JPH1065070A - 半導体チップ相互接続及びカプセル封じのために選択的に充填される接着剤 - Google Patents
半導体チップ相互接続及びカプセル封じのために選択的に充填される接着剤Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップまたはウエハを相互接続及びカ
プセル封じするためのコンタクトを両面に含む接着膜を
提供する。 【解決手段】 膜厚を通じて延びる導電性フィラメント
のクラスタによりパターン化される誘電接着膜が、電気
相互接続及びカプセル封じを提供する。誘電接着材料は
再加工可能である。クラスタが、貴金属を高電流密度で
選択的に電気めっきすることにより形成される。
プセル封じするためのコンタクトを両面に含む接着膜を
提供する。 【解決手段】 膜厚を通じて延びる導電性フィラメント
のクラスタによりパターン化される誘電接着膜が、電気
相互接続及びカプセル封じを提供する。誘電接着材料は
再加工可能である。クラスタが、貴金属を高電流密度で
選択的に電気めっきすることにより形成される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の電気相
互接続に関して、特に、テストまたは使用のために、半
導体チップまたはウエハを相互接続及びカプセル封じす
るためのコンタクトを両面に含む接着膜に関する。
互接続に関して、特に、テストまたは使用のために、半
導体チップまたはウエハを相互接続及びカプセル封じす
るためのコンタクトを両面に含む接着膜に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子またはチップ及び他の電気素
子は通常、テスト、バーンイン及び使用のために電気的
に相互接続される。相互接続方法には、堅いプローブ及
びコンタクト、可撓性のプローブ及びコンタクト、ワイ
ヤ・ボンディング、はんだ付け及び溶接が含まれる。チ
ップ上の相互接続トポロジは、周囲に間隔を開けて設け
られるパッド、バンプまたはコンタクトの列または直線
配列から、2次元的に間隔を開けて設けられるパッドま
たはバンプの領域配列まで様々である。直線配列または
領域配列内のパッドまたはバンプは、通常、配列内で一
様な幅及び中心間距離を有する。領域配列内のコンタク
トの配列は、通常、互いに直交する行と列などのパター
ンに配列される。集積回路チップまたはダイはコンタク
ト配列が高密度化し、1チップ当たりのコンタクト数が
増加する傾向にある。1メーカであるIBM社はC4バ
ンプと呼ばれるコンタクトを使用しており、これは集積
回路の上方に約0.125mm延び、主として鉛及びス
ズ(Pb−Sn)から成り、断面が半球状または楕円状
である。
子は通常、テスト、バーンイン及び使用のために電気的
に相互接続される。相互接続方法には、堅いプローブ及
びコンタクト、可撓性のプローブ及びコンタクト、ワイ
ヤ・ボンディング、はんだ付け及び溶接が含まれる。チ
ップ上の相互接続トポロジは、周囲に間隔を開けて設け
られるパッド、バンプまたはコンタクトの列または直線
配列から、2次元的に間隔を開けて設けられるパッドま
たはバンプの領域配列まで様々である。直線配列または
領域配列内のパッドまたはバンプは、通常、配列内で一
様な幅及び中心間距離を有する。領域配列内のコンタク
トの配列は、通常、互いに直交する行と列などのパター
ンに配列される。集積回路チップまたはダイはコンタク
ト配列が高密度化し、1チップ当たりのコンタクト数が
増加する傾向にある。1メーカであるIBM社はC4バ
ンプと呼ばれるコンタクトを使用しており、これは集積
回路の上方に約0.125mm延び、主として鉛及びス
ズ(Pb−Sn)から成り、断面が半球状または楕円状
である。
【0003】米国特許第5207585号は、堅いプロ
ーブ上の第1のコンタクト配列と、可撓性のメンブラン
を含む電気素子上の対応するコンタクト配列との間の電
気接触を提供する装置を開示する。電極の配列が可撓性
のメンブラン内に形成され、上面の上側及び下面の下側
に延びる。可撓性のメンブランは屈曲した上面及び下面
を形成するための厚さと、電極が互いに独立に移動する
ことを可能にする弾性とを有する。電極は複数の隆起部
分、及びくぼんだ部分を有する。隆起部分はコンタクト
の表面を貫通し、くぼんだ部分は貫通を制限する。
ーブ上の第1のコンタクト配列と、可撓性のメンブラン
を含む電気素子上の対応するコンタクト配列との間の電
気接触を提供する装置を開示する。電極の配列が可撓性
のメンブラン内に形成され、上面の上側及び下面の下側
に延びる。可撓性のメンブランは屈曲した上面及び下面
を形成するための厚さと、電極が互いに独立に移動する
ことを可能にする弾性とを有する。電極は複数の隆起部
分、及びくぼんだ部分を有する。隆起部分はコンタクト
の表面を貫通し、くぼんだ部分は貫通を制限する。
【0004】導電性充填剤を含む重合接着剤は、低イン
ピーダンスの電気相互接続のための、はんだの代替物を
提供する。これらの導電性接着剤は、鉛合金及びフラッ
クス洗浄プロセス廃棄物に関連する健康及び環境問題を
回避し、耐疲労性に優れた電気接合を提供し得る。
ピーダンスの電気相互接続のための、はんだの代替物を
提供する。これらの導電性接着剤は、鉛合金及びフラッ
クス洗浄プロセス廃棄物に関連する健康及び環境問題を
回避し、耐疲労性に優れた電気接合を提供し得る。
【0005】導電性接着剤は、異方性(z軸)導電膜ま
たは等方性導電ペーストとして、市販されている。異方
性の導電性接着剤は、可撓材と可撓材または可撓材と硬
質材の付着におけるギャップの無い充填に限られる。通
常、硬質材同士の付着においては、共面公差が異方性導
電膜の使用を阻止する。異方性接着剤を使用する硬質材
同士の付着の例に、ガラス上のチップ(chip-on-glass
略してCOG)がある。COG接着では、厳しい共面公
差(10μm以下)が達成される。なぜなら、ガラス/
シリコン表面の研削加工の元来平坦な性質が使用される
からである。異方性の導電性接着剤は、LCDなどの高
インピーダンス許容アプリケーションにおいて一般に使
用されるが、低インピーダンスへの適用が新たな技術で
ある。粒子密度、形状及び重合クリープが低く安定な接
合抵抗を損なうことになる。障害を免れるには付着の幾
何を制限し、等方性の導電性接着剤における導電性充填
剤の凝縮を制限する。J.P.Honoreらによる"Reliabili
ty Testing of ConductiveAdhesives"(Nepcon West'9
2、pp.1372-1380)は、銀を充填した等方性の導電性接
着剤を用いて個別の表面実装素子の他に、能動表面実装
素子を付着することについて述べている。報告される接
触抵抗データは最小でも160%の大きな増加を示す。
通常、銀のフレークが相互接続される被着材のパッド表
面に平行に整列する。結果的にフレークとパッド間の鋭
いでこぼこのコンタクトが柔らかくなり、接触抵抗の劣
化につながる。F.Kuleszaらによる"Solderless Flip C
hip Technology"(Feb.1992、Hybrid Circuit Technol
ogy)は、導電性接着剤によるフリップ・チップ相互接
続について述べている。相互接続の低い信頼性が暗黙的
に理解される。なぜなら、チップが部分的に硬化(Bス
