JP2001100653A - シフトレジスタおよび画像表示装置 - Google Patents
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- G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
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- G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリシリコンの動作速度の影響をなくし、高
速、高精細の表示を可能とするシフトレジスタを実現す
る。 【解決手段】 活性層がポリシリコンで形成されている
スイッチング素子を有するシフトレジスタであって、電
源ラインから充放電される電荷が、1つのスイッチング
素子(M1,M3)のみを介して次段(M2,M4)に
転送される構成のシフトレジスタおよび画像表示装置と
した。
速、高精細の表示を可能とするシフトレジスタを実現す
る。 【解決手段】 活性層がポリシリコンで形成されている
スイッチング素子を有するシフトレジスタであって、電
源ラインから充放電される電荷が、1つのスイッチング
素子(M1,M3)のみを介して次段(M2,M4)に
転送される構成のシフトレジスタおよび画像表示装置と
した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はPoly−Siを用
いたシフトレジスタに関し、特に有機エレクトロルミネ
センス(EL)表示装置等の高速表示が可能な表示素子
に好適な、高速のシフトレジスタに関する。
いたシフトレジスタに関し、特に有機エレクトロルミネ
センス(EL)表示装置等の高速表示が可能な表示素子
に好適な、高速のシフトレジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】近年において、有機EL素子を用いた表
示装置が開発されている。有機EL素子を多数使用した
有機EL素子装置をアクティブマトリックス回路により
駆動する場合、各ELのピクセル(画素)には、このビ
クセルに対して供給する電流を制御するための薄膜トラ
ンジスタ(TFT)の如きFET(電界効果トランジス
タ)が一組ずつ接続されている。すなわち有機EL素子
に駆動電流を流すバイアス用のTFTと、そのバイアス
用TFTを選択すべきかを示すスイッチ用のTFTが一
組ずつ接続されている。
示装置が開発されている。有機EL素子を多数使用した
有機EL素子装置をアクティブマトリックス回路により
駆動する場合、各ELのピクセル(画素)には、このビ
クセルに対して供給する電流を制御するための薄膜トラ
ンジスタ(TFT)の如きFET(電界効果トランジス
タ)が一組ずつ接続されている。すなわち有機EL素子
に駆動電流を流すバイアス用のTFTと、そのバイアス
用TFTを選択すべきかを示すスイッチ用のTFTが一
組ずつ接続されている。
【0003】従来のアクティブマトリックス型の有機E
L表示装置の回路図の一例を図11,12に示す。この
有機EL表示装置は、X方向信号線X1,X2…、Y方
向信号線Y1,Y2…、電源Vdd線Vdd1,Vdd2
…、スイッチ用TFTトランジスタTy11,12、T
y21,22…、電流制御用TFTトランジスタM1
1,12、M21,22…、有機EL素子EL110,
120、EL210,220…、コンデンサC11,1
2、C21,22…、X方向周辺駆動回路12,Y方向
周辺駆動回路13等により構成される。
L表示装置の回路図の一例を図11,12に示す。この
有機EL表示装置は、X方向信号線X1,X2…、Y方
向信号線Y1,Y2…、電源Vdd線Vdd1,Vdd2
…、スイッチ用TFTトランジスタTy11,12、T
y21,22…、電流制御用TFTトランジスタM1
1,12、M21,22…、有機EL素子EL110,
120、EL210,220…、コンデンサC11,1
2、C21,22…、X方向周辺駆動回路12,Y方向
周辺駆動回路13等により構成される。
【0004】X方向信号線X1,X2、Y方向信号線Y
1,Y2により画素が特定され、その画素においてスイ
ッチ用TFTトランジスタTy11,12、Ty21,
22がオンにされてその信号保持用コンデンサC11,
12、C21,22に画像データが保持される。これに
より、電流制御用のTFTのTFTトランジスタM1
1,12、M21,22がオンにされ、電源線Vdd1、
Vdd2により有機EL素子EL110,120、EL2
10,220に画像データに応じたバイアス用の電流が
流れ、これが発光される。
1,Y2により画素が特定され、その画素においてスイ
ッチ用TFTトランジスタTy11,12、Ty21,
22がオンにされてその信号保持用コンデンサC11,
12、C21,22に画像データが保持される。これに
より、電流制御用のTFTのTFTトランジスタM1
1,12、M21,22がオンにされ、電源線Vdd1、
Vdd2により有機EL素子EL110,120、EL2
10,220に画像データに応じたバイアス用の電流が
流れ、これが発光される。
【0005】例えばx方向信号線X1に画像データに応
じた信号が出力され、Y方向信号線Y1にY方向走査信
号が出力されると、これにより特定された画素のスイッ
チ用TFTトランジスタTy11がオンになり、画像デ
ータに応じた信号により電流制御用TFTトランジスタ
M11が導通されて有機EL素子えL110に、この画
像データに応じた発光電流が流れ、発光制御される。こ
のように、画素毎に、薄膜型のEL素子と、前記EL素
子の発光制御用の電流制御用TFTトランジスタと、前
記電流制御用TFTトランジスタのゲート電極に接続さ
れた信号保持用のコンデンサと、前記キャパシタへのデ
ータ書き込み用のスイッチ用のTFTトランジスタ等を
有するアクティブマトリックス型EL画像表示装置にお
いて、EL素子の発光強度は、信号保持用のキャパシタ
に蓄積された電圧によって制御された発光電流制御用の
非線形素子であるTFTトランジスタに流れる電流で決
定される(A66-in 201pi Electroluminescent Display
T.P.Brody、F.C.Luo、et.al、IEEE Trans ElectronI)evice
s、Vol. ED-22、No. 9、Sep. 1975, P739~P749参照)。
じた信号が出力され、Y方向信号線Y1にY方向走査信
号が出力されると、これにより特定された画素のスイッ
チ用TFTトランジスタTy11がオンになり、画像デ
ータに応じた信号により電流制御用TFTトランジスタ
M11が導通されて有機EL素子えL110に、この画
像データに応じた発光電流が流れ、発光制御される。こ
のように、画素毎に、薄膜型のEL素子と、前記EL素
子の発光制御用の電流制御用TFTトランジスタと、前
記電流制御用TFTトランジスタのゲート電極に接続さ
れた信号保持用のコンデンサと、前記キャパシタへのデ
ータ書き込み用のスイッチ用のTFTトランジスタ等を
有するアクティブマトリックス型EL画像表示装置にお
いて、EL素子の発光強度は、信号保持用のキャパシタ
に蓄積された電圧によって制御された発光電流制御用の
非線形素子であるTFTトランジスタに流れる電流で決
定される(A66-in 201pi Electroluminescent Display
T.P.Brody、F.C.Luo、et.al、IEEE Trans ElectronI)evice
s、Vol. ED-22、No. 9、Sep. 1975, P739~P749参照)。
【0006】このとき、使用される信号保持用のコンデ
ンサの容量は、微少な選択時間内で画素スイッチTFT
トランジスタが十分に電荷を充電できる容量以下であ
り、また、この画素スイッチTFTトランジスタの非選
択時のリーク電流が次の書き込み時間まで失わせる電荷
により発生するコンデンサの保持電圧の低下が表示パネ
ルの画像に悪影響を与えない容量以上であることが求め
られる。
ンサの容量は、微少な選択時間内で画素スイッチTFT
