する構成を採用することにより、電
流の向きおよび大きさを制御する作用を異方性導電シー
トに付与することができる。即ち、半導体ブロック８５
の表面にｐｎジャンクションを形成することにより、半
導体ブロック８５を介して流通する電流の向きを制御す
ることができる。そして、マイクロブリッジ接点、マイ
クロヒューズを形成することにより半導体ブロック８５
を介して流通する電流を制限することができる。
【００４９】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明によれ
ば、異方性導電シートを構成する導電体は絶縁材料シー
トの表裏両面に整然と貫通露出し、導電体自体に弾性が
付与されているので、デバイスと配線基板との間にこの
導電体が介在することにより両者間を弾性的に確実に電
気接続することができる。
ば、異方性導電シートを構成する導電体は絶縁材料シー
トの表裏両面に整然と貫通露出し、導電体自体に弾性が
付与されているので、デバイスと配線基板との間にこの
導電体が介在することにより両者間を弾性的に確実に電
気接続することができる。
【００５０】そして、第１の実施例によれば、配線基板
に対してデバイスを接続する円錐状導電体のピッチ精度
は金型の表面に形成される円錐状突起のピッチ精度に依
存する。ところで、この金型はステンレス鋼の如き金属
材料の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を適用して円錐状突起を高ピッチ精度に簡単に形成す
ることができるので、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ
を確実容易に保証することができる。そして、絶縁材料
層が硬化するに先だって、メッキ表面に第２の型として
テフロンシート或は粘着テープをその表面に圧し付け或
いは貼り付け、これを取り外して絶縁材料層表層を排
除、除去して、絶縁材料シートの表面に円錐状導電体の
上端部を露出せしめることにより、円錐状導電体頂面の
残留絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な導通を確保す
ることができる。
に対してデバイスを接続する円錐状導電体のピッチ精度
は金型の表面に形成される円錐状突起のピッチ精度に依
存する。ところで、この金型はステンレス鋼の如き金属
材料の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を適用して円錐状突起を高ピッチ精度に簡単に形成す
ることができるので、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ
を確実容易に保証することができる。そして、絶縁材料
層が硬化するに先だって、メッキ表面に第２の型として
テフロンシート或は粘着テープをその表面に圧し付け或
いは貼り付け、これを取り外して絶縁材料層表層を排
除、除去して、絶縁材料シートの表面に円錐状導電体の
上端部を露出せしめることにより、円錐状導電体頂面の
残留絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な導通を確保す
ることができる。
【００５１】また、第２の実施例によれば、アーチ状導
電体３１のピッチ精度を１００μｍ以下の高精度狭ピッ
チに容易に確保すると共に、アーチ状導電体頂面の残留
絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な導通を確保するこ
とができるものである。その上に、導電体の形状をアー
チ状とすることにより、大きな柔軟性を導電体に付与す
ることができる。
電体３１のピッチ精度を１００μｍ以下の高精度狭ピッ
チに容易に確保すると共に、アーチ状導電体頂面の残留
絶縁材料をほぼ完全に除去して良好な導通を確保するこ
とができるものである。その上に、導電体の形状をアー
チ状とすることにより、大きな柔軟性を導電体に付与す
ることができる。
【００５２】更に、第３の実施例によれば、銅の如き導
電材料を原材料とする導電材料シートを使用し、この表
面にホトリソグラフィ技術を適用して導電ブロック７’
が露出したメタル埋め込み型異方性導電シートを構成す
るものであり、導電ブロック７’を整然と高精度狭ピッ