テージ)された導電性エポキシを受け取るからである。
キャリアがチップ配置以前に同じ導電性接着剤を受け取
る。硬化された接合は余分な界面、すなわちキャリア上
の接着剤ペーストへのBステージ化チップ・エポキシ・
バンプを有する。この界面におけるポリマ表面処理は電
気コンダクタンスに悪影響を与える。D.Changらによる"
Accelerated Life Test of Z-Axis Conductive Adhesiv
e"(IEEE Trans.Components、Hybrid Mfg.Tech.、Vo
l.16、No.8、Dec.1993)は、異方性の導電性接着剤
の信頼性テスト結果について述べており、銀のマイグレ
ーションが粒子充填剤から短絡することを示している。
導電性接着テープに関する英国特許GB第222313
5B号は、粒子間でXY平面分離を維持しながら、高度
な粒子充填を達成することについて述べている。高度な
充填が低い接触抵抗を提供する。米国特許第52758
56号は、導電ペーストにより充填されたパーフォレー
ションを有し、パターン化される異方性の導電性接着剤
について述べている。米国特許第5180888号は、
通常の異方性接着剤よりも高度な充填剤の充填を可能に
する粒子被覆の概念について述べている。単位面積当た
りの相互接続粒子の数を増やすことにより、改善された
電気接触抵抗が達成される。粒子が絶縁被覆により被覆
され、これが導電サブレイヤを接着、露出及び解放する
間に、相互接続されるパッド間で破壊する。接合される
パッドから離れた領域では粒子被覆は破壊しない。米国
特許第5300340号は、相互接続されるパッド金属
系よりも堅い粒子を使用する異方性接着剤を開示する。
めっきを有するガラス粒子が、堅い粒子と見なされる。
堅い粒子が最上面の金属系を変形させ、突破し、確実な
相互接続を提供するものと期待される。米国特許第52
25966号は、膜内の特大の導電粒子を許容する異方
性接着剤を開示する。柔らかい応諾的な金属が、相互接
続されるパッドの表面に付着される。接着剤内の大きな
粒子は柔らかい金属表面を変形させ、小さな粒子の過半
数が相互接続することを可能にする。米国特許第522
1417号は、フォトリソグラフィック・プロセスを用
い、強磁性パッドの配列を定義する。強磁性粒子がこれ
らのパッド上に位置決めされ、次に粒子のフィールドが
接着膜内で捕獲される。米国特許第4731282号
は、粒子の凝集体を用いてz軸伝導を提供する。粒子の
凝集体内には幾つかの粒子間界面が存在し、これらが屈
曲した接着剤により機械的に一緒に保持される。これら
の幾つかの界面は、全体的な相互接続の低い信頼性に寄
与する。
たは等方性導電ペーストとして、市販されている。異方
性の導電性接着剤は、可撓材と可撓材または可撓材と硬
質材の付着におけるギャップの無い充填に限られる。通
常、硬質材同士の付着においては、共面公差が異方性導
電膜の使用を阻止する。異方性接着剤を使用する硬質材
同士の付着の例に、ガラス上のチップ(chip-on-glass
略してCOG)がある。COG接着では、厳しい共面公
差(10μm以下)が達成される。なぜなら、ガラス/
シリコン表面の研削加工の元来平坦な性質が使用される
からである。異方性の導電性接着剤は、LCDなどの高
インピーダンス許容アプリケーションにおいて一般に使
用されるが、低インピーダンスへの適用が新たな技術で
ある。粒子密度、形状及び重合クリープが低く安定な接
合抵抗を損なうことになる。障害を免れるには付着の幾
何を制限し、等方性の導電性接着剤における導電性充填
剤の凝縮を制限する。J.P.Honoreらによる"Reliabili
ty Testing of ConductiveAdhesives"(Nepcon West'9
2、pp.1372-1380)は、銀を充填した等方性の導電性接
着剤を用いて個別の表面実装素子の他に、能動表面実装
素子を付着することについて述べている。報告される接
触抵抗データは最小でも160%の大きな増加を示す。
通常、銀のフレークが相互接続される被着材のパッド表
面に平行に整列する。結果的にフレークとパッド間の鋭
いでこぼこのコンタクトが柔らかくなり、接触抵抗の劣
化につながる。F.Kuleszaらによる"Solderless Flip C
hip Technology"(Feb.1992、Hybrid Circuit Technol
ogy)は、導電性接着剤によるフリップ・チップ相互接
続について述べている。相互接続の低い信頼性が暗黙的
に理解される。なぜなら、チップが部分的に硬化(Bス
テージ)された導電性エポキシを受け取るからである。
キャリアがチップ配置以前に同じ導電性接着剤を受け取
る。硬化された接合は余分な界面、すなわちキャリア上
の接着剤ペーストへのBステージ化チップ・エポキシ・
バンプを有する。この界面におけるポリマ表面処理は電
気コンダクタンスに悪影響を与える。D.Changらによる"
Accelerated Life Test of Z-Axis Conductive Adhesiv
e"(IEEE Trans.Components、Hybrid Mfg.Tech.、Vo
l.16、No.8、Dec.1993)は、異方性の導電性接着剤
の信頼性テスト結果について述べており、銀のマイグレ
ーションが粒子充填剤から短絡することを示している。
導電性接着テープに関する英国特許GB第222313
5B号は、粒子間でXY平面分離を維持しながら、高度
な粒子充填を達成することについて述べている。高度な
充填が低い接触抵抗を提供する。米国特許第52758
56号は、導電ペーストにより充填されたパーフォレー
ションを有し、パターン化される異方性の導電性接着剤
について述べている。米国特許第5180888号は、
通常の異方性接着剤よりも高度な充填剤の充填を可能に
する粒子被覆の概念について述べている。単位面積当た
りの相互接続粒子の数を増やすことにより、改善された
電気接触抵抗が達成される。粒子が絶縁被覆により被覆
され、これが導電サブレイヤを接着、露出及び解放する
間に、相互接続されるパッド間で破壊する。接合される
パッドから離れた領域では粒子被覆は破壊しない。米国
特許第5300340号は、相互接続されるパッド金属
系よりも堅い粒子を使用する異方性接着剤を開示する。
めっきを有するガラス粒子が、堅い粒子と見なされる。
堅い粒子が最上面の金属系を変形させ、突破し、確実な
相互接続を提供するものと期待される。米国特許第52
25966号は、膜内の特大の導電粒子を許容する異方
性接着剤を開示する。柔らかい応諾的な金属が、相互接
続されるパッドの表面に付着される。接着剤内の大きな
粒子は柔らかい金属表面を変形させ、小さな粒子の過半
数が相互接続することを可能にする。米国特許第522
1417号は、フォトリソグラフィック・プロセスを用
い、強磁性パッドの配列を定義する。強磁性粒子がこれ
らのパッド上に位置決めされ、次に粒子のフィールドが
接着膜内で捕獲される。米国特許第4731282号
は、粒子の凝集体を用いてz軸伝導を提供する。粒子の
凝集体内には幾つかの粒子間界面が存在し、これらが屈
曲した接着剤により機械的に一緒に保持される。これら
の幾つかの界面は、全体的な相互接続の低い信頼性に寄
与する。
【0006】別の従来技術では、アルミ・パッドを有す
るチップがニッケル及び金めっきされ、次に等方性の導
