JP2007323044A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、基板、基板の一部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔てて配置されるアクティブ層とゲート電極とを含む薄膜トランジスタ、及び基板の他の部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔ててアクティブ層と同一な平面上に配置される第1電極と、ゲート電極と同一な平面上に配置される第2電極とを含む貯蔵キャパシターを含み、アクティブ層と第1電極が真性ポリシリコン膜からなる。
【選択図】図2
Description
Id=(β/2×(Vgs−Vth)2
A2 非画素領域
DL1 データライン
SL1 スキャンライン
T1、T2 TFT
Cst 貯蔵キャパシター
L1 発光素子
VDD 電源ライン
110 基板
120 バッファー層
130 スキャンライン駆動部
140 データライン駆動部
210、216 アクティブ層
211、212 P+ソース及びドレーン領域
213、219 チャンネル領域
217a、217b N+ソース及びドレーン領域
218a、218b LDD領域
215 貯蔵キャパシターの第1電極
220 ゲート絶縁膜
221、222、241、242 接触孔
230、236 ゲート電極
235 貯蔵キャパシターの第2電極
240 層間絶縁膜
251、252 ソース及びドレーン電極
261 ビアホール
310 発光素子の第1電極
320 画素定義膜
321 開口部
330 有機発光層
340 発光素子の第2電極
360 平坦化膜
Cst 貯蔵キャパシター
L1 発光素子
T1、T2 TFT
A1 画素領域
A2 非画素領域
DL1 データライン
SL1 スキャンライン
VDD 電源ライン
Claims (16)
- 基板;
前記基板の一部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔てて配置されるアクティブ層とゲート電極を含む薄膜トランジスタ;
前記基板の他の部分の上に形成され、前記ゲート絶縁膜を隔てて前記アクティブ層と同一な平面上に配置される第1電極と、前記ゲート電極と同一な平面上に配置される第2電極とを含む貯蔵キャパシター;及び
前記薄膜トランジスタの上に形成される発光素子;
を含み、
前記アクティブ層と前記第1電極が真性ポリシリコン膜からなる、有機発光表示装置。 - 前記真性ポリシリコン膜が1×108乃至1×1011Ω程度の抵抗を有する、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記アクティブ層と前記第1電極が、各々前記ゲート電極と前記第2電極の下に位置する、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記発光素子が、第1電極、有機発光層、及び第2電極が順に積層された構造を有する、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜が、シリコン窒化物とシリコン酸化物が順に積層された構造を有する、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- PMOS薄膜トランジスタが形成される第1領域、及び貯蔵キャパシターが形成される第2領域が定義された基板を用意する段階;
前記基板上に真性ポリシリコン膜を形成する段階;
前記真性ポリシリコン膜をパターニングして前記第1領域にアクティブ層を形成し、前記第2領域に第1電極を形成する段階;
前記アクティブ層及び前記第1電極を覆うように、前記基板の前面の上にゲート絶縁膜を形成する段階;
前記アクティブ層及び前記第1電極に対応する前記ゲート絶縁膜の上に、ゲート電極と第2電極を各々形成する段階;及び
前記アクティブ層の両側にP+不純物領域を形成する段階;
を含む有機発光表示装置の製造方法。 - 前記真性ポリシリコン膜が1×108乃至1×1011Ω程度の抵抗を有する、請求項6に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記真性シリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着によって非晶質シリコン膜を蒸着し、アニーリングを行って形成する、請求項7に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記アニーリングは、炉アニーリング又はエキシマレーザーアニーリング(ELA)で遂行する、請求項8に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜は、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層を順に蒸着して形成する、請求項6に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 第1導電型の第1MOS薄膜トランジスタが形成される第1領域、前記第1導電型と反対の第2導電型の第2MOS薄膜トランジスタが形成される第2領域、及び貯蔵キャパシターが形成される第3領域が定義された基板を用意する段階;
前記基板上に真性ポリシリコン膜を形成する段階;
前記真性ポリシリコン膜をパターニングして、前記第1領域及び第2領域に第1及び第2アクティブ層を各々形成し、前記第3領域に第1電極を形成する段階;
前記第1及び第2アクティブ層と前記第1電極を覆うように、前記基板の前面の上にゲート絶縁膜を形成する段階;
前記第1及び第2アクティブ層に対応する前記ゲート絶縁膜に第1及び第2ゲート電極を各々形成し、前記第1電極に対応する前記ゲート絶縁膜の上に第2電極を形成する段階;
前記第1アクティブ層の両側に第1導電型不純物領域を形成する段階;及び
前記第2アクティブ層の両側に第2導電型不純物領域を形成する段階;
を含む有機発光表示装置の製造方法。 - 前記真性ポリシリコン膜が1×108乃至1×1011Ω程度の抵抗を有する、請求項11に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記真性シリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着によって非晶質シリコン膜を蒸着し、アニーリングを行って形成する、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記アニーリングは、炉アニーリング又はエキシマレーザーアニーリング(ELA)で遂行する、請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜は、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層を順に蒸着して形成する、請求項11に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1導電型がN型であれば前記第2導電型はP型であり、前記第1導電型がP型であれば前記第2導電型はN型である、請求項11に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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