チ間隔で配列形成するに特に加工性の良好な実施例であ
ると言うことができる。そして、配線基板に対してデバ
イスを接続する導電ブロック７’相互間のピッチ精度は
ホトリソグラフィのピッチ精度で設定されることにな
り、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ間隔の導電ブロッ
ク７’の異方性導電シートを構成することができる。そ
して、導電材料シート７の裏面に保持粘着テープ７３を
貼り合わせて仮止めしておくことにより、各加工工程に
おいて切断分離される部分間の相互位置関係は一定に保
持、確保される。部分間の相互位置関係は絶縁材料シー
トが最終的に硬化するまで保持、確保され、１００μｍ
以下の高精度狭ピッチを保証する。
電材料を原材料とする導電材料シートを使用し、この表
面にホトリソグラフィ技術を適用して導電ブロック７’
が露出したメタル埋め込み型異方性導電シートを構成す
るものであり、導電ブロック７’を整然と高精度狭ピッ
チ間隔で配列形成するに特に加工性の良好な実施例であ
ると言うことができる。そして、配線基板に対してデバ
イスを接続する導電ブロック７’相互間のピッチ精度は
ホトリソグラフィのピッチ精度で設定されることにな
り、１００μｍ以下の高精度狭ピッチ間隔の導電ブロッ
ク７’の異方性導電シートを構成することができる。そ
して、導電材料シート７の裏面に保持粘着テープ７３を
貼り合わせて仮止めしておくことにより、各加工工程に
おいて切断分離される部分間の相互位置関係は一定に保
持、確保される。部分間の相互位置関係は絶縁材料シー
トが最終的に硬化するまで保持、確保され、１００μｍ
以下の高精度狭ピッチを保証する。
【００５３】また、第４の実施例によれば、第３の実施
例と同様に、配線基板に対してデバイスを接続する導電
ブロック７’のピッチ精度をホトリソグラフィのピッチ
精度で設定すると共に、各加工工程において切断分離さ
れる部分間の相互位置関係を一定に保持、確保し、部分
間の相互位置関係は絶縁材料シートが最終的に硬化する
まで保持、確保することができる。その上に、工程１４
までにおいて製造されたメタル埋め込み型異方性導電シ
ートの周縁端面同志を突き合わせ、両者を相互接続する
ことにより、構成されたメタル埋め込み型異方性導電シ
ートに大きな弾性を付与することができる。
例と同様に、配線基板に対してデバイスを接続する導電
ブロック７’のピッチ精度をホトリソグラフィのピッチ
精度で設定すると共に、各加工工程において切断分離さ
れる部分間の相互位置関係を一定に保持、確保し、部分
間の相互位置関係は絶縁材料シートが最終的に硬化する
まで保持、確保することができる。その上に、工程１４
までにおいて製造されたメタル埋め込み型異方性導電シ
ートの周縁端面同志を突き合わせ、両者を相互接続する
ことにより、構成されたメタル埋め込み型異方性導電シ
ートに大きな弾性を付与することができる。
【００５４】ここで、第５の実施例によれば、導電材料
としてシリコンの如き半導体材料を原材料とすることに
より、半導体微細加工技術を適用して配線基板に対して
接続されるべきデバイス間のピッチを１００μｍ以下の
狭ピッチに設定することができる。そして、加工工程も
単純な工程の組み合わせであり、工程数も比較的に少な
い。
としてシリコンの如き半導体材料を原材料とすることに
より、半導体微細加工技術を適用して配線基板に対して
接続されるべきデバイス間のピッチを１００μｍ以下の
狭ピッチに設定することができる。そして、加工工程も
単純な工程の組み合わせであり、工程数も比較的に少な
い。
【００５５】更に、第６の実施例によれば、半導体シー
ト８の切断は、保持粘着テープ８１に保持された状態に
ある半導体シート８にダイシング加工を施して実行し、
半導体ブロック８５をマトリクス状に分離独立させるの
で、半導体ブロック８５のピッチはダイシングの精密な
ピッチ精度により精密に設定することができる。導電性
微粒子を分散させた異方性導電シートは１００μｍ程度
の狭ピッチの接続に対応することができるものである
が、この実施例の半導体ブロック８５のピッチは１００
μｍ以下の狭ピッチにも対応することができる。
ト８の切断は、保持粘着テープ８１に保持された状態に
ある半導体シート８にダイシング加工を施して実行し、