電性接着剤と接着される。この技術の欠点としては、接
着剤が熱硬化性であることである。この技術はカプセル
封じを提供せず、別のカプセル封じ工程が要求され得
る。
るチップがニッケル及び金めっきされ、次に等方性の導
電性接着剤と接着される。この技術の欠点としては、接
着剤が熱硬化性であることである。この技術はカプセル
封じを提供せず、別のカプセル封じ工程が要求され得
る。
【0007】米国特許第5059262号は、可撓性基
板へのフリップ・チップ相互接続のためのパターン化さ
れた異方性接着剤を開示する。10μmサイズの導電性
の球状粒子のクラスタが所望のフットプリントに定義さ
れる。粒子の1表面は平坦である。平坦な表面はでこぼ
この接点間の確実な接触を生成するために、高い法線力
が必要なため、最も好ましくない幾何である。
板へのフリップ・チップ相互接続のためのパターン化さ
れた異方性接着剤を開示する。10μmサイズの導電性
の球状粒子のクラスタが所望のフットプリントに定義さ
れる。粒子の1表面は平坦である。平坦な表面はでこぼ
この接点間の確実な接触を生成するために、高い法線力
が必要なため、最も好ましくない幾何である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電粒子の
分離クラスタによりパターン化される誘電接着膜に関し
て、粒子が膜厚内にまたは膜厚を通じて延びる連続的な
金属フィラメントの形態を取る。誘電接着膜構造は低イ
ンピーダンス、再加工可能、はんだ不要の電気接合のた
めの電気的相互接続及びカプセル封じを容易にする。こ
れらのパターン化されたクラスタは、0.002インチ
(0.05mm)ほどのギャップを通じて相互接続し得
る。連続的な金属フィラメントが、電気伝導を粒子間接
触に頼る接着剤に固有の問題を排除する。導体パッドと
の高信頼性の相互接続が達成され、低い法線力により、
高い応力接触を提供する。
分離クラスタによりパターン化される誘電接着膜に関し
て、粒子が膜厚内にまたは膜厚を通じて延びる連続的な
金属フィラメントの形態を取る。誘電接着膜構造は低イ
ンピーダンス、再加工可能、はんだ不要の電気接合のた
めの電気的相互接続及びカプセル封じを容易にする。こ
れらのパターン化されたクラスタは、0.002インチ
(0.05mm)ほどのギャップを通じて相互接続し得
る。連続的な金属フィラメントが、電気伝導を粒子間接
触に頼る接着剤に固有の問題を排除する。導体パッドと
の高信頼性の相互接続が達成され、低い法線力により、
高い応力接触を提供する。
【0009】
【課題を解決するための手段】これらの膜の形成は、高
度に分岐した金属系のフィラメントの専用パターンをめ
っきすることにより達成される。パターンは、相互接続
される部品及び基板のパターンに一致する。パターンは
犠牲金属キャリア上に、フォトリソグラフにより定義さ
れ得る。パターンはまたXY分離が維持される限り、ラ
ンダム分散であり得る。相互接続フィラメントが次に電
気めっきされる。フォトマスクが除去され、電気めっき
された金属フィラメントの定義された島(island)が残
る。誘電接着剤が金属系の島の周囲にポット(pot)さ
れる。膜の犠牲金属キャリア(カソード)を優先的にエ
ッチングすることにより、めっきされた金属系が接着膜
と一緒に解放される。
度に分岐した金属系のフィラメントの専用パターンをめ
っきすることにより達成される。パターンは、相互接続
される部品及び基板のパターンに一致する。パターンは
犠牲金属キャリア上に、フォトリソグラフにより定義さ
れ得る。パターンはまたXY分離が維持される限り、ラ
ンダム分散であり得る。相互接続フィラメントが次に電
気めっきされる。フォトマスクが除去され、電気めっき
された金属フィラメントの定義された島(island)が残
る。誘電接着剤が金属系の島の周囲にポット(pot)さ
れる。膜の犠牲金属キャリア(カソード)を優先的にエ
ッチングすることにより、めっきされた金属系が接着膜
と一緒に解放される。
【0010】別の実施例では、誘電接着剤の層が金属キ
ャリア上に形成される。金属マスクが接着層上に配置さ
れ、次にスルーホールが接着層内にレーザ切除される。
スルーホールは、金属キャリア内に打ち出しされるくぼ
みに対応する。マスクが除去され、金属フィラメントの
島が電気めっきされ、スルーホールが充填される。金属
キャリアが次に除去される。
ャリア上に形成される。金属マスクが接着層上に配置さ
れ、次にスルーホールが接着層内にレーザ切除される。
スルーホールは、金属キャリア内に打ち出しされるくぼ
みに対応する。マスクが除去され、金属フィラメントの
島が電気めっきされ、スルーホールが充填される。金属
キャリアが次に除去される。
【0011】誘電接着膜がチップ、カードまたは基板パ
ッドに位置合わせされ、次に電気接続及びカプセル封じ
のために、結合パッド表面に位置合わせされ、熱的に積
層される。接着剤もまた、熱伝導率及び熱膨張を目的の
アプリケーションに適合化するために、分散した(誘電
性の)充填剤を含んでもよい。
ッドに位置合わせされ、次に電気接続及びカプセル封じ
のために、結合パッド表面に位置合わせされ、熱的に積
層される。接着剤もまた、熱伝導率及び熱膨張を目的の
アプリケーションに適合化するために、分散した(誘電
性の)充填剤を含んでもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明は、膜厚内にまたは膜厚を
通じて延びる導電粒子の分離クラスタによりパターン化
される誘電接着膜に関する。粒子は樹状の複数の分岐し
た金属フィラメントから成る。導電クラスタを有する誘
電接着膜は、低インピーダンス、再加工可能、はんだ不
要の電気接合のための電気的な相互接続及びカプセル封
じを提供する。これらのパターン化されたクラスタは、
0.002インチ(0.05mm)ほどのギャップを通
じて相互接続し得る。連続的な金属フィラメントが、電
気伝導を粒子間接触に頼る接着剤に固有の問題を排除す
る。導体パッドとの高信頼性の相互接続が、低い法線力
により高い応力接触を提供する複数の微細ポイント形状
により達成される。
通じて延びる導電粒子の分離クラスタによりパターン化
される誘電接着膜に関する。粒子は樹状の複数の分岐し
た金属フィラメントから成る。導電クラスタを有する誘
電接着膜は、低インピーダンス、再加工可能、はんだ不
要の電気接合のための電気的な相互接続及びカプセル封
じを提供する。これらのパターン化されたクラスタは、
0.002インチ(0.05mm)ほどのギャップを通
じて相互接続し得る。連続的な金属フィラメントが、電
気伝導を粒子間接触に頼る接着剤に固有の問題を排除す
る。導体パッドとの高信頼性の相互接続が、低い法線力
により高い応力接触を提供する複数の微細ポイント形状
により達成される。
【0013】これらの膜の形成は、高度に分岐した金属
系のフィラメントのクラスタの、選択済みのパターンを
めっきすることにより開始する。パターンは、相互接続
される部品及び基板のパターンに一致するように選択さ
れる。図を参照すると、膜形成プロセスは犠牲基板材料
の選択から開始する。図1に示されるように、めっきさ
れてクラスタを形成する金属層10に、複数のくぼみ1
2が提供される。くぼみは相互接続されるコンタクトの
パターンに従いパターン化される。上述のようにランダ
