JP2007504769A - 高出力増幅器のための零入力電流制御回路 - Google Patents

高出力増幅器のための零入力電流制御回路 Download PDF

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Abstract

増幅器に結合されるバイアス回路を制御するための制御回路が開示される。例示的なバイアス制御回路は、制御電圧を受取るための手段と、その制御電圧に応答してバイアス制御回路の等価抵抗を能動的に調整するための手段とを含み、等価抵抗は第1のノードと基準電圧との間に設定される。1つの実施例では、制御電圧が増加されるとき、等価抵抗は徐々に減少され、バイアス制御回路によって引込まれる電流は徐々に増加され、その結果、増幅器トランジスタの零入力電流は徐々に増加される。

Description

発明の背景
1.発明の分野
この発明は一般に、半導体の分野における発明である。より具体的には、この発明は半導体回路および増幅器の分野における発明である。
2.関連技術
バイポーラ技術に基づく増幅器は、たとえば無線周波数(「RF」)通信などの無線通信を含むさまざまな用途において幅広く使用される。バイアス回路は、増幅器におけるバイポーラトランジスタの動作モードを制御するためにバイポーラトランジスタにベースバイアス電流を供給することによって、重要な機能を果たす。
デジタルモード制御回路は、高出力増幅器における低出力モード動作のための、電流および電力の消費を低減するために使用されてきた。しかしながら、デジタルモード制御回路は低出力モードから高出力モードへのただ1つの急激な遷移点を有し、この遷移点は、特に非常に低い出力モード動作の間に、電流消費の節減を実質的に制限する。
電流消費をより一層節減するために、追加のCMOSダイにおけるCMOS回路が高出力増幅器において利用されてきた。この構成により、CMOS回路は向上したアナログ制御電圧を増幅器のバイポーラトランジスタのベースバイアスの中に与えることができ、その結果、零入力電流が非常に低い出力レベルから実質的に連続的に遷移する。このように、低出力モードの場合であっても、電流消費は大幅に低減されることが可能である。しかしながら、別個のCMOSダイを増幅器に追加することにより、結果として、装置の大きさが大きくなるとともにコストが増大することになり、それらはともに望ましくない。
したがって、高出力増幅器のための零入力電流制御回路が当該技術分野において強く必要とされる。
発明の概要
この発明は、高出力増幅器のための零入力電流制御回路に向けられる。1つの例示的な実施例では、制御回路は、たとえば高出力CDMA増幅器などの増幅器に結合されるバイアス回路を制御する。バイアス回路は、第1のバイアストランジスタ、第2のバイアストランジスタ、および第3のバイアストランジスタを含み、増幅器トランジスタのベースは第2のバイアストランジスタのエミッタに結合され、第2のバイアストランジスタのベースは第1のバイアストランジスタのベースおよび第3のバイアストランジスタのコレクタに結合され、第3のバイアストランジスタのベースは第1のバイアストランジスタのエミッタおよび第1のノードにおいてバイアス制御回路に結合される。
1つの実施例では、バイアス制御回路は、制御電圧を受取るための手段と、その制御電圧に応答してバイアス制御回路の等価抵抗を能動的に調整するための手段とを含み、等価抵抗は第1のノードと、たとえば接地などの基準電圧との間に設定される。たとえば、1つの実施例では、制御電圧が増加されるとき、等価抵抗は徐々に減少され、バイアス制御回路によって引込まれる電流は徐々に増加され、その結果、増幅器トランジスタの零入力
電流は徐々に増加される。そのようにして、増幅器トランジスタの連続的な零入力電流の制御が達成され、電流および電力の消費は大幅に節減される。
1つの実施例に従って、バイアス制御回路、バイアス回路、および増幅器トランジスタはバイポーラ技術に基づく。そのようにして、バイアス制御回路、バイアス回路、および増幅器トランジスタは単一のダイに統合されることができ、装置の大きさおよび装置のコストは大幅に低減される。
この発明の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および添付の図面を再検討した後、より容易に当業者に明らかになる。
発明の詳細な説明