トランジスタが十分に電荷を充電できる容量以下であ
り、また、この画素スイッチTFTトランジスタの非選
択時のリーク電流が次の書き込み時間まで失わせる電荷
により発生するコンデンサの保持電圧の低下が表示パネ
ルの画像に悪影響を与えない容量以上であることが求め
られる。
【0007】ところで、アクティブマトリックスの表示
装置は、その視認性から拡大投影を行う光学系を用いな
い場合は、4インチ以上の画角が要求される。
装置は、その視認性から拡大投影を行う光学系を用いな
い場合は、4インチ以上の画角が要求される。
【0008】このサイズの表示面をシリコン単結晶基板
上に構成することは、現在の単結晶Si基板の製作技術
では1枚の単結晶基板から得られる枚数が非常に少ない
ため大変コストがかかってしまう。
上に構成することは、現在の単結晶Si基板の製作技術
では1枚の単結晶基板から得られる枚数が非常に少ない
ため大変コストがかかってしまう。
【0009】そこで、アクティブマトリックスの表示装
置では、ガラス基板等の平面基板上に作成した非単結晶
Si等の半導体層を用いた薄膜トランジスタ(TFT)
を使用することが望ましい。
置では、ガラス基板等の平面基板上に作成した非単結晶
Si等の半導体層を用いた薄膜トランジスタ(TFT)
を使用することが望ましい。
【0010】ところで、平面基板上に形成される半導体
層は大面積のものが比較的容易に成膜できることから、
アモルフアスSi膜(以下a−Si膜という)を用いる
ことが一般的である。
層は大面積のものが比較的容易に成膜できることから、
アモルフアスSi膜(以下a−Si膜という)を用いる
ことが一般的である。
【0011】しかし、a−Si膜で形成されたTFT
は、一方向に定常的に電流を流し続けると、しきい値が
ドリフトして電流値が変わり、画質に変動が生ずる。し
かも、a−Si膜では移動度が小さいため高速応答でド
ライブできる電流にも限界があり、またPチヤネルの形
成が困難なところより、小規模なc−MOS回路の構成
さえも困難である。
は、一方向に定常的に電流を流し続けると、しきい値が
ドリフトして電流値が変わり、画質に変動が生ずる。し
かも、a−Si膜では移動度が小さいため高速応答でド
ライブできる電流にも限界があり、またPチヤネルの形
成が困難なところより、小規模なc−MOS回路の構成
さえも困難である。
【0012】そのため、アクティブマトリックス型有機
EL画像表示装置の半導体層としては、比較的大面積化
が容易でかつ高信頼性で移動度も高く、c−MOS回路
の形成も可能なPoly−Siを用いることが望まし
い。
EL画像表示装置の半導体層としては、比較的大面積化
が容易でかつ高信頼性で移動度も高く、c−MOS回路
の形成も可能なPoly−Siを用いることが望まし
い。
【0013】しかし、Poly−Si層を用いて形成さ
れたTFTは、そのチャネル中に存在する結晶粒界や、
結晶の歪みにより移動度が単結晶より少なく、より高速
の駆動を求められる高精細ディスプレイ用の駆動回路へ
の応用は難しかった。
れたTFTは、そのチャネル中に存在する結晶粒界や、
結晶の歪みにより移動度が単結晶より少なく、より高速
の駆動を求められる高精細ディスプレイ用の駆動回路へ
の応用は難しかった。
【0014】従来のポリシリコンTFTを用いたシフト
レジスタとして、例えば特開平1−289917に記載
されているようなものが挙げられる。このようなシフト
レジスタの回路例を図13,14に示す。
レジスタとして、例えば特開平1−289917に記載
されているようなものが挙げられる。このようなシフト
レジスタの回路例を図13,14に示す。
【0015】図13に示すシフトレジスタは、pチャン
ネルトランジスタM13,M14とnチャンネルトラン
ジスタM15,M16とから構成される第1のクロック
ドインバータと、pチャンネルトランジスタM12とn
チャンネルトランジスタM11とから構成されるインバ
ータと、pチャンネルトランジスタM17,M18とn
チャンネルトランジスタM19,M20とから構成され
る第2のクロックドインバータとを基本構成単位とす
る。そして、第1のクロックドインバータのpチャンネ
ルトランジスタM13には正論理のクロックCLが、n
チャンネルトランジスタM16には負論理のクロック−
CLが入力される。また、第2のクロックドインバータ
のpチャンネルトランジスタM17には負論理のクロッ
ク−CLが、nチャンネルトランジスタM19には正論
理のクロックCLが入力される。また、インバータの出
力と第2のクロックドインバータの入力、インバーター
の入力と第2のクロックドインバータの出力とが接続さ
れている。
ネルトランジスタM13,M14とnチャンネルトラン
ジスタM15,M16とから構成される第1のクロック
ドインバータと、pチャンネルトランジスタM12とn
チャンネルトランジスタM11とから構成されるインバ
ータと、pチャンネルトランジスタM17,M18とn
チャンネルトランジスタM19,M20とから構成され
る第2のクロックドインバータとを基本構成単位とす
る。そして、第1のクロックドインバータのpチャンネ
ルトランジスタM13には正論理のクロックCLが、n
チャンネルトランジスタM16には負論理のクロック−
CLが入力される。また、第2のクロックドインバータ
のpチャンネルトランジスタM17には負論理のクロッ
ク−CLが、nチャンネルトランジスタM19には正論
理のクロックCLが入力される。また、インバータの出
力と第2のクロックドインバータの入力、インバーター
の入力と第2のクロックドインバータの出力とが接続さ
れている。
【0016】このような構成により、入力端子INに与
えられた入力パルスは、クロック信号CLに同期して取
り込まれ、1クロック分遅延した信号が出力端子OUT
より出力される。
えられた入力パルスは、クロック信号CLに同期して取
り込まれ、1クロック分遅延した信号が出力端子OUT
より出力される。
【0017】また、図14に示すシフトレジスタは、p
チャンネルトランジスタM31とnチャンネルトランジ
スタM32とから構成される第1のインバータと、pチ
ャンネルトランジスタM33とnチャンネルトランジス
タM34とから構成される第2のインバータと、これら
のインバータの間に介在するpチャンネルトランジスタ
M35とnチャンネルトランジスタM36とから構成さ
れるスイッチ回路とを基本構成単位とする。
チャンネルトランジスタM31とnチャンネルトランジ
スタM32とから構成される第1のインバータと、pチ
ャンネルトランジスタM33とnチャンネルトランジス
タM34とから構成される第2のインバータと、これら
のインバータの間に介在するpチャンネルトランジスタ
M35とnチャンネルトランジスタM36とから構成さ
れるスイッチ回路とを基本構成単位とする。
【0018】このような構成により、やはり入力端子I
Nに与えられた入力パルスは、クロック信号CLに同期
して取り込まれ、1クロック分遅延した信号が出力端子
OUTより出力される。
Nに与えられた入力パルスは、クロック信号CLに同期
して取り込まれ、1クロック分遅延した信号が出力端子
OUTより出力される。
【0019】しかしながら、これらのシフトレジスタ
は、入力された信号をクロック信号に同期させて次段に
転送するまでに少なくとも2つのスイッチング素子を必
要とする。換言すれば電源ラインから充放電される電荷
が、少なくとも2つのスイッチング素子みを介して次段
に転送される。このため、単結晶に比べ動作速度の遅い
Poly−Siを活性層とするスイッチング素子を構成
素子に用いた場合、高速動作に対応させることが困難で
あった。
は、入力された信号をクロック信号に同期させて次段に
転送するまでに少なくとも2つのスイッチング素子を必
要とする。換言すれば電源ラインから充放電される電荷
が、少なくとも2つのスイッチング素子みを介して次段
に転送される。このため、単結晶に比べ動作速度の遅い
Poly−Siを活性層とするスイッチング素子を構成
素子に用いた場合、高速動作に対応させることが困難で