ム・パターンも使用され得る。パターンはフォトリソグ
ラフにより定義され、くぼみが打ち出しまたは他の手段
により形成され得る。打ち出しの深さは、クラスタが膜
の表面を越えて延びる所望の距離に対応する。
系のフィラメントのクラスタの、選択済みのパターンを
めっきすることにより開始する。パターンは、相互接続
される部品及び基板のパターンに一致するように選択さ
れる。図を参照すると、膜形成プロセスは犠牲基板材料
の選択から開始する。図1に示されるように、めっきさ
れてクラスタを形成する金属層10に、複数のくぼみ1
2が提供される。くぼみは相互接続されるコンタクトの
パターンに従いパターン化される。上述のようにランダ
ム・パターンも使用され得る。パターンはフォトリソグ
ラフにより定義され、くぼみが打ち出しまたは他の手段
により形成され得る。打ち出しの深さは、クラスタが膜
の表面を越えて延びる所望の距離に対応する。
【0014】次のステップでは、フォトマスク16が金
属層10の上面14に付着され、開口18が打ち出され
た領域12に位置合わせされる。マスクのパターンは犠
牲金属キャリア10上に、フォトリソグラフにより定義
され得る。その後、相互接続クラスタ20が電気めっき
される。電気めっき法は、100mA/cm2乃至10
00mA/cm2の範囲の高電流密度を使用する以外は
従来通りである。高電流密度はマスクを通じて金属のめ
っきを生成し、クラスタが分岐した樹状の金属フィラメ
ントから形成される。図3は、クラスタ20の領域Aの
拡大図を示す。
属層10の上面14に付着され、開口18が打ち出され
た領域12に位置合わせされる。マスクのパターンは犠
牲金属キャリア10上に、フォトリソグラフにより定義
され得る。その後、相互接続クラスタ20が電気めっき
される。電気めっき法は、100mA/cm2乃至10
00mA/cm2の範囲の高電流密度を使用する以外は
従来通りである。高電流密度はマスクを通じて金属のめ
っきを生成し、クラスタが分岐した樹状の金属フィラメ
ントから形成される。図3は、クラスタ20の領域Aの
拡大図を示す。
【0015】次に、フォトマスク16が除去され、電気
めっきされた金属系フィラメント21の定義済みクラス
タ20が残される。その後、誘電接着層22が金属系ク
ラスタの周囲にポットされ、図4に示されるように、導
電性相互接続のためのクラスタのパターンを有する誘電
接着膜が形成される。膜の犠牲金属キャリア10を優先
的にエッチングすることにより、めっきされた金属クラ
スタが接着膜と一緒に解放される。図5に示されるよう
に、解放された膜24がチップ、カードまたは、チップ
28のC4パッド26などの基板パッドに位置合わせさ
れ、電気接続及びカプセル封じのために基板32の結合
コンタクト・パッド30に熱的に積層される。接着剤も
また、熱伝導率及び熱膨張を目的のアプリケーションに
適合化するために分散した(誘電性の)充填剤を含んで
もよい。
めっきされた金属系フィラメント21の定義済みクラス
タ20が残される。その後、誘電接着層22が金属系ク
ラスタの周囲にポットされ、図4に示されるように、導
電性相互接続のためのクラスタのパターンを有する誘電
接着膜が形成される。膜の犠牲金属キャリア10を優先
的にエッチングすることにより、めっきされた金属クラ
スタが接着膜と一緒に解放される。図5に示されるよう
に、解放された膜24がチップ、カードまたは、チップ
28のC4パッド26などの基板パッドに位置合わせさ
れ、電気接続及びカプセル封じのために基板32の結合
コンタクト・パッド30に熱的に積層される。接着剤も
また、熱伝導率及び熱膨張を目的のアプリケーションに
適合化するために分散した(誘電性の)充填剤を含んで
もよい。
【0016】別の形成方法では、誘電接着剤40がキャ
リア基板42の上面に形成される(図6)。完成された
金属マスクが次に接着層の上面に配置される。金属マス
クは、特定の領域に位置合わせされるようにパターン化
される開口46を有し、これらの領域は打ち出しされて
もされなくてもよい(図7参照)。接着層が次に、金属
マスク内の開口を通じてレーザ切除され、開口48が形
成される(図8)。クラスタ50が次に接着層内の開口
を通じてめっきされる(図9)。その後、金属マスク及
びキャリア層が除去され、導電性フィラメント51のク
ラスタがパターン化された誘電接着膜を含む相互接続構
造52が取り残される(図10)。
リア基板42の上面に形成される(図6)。完成された
金属マスクが次に接着層の上面に配置される。金属マス
クは、特定の領域に位置合わせされるようにパターン化
される開口46を有し、これらの領域は打ち出しされて
もされなくてもよい(図7参照)。接着層が次に、金属
マスク内の開口を通じてレーザ切除され、開口48が形
成される(図8)。クラスタ50が次に接着層内の開口
を通じてめっきされる(図9)。その後、金属マスク及
びキャリア層が除去され、導電性フィラメント51のク
ラスタがパターン化された誘電接着膜を含む相互接続構
造52が取り残される(図10)。
【0017】本発明の選択的に充填される接着膜は電気
性能を改善し、従来の等方性の導電性接着剤に関連する
処理を単純化する。棒状または樹状のフィラメントの方
向は、連続性において粒子間接触に対する依存性を最小
化する。支柱の無い膜24が分散レオロジに関する問題
を排除し、相互接続が意図される場所で充填剤の凝縮の
増加を可能にする。
性能を改善し、従来の等方性の導電性接着剤に関連する
処理を単純化する。棒状または樹状のフィラメントの方
向は、連続性において粒子間接触に対する依存性を最小
化する。支柱の無い膜24が分散レオロジに関する問題
を排除し、相互接続が意図される場所で充填剤の凝縮の
増加を可能にする。
【0018】選択的充填は、異方性の導電性接着剤に勝
る改善である。従来の異方性膜は、充填剤がランダムに
且つ一様に充填されるので、統計的にXY平面内におい
て、粒子間の相互接続が特定の最小距離を越える見込み
がない。より微細なピッチを提供するために充填剤の充
填が減少され、XY接続が統計的に可能な距離を減少す
る。欠点としては、パッド間を相互接続する分野におい
て粒子密度が減少することである。従って、より少ない
粒子が単位面積当たりのz軸接続を形成し、信頼性が低
下する。従来の異方性膜と異なり、選択的充填は体積電
導率における臨界体積率よりも高い局所化した導体凝縮
を可能にする。絶縁が導電性充填剤を含まない接着剤領
域により保証される。これらの膜はギャップを充填す
る。
る改善である。従来の異方性膜は、充填剤がランダムに
且つ一様に充填されるので、統計的にXY平面内におい
て、粒子間の相互接続が特定の最小距離を越える見込み
がない。より微細なピッチを提供するために充填剤の充
填が減少され、XY接続が統計的に可能な距離を減少す
る。欠点としては、パッド間を相互接続する分野におい
て粒子密度が減少することである。従って、より少ない
粒子が単位面積当たりのz軸接続を形成し、信頼性が低
下する。従来の異方性膜と異なり、選択的充填は体積電
導率における臨界体積率よりも高い局所化した導体凝縮
を可能にする。絶縁が導電性充填剤を含まない接着剤領
域により保証される。これらの膜はギャップを充填す
る。
【0019】本発明は次の特徴及び利点を提供する。 1.複合膜が誘電接着剤マトリックス内にフォトリソグ
ラフィック分解能でパターン化され、方向付けられる導