この発明は、高出力増幅器のための零入力電流制御回路に向けられる。以下の記載は、この発明の実現例に関係する具体的な情報を含む。この発明がこの出願の中に具体的に記載されるものとは異なる態様で実現されてもよいことを当業者は認識する。さらに、この発明を曖昧にしないように、いくつかのこの発明の具体的な詳細は記載されていない。この出願の中に記載されない具体的な詳細は、当業者の知識の範囲内である。
この出願における図面およびその添付の詳細な説明は、この発明の単に例示的な実施例に向けられる。簡潔さを維持するために、この発明の原理を使用する、この発明の他の実施例はこの出願の中で具体的に記載されず、この図面によって具体的に示されない。
図1を参照して、この発明の1つの実施例に従って、制御回路106を含む例示的なバイアス回路102の回路図が示される。図1では、バイアス回路102は増幅器104の増幅器トランジスタ110に結合され、ベースバイアス電流108(「Ib108」)を増幅器104の増幅器トランジスタ110に供給する。増幅器104は、たとえば、高出力CDMAハンドセット増幅器などの高出力増幅器であってもよく、増幅器トランジスタ110は、たとえば、大型のヘテロ接合バイポーラトランジスタ(「HBT」)であってもよい。以下に記載されるように、制御回路106はバイポーラ技術に基づき、バイアス回路102および増幅器104と同一のダイに統合される。さらに以下に記載されるが、制御回路106は増幅器トランジスタ110の零入力電流112(「Icq112」)の動的制御および連続制御を達成し、その結果、電流および電力の消費が大幅に低減される。
図1に示されるように、バイアス回路102は、バイアストランジスタ114、116および118、ならびに抵抗器120および122を含む。バイアストランジスタ114、116および118はバイポーラトランジスタを含み、バイアストランジスタ114のベースは、ノード128において、バイアストランジスタ116のベースおよびバイアストランジスタ118のコレクタに接続される。バイアストランジスタ114は、さらに、ノード126において制御回路106に接続され、かつバイアストランジスタ118のベースに接続されるエミッタを有する。バイアストランジスタ118のエミッタは、たとえば接地132などの基準電圧に接続される。バイアストランジスタ116は、さらに、ノード130において増幅器トランジスタ110のベースに接続されるエミッタを有する。増幅器トランジスタ110のエミッタは、たとえば接地132などの基準電圧に接続される。
1つの実施例に従って、抵抗器120は約1から2キロオーム(kΩ)であり、基準電圧(「Vref」)124とノード128との間に接続され、抵抗器122は約0.5から1kΩであり、ノード130とたとえば接地132などの基準電圧との間に接続される
。別の実施例に従って、抵抗器122は省略されてもよく、その場合バイアストランジスタ116のエミッタは増幅器トランジスタ110のベースにのみ接続される。ノード134、136および138は、当該技術分野において公知であるように、バイアス電圧に接続される場合もあれば、電源電圧(「VCC」)に直接接続される場合もある。
制御回路106は、ノード126とたとえば接地132などの基準電圧との間に接続される。図1に示されるように、制御回路106は、バイアス制御トランジスタ140、ならびに抵抗器142、144、146および148を含む。抵抗器142はノード126とノード158との間に接続され、1つの実施例に従って、約2kΩである。抵抗器144はノード158とたとえば接地132などの基準電圧との間に接続され、1つの実施例に従って、約100kΩである。抵抗器146はバイアス制御トランジスタ140のエミッタとたとえば接地132などの基準電圧との間に接続され、1つの実施例に従って、約100Ωである。バイアス制御トランジスタ140はバイポーラトランジスタを含み、ノード158に接続されるコレクタ、およびノード160に接続されるベースを有する。抵抗器148はノード160と制御電圧(「Vcont」)156との間に接続され、1つの実施例に従って、約10kΩである。
動作時において、制御回路106はVcont156を受取り、ノード126と接地132との間の等価抵抗(「Req」)に対応する「基準」抵抗を与える。Reqはバイアス回路102の状態を判断し、次に、増幅器104のIcq112の状態を判断する。制御回路106では、Vcont156によって制御される能動抵抗器としてバイアス制御トランジスタ140が動作して、Vcont156が低レベルから高レベルに増加されるときにReqが徐々に減少されるようにする。たとえば、Vcont156は、約0から1.1ボルト(「V」)の低レベル、および約2から3Vの高レベルを有してもよい。抵抗器142は高モード動作のためのReqの主要な抵抗を設定し、Vcont156が高いときにIcq112を制限するように動作し、抵抗器144は低モード動作のためのReqの主要な抵抗を設定し、Vcont156が非常に低いときにベース線Icq112のために動作する。