あった。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Po
ly−Siの動作速度の影響をなくし、低価格で高速の
動作を可能とするシフトレジスタ、および画像表示装置
を実現することである。
ly−Siの動作速度の影響をなくし、低価格で高速の
動作を可能とするシフトレジスタ、および画像表示装置
を実現することである。
【0021】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の構成により達成される。 (1) 活性層がポリシリコンで形成されているスイッ
チング素子を有するシフトレジスタであって、電源ライ
ンから充放電される電荷が、1つのスイッチング素子
(M1,M3)のみを介して次段(M2,M4)に転送
されるシフトレジスタ。 (2) 相補的に動作する一対のスイッチング素子(M
1,M3)を動作単位として有し、この一対のスイッチ
ング素子(M1,M3)により信号を次段(M2,M
4)へ転送する上記(1)のシフトレジスタ。 (3) 前記動作単位は、クロック信号に同期して入力
信号を次段へ転送する上記(1)または(2)のシフト
レジスタ。 (4) 活性層がポリシリコンで形成されていて相補的
に動作し、インバータとして機能する一対のスイッチン
グ素子(M1,M3)を動作単位として有し、これらの
スイッチング素子(M1,M3)のうち一方のスイッチ
ング素子(M1)の被制御端子にクロック信号を供給す
るとともに、この動作単位の出力を、相補性を有し直列
接続されたスイッチング素子(M2,M4)の一方のス
イッチング素子(M4)の制御端子に供給するととも
に、他方のスイッチング素子(M2)の制御端子には前
記クロック信号を入力し、この直列接続されたスイッチ
ング素子(M2,M4)の中点より出力信号を取り出す
シフトレジスタ。 (5) オフ電流が、1×10-7A以下である上記
(1)〜(4)のいずれかのシフトレジスタ。 (6) スイッチング素子の被制御電極間に加える電界
が、0.2MV/cm以下である上記(1)〜(5)のい
ずれかのシフトレジスタ。 (7) 上記(1)〜(6)のいずれかのシフトレジス
タを有する画像表示装置。 (8) 有機EL素子を画素として有する上記(7)の
画像表示装置。
下の構成により達成される。 (1) 活性層がポリシリコンで形成されているスイッ
チング素子を有するシフトレジスタであって、電源ライ
ンから充放電される電荷が、1つのスイッチング素子
(M1,M3)のみを介して次段(M2,M4)に転送
されるシフトレジスタ。 (2) 相補的に動作する一対のスイッチング素子(M
1,M3)を動作単位として有し、この一対のスイッチ
ング素子(M1,M3)により信号を次段(M2,M
4)へ転送する上記(1)のシフトレジスタ。 (3) 前記動作単位は、クロック信号に同期して入力
信号を次段へ転送する上記(1)または(2)のシフト
レジスタ。 (4) 活性層がポリシリコンで形成されていて相補的
に動作し、インバータとして機能する一対のスイッチン
グ素子(M1,M3)を動作単位として有し、これらの
スイッチング素子(M1,M3)のうち一方のスイッチ
ング素子(M1)の被制御端子にクロック信号を供給す
るとともに、この動作単位の出力を、相補性を有し直列
接続されたスイッチング素子(M2,M4)の一方のス
イッチング素子(M4)の制御端子に供給するととも
に、他方のスイッチング素子(M2)の制御端子には前
記クロック信号を入力し、この直列接続されたスイッチ
ング素子(M2,M4)の中点より出力信号を取り出す
シフトレジスタ。 (5) オフ電流が、1×10-7A以下である上記
(1)〜(4)のいずれかのシフトレジスタ。 (6) スイッチング素子の被制御電極間に加える電界
が、0.2MV/cm以下である上記(1)〜(5)のい
ずれかのシフトレジスタ。 (7) 上記(1)〜(6)のいずれかのシフトレジス
タを有する画像表示装置。 (8) 有機EL素子を画素として有する上記(7)の
画像表示装置。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明の画像表示装置は、活性層
がポリシリコンで形成されているスイッチング素子を有
するシフトレジスタであって、電源ラインから充放電さ
れる電荷が、1つのスイッチング素子M1,M3のみを
介して次段M2,M4に転送される。つまり、相補的に
動作する一対のスイッチング素子M1,M3を動作単位
として有し、この一対のスイッチング素子M1,M3に
より信号を次段M2,M4へ転送する。また、この動作
単位は、クロック信号に同期して入力信号を次段へ転送
する。
がポリシリコンで形成されているスイッチング素子を有
するシフトレジスタであって、電源ラインから充放電さ
れる電荷が、1つのスイッチング素子M1,M3のみを
介して次段M2,M4に転送される。つまり、相補的に
動作する一対のスイッチング素子M1,M3を動作単位
として有し、この一対のスイッチング素子M1,M3に
より信号を次段M2,M4へ転送する。また、この動作
単位は、クロック信号に同期して入力信号を次段へ転送
する。
【0023】このように、電源ラインから充放電される
電荷、または入力を、1つのスイッチング素子M1,M
3のみを介して次段M2,M4に転送しているので、1
素子の動作に要する遅延がなくなり、シフトレジスタ全
体での動作速度を格段に向上させることができる。
電荷、または入力を、1つのスイッチング素子M1,M
3のみを介して次段M2,M4に転送しているので、1
素子の動作に要する遅延がなくなり、シフトレジスタ全
体での動作速度を格段に向上させることができる。
【0024】より具体的には、活性層がPoly−Si
で形成されていて相補的に動作し、インバータとして機
能する一対のスイッチング素子M1,M3を動作単位と
して有し、これらのスイッチング素子M1,M3のうち
一方のスイッチング素子M1の被制御端子にクロック信
号を供給するとともに、この動作単位の出力を相補性を
有し直列接続されたスイッチング素子M2,M4の一方
のスイッチング素子M4の制御端子に供給するととも
に、他方のスイッチング素子M2の制御端子には前記ク
ロック信号を入力する。そして、この直列接続されたス
イッチング素子M2,M4の中点より出力信号を取り出
す。
で形成されていて相補的に動作し、インバータとして機
能する一対のスイッチング素子M1,M3を動作単位と
して有し、これらのスイッチング素子M1,M3のうち
一方のスイッチング素子M1の被制御端子にクロック信
号を供給するとともに、この動作単位の出力を相補性を
有し直列接続されたスイッチング素子M2,M4の一方
のスイッチング素子M4の制御端子に供給するととも
に、他方のスイッチング素子M2の制御端子には前記ク
ロック信号を入力する。そして、この直列接続されたス
イッチング素子M2,M4の中点より出力信号を取り出
す。
【0025】このようにインバータの基本構成単位の初
段において、プッシュプル(コンプリメタリー)接続さ
れたスイッチング素子の被制御端子の一方に、電源では
なくクロック信号を供給する。さらに次段にカスケード
接続され、相補性を有する一対のスイッチング素子を設
けるとともに、このスイッチング素子の一方の制御端子
に前記初段の出力信号を入力させ、他方のスイッチング
素子の制御端子にはクロック信号を入力させ、これらの
スイッチング素子の中点より出力を取り出すことによ
り、1つのスイッチング素子のみを介して、クロックに
同期して信号を転送し、これにより1クロック分遅延し
た信号を取り出すことができる。
段において、プッシュプル(コンプリメタリー)接続さ
れたスイッチング素子の被制御端子の一方に、電源では
なくクロック信号を供給する。さらに次段にカスケード
接続され、相補性を有する一対のスイッチング素子を設
けるとともに、このスイッチング素子の一方の制御端子
に前記初段の出力信号を入力させ、他方のスイッチング
素子の制御端子にはクロック信号を入力させ、これらの
スイッチング素子の中点より出力を取り出すことによ
り、1つのスイッチング素子のみを介して、クロックに