電性のクラスタを含む。 2.同時電気相互接続及びカプセル封じのためのプロセ
ス。 3.熱または選択的溶解を通じて再加工可能な電気相互
接続手段。 4.ギャップ充填能力を有するz軸導電性接着膜。 5.高い応力、低い法線力のz軸導電性接着膜。 6.キャリア上の絶縁膜及び部品パッドを貫通可能な分
岐フィラメント。 7.現z軸接着剤により可能なよりも高密度の微細ピッ
チ能力。 8.分散される絶縁性充填剤の追加による、体積膜の熱
電導率及び熱膨張の制御。 9.接着剤組成の操作による、接合温度の制御。エポキ
シの分解温度以下での接合が可能。 10.低い体積抵抗率を有する電気めっきされたクラス
タの鋭く尖ったコンタクト表面が、貫通する大きな表面
積、安定且つ低い接触抵抗のコンタクト機構を提供す
る。
ラフィック分解能でパターン化され、方向付けられる導
電性のクラスタを含む。 2.同時電気相互接続及びカプセル封じのためのプロセ
ス。 3.熱または選択的溶解を通じて再加工可能な電気相互
接続手段。 4.ギャップ充填能力を有するz軸導電性接着膜。 5.高い応力、低い法線力のz軸導電性接着膜。 6.キャリア上の絶縁膜及び部品パッドを貫通可能な分
岐フィラメント。 7.現z軸接着剤により可能なよりも高密度の微細ピッ
チ能力。 8.分散される絶縁性充填剤の追加による、体積膜の熱
電導率及び熱膨張の制御。 9.接着剤組成の操作による、接合温度の制御。エポキ
シの分解温度以下での接合が可能。 10.低い体積抵抗率を有する電気めっきされたクラス
タの鋭く尖ったコンタクト表面が、貫通する大きな表面
積、安定且つ低い接触抵抗のコンタクト機構を提供す
る。
【0020】更に、直径50μmのクラスタは異方性接
着剤において典型的な10μmの単一サイズの粒子より
も、非平坦性を許容できる。樹状のフィラメントはパラ
ジウムであり、銀と同じマイグレーション問題を生じな
い。これらの固体金属の特徴は金属面上の膜を貫通し、
安定な接触抵抗を保証する高い法線応力を保持する鋭い
でこぼこを提供することである。本発明は優れたXY分
離を有する。なぜなら、樹状のフィラメントのクラスタ
がパターン化され得るからである。更に、樹状フィラメ
ントの密なパック詰めにより、相互接続が低い総接触抵
抗を有する。パターン化は接触抵抗を改善するための方
法である。通常、異方性接着剤は、XY平面接続が発生
しないことを保証するために、パーコレーションしきい
値充填以下のランダムな粒子分散を使用する。パターン
化により、粒子密度が増加され得る。なぜなら、粒子が
所望の相互接続ポイントにのみ配置されるからである。
パターン化は、接着剤マトリックスに機械的に穴を開け
ることにより、またはレーザ・アブレーションにより達
成される。導電ペースト材料がスクリーニングされ、穴
を充填する。次に形成のための3つの実施例を示す。 1.XY絶縁が保証されるように、樹状要素を金属表面
上にある密度でランダムにめっきする。樹状要素のフィ
ールドが含まれるように接着剤を流し込み、スクリーニ
ングし、スプレイまたはスピン・コーティングする。樹
状要素がめっきされた金属基板を化学的にエッチング
し、導電性接着膜を解放する。 2.フォトリソグラフィック・プロセスにより、接着膜
内にパターンを定義し、次に樹状要素をパターン化され
た穴内にめっきする。 3.接着される一方または両方の被着材の相互接続パッ
ドが、樹状要素により用意される。非導電性接着剤が位
置整合された被着材間に配置される。第1の面の樹状要
素が第2の面と電気的に接触するように、接着剤を押し
込めるために、適切な温度、力及び滞留時間が適用され
る。接着剤は再加工可能な熱可塑性材料、または熱硬化
性の再加工不能な材料のいずれかである。樹状要素の上
述の特徴が、低い法線応力(20グラム)において、確
実な接触を提供する。
着剤において典型的な10μmの単一サイズの粒子より
も、非平坦性を許容できる。樹状のフィラメントはパラ
ジウムであり、銀と同じマイグレーション問題を生じな
い。これらの固体金属の特徴は金属面上の膜を貫通し、
安定な接触抵抗を保証する高い法線応力を保持する鋭い
でこぼこを提供することである。本発明は優れたXY分
離を有する。なぜなら、樹状のフィラメントのクラスタ
がパターン化され得るからである。更に、樹状フィラメ
ントの密なパック詰めにより、相互接続が低い総接触抵
抗を有する。パターン化は接触抵抗を改善するための方
法である。通常、異方性接着剤は、XY平面接続が発生
しないことを保証するために、パーコレーションしきい
値充填以下のランダムな粒子分散を使用する。パターン
化により、粒子密度が増加され得る。なぜなら、粒子が
所望の相互接続ポイントにのみ配置されるからである。
パターン化は、接着剤マトリックスに機械的に穴を開け
ることにより、またはレーザ・アブレーションにより達
成される。導電ペースト材料がスクリーニングされ、穴
を充填する。次に形成のための3つの実施例を示す。 1.XY絶縁が保証されるように、樹状要素を金属表面
上にある密度でランダムにめっきする。樹状要素のフィ
ールドが含まれるように接着剤を流し込み、スクリーニ
ングし、スプレイまたはスピン・コーティングする。樹
状要素がめっきされた金属基板を化学的にエッチング
し、導電性接着膜を解放する。 2.フォトリソグラフィック・プロセスにより、接着膜
内にパターンを定義し、次に樹状要素をパターン化され
た穴内にめっきする。 3.接着される一方または両方の被着材の相互接続パッ
ドが、樹状要素により用意される。非導電性接着剤が位
置整合された被着材間に配置される。第1の面の樹状要
素が第2の面と電気的に接触するように、接着剤を押し
込めるために、適切な温度、力及び滞留時間が適用され
る。接着剤は再加工可能な熱可塑性材料、または熱硬化
性の再加工不能な材料のいずれかである。樹状要素の上
述の特徴が、低い法線応力(20グラム)において、確
実な接触を提供する。
【0021】分岐した金属系フィラメントの付着は、ニ
ッケルまたは銅基板上のパラジウム電気めっきにより実
証される。しかしながら、任意の貴金属がめっき材料と
して使用され得る。金属系は確立されたフォトリソグラ
フィック処理によりパターン化される。誘電接着膜は、
市販のまたはインハウスの組成により入手可能である
(例えば熱可塑性ポリイミド・シロキサンまたはポリス
ルホン)。これらの接着剤は、貴金属を充填した等方性
導体アプリケーションにおいて、十分に特徴付けられ
る。
ッケルまたは銅基板上のパラジウム電気めっきにより実
証される。しかしながら、任意の貴金属がめっき材料と
して使用され得る。金属系は確立されたフォトリソグラ
フィック処理によりパターン化される。誘電接着膜は、
市販のまたはインハウスの組成により入手可能である
(例えば熱可塑性ポリイミド・シロキサンまたはポリス
ルホン)。これらの接着剤は、貴金属を充填した等方性
導体アプリケーションにおいて、十分に特徴付けられ
る。
【0022】本開示はマイクロエレクトロニクス業界に
おいて、セラミック、エポキシ、TABまたは可撓性コ
ネクタ及び基板のロウ・エンドからハイ・エンドに及ぶ
パッケージングにおいて、素子の相互接続または直接チ
ップ付着のために使用され得る。
おいて、セラミック、エポキシ、TABまたは可撓性コ
ネクタ及び基板のロウ・エンドからハイ・エンドに及ぶ
パッケージングにおいて、素子の相互接続または直接チ