この構成により、Vcont156が低レベルから増加されるときに、バイアス制御トランジスタ140は徐々にオンになり、その結果、バイアス制御トランジスタ140のコレクタ電流(「Ic」)162が徐々に増加される。Ic162が徐々に増加されると、制御回路106が増加された電流164を引込むように制御回路106のReqは動的に低減され、その結果、バイアストランジスタ118のベース電流(「Ib」)166およびIc168が減少される。減少されたIc168により、バイアストランジスタ116のIb170およびIc172が増加され、さらに、ノード130において増幅器トランジスタ110のVbが増加され、さらに、増幅器トランジスタ110のIb108およびIcq112が増加される。
制御回路106およびバイアス回路102の特定の構成のために、制御回路106による増幅器トランジスタ110のVbのアナログ制御の大幅な向上が達成され、その結果、非常に低い出力レベルからの連続的なIcq112の遷移がもたらされることができ、大幅な電流の節減になる。制御回路106がバイポーラ技術に基づくので、制御回路106はバイアス回路102および増幅器104と同一のダイに統合されてもよく、コストが実質的に節減され、装置の大きさが大幅に低減されることになる。
図1に示されるように、制御回路106は、さらに、抵抗器152およびダイオード154を含む温度補償回路150を含んでもよい。抵抗器152はノード160とダイオード154のアノードとの間に接続され、1つの実施例に従って、約2から5kΩである。ダイオード154はたとえばHBTダイオードであってもよく、さらに、たとえば接地1
32などの基準電圧に接続されるカソードを有する。温度補償回路150がない場合には、高温時に、バイアス制御トランジスタ140の必要な順方向バイアス電圧(ベースからエミッタへの電圧(「Vbe」)に対応する)は降下し、その結果、バイアス制御トランジスタ140のIc162が増加され、制御回路106のReqが対応して減少される。しかしながら、抵抗器152およびダイオード154がノード160においてバイアス制御トランジスタ140のベースに結合されるために、ダイオード154は、対応して増加された電流174をノード160から接地132へ引込むことによって、Ic162のいずれの増加も相殺する。これは、高温時に、バイアス制御トランジスタ140の必要な順方向バイアス電圧が降下するのと同様の理由で、ダイオード154に必要な順方向バイアス電圧が減少するからである。結果として、高温時であっても、制御回路106のReqのより優れた制御および精度が達成され、これは、上述のように、増幅器トランジスタ110のVbのアナログ制御を大幅に向上させ、かつ増幅器トランジスタ110のIcq112の連続制御を大幅に向上させ、電流および電力の消費は大幅に低減される。
ここで図2を参照して、この発明の別の実施例に従う例示的な制御回路206が示される。制御回路206は、上述のように、図1のバイアス回路102を制御し、増幅器トランジスタ110の零入力電流112の連続制御をもたらすために使用されてもよい。制御回路206は図1の制御回路106に代わるものであり、ノード226、Vcont256、および接地232はそれぞれ、図1のノード126、Vcont156、および接地132に対応する。
図2に示されるように、制御回路206は、バイアス制御トランジスタ240、抵抗器242、248、276、278および280、ならびにダイオード282を含む。抵抗器242はノード226とノード258との間に接続され、1つの実施例に従って、約2kΩである。抵抗器276はノード258とノード284との間に接続され、1つの実施例に従って、約100kΩである。抵抗器278はノード284とダイオード282のアノードとの間に接続され、1つの実施例に従って、約10から20Ωである。ダイオード282は、たとえば、約0.5Vのターンオン順方向バイアス電圧を有するショットキーダイオードであってもよく、さらに、たとえば接地232などの基準電圧に接続されるカソードを有する。抵抗器280はノード284とたとえば接地232などの基準電圧との間に接続され、1つの実施例に従って、約100Ωである。バイアス制御トランジスタ240はバイポーラトランジスタを含み、ノード258に接続されるコレクタ、およびノード284に接続されるエミッタを有する。抵抗器248はバイアス制御トランジスタ240のベースとVcont156との間に接続され、1つの実施例に従って、約10kΩである。