同期して信号を転送し、これにより1クロック分遅延し
た信号を取り出すことができる。
【0026】次に、図を参照しつつ本発明のシフトレジ
スタについてより詳細に説明する。図1は本発明のシフ
トレジスタの1構成例を示した部分回路図である。ま
た、図2はこのような回路の動作を示すタイミングチャ
ートである。
スタについてより詳細に説明する。図1は本発明のシフ
トレジスタの1構成例を示した部分回路図である。ま
た、図2はこのような回路の動作を示すタイミングチャ
ートである。
【0027】図1において、初段を構成する一対のスイ
ッチング素子M1,M3は、その制御端子(ゲート)が
ともに入力端子INに接続されている。また、このうち
の第1のスイッチング素子M1の被制御端子の他端(ソ
ース)にはクロック入力端子CLが接続され、その被制
御端子の一端(ドレイン)と第3のスイッチング素子M
3の被制御端子の一端(ドレイン)は相互に接続されて
いる。また、この第3のスイッチング素子M3の被制御
端子の他端(ソース)には電源VDDが接続されてい
る。
ッチング素子M1,M3は、その制御端子(ゲート)が
ともに入力端子INに接続されている。また、このうち
の第1のスイッチング素子M1の被制御端子の他端(ソ
ース)にはクロック入力端子CLが接続され、その被制
御端子の一端(ドレイン)と第3のスイッチング素子M
3の被制御端子の一端(ドレイン)は相互に接続されて
いる。また、この第3のスイッチング素子M3の被制御
端子の他端(ソース)には電源VDDが接続されてい
る。
【0028】これら初段を構成する第1のスイッチング
素子M1と第3のスイッチング素子M3とは、それぞれ
相補的に動作(プッシュプル動作)するような特性のス
イッチング素子が選択され使用される。この例では、第
1のスイッチング素子M1がN型であり、第3のスイッ
チング素子M3がP型である。
素子M1と第3のスイッチング素子M3とは、それぞれ
相補的に動作(プッシュプル動作)するような特性のス
イッチング素子が選択され使用される。この例では、第
1のスイッチング素子M1がN型であり、第3のスイッ
チング素子M3がP型である。
【0029】次段を構成する一対のスイッチング素子M
2,M4は、その一方のスイッチング素子である第2の
スイッチング素子M2の制御端子(ゲート)が前記クロ
ック入力端子CLに接続されている。また、その被制御
端子の一端(ドレイン)と第4のスイッチング素子M4
の被制御端子の一端(ドレイン)は相互に接続され、さ
らに出力端子OUTと接続されている。また、その被制
御端子の他端(ソース)は、マイナス電源VSSに接続
されている。第4のスイッチング素子M4の制御端子
は、前記初段を構成する第1のスイッチング素子の被制
御端子の一端(ドレイン)と第3のスイッチング素子M
3の被制御端子の一端(ドレイン)とに接続され、その
被制御端子の他端(ソース)は電源VDDに接続されて
いる。
2,M4は、その一方のスイッチング素子である第2の
スイッチング素子M2の制御端子(ゲート)が前記クロ
ック入力端子CLに接続されている。また、その被制御
端子の一端(ドレイン)と第4のスイッチング素子M4
の被制御端子の一端(ドレイン)は相互に接続され、さ
らに出力端子OUTと接続されている。また、その被制
御端子の他端(ソース)は、マイナス電源VSSに接続
されている。第4のスイッチング素子M4の制御端子
は、前記初段を構成する第1のスイッチング素子の被制
御端子の一端(ドレイン)と第3のスイッチング素子M
3の被制御端子の一端(ドレイン)とに接続され、その
被制御端子の他端(ソース)は電源VDDに接続されて
いる。
【0030】これら次段を構成する第2のスイッチング
素子M2と第4のスイッチング素子M4とは、好ましく
はそれぞれ相補的に動作(プッシュプル動作)するよう
な特性のスイッチング素子が選択され使用される。この
例では、第2のスイッチング素子M2がN型であり、第
4のスイッチング素子M4がP型である。
素子M2と第4のスイッチング素子M4とは、好ましく
はそれぞれ相補的に動作(プッシュプル動作)するよう
な特性のスイッチング素子が選択され使用される。この
例では、第2のスイッチング素子M2がN型であり、第
4のスイッチング素子M4がP型である。
【0031】このような構成のシフトレジスタにおい
て、いま図2に示すような入力信号パルスが与えられる
と、初段において、第1および第3のスイッチング素子
M1,M3の制御端子に与えられる。第1および第3の
スイッチング素子M1,M3は入力信号に従い動作する
が、第1のスイッチング素子M1の被制御端子の他端に
はクロック信号が入力されている。このため、入力信号
はクロック信号に同期して取り込まれ、次段に送られ
る。次段の第4のスイッチング素子M4は、初段の出力
信号により動作するが、これと直列接続された第2のス
イッチング素子M2はクロック信号CLに従って動作す
るので、これらの出力もまたクロック信号に従って出力
される。そして、初段においてはクロックの立ち下が
り、次段においてはクロックの立ち上がりで信号を処理
するように動作するため、出力信号は図示例のように1
クロック分遅延した信号となる。
て、いま図2に示すような入力信号パルスが与えられる
と、初段において、第1および第3のスイッチング素子
M1,M3の制御端子に与えられる。第1および第3の
スイッチング素子M1,M3は入力信号に従い動作する
が、第1のスイッチング素子M1の被制御端子の他端に
はクロック信号が入力されている。このため、入力信号
はクロック信号に同期して取り込まれ、次段に送られ
る。次段の第4のスイッチング素子M4は、初段の出力
信号により動作するが、これと直列接続された第2のス
イッチング素子M2はクロック信号CLに従って動作す
るので、これらの出力もまたクロック信号に従って出力
される。そして、初段においてはクロックの立ち下が
り、次段においてはクロックの立ち上がりで信号を処理
するように動作するため、出力信号は図示例のように1
クロック分遅延した信号となる。
【0032】スイッチング素子としては、一般に用いら
れているバイポーラトランジスタやFET(電界効果ト
ランジスタ)も使用することができるが、特に薄膜トラ
ンジスタ(TFT)であって、c−MOSタイプのもの
が好ましい。
れているバイポーラトランジスタやFET(電界効果ト
ランジスタ)も使用することができるが、特に薄膜トラ
ンジスタ(TFT)であって、c−MOSタイプのもの
が好ましい。
【0033】本発明のシフトレジスタは、オフ電流が好
ましくは1×10-7A以下、特に1×10-8A以下が好
ましい。その下限としては特に限定されるものではない
が、通常1×10-10A程度である。オフ電流が上記値
を超えると、安定性が悪化してくる。
ましくは1×10-7A以下、特に1×10-8A以下が好
ましい。その下限としては特に限定されるものではない
が、通常1×10-10A程度である。オフ電流が上記値
を超えると、安定性が悪化してくる。
【0034】本発明のシフトレジスタにおいて、スイッ
チング素子の被制御端子間(ドレイン−ソース間)に加
える電界は、好ましくは0.2MV/cm以下、より好ま
しくは0.1MV/cm以下である。その下限としては特
に限定されるものではないが、通常0.05MV/cm程
度である。電界強度が上記値を超えると、安定性が悪化
してくる。
チング素子の被制御端子間(ドレイン−ソース間)に加
える電界は、好ましくは0.2MV/cm以下、より好ま
しくは0.1MV/cm以下である。その下限としては特
に限定されるものではないが、通常0.05MV/cm程
度である。電界強度が上記値を超えると、安定性が悪化
してくる。
【0035】本発明のシフトレジスタは、従来のPol
y−Siを用いたシフトレジスタと比べ、約2倍の最大
動作周波数を得ることができる。
y−Siを用いたシフトレジスタと比べ、約2倍の最大
動作周波数を得ることができる。
【0036】本発明のシフトレジスタは、スイッチング
素子の活性層がPoly−Siで構成され、その用途に
おいて高速動作が要求されるものであれば、特に限定さ