ップ付着のために使用され得る。
【0023】本開示は、電気接合のためのはんだの代替
物を提供する。選択的に充填される接着膜が、処理の単
純化、適用範囲の拡大及び使用可能な相互接続技術に勝
る性能の改善を提供する。膜が電気相互接続プロセス及
びカプセル封じプロセスを統合する。膜はギャップ充填
を要求する共面公差との相互接続に適用可能である。
物を提供する。選択的に充填される接着膜が、処理の単
純化、適用範囲の拡大及び使用可能な相互接続技術に勝
る性能の改善を提供する。膜が電気相互接続プロセス及
びカプセル封じプロセスを統合する。膜はギャップ充填
を要求する共面公差との相互接続に適用可能である。
【0024】本発明の樹状クラスタは、でこぼこな接点
間における高い応力点の利点を有し、本質的に低く、よ
り安定な接触抵抗を提供する。加えて、樹状要素を有す
る厚い相互接続ギャップの能力が存在する(従来技術の
10μmに対して50μm)。共面性及び可撓性の要求
が従来技術に比較して厳しくない。
間における高い応力点の利点を有し、本質的に低く、よ
り安定な接触抵抗を提供する。加えて、樹状要素を有す
る厚い相互接続ギャップの能力が存在する(従来技術の
10μmに対して50μm)。共面性及び可撓性の要求
が従来技術に比較して厳しくない。
【0025】本発明は特に好適な実施例に関連して述べ
られてきたが、当業者には、本発明の趣旨及び範囲から
逸脱すること無しに、その形態及び詳細における様々な
変更が可能であることが理解されよう。
られてきたが、当業者には、本発明の趣旨及び範囲から
逸脱すること無しに、その形態及び詳細における様々な
変更が可能であることが理解されよう。
【0026】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【0027】(1)対向する第1及び第2の面、及び前
記第1の面から前記第2の面に延びる複数のスルーホー
ルを有する誘電接着膜と、前記第1及び第2の面を越え
て延びる導電性フィラメントのクラスタにより充填され
る前記スルーホールと、を含む、相互接続及びカプセル
封じ構造。 (2)前記誘電接着膜が熱可塑性材料を含む、前記
(1)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (3)前記熱可塑性材料がポリイミド・シロキサンであ
る、前記(2)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (4)前記熱可塑性材料がポリスルフォンである、前記
(2)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (5)複数の第1のコンタクト位置を有する第1の基板
と、複数の第2のコンタクト位置を有する第2の基板
と、複数の導電性フィラメントを含む複数の相互接続ク
ラスタ手段を有する誘電接着膜とを含み、前記フィラメ
ントが前記膜を通じて延び、前記膜が前記第1及び第2
の基板間に挟まれ、前記複数の相互接続クラスタ手段が
前記第1及び第2のコンタクト位置を電気的に接続す
る、相互接続及びカプセル封じ構造。 (6)前記膜が前記第1及び第2のコンタクト位置にお
いて、電気回路部品をカプセル封じする、前記(5)記
載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (7)前記電気回路部品が、電気回路への電気接続を形
成する手段を含む、前記(6)記載の相互接続及びカプ
セル封じ構造。 (8)前記複数の導電性フィラメントが、前記誘電接着
剤内の事前に選択された位置の対応する複数のスルーホ
ールを通じて延びる、前記(5)記載の相互接続及びカ
プセル封じ構造。 (9)前記誘電接着膜が熱可塑性材料を含む、前記
(5)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (10)前記熱可塑性材料がポリイミド・シロキサンで
ある、前記(9)記載の相互接続及びカプセル封じ構
造。 (11)前記熱可塑性材料がポリスルフォンである、前
記(9)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (12)相互接続及びカプセル封じ構造を形成する方法
であって、対向する第1及び第2の面を有する誘電接着
膜を提供するステップと、前記第1の面から前記第2の
面に延びる複数のスルーホールを選択的に形成するステ
ップと、前記スルーホールの各々を、前記第1及び第2
の面を越えて延びる導電性フィラメントのクラスタによ
り充填するステップと、を含む、方法。 (13)導電材料層上に前記誘電接着剤層を提供するス
テップと、前記スルーホールを通じて金属を電気めっき
し、前記導電性フィラメントのクラスタを形成するステ
ップと、前記導電材料層を選択的に除去するステップ
と、を含む、前記(12)記載の方法。 (14)相互接続及びカプセル封じ構造を形成する方法
であって、導電材料層を提供するステップと、前記導電
材料層の第1の面上に導電性フィラメントの複数のクラ
スタを選択的に形成するステップと、前記複数のクラス
タを囲む前記導電材料の前記第1の面上に、誘電接着剤
層を形成するステップと、前記導電材料層を選択的に除
去するステップと、を含む、方法。 (15)複数のクラスタを選択的に形成する前記ステッ
プが、前記導電材料層の前記第1の面上にマスクを付着
するステップと、フォトリソグラフにより前記マスク上
にパターンを定義するステップと、前記パターンに対応
して、前記マスク内に複数のスルーホールを選択的に形
成するステップと、前記スルーホールを通じて金属を電
気めっきするステップと、前記マスクを除去するステッ
プと、を含む、前記(14)記載の方法。 (16)前記マスク内の前記複数のスルーホールが、前
記導電材料層内のくぼんだ領域と位置合わせされる、前
記(15)記載の方法。 (17)誘電充填剤を前記接着剤層内に分散し、前記誘
電接着膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択するステッ
プを含む、前記(12)記載の方法。 (18)誘電充填剤を前記接着剤層内に分散し、前記誘
電接着膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択するステッ
プを含む、前記(14)記載の方法。 (19)前記誘電接着膜が分散した誘電充填剤を含み、
前記膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択する、前記
(1)記載の構造。 (20)対向する第1及び第2の面、及び前記第1の面
から前記第2の面に延びる複数のスルーホールを有する
誘電接着膜と、導電性フィラメントのクラスタにより充
填される前記スルーホールと、を含む、相互接続構造。
記第1の面から前記第2の面に延びる複数のスルーホー
ルを有する誘電接着膜と、前記第1及び第2の面を越え
て延びる導電性フィラメントのクラスタにより充填され
る前記スルーホールと、を含む、相互接続及びカプセル
封じ構造。 (2)前記誘電接着膜が熱可塑性材料を含む、前記
(1)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (3)前記熱可塑性材料がポリイミド・シロキサンであ