半導体ブロック８５をマトリクス状に分離独立させるの
で、半導体ブロック８５のピッチはダイシングの精密な
ピッチ精度により精密に設定することができる。導電性
微粒子を分散させた異方性導電シートは１００μｍ程度
の狭ピッチの接続に対応することができるものである
が、この実施例の半導体ブロック８５のピッチは１００
μｍ以下の狭ピッチにも対応することができる。
【００５６】また、第６の実施例の変形例によれば、従
来の異方性導電シートの導電体は単なる電流導通部材に
過ぎないので、当然にデバイスと配線基板との間に不適
切な向きの電流をそのまま流通させる上に過電流もその
まま流通させる。ところが、半導体埋め込み型異方性導
電シートに関して相対向するデバイスと配線基板の間
を、この異方性導電シートの半導体ブロック８５に形成
されるこれら回路素子８６および半導体ブロック８５を
介して相互接続する構成を採用することにより、電流の
向きおよび大きさを制御する作用を異方性導電シートに
付与することができる。即ち、半導体ブロック８５の表
面にｐｎジャンクションを形成することにより半導体ブ
ロック８５を介して流通する電流の向きを制御すること
ができる。そして、マイクロブリッジ接点、マイクロヒ
ューズを形成することにより、半導体ブロック８５を介
して流通する電流を制限することができる。
来の異方性導電シートの導電体は単なる電流導通部材に
過ぎないので、当然にデバイスと配線基板との間に不適
切な向きの電流をそのまま流通させる上に過電流もその
まま流通させる。ところが、半導体埋め込み型異方性導
電シートに関して相対向するデバイスと配線基板の間
を、この異方性導電シートの半導体ブロック８５に形成
されるこれら回路素子８６および半導体ブロック８５を
介して相互接続する構成を採用することにより、電流の
向きおよび大きさを制御する作用を異方性導電シートに
付与することができる。即ち、半導体ブロック８５の表
面にｐｎジャンクションを形成することにより半導体ブ
ロック８５を介して流通する電流の向きを制御すること
ができる。そして、マイクロブリッジ接点、マイクロヒ
ューズを形成することにより、半導体ブロック８５を介
して流通する電流を制限することができる。
【図１】第１の実施例を説明する図。
【図２】第１の実施例の製造工程を説明する図。
【図３】第２の実施例を説明する図。
【図４】第２の実施例の製造工程を説明する図。
【図５】第３の実施例の製造工程を説明する図。
【図６】第４の実施例の製造工程を説明する図。
【図７】図６の続き。
【図８】図７の続き。
【図９】第５の実施例の製造工程を説明する図。
【図１０】図９の続き。
【図１１】第６の実施例を説明する図。
【図１２】第６の実施例の製造工程を説明する図。
４’絶縁材料シート
３０ 導電体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｊ
Ｈ０１Ｂ 5/16 Ｈ０１Ｂ 5/16
13/00 ５０１ 13/00 ５０１Ｐ
Ｈ０１Ｒ 13/03 Ｈ０１Ｒ 13/03 Ａ
43/00 43/00 Ｈ
(56)参考文献 特開 平８−17498（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−197557（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−285213（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−50106（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−110229（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−73739（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01R 11/01 501
G01R 1/06
G01R 1/073
G01R 31/26
H01B 5/16
H01B 13/00 501
H01R 13/03
H01R 43/00
Claims (21)
- 【請求項１】 相対向する電気部材間に介在して両電気
部材を電気的に接続する異方性導電シートにおいて、 絶縁材料シートと、 絶縁材料シートを貫通して上下両端部を露出する中空の