れるものではなく、種々の用途、特に液晶や無機、有機
ELなどの表示装置に応用することができる。
素子の活性層がPoly−Siで構成され、その用途に
おいて高速動作が要求されるものであれば、特に限定さ
れるものではなく、種々の用途、特に液晶や無機、有機
ELなどの表示装置に応用することができる。
【0037】なかでも、自発光素子であって、高速動作
が可能な有機EL素子と組み合わせて表示装置として使
用することが好ましい。
が可能な有機EL素子と組み合わせて表示装置として使
用することが好ましい。
【0038】次に、本発明に好適に用いられる有機EL
素子の構成について説明する。有機EL素子は、第1の
電極と、第2の電極との間に、少なくとも発光機能に関
与する有機物質を含有する有機層を有する。そして、第
1の電極と、第2の電極とから与えられる電子・ホール
が、有機層中で再結合することにより発光する。
素子の構成について説明する。有機EL素子は、第1の
電極と、第2の電極との間に、少なくとも発光機能に関
与する有機物質を含有する有機層を有する。そして、第
1の電極と、第2の電極とから与えられる電子・ホール
が、有機層中で再結合することにより発光する。
【0039】第1の電極、および第2の電極は、いずれ
をホール注入電極、電子注入電極としてもよいが、通
常、基板側の第1の電極がホール注入電極となり、第2
の電極は電子注入電極となる。
をホール注入電極、電子注入電極としてもよいが、通
常、基板側の第1の電極がホール注入電極となり、第2
の電極は電子注入電極となる。
【0040】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01
〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01
〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。
【0041】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.5nm以上、
好ましくは1nm以上、より好ましくは3nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は3〜500nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.5nm以上、
好ましくは1nm以上、より好ましくは3nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は3〜500nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。
【0042】蒸着時の圧力は好ましくは1×10-8〜1
×10-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば100〜1400℃、有機材料であれば100〜50
0℃程度が好ましい。
×10-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば100〜1400℃、有機材料であれば100〜50
0℃程度が好ましい。
【0043】ホール注入電極は、発光した光を取り出す
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2 、I
n2 O3 等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドー
プ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)が好ましい。ITOは、通常In2 O3 とSnOと
を化学量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2 、I
n2 O3 等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドー
プ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)が好ましい。ITOは、通常In2 O3 とSnOと
を化学量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。
【0044】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
【0045】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスD
Cスパッタ法により形成することが好ましい。
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスD
Cスパッタ法により形成することが好ましい。
【0046】有機EL構造体の有機層は、次のような構
成とすることができる。
成とすることができる。
【0047】発光層は、ホール(正孔)および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好まし
い。
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好まし
い。
【0048】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
【0049】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
【0050】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
2層設けるときも同じである。
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
2層設けるときも同じである。
【0051】有機EL素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平8−12600号公
報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平
6−114456号)のテトラアリールエテン誘導体等
を用いることができる。
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平8−12600号公
報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平
6−114456号)のテトラアリールエテン誘導体等
を用いることができる。
【0052】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜20体積% 、さらには
0.1〜15体積% であることが好ましい。特にルブレ
ン系では、0.01〜20体積%であることが好まし
い。ホスト物質と組み合わせて使用することによって、
ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長
波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光
効率や安定性が向上する。
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜20体積% 、さらには
0.1〜15体積% であることが好ましい。特にルブレ
ン系では、0.01〜20体積%であることが好まし
い。ホスト物質と組み合わせて使用することによって、
ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長
波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光
効率や安定性が向上する。
【0053】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7077
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7077