る、前記(2)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (4)前記熱可塑性材料がポリスルフォンである、前記
(2)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (5)複数の第1のコンタクト位置を有する第1の基板
と、複数の第2のコンタクト位置を有する第2の基板
と、複数の導電性フィラメントを含む複数の相互接続ク
ラスタ手段を有する誘電接着膜とを含み、前記フィラメ
ントが前記膜を通じて延び、前記膜が前記第1及び第2
の基板間に挟まれ、前記複数の相互接続クラスタ手段が
前記第1及び第2のコンタクト位置を電気的に接続す
る、相互接続及びカプセル封じ構造。 (6)前記膜が前記第1及び第2のコンタクト位置にお
いて、電気回路部品をカプセル封じする、前記(5)記
載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (7)前記電気回路部品が、電気回路への電気接続を形
成する手段を含む、前記(6)記載の相互接続及びカプ
セル封じ構造。 (8)前記複数の導電性フィラメントが、前記誘電接着
剤内の事前に選択された位置の対応する複数のスルーホ
ールを通じて延びる、前記(5)記載の相互接続及びカ
プセル封じ構造。 (9)前記誘電接着膜が熱可塑性材料を含む、前記
(5)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (10)前記熱可塑性材料がポリイミド・シロキサンで
ある、前記(9)記載の相互接続及びカプセル封じ構
造。 (11)前記熱可塑性材料がポリスルフォンである、前
記(9)記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 (12)相互接続及びカプセル封じ構造を形成する方法
であって、対向する第1及び第2の面を有する誘電接着
膜を提供するステップと、前記第1の面から前記第2の
面に延びる複数のスルーホールを選択的に形成するステ
ップと、前記スルーホールの各々を、前記第1及び第2
の面を越えて延びる導電性フィラメントのクラスタによ
り充填するステップと、を含む、方法。 (13)導電材料層上に前記誘電接着剤層を提供するス
テップと、前記スルーホールを通じて金属を電気めっき
し、前記導電性フィラメントのクラスタを形成するステ
ップと、前記導電材料層を選択的に除去するステップ
と、を含む、前記(12)記載の方法。 (14)相互接続及びカプセル封じ構造を形成する方法
であって、導電材料層を提供するステップと、前記導電
材料層の第1の面上に導電性フィラメントの複数のクラ
スタを選択的に形成するステップと、前記複数のクラス
タを囲む前記導電材料の前記第1の面上に、誘電接着剤
層を形成するステップと、前記導電材料層を選択的に除
去するステップと、を含む、方法。 (15)複数のクラスタを選択的に形成する前記ステッ
プが、前記導電材料層の前記第1の面上にマスクを付着
するステップと、フォトリソグラフにより前記マスク上
にパターンを定義するステップと、前記パターンに対応
して、前記マスク内に複数のスルーホールを選択的に形
成するステップと、前記スルーホールを通じて金属を電
気めっきするステップと、前記マスクを除去するステッ
プと、を含む、前記(14)記載の方法。 (16)前記マスク内の前記複数のスルーホールが、前
記導電材料層内のくぼんだ領域と位置合わせされる、前
記(15)記載の方法。 (17)誘電充填剤を前記接着剤層内に分散し、前記誘
電接着膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択するステッ
プを含む、前記(12)記載の方法。 (18)誘電充填剤を前記接着剤層内に分散し、前記誘
電接着膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択するステッ
プを含む、前記(14)記載の方法。 (19)前記誘電接着膜が分散した誘電充填剤を含み、
前記膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択する、前記
(1)記載の構造。 (20)対向する第1及び第2の面、及び前記第1の面
から前記第2の面に延びる複数のスルーホールを有する
誘電接着膜と、導電性フィラメントのクラスタにより充
填される前記スルーホールと、を含む、相互接続構造。
【図1】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する1
方法において、金属層10にクラスタに対応するくぼみ
12を形成する工程を示す図である。
方法において、金属層10にクラスタに対応するくぼみ
12を形成する工程を示す図である。
【図2】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する1
方法において、フォトマスク16を金属層10の上面1
4に付着する工程を示す図である。
方法において、フォトマスク16を金属層10の上面1
4に付着する工程を示す図である。
【図3】クラスタ20の領域Aの拡大図を示す。
【図4】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する1
方法において、フォトマスク16を除去し、その後、誘
電接着層22を金属系クラスタの周囲にポットする工程
を示す図である。
方法において、フォトマスク16を除去し、その後、誘
電接着層22を金属系クラスタの周囲にポットする工程
を示す図である。
【図5】本発明の誘電接着膜による素子の相互接続を示
す図である。
す図である。
【図6】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する第
2の方法において、誘電接着剤40をキャリア基板42
の上面に形成する工程を示す図である。
2の方法において、誘電接着剤40をキャリア基板42
の上面に形成する工程を示す図である。
【図7】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する第
2の方法において、完成された金属マスクを接着層の上
面に配置する工程を示す図である。
2の方法において、完成された金属マスクを接着層の上
面に配置する工程を示す図である。
【図8】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する第
2の方法において、金属マスク内の開口を通じて接着層
をレーザ切除する工程を示す図である。
2の方法において、金属マスク内の開口を通じて接着層
をレーザ切除する工程を示す図である。
【図9】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する第
2の方法において、クラスタ50を接着層内の開口を通
じてめっきする工程を示す図である。
2の方法において、クラスタ50を接着層内の開口を通
じてめっきする工程を示す図である。
【図10】本発明の誘電接着膜相互接続構造を形成する
第2の方法において、金属マスク及びキャリア層を除去
する工程を示す図である。
第2の方法において、金属マスク及びキャリア層を除去
する工程を示す図である。