薄膜状の立体構造を有する立体構造の導電体より成り、中空の薄膜状の立体構造 は絶縁材料シートに分布して配
列形成したことを特徴とする異方性導電シート。 - 【請求項２】 請求項１に記載される異方性導電シート
において、中空の薄膜状の立体構造 は上端部を閉塞すると共に下端
部を開放する円錐状導電体であることを特徴とする異方
性導電シート。 - 【請求項３】 請求項１に記載される異方性導電シート
において、中空の薄膜状の立体構造 はアーチ型に形成されたアーチ
状導電体であることを特徴とする異方性導電シート。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３の内の何れかに
記載される異方性導電シートにおいて、 立体構造の導電体はメッキ或いは蒸着により形成された
ものであることを特徴とする異方性導電シート。 - 【請求項５】 導電材料を原材料とする導電材料シート
の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技術を
適用して薄膜状の椀状部を分離独立して形成し、導電材
料シートのエッチング除去領域に絶縁材料を充填し、硬
化形成した絶縁材料シートの表裏面に上下両端部を露出
せしめた椀状部を有する椀状導電体を構成したことを特
徴とする異方性導電シート。 - 【請求項６】 導電材料を原材料とする導電材料シート
の表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技術を
適用して薄膜状の椀状部を分離独立して形成し、導電材
料シートのエッチング除去領域に絶縁材料を充填し、硬
化形成した絶縁材料シートの表裏面に上下両端部を露出
せしめた椀状部を有する椀状導電体を構成した異方性導
電シートを互いに対向して重ね合わせ一体化して構成し
たことを特徴とする異方性導電シート。 - 【請求項７】 半導体材料を原材料とする半導体シート
に表面からダイシング加工を施し、残存半導体シートを
有して導電体形成凸部を独立して形成し、残存半導体シ
ートおよび導電体形成凸部の表面に絶縁材料層を塗布硬
化し、残存半導体シートをその導電体形成凸部との間の
結合部からその絶縁材料層との間の結合部に亘って除去
し、硬化形成した絶縁材料シートの表裏面に導電体形成
凸部を半導体端子として露出せしめて構成したことを特
徴とする異方性導電シート。 - 【請求項８】 半導体材料を原材料とする半導体シート
に表面からダイシング加工を施して半導体ブロックを分
離独立して形成し、半導体ブロックをその上下両端部を
露出し絶縁材料層内に埋設し、硬化形成された絶縁材料
シートの表裏面に半導体ブロックを露出せしめて構成し
たことを特徴とする異方性導電シート。 - 【請求項９】 請求項８に記載される異方性導電シート
において、 半導体ブロックの表面に回路素子を形成したことを特徴
とする異方性導電シート。 - 【請求項１０】 表面に突起が多数形成される金型を準
備し、 シートに金型の突起の裾野の径より大なる径の貫通孔を
形成したものより成るマスクを金型の表面に取り付け、 金型の表面に金属メッキ或いは蒸着を施し、 金型の表面からマスクを取り外して金型の突起の全表面
に薄膜状の立体構造の導電体を残存形成し、 金型の表面に絶縁材料層を塗布して導電体をその頂上ま
で絶縁材料層に埋没させ、 第２の型を導電体の表面に圧し付け絶縁材料層を硬化す
るのを待ち、 離型し、絶縁材料層を貫通して上下両端部を露出する中
空の薄膜状の立体構造を有する立体構造の導電体を形成
することを特徴とする異方性導電シートの製造方法。 - 【請求項１１】 導電材料を原材料とする導電材料シー
トを保持粘着テープに貼り付けたものを準備し、この導
電材料シートにホトリソグラフィ技術およびエッチング
技術を適用して保持粘着テープに貼り付けられた状態の
導電ブロックを分離独立して形成し、導電材料シートの
エッチング除去領域に合成樹脂より成る絶縁材料を充填
し、充填形成された絶縁材料層の表面に第２の型を圧し
付けて絶縁材料層表面の一部を排除除去し、導電ブロッ
クの上下両端部を絶縁材料層の表裏両面に露出せしめる
ことを特徴とする異方性導電シートの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載される異方性導電シ