動作時において、制御回路206は、図1の制御回路106に関連して上述したのと実質的に同一の態様で動作する。したがって、Vcont256が低レベルから増加されるときに、バイアス制御トランジスタ240は徐々にオンになり、その結果、バイアス制御トランジスタ240のコレクタ電流(「Ic」)262が徐々に増加される。Ic262が徐々に増加されると、制御回路206が増加された電流264を引込むように制御回路206のReqは動的に低減され、図1に関連して上述したように、さらに、ノード130において増幅器トランジスタ110のVbが増加され、増幅器トランジスタ110のIb108およびIcq112が増加される。制御回路206の特定の構成のために、制御回路106による増幅器トランジスタ110のVbのアナログ制御の大幅な向上が達成され、その結果、非常に低い出力レベルからの連続的なIcq112の遷移がもたらされることができ、大幅な電流の節減になる。
図2の制御回路206は、さらに、ノード284と接地232との間に接続される、抵抗器278およびダイオード282を含む。この特定の構成では、抵抗器278およびダ
イオード282は、高モード動作のために非常に高いVcont252を有する必要性を減少させるように動作する。別の実施例に従って、図1の温度補償回路150は、上述のように温度補償と増幅器トランジスタ110の零入力電流112の連続制御の向上とをもたらすように、図2の抵抗器248とバイアス制御トランジスタ240のベースとの間に接続され得るであろう。
ここで図3を参照して、この発明の別の実施例に従う例示的な制御回路306が示される。制御回路306は、上述のように、図1のバイアス回路102を制御し、増幅器トランジスタ110の零入力電流112の連続制御をもたらすために使用されてもよく、制御回路306は図1の制御回路106に代わるものである。
図3では、Vcont356、ノード326、接地332、バイアス制御トランジスタ340、ならびに抵抗器342、344、336および348はそれぞれ、図1のVcont156、ノード126、接地132、バイアス制御トランジスタ140、ならびに抵抗器142、144、136および148に対応する。さらに図3に示されるが、温度補償回路350は、ノード360において、バイアス制御トランジスタ340のベースに接続される。温度補償回路350は、抵抗器352、ならびにダイオード353および355を含む。抵抗器352は、ノード360とダイオード353のアノードとの間に接続される。ダイオード353のカソードはダイオード355のアノードに接続され、ダイオード355のカソードはたとえば接地332などの基準電圧に接続される。ダイオード353および355は、たとえばショットキーダイオードであってもよく、各々のダイオード353および355は約0.5Vのターンオン順方向バイアス電圧を有する。このように、ダイオード353および355は、約1から1.2Vの機能的に等価のターンオン順方向バイアス電圧(つまり、ダイオード353のアノードとダイオード355のカソードとの間で測定される)を有する。したがって、制御回路306の動作は、図1の制御回路106に関連して上述したのと実質的に同一の態様で動作する。
要約すると、高出力増幅器のための零入力電流制御回路はこの発明のさまざまな実施例に従って達成され、それによって、増幅器の零入力電流の大幅なアナログ連続制御が達成され、特に低モード動作のために、電流および電力の消費が大幅に低減される。さらに、この発明の制御回路によって、より一層の温度補償が達成され、増幅器の零入力電流の制御が向上される。さらに、この発明の制御回路はバイポーラ技術に基づき、制御回路がバイアス回路および増幅器と同一のダイに統合されることを可能にし、その結果、コストが大幅に節減され、装置の大きさが低減される。
この発明の例示的な実施例の上の記載から、この発明の範囲から逸脱することなく、さまざまな技術がこの発明の概念を実現するために使用され得ることが明らかである。さらに、この発明は特定の実施例を具体的に参照して記載されてきたが、この発明の精神および範囲から逸脱することなく形状および詳細に変更がなされ得るであろうということを当業者は認識するであろう。たとえば、上述した、バイアス回路102ならびに制御回路106、206および306のための特定の抵抗値は、この発明の範囲から逸脱することなく修正され得る。記載される例示的な実施例は、すべての点において、例示的なものとして考えられるべきであり、限定的なものとして考えられるべきではない。この発明は本明細書に記載される特定の例示的な実施例に限定されないが、この発明の範囲から逸脱することなく多くの再構成、修正、および置換が可能であることも理解されるべきである。