10、42 犠牲金属キャリア 12 相互接続クラスタに対応するくぼみ 14 上面 16 フォトマスク 18、46、48 開口 20、50 相互接続クラスタ 21 金属系フィラメント 22、40 誘電接着層 24 支柱の無い膜 26 C4パッド 28 チップ 30 結合コンタクト・パッド 32 基板 42 キャリア基盤 44 金属マスク 51 導電性フィラメント 52 相互接続構造
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャイナル・アベディン・モラ アメリカ合衆国85224、アリゾナ州チャン ドラー、アパートメント 184、ウエス ト・ハイランド・ストリート 2900 (72)発明者 スティーブン・ポール・オストランダー アメリカ合衆国12302、ニューヨーク州ス コティア、セイント・ステファンス・レー ン 6 (72)発明者 ジュディス・マリー・ロルダン アメリカ合衆国10562、ニューヨーク州オ シニング、ウィロー・ストリート 15 (72)発明者 ジョージ・ジョン・サクセンメイヤー アメリカ合衆国13732、ニューヨーク州ア パラチン、バートン・ロード 612 (72)発明者 ジョージ・フレデリック・ウォルカー アメリカ合衆国10028、ニューヨーク州ニ ューヨーク、アパートメント 11ケイ、ヨ ーク・アベニュー 1540
Claims (20)
- 【請求項1】対向する第1及び第2の面、及び前記第1
の面から前記第2の面に延びる複数のスルーホールを有
する誘電接着膜と、 前記第1及び第2の面を越えて延びる導電性フィラメン
トのクラスタにより充填される前記スルーホールと、 を含む、相互接続及びカプセル封じ構造。 - 【請求項2】前記誘電接着膜が熱可塑性材料を含む、請
求項1記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 - 【請求項3】前記熱可塑性材料がポリイミド・シロキサ
ンである、請求項2記載の相互接続及びカプセル封じ構
造。 - 【請求項4】前記熱可塑性材料がポリスルフォンであ
る、請求項2記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 - 【請求項5】複数の第1のコンタクト位置を有する第1
の基板と、 複数の第2のコンタクト位置を有する第2の基板と、 複数の導電性フィラメントを含む複数の相互接続クラス
タ手段を有する誘電接着膜とを含み、前記フィラメント
が前記膜を通じて延び、前記膜が前記第1及び第2の基
板間に挟まれ、前記複数の相互接続クラスタ手段が前記
第1及び第2のコンタクト位置を電気的に接続する、相
互接続及びカプセル封じ構造。 - 【請求項6】前記膜が前記第1及び第2のコンタクト位
置において、電気回路部品をカプセル封じする、請求項
5記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 - 【請求項7】前記電気回路部品が、電気回路への電気接
続を形成する手段を含む、請求項6記載の相互接続及び
カプセル封じ構造。 - 【請求項8】前記複数の導電性フィラメントが、前記誘
電接着剤内の事前に選択された位置の対応する複数のス
ルーホールを通じて延びる、請求項5記載の相互接続及
びカプセル封じ構造。 - 【請求項9】前記誘電接着膜が熱可塑性材料を含む、請
求項5記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 - 【請求項10】前記熱可塑性材料がポリイミド・シロキ
サンである、請求項9記載の相互接続及びカプセル封じ
構造。 - 【請求項11】前記熱可塑性材料がポリスルフォンであ
る、請求項9記載の相互接続及びカプセル封じ構造。 - 【請求項12】相互接続及びカプセル封じ構造を形成す
る方法であって、 対向する第1及び第2の面を有する誘電接着膜を提供す
るステップと、 前記第1の面から前記第2の面に延びる複数のスルーホ
ールを選択的に形成するステップと、 前記スルーホールの各々を、前記第1及び第2の面を越
えて延びる導電性フィラメントのクラスタにより充填す
るステップと、 を含む、方法。 - 【請求項13】導電材料層上に前記誘電接着剤層を提供
するステップと、 前記スルーホールを通じて金属を電気めっきし、前記導
電性フィラメントのクラスタを形成するステップと、 前記導電材料層を選択的に除去するステップと、 を含む、請求項12記載の方法。 - 【請求項14】相互接続及びカプセル封じ構造を形成す
る方法であって、 導電材料層を提供するステップと、 前記導電材料層の第1の面上に導電性フィラメントの複
数のクラスタを選択的に形成するステップと、 前記複数のクラスタを囲む前記導電材料の前記第1の面
上に、誘電接着剤層を形成するステップと、 前記導電材料層を選択的に除去するステップと、 を含む、方法。 - 【請求項15】複数のクラスタを選択的に形成する前記
ステップが、 前記導電材料層の前記第1の面上にマスクを付着するス
テップと、 フォトリソグラフにより前記マスク上にパターンを定義
するステップと、 前記パターンに対応して、前記マスク内に複数のスルー
ホールを選択的に形成するステップと、 前記スルーホールを通じて金属を電気めっきするステッ
プと、 前記マスクを除去するステップと、 を含む、請求項14記載の方法。 - 【請求項16】前記マスク内の前記複数のスルーホール
が、前記導電材料層内のくぼんだ領域と位置合わせされ
る、請求項15記載の方法。 - 【請求項17】誘電充填剤を前記接着剤層内に分散し、
前記誘電接着膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択する
ステップを含む、請求項12記載の方法。 - 【請求項18】誘電充填剤を前記接着剤層内に分散し、
前記誘電接着膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択する
ステップを含む、請求項14記載の方法。 - 【請求項19】前記誘電接着膜が分散した誘電充填剤を
含み、前記膜の熱伝導率及び熱膨張を事前に選択する、
請求項1記載の構造。 - 【請求項20】対向する第1及び第2の面、及び前記第
1の面から前記第2の面に延びる複数のスルーホールを
有する誘電接着膜と、 導電性フィラメントのクラスタにより充填される前記ス
ルーホールと、 を含む、相互接続構造。
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US08/678852 | 1996-07-12 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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-
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1997
- 1997-06-05 KR KR1019970023234A patent/KR100258651B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-07-02 JP JP9176679A patent/JPH1065070A/ja active Pending
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