ートの製造方法において、 導電材料を原材料とする導電材料シートを準備し、 導電材料シートの表裏両面にホトリソグラフィ技術を適
用して環状のレジストを多数パターニング形成し、 導電材料シートにエッチング加工を施し、このエッチン
グ加工は結合領域を残存して導電材料シートが表裏貫通
して分離する寸前迄実行され、 導電材料シートの裏面に保持粘着テープを貼り合わせ、 導電材料シートに更なるエッチング加工を施し、結合領
域に導電体分離溝を形成することにより導電ブロックを
相互に分離独立して形成し、導電材料シートのエッチン
グ除去領域に絶縁材料を充填し、 形成された絶縁材料層の表面に第２の型を圧し付け、 剥離して絶縁材料シートの表裏面に導電ブロックの上下
両端部を露出せしめることを特徴とする異方性導電シー
トの製造方法。 - 【請求項１３】 導電材料を原材料とする導電材料シー
トの表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技術
を適用して薄膜状の椀状部を分離独立して形成し、導電
材料シートのエッチング除去領域に絶縁材料を充填し、
硬化形成した絶縁材料シートの表裏面に上下両端部を露
出せしめた椀状部を有する椀状導電体を構成したことを
特徴とする異方性導電シートの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載される異方性導電シ
ートの製造方法において、 導電材料を原材料とする導電材料シートを準備し、 導電材料シートの表面にホトリソグラフィ技術を適用し
て円形領域を多数露出せしめて残余の全面にレジストを
パターニングし、 導電材料シートにエッチング加工を施し、露出する円形
領域に対応して薄膜状の椀状部を形成し、 導電材料シートの上面に保持粘着テープを貼り付けて保
持粘着テープ側を下側にし、 導電材料シートの椀状部の頂点に対応して十字状スリッ
トにレジストをパターニングし、 十字状にパターニングした導電材料シートにエッチング
加工を施し、椀状部の頂点に十字状切り割りを形成する
と共に導電体分離溝を形成して、この椀状部を保持粘着
テープに貼り付けられた状態で導電体分離溝により相互
に分離独立せしめ、 椀状部の上側に第２の保持粘着テープを貼り合わせ、 保持粘着テープを剥離し、第２の保持粘着テープ側を下
側にし、 椀状部の表裏両面に絶縁材料層を塗布形成し、 椀状部の上側に第３の保持粘着テープを貼り合わせ、 第２の保持粘着テープを剥離し、第３の保持粘着テープ
側を下側にし、 第３の保持粘着テープを剥離して、絶縁材料層が硬化し
て形成された絶縁材料シートの表裏面に導電ブロックの
上下両端部を露出せしめることを特徴とする異方性導電
シートの製造方法。 - 【請求項１５】 導電材料を原材料とする導電材料シー
トの表面にホトリソグラフィ技術およびエッチング技術
を適用して薄膜状の椀状部を分離独立して形成し、導電
材料シートのエッチング除去領域に絶縁材料を充填し、
硬化形成した絶縁材料シートの表裏面に上下両端部を露
出せしめた椀状部を有する椀状導電体を構成した異方性
導電シートを、互いに対向して重ね合わせ一体化したこ
とを特徴とする異方性導電シートの製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載される異方性導電シ
ートの製造方法において、 導電材料を原材料とする導電材料シートを準備し、 導電材料シートの表面にホトリソグラフィ技術を適用し
て円形領域を多数露出せしめて残余の全面にレジストを
パターニングし、 導電材料シートにエッチング加工を施し、露出する円形
領域に対応して薄膜状の椀状部を形成し、 導電材料シートの上面に保持粘着テープを貼り付けて保
持粘着テープ側を下側にし、 導電材料シートの椀状部の頂点に対応して十字状スリッ
トにレジストをパターニングし、 十字状にパターニングした導電材料シートにエッチング
加工を施し、椀状部の頂点に十字状切り割りを形成する
と共に導電体分離溝を形成して、この椀状部を保持粘着
テープに貼り付けられた状態で導電体分離溝により相互
に分離独立せしめ、 椀状部の上側に第２の保持粘着テープを貼り合わせ、 保持粘着テープを剥離し、第２の保持粘着テープ側を下