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
【0054】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
【0055】このほかのホスト物質としては、特開平8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。
【0056】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
【0057】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20体積% 、さらには0.1〜15体積
% とすることが好ましい。
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20体積% 、さらには0.1〜15体積
% とすることが好ましい。
【0058】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
【0059】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【0060】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
【0061】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。
【0062】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましく
は10/90〜90/10、特に好ましくは20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましく
は10/90〜90/10、特に好ましくは20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
【0063】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
【0064】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
【0065】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭6
3−295695号公報、特開平2−191694号公
報、特開平3−792号公報、特開平5−234681
号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−2
99174号公報、特開平7−126225号公報、特
開平7−126226号公報、特開平8−100172
号公報、EP0650955A1等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用しても
よい。2種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。
3−295695号公報、特開平2−191694号公
報、特開平3−792号公報、特開平5−234681
号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−2
99174号公報、特開平7−126225号公報、特
開平7−126226号公報、特開平8−100172
号公報、EP0650955A1等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用しても
よい。2種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。
【0066】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。
【0067】電子注入輸送層には、トリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。
ノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。
【0068】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
【0069】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.2μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.2μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。
【0070】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
【0071】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
【0072】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
【0073】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
【0074】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
【0075】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
【0076】本発明における有機EL素子は、通常、直
流駆動型、パルス駆動型のEL素子として用いられる。
印加電圧は、通常、2〜30V 程度とされる。
流駆動型、パルス駆動型のEL素子として用いられる。
印加電圧は、通常、2〜30V 程度とされる。
【0077】以下に薄膜トランジスタ(TFT)の一形
態を図を参照しつつ説明する。図4〜10は本発明の画
像表示装置を棉成するTFT、特に有機EL素子の駆動
電流を流す発光電流駆動用TFTの製造工程図である。
態を図を参照しつつ説明する。図4〜10は本発明の画
像表示装置を棉成するTFT、特に有機EL素子の駆動
電流を流す発光電流駆動用TFTの製造工程図である。
【0078】(1)図4に示すように、基板101とし
て例えば石英基板を使用し、この基板101上にスパッ
タ法によりSiO2 膜102を約100nmの厚さに成膜
する。
て例えば石英基板を使用し、この基板101上にスパッ
タ法によりSiO2 膜102を約100nmの厚さに成膜
する。
【0079】(2)次いで、図4に示すようにこのSi
O2 膜102の上にアモルフアスSi(a−Si)層1
03を約100nmの厚さでLPCVD法により成膜す
る。このとき成膜条件は以下の通りである。 Si2 H6 ガス 100〜500 SCCM He ガス 500 SSCM 圧力 0.1〜1 Torr 加熱温度 430〜500 ℃
O2 膜102の上にアモルフアスSi(a−Si)層1
03を約100nmの厚さでLPCVD法により成膜す
る。このとき成膜条件は以下の通りである。 Si2 H6 ガス 100〜500 SCCM He ガス 500 SSCM 圧力 0.1〜1 Torr 加熱温度 430〜500 ℃
【0080】(3)次いで、加熱処理を行い、このa−
Si層103を固相成長させてポリシリコンにする。こ
の固相成長の条件は、例えば以下の通りである。 N2 1 SLM 処理温度 600 ℃ 処理時間 5〜20 時間 次に、 処理温度 850 ℃ 処理時間 0.5〜3 時間 このようにしてa−Si層103を、図5に示すような
活性Si層103aとすることができる。
Si層103を固相成長させてポリシリコンにする。こ
の固相成長の条件は、例えば以下の通りである。 N2 1 SLM 処理温度 600 ℃ 処理時間 5〜20 時間 次に、 処理温度 850 ℃ 処理時間 0.5〜3 時間 このようにしてa−Si層103を、図5に示すような
活性Si層103aとすることができる。