したがって、高出力増幅器のための零入力電流制御回路が説明されてきた。
この発明の1つの実施例に従う、高出力増幅器のための例示的なバイアス回路の回路図を示す。 この発明の1つの実施例に従う、例示的な制御回路の回路図を示す。 この発明の別の実施例に従う、例示的な制御回路の回路図を示す。

Claims (20)

  1. バイアス回路のためのバイアス制御回路であって、前記バイアス回路は増幅器トランジスタに結合され、第1のバイアストランジスタ、第2のバイアストランジスタ、および第3のバイアストランジスタをさらに含み、前記増幅器トランジスタのベースは前記第2のバイアストランジスタのエミッタに結合され、前記第2のバイアストランジスタのベースは前記第1のバイアストランジスタのベースおよび前記第3のバイアストランジスタのコレクタに結合され、前記第3のバイアストランジスタのベースは前記第1のバイアストランジスタのエミッタおよび第1のノードにおいて前記バイアス制御回路に結合され、前記バイアス制御回路は、
    制御電圧を受取るための手段と、
    前記制御電圧に応答して前記バイアス制御回路の等価抵抗を能動的に調整するための手段とを含み、前記等価抵抗は前記第1のノードと基準電圧との間に設定される、バイアス制御回路。
  2. 前記制御電圧が増加されるとき、前記等価抵抗は徐々に減少される、請求項1に記載のバイアス制御回路。
  3. 前記制御電圧が増加されるとき、前記バイアス制御回路によって引込まれる電流は徐々に増加される、請求項1に記載のバイアス制御回路。
  4. 前記制御電圧が増加されるとき、前記増幅器トランジスタの零入力電流は徐々に増加される、請求項1に記載のバイアス制御回路。
  5. 前記バイアス制御回路、前記バイアス回路、および前記増幅器トランジスタは、単一のダイに統合される、請求項1に記載のバイアス制御回路。
  6. 前記増幅器トランジスタは高出力CDMAトランジスタである、請求項1に記載のバイアス制御回路。
  7. 前記基準電圧は接地である、請求項1に記載のバイアス制御回路。
  8. バイアス回路のためのバイアス制御回路であって、前記バイアス回路は増幅器トランジスタに結合され、第1のバイアストランジスタ、第2のバイアストランジスタ、および第3のバイアストランジスタをさらに含み、前記増幅器トランジスタのベースは前記第2のバイアストランジスタのエミッタに結合され、前記第2のバイアストランジスタのベースは前記第1のバイアストランジスタのベースおよび前記第3のバイアストランジスタのコレクタに結合され、前記第3のバイアストランジスタのベースは前記第1のバイアストランジスタのエミッタおよび第1のノードにおいて前記バイアス制御回路に結合され、前記バイアス制御回路は、
    ベース、コレクタ、およびエミッタを有するバイアス制御トランジスタと、
    前記バイアス制御トランジスタの前記コレクタと前記第1のノードとの間に接続される第1の抵抗器と、
    前記バイアス制御トランジスタの前記コレクタと第1の基準電圧との間に接続される第2の抵抗器と、
    前記バイアス制御トランジスタの前記エミッタと前記第1の基準電圧との間に接続される第3の抵抗器と、
    制御電圧と前記バイアス制御トランジスタの前記ベースとの間に接続される第4の抵抗器とを含み、前記バイアス制御トランジスタは前記制御電圧に応答して前記バイアス制御回路の等価抵抗を能動的に調整し、前記等価抵抗は前記第1のノードと前記第1の基準電
    圧との間に設定される、バイアス制御回路。
  9. 前記増幅器トランジスタ、前記第1のバイアストランジスタ、前記第2のバイアストランジスタ、前記第3のバイアストランジスタ、および前記バイアス制御トランジスタの各々はバイポーラトランジスタを含む、請求項8に記載のバイアス制御回路。
  10. 前記増幅器トランジスタ、前記第1のバイアストランジスタ、前記第2のバイアストランジスタ、前記第3のバイアストランジスタ、および前記バイアス制御トランジスタは、単一のダイに統合される、請求項9に記載のバイアス制御回路。