側にし、 椀状部の表裏両面に絶縁材料層を塗布形成し、 椀状部の上側に第３の保持粘着テープを貼り合わせ、 第２の保持粘着テープを剥離し、第３の保持粘着テープ
側を下側にし、 第３の保持粘着テープを剥離して、絶縁材料層が硬化し
て形成された絶縁材料シートの表裏面に導電ブロックの
上下両端部を露出せしめて異方性導電シートを製造し、 製造された異方性導電シートの周縁端面同志を突き合わ
せ、両者を一体化したことを特徴とする異方性導電シー
トの製造方法。 - 【請求項１７】 半導体材料を原材料とする半導体シー
トに表面からダイシング加工を施し、残存半導体シート
を有して導電体形成凸部を独立して形成し、残存半導体
シートおよび導電体形成凸部の表面に絶縁材料層を塗布
して硬化し、残存半導体シートをその導電体形成凸部と
の間の結合部からその絶縁材料層との間の結合部に亘っ
て除去し、硬化形成した絶縁材料シートの表裏面に導電
体形成凸部を半導体端子として露出せしめたことを特徴
とする異方性導電シートの製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載される異方性導電シ
ートの製造方法において、 半導体材料を原材料とする半導体シートを準備し、 半導体シートの下面に保持粘着テープを貼り合わせ、 半導体シートに表面からダイシング加工を施し、残存半
導体シートを有して半導体端子形成凸部を分布形成し、 残存半導体シートおよび半導体端子形成凸部の表面に絶
縁材料層を塗布し、 半導体端子形成凸部の上側に第２の保持粘着テープを貼
り合わせ、 保持粘着テープを残存半導体シートから剥離すると共
に、第２の保持粘着テープを半導体端子形成凸部から剥
離し、 半導体端子形成凸部の端面に保持粘着テープを貼り合わ
せ、 残存半導体シートを、その半導体端子形成凸部との間の
結合部からその絶縁材料層との間の結合部に亘って、ダ
イシング加工を施して除去して半導体端子形成凸部を相
互に電気機械的に切り離すことを特徴とする異方性導電
シートの製造方法。 - 【請求項１９】 半導体材料を原材料とする半導体シー
トに表面からダイシング加工を施して半導体ブロックを
分離独立して形成し、半導体ブロックをその上下両端部
を露出して絶縁材料層内に埋設し、硬化形成された絶縁
材料シートの表裏面に半導体ブロックを露出せしめるこ
とを特徴とする異方性導電シートの製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載される異方性導電シ
ートの製造方法において、 半導体材料を原材料とする半導体シートを準備し、 半導体シートの下面に保持粘着テープを貼り合わせ、 半導体シートに表面から保持粘着テープの表面に到るま
でダイシング加工を施し、半導体ブロックを分離独立し
て形成し、 半導体ブロックが分離独立して保持される保持粘着テー
プの表面に絶縁材料層を塗布し、絶縁材料層内に半導体
ブロックを埋設し、 半導体ブロックの上端部に第２の保持粘着テープを貼り
合わせ、 保持粘着テープおよび第２の保持粘着テープを剥離する
ことを特徴とする異方性導電シートの製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１９および請求項２０の内の何
れかに記載される異方性導電シートの製造方法におい
て、 半導体ブロックが分離独立して形成されたところで、そ
の面に回路素子を半導体微細加工技術を適用して形成す
ることを特徴とする異方性導電シートの製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000260524A JP3505650B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 異方性導電シートおよびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2000260524A JP3505650B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 異方性導電シートおよびその製造方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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