【0081】(4)次に、図6に示すように、前記
(3)により形成したポリシリコン層103aをアイラ
ンドを形成するためバターニングする。
(3)により形成したポリシリコン層103aをアイラ
ンドを形成するためバターニングする。
【0082】(5)さらに、図7に示すように、このバ
ターニングしたポリシリコン層103aにゲート酸化膜
104を形成する。このゲート酸化膜104の形成条件
は、例えば以下の通りである。 H2 4 SLM O2 10 SCCM 処理温度 800 ℃ 処理時間 5 時間
ターニングしたポリシリコン層103aにゲート酸化膜
104を形成する。このゲート酸化膜104の形成条件
は、例えば以下の通りである。 H2 4 SLM O2 10 SCCM 処理温度 800 ℃ 処理時間 5 時間
【0083】(6)次いで、図8に示すように、ゲート
酸化膜104の上にゲート電極となるシリコン層105
を減圧CVD法により、厚さ250nmに形成する。その
成膜条件は、例えば以下の通りである。0・1%のPH
3 が入ったSiH4 ガス 200SCCM 処理温度 640 ℃ 処理時間 0.4 時間
酸化膜104の上にゲート電極となるシリコン層105
を減圧CVD法により、厚さ250nmに形成する。その
成膜条件は、例えば以下の通りである。0・1%のPH
3 が入ったSiH4 ガス 200SCCM 処理温度 640 ℃ 処理時間 0.4 時間
【0084】(7)次に、図9に示すように、所定のパ
ターンに従ったエッチング工程により、ゲート電極10
5とゲート酸化膜104とを形成する。
ターンに従ったエッチング工程により、ゲート電極10
5とゲート酸化膜104とを形成する。
【0085】(8)さらに、図9に示すように、このゲ
ート電極105をマスクとして、ソース、ドレイン領域
となるべき部分にイオンドーピング法により、ドーパン
ト例えばリンをドービングしてゲート電極に対してセル
フアラインとなるようにソース、ドレイン領域106、
109を形成する。
ート電極105をマスクとして、ソース、ドレイン領域
となるべき部分にイオンドーピング法により、ドーパン
ト例えばリンをドービングしてゲート電極に対してセル
フアラインとなるようにソース、ドレイン領域106、
109を形成する。
【0086】(9)これらの素子を含む基板を窒素雰囲
気中に600℃で6時間処理し、その後、更に850℃
で30分間加熱し、ドーパントの活性化を行う。
気中に600℃で6時間処理し、その後、更に850℃
で30分間加熱し、ドーパントの活性化を行う。
【0087】(10)さらに、図10に示すように、こ
の基板全体にTEOSを出発材料として、SiO2 膜を
層間絶縁膜112として厚さ400nmに形成する。この
SiO 2 膜の成膜条件は、例えば以下の通りである。 TEOSガス 100 SSCM 加熱温度 700 ℃ またはプラズマTEOS法により下記の条件でSlO2
膜を成膜する。 TEOSガス 10〜50 SCCM O2 ガス 500 SCCM パワー 50〜300 W 処理温度 600 ℃ そして、このSiO2 膜を形成後、各電極の配線のた
め、必要とするパターンに従ってバターニングを行い、
層間絶縁膜112等を形成する。
の基板全体にTEOSを出発材料として、SiO2 膜を
層間絶縁膜112として厚さ400nmに形成する。この
SiO 2 膜の成膜条件は、例えば以下の通りである。 TEOSガス 100 SSCM 加熱温度 700 ℃ またはプラズマTEOS法により下記の条件でSlO2
膜を成膜する。 TEOSガス 10〜50 SCCM O2 ガス 500 SCCM パワー 50〜300 W 処理温度 600 ℃ そして、このSiO2 膜を形成後、各電極の配線のた
め、必要とするパターンに従ってバターニングを行い、
層間絶縁膜112等を形成する。
【0088】(11)前記の如く形成した薄膜トランジ
スタをさらに水素雰囲気中で350℃で1時間加熱処理
し、水素化を行い、半導体層の欠陥準位密度を減少させ
る。
スタをさらに水素雰囲気中で350℃で1時間加熱処理
し、水素化を行い、半導体層の欠陥準位密度を減少させ
る。
【0089】この方法によれば、0.5〜2μm 系のグ
レインサイズのポリシリコン層を形成することができ、
これを活性層に用いたTFTは、Nチャンネルでの移動
度が〜100cm2 /V・S、しきい値が〜0.5Vを得る
ことができる。
レインサイズのポリシリコン層を形成することができ、
これを活性層に用いたTFTは、Nチャンネルでの移動
度が〜100cm2 /V・S、しきい値が〜0.5Vを得る
ことができる。
【0090】このようにして形成されたTFTを用い
て、以下の実施例に示す駆動回路を構成した。
て、以下の実施例に示す駆動回路を構成した。
【0091】
【実施例】<実施例1>図1に示す回路で構成されるシ
フトレジスタを上記手法に従い、形成した。
フトレジスタを上記手法に従い、形成した。
【0092】具体的には図1の回路で示される構成単位
を648段有するシフトレジスタを形成し、クロックパ
ルスを供給しながら、入力信号を与え、正常に動作する
か否かを確認した。その結果、クロックに同期しながら
各段の出力からそれぞれ遅延信号が取り出せることが確
認できた。
を648段有するシフトレジスタを形成し、クロックパ
ルスを供給しながら、入力信号を与え、正常に動作する
か否かを確認した。その結果、クロックに同期しながら
各段の出力からそれぞれ遅延信号が取り出せることが確
認できた。
【0093】次に、このシフトレジスタの電源電圧に対
する最大動作周波数を測定した。なお、比較例として、
図13に示す回路で構成されるシフトレジスタについて
も同様にして評価した。結果を図3に示す。
する最大動作周波数を測定した。なお、比較例として、
図13に示す回路で構成されるシフトレジスタについて
も同様にして評価した。結果を図3に示す。
【0094】図3から明らかなように、本発明のシフト
レジスタは、各電源電圧において、比較例のシフトレジ
スタより約2倍程度高い動作周波数が得られていること
がわかる。
レジスタは、各電源電圧において、比較例のシフトレジ
スタより約2倍程度高い動作周波数が得られていること
がわかる。
【0095】<実施例2>この実施例では、上記で得ら
れたシフトレジスタを用い、画像表示用素子として高速
動作が可能な有機EL素子を使用して画像表示装置を形
成した。
れたシフトレジスタを用い、画像表示用素子として高速
動作が可能な有機EL素子を使用して画像表示装置を形
成した。
【0096】例えば、画素となる有機EL素子を駆動す
るためのTFTは以下の様にして形成した。先ず、基板
の上にアモルファス・シリコン層を約600Åの厚さで
CVD法により成膜した。この成膜条件は、下記の通り
である。 Si2H6 ガス :100SCCM、圧力 :0.3Torr、温
度 :480℃。
るためのTFTは以下の様にして形成した。先ず、基板
の上にアモルファス・シリコン層を約600Åの厚さで
CVD法により成膜した。この成膜条件は、下記の通り
である。 Si2H6 ガス :100SCCM、圧力 :0.3Torr、温
度 :480℃。
【0097】それからこのアモルファス・シリコン層を
固相成長させて活性層(ポリシリコン層)とした。この
固相成長は、熱アニールとレーザーアニールを併用し
た。その条件は下記の通りである。
固相成長させて活性層(ポリシリコン層)とした。この
固相成長は、熱アニールとレーザーアニールを併用し
た。その条件は下記の通りである。
【0098】<熱アニール> N2 :1SLM、温度:600℃、処理時間:24時間
【0099】<レーザーアニール> KrF:254nm、エネルギー密度:200mJ/cm2 、
ショット数:50
ショット数:50
【0100】次いで、このポリシリコン層をパターニン
グして活性シリコン層:500Åを得た。
グして活性シリコン層:500Åを得た。
【0101】この活性シリコン層の上にゲート酸化膜と
なるSiO2 層を、例えばプラズマCVD法により、約
800Å成膜した。成膜条件は例えば下記の通りであ