  11. 前記第1のバイアストランジスタの前記ベースと第2の基準電圧との間に接続される第5の抵抗器、および前記第2のバイアストランジスタの前記エミッタと前記第1の基準電圧との間に接続される第6の抵抗器をさらに含む、請求項8に記載のバイアス制御回路。
  12. 第5の抵抗器および少なくとも1つのダイオードを含む温度補償回路をさらに含み、前記第5の抵抗器の第1の端部は前記バイアス制御トランジスタの前記ベースに接続され、前記第5の抵抗器の第2の端部は前記少なくとも1つのダイオードのアノードに接続され、前記少なくとも1つのダイオードのカソードは前記第1の基準電圧に接続される、請求項8に記載のバイアス制御回路。
  13. 前記少なくとも1つのダイオードはHBTダイオードを含む、請求項12に記載のバイアス制御回路。
  14. 第5の抵抗器ならびに第1および第2のショットキーダイオードを含む温度補償回路をさらに含み、前記第5の抵抗器の第1の端部は前記バイアス制御トランジスタの前記ベースに接続され、前記第5の抵抗器の第2の端部は前記第1のショットキーダイオードのアノードに接続され、前記第1のショットキーダイオードのカソードは前記第2のショットキーダイオードのアノードに接続され、前記第2のショットキーダイオードのカソードは前記第1の基準電圧に接続される、請求項8に記載のバイアス制御回路。
  15. バイアス回路のためのバイアス制御回路であって、前記バイアス回路は増幅器トランジスタに結合され、第1のバイアストランジスタ、第2のバイアストランジスタ、および第3のバイアストランジスタをさらに含み、前記増幅器トランジスタのベースは前記第2のバイアストランジスタのエミッタに結合され、前記第2のバイアストランジスタのベースは前記第1のバイアストランジスタのベースおよび前記第3のバイアストランジスタのコレクタに結合され、前記第3のバイアストランジスタのベースは前記第1のバイアストランジスタのエミッタおよび第1のノードにおいて前記バイアス制御回路に結合され、前記バイアス制御回路は、
    ベース、コレクタ、およびエミッタを有するバイアス制御トランジスタと、
    前記バイアス制御トランジスタの前記コレクタと前記第1のノードとの間に接続される第1の抵抗器と、
    前記バイアス制御トランジスタの前記コレクタと前記バイアス制御トランジスタの前記エミッタとの間に接続される第2の抵抗器と、
    前記バイアス制御トランジスタの前記エミッタと前記第1の基準電圧との間に接続される第3の抵抗器と、
    前記バイアス制御トランジスタの前記エミッタと第1のダイオードのアノードとの間に接続される第4の抵抗器とを含み、前記第1のダイオードは前記第1の基準電圧に接続されるカソードを有し、前記バイアス制御回路は、さらに、
    制御電圧と前記バイアス制御トランジスタの前記ベースとの間に接続される第5の抵抗器を含み、前記バイアス制御トランジスタは前記制御電圧に応答して前記バイアス制御回
    路の等価抵抗を能動的に調整し、前記等価抵抗は前記第1のノードと前記第1の基準電圧との間に設定される、バイアス制御回路。
  16. 前記増幅器トランジスタ、前記第1のバイアストランジスタ、前記第2のバイアストランジスタ、前記第3のバイアストランジスタ、および前記バイアス制御トランジスタの各々は、バイポーラトランジスタを含む、請求項15に記載のバイアス制御回路。
  17. 前記増幅器トランジスタ、前記第1のバイアストランジスタ、前記第2のバイアストランジスタ、前記第3のバイアストランジスタ、および前記バイアス制御トランジスタは、単一のダイに統合される、請求項16に記載のバイアス制御回路。
  18. 前記第1のバイアストランジスタの前記ベースと第2の基準電圧との間に接続される第6の抵抗器、および前記第2のバイアストランジスタの前記エミッタと前記第1の基準電圧との間に接続される第7の抵抗器をさらに含む、請求項15に記載のバイアス制御回路。
  19. 第6の抵抗器および少なくとも1つの追加のダイオードを含む温度補償回路をさらに含み、前記第6の抵抗器の第1の端部は前記バイアス制御トランジスタの前記ベースに接続され、前記第6の抵抗器の第2の端部は前記少なくとも1つの追加のダイオードのアノードに接続され、前記少なくとも1つの追加のダイオードのカソードは前記第1の基準電圧に接続される、請求項15に記載のバイアス制御回路。
  20. 前記第1の基準電圧は接地である、請求項15に記載のバイアス制御回路。
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