る。 投入パワー:50W 、TEOS(テトラエトキシシラ
ン)ガス:50SCCM、O2 :500SCCM、圧力:0.1
〜0.5Torr、温度:350℃。
なるSiO2 層を、例えばプラズマCVD法により、約
800Å成膜した。成膜条件は例えば下記の通りであ
る。 投入パワー:50W 、TEOS(テトラエトキシシラ
ン)ガス:50SCCM、O2 :500SCCM、圧力:0.1
〜0.5Torr、温度:350℃。
【0102】このSiO2 層の上に、ゲート電極となる
Mo−Si2 層を、スパッタ法により、約1000Å成
膜した。それからこのMo−Si2 層および上記で形成
したSiO2 層を、例えばドライエッチングによりパタ
ーニングし、ゲート電極およびゲード酸化膜を得た。
Mo−Si2 層を、スパッタ法により、約1000Å成
膜した。それからこのMo−Si2 層および上記で形成
したSiO2 層を、例えばドライエッチングによりパタ
ーニングし、ゲート電極およびゲード酸化膜を得た。
【0103】次いで、このゲート電極をマスクとしてシ
リコン活性層のソース・ドレイン領域となるべき部分に
イオンドーピング法により、それぞれの構成素子として
必要なドーパントをドーピングした。
リコン活性層のソース・ドレイン領域となるべき部分に
イオンドーピング法により、それぞれの構成素子として
必要なドーパントをドーピングした。
【0104】次に、これを窒素雰囲気中で約550℃で
10時間加熱して、ドーパントの活性化を行った。さら
に、水素雰囲気中で約400℃で30分加熱処理して水
素化を行い、半導体の欠陥準位密度を減少させた。
10時間加熱して、ドーパントの活性化を行った。さら
に、水素雰囲気中で約400℃で30分加熱処理して水
素化を行い、半導体の欠陥準位密度を減少させた。
【0105】そして、この基板全体に層間絶縁層となる
SiO2 層を、厚さ約8000Å成形した。この層間絶
縁層となるSiO2 の成膜条件は、以下の通りである。
SiO2 層を、厚さ約8000Å成形した。この層間絶
縁層となるSiO2 の成膜条件は、以下の通りである。
【0106】
【0107】この層間絶縁層となるSiO2 膜をエッチ
ングし、コンタクト用のホールを形成した。次いで、ド
レイン、ソース配線電極としてAlを蒸着した。
ングし、コンタクト用のホールを形成した。次いで、ド
レイン、ソース配線電極としてAlを蒸着した。
【0108】得られたTFTアレイのオフ電流は4×1
0ー10 A、ドレイン−ソース間に加える電界は0.2M
V/cm以下であった。
0ー10 A、ドレイン−ソース間に加える電界は0.2M
V/cm以下であった。
【0109】次に、有機EL素子の形成領域にホール注
入電極となるITOを成膜し、前記配線電極と接続し
た。
入電極となるITOを成膜し、前記配線電極と接続し
た。
【0110】以上のように作製された、本発明サンプル
TFT薄膜パターンの画素領域(ITO上)に高抵抗の
電子注入輸送層および/または高抵抗の電子注入輸送
層、発光層を含む有機層を真空蒸着法により成膜した。
成膜した材料は以下の通りである。ここでは一例のみを
挙げるが、本発明はその概念から明らかなように、蒸着
法で形成可能であれば成膜材料によらずに適用できる。
TFT薄膜パターンの画素領域(ITO上)に高抵抗の
電子注入輸送層および/または高抵抗の電子注入輸送
層、発光層を含む有機層を真空蒸着法により成膜した。
成膜した材料は以下の通りである。ここでは一例のみを
挙げるが、本発明はその概念から明らかなように、蒸着
法で形成可能であれば成膜材料によらずに適用できる。
【0111】ITO電極層等が形成された基板の表面を
UV/O3 洗浄した後、スパッタ装置の基板ホルダーに
固定して、槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。
UV/O3 洗浄した後、スパッタ装置の基板ホルダーに
固定して、槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。
【0112】減圧を保ったまま、N,N,N’,N’−
テトラキス(m−ビフェニル)−1,1’−ビフェニル
−4,4’−ジアミン(TPD)を全体の蒸着速度0.
2nm/secとして200nmの厚さに蒸着し、ホール注入輸
送層とした。
テトラキス(m−ビフェニル)−1,1’−ビフェニル
−4,4’−ジアミン(TPD)を全体の蒸着速度0.
2nm/secとして200nmの厚さに蒸着し、ホール注入輸
送層とした。
【0113】さらに、減圧を保ったまま、N,N,
N’,N’−テトラキス(m−ビフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)と、トリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )と、
ルブレンとを、全体の蒸着速度0.2nm/secとして10
0nmの厚さに蒸着し、発光層とした。TPD:Alq3
=1:1(体積比)、この混合物に対してルブレンを1
0vol%ドープした。
N’,N’−テトラキス(m−ビフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)と、トリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )と、
ルブレンとを、全体の蒸着速度0.2nm/secとして10
0nmの厚さに蒸着し、発光層とした。TPD:Alq3
=1:1(体積比)、この混合物に対してルブレンを1
0vol%ドープした。
【0114】次いで、基板をスパッタ装置に移し、Li
2OにVを4 mol%混合したターゲットを用い、高抵抗
の無機電子注入層を10nmの膜厚に成膜した。このとき
のスパッタガスはAr:30sccm、O2:5sccmで、室
温(25℃)下、成膜レート1nm/min 、動作圧力0.
2〜2Pa、投入電力500Wとした。成膜した無機電子
注入層の組成は、ターゲットとほぼ同様であった。
2OにVを4 mol%混合したターゲットを用い、高抵抗
の無機電子注入層を10nmの膜厚に成膜した。このとき
のスパッタガスはAr:30sccm、O2:5sccmで、室
温(25℃)下、成膜レート1nm/min 、動作圧力0.
2〜2Pa、投入電力500Wとした。成膜した無機電子
注入層の組成は、ターゲットとほぼ同様であった。
【0115】次いで、減圧を保ったまま、Alを100
nmの厚さに蒸着し、陰電極とし、最後にガラス封止して
有機EL素子を得た。
nmの厚さに蒸着し、陰電極とし、最後にガラス封止して
有機EL素子を得た。
【0116】得られた有機EL表示装置を空気中で、1
0mA/cm2 の定電流密度で駆動したところ、初期輝度は
800cd/m2 、駆動電圧7.5V で正常に動作した。
0mA/cm2 の定電流密度で駆動したところ、初期輝度は
800cd/m2 、駆動電圧7.5V で正常に動作した。
【0117】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Poly
−Siの動作速度の影響をなくし、低価格で高速の動作
を可能とするシフトレジスタ、および画像表示装置を実
現することができる。
−Siの動作速度の影響をなくし、低価格で高速の動作
を可能とするシフトレジスタ、および画像表示装置を実
現することができる。
【図1】本発明のシフトレジスタの1構成例を示した回
路図である。
路図である。
【図2】図1の回路の動作を示すタイミングチャートで
ある。
ある。
【図3】本発明の実施例であるシフトレジスタの電源電
圧に対する最大動作周波数の関係を示したグラフであ
る。
圧に対する最大動作周波数の関係を示したグラフであ
る。
【図4】本発明のシフトレジスタを構成するTFTの、
一製造工程を示した概略断面図である。
一製造工程を示した概略断面図である。
【図5】本発明のシフトレジスタを構成するTFTの、
一製造工程を示した概略断面図である。
一製造工程を示した概略断面図である。
【図6】本発明のシフトレジスタを構成するTFTの、
一製造工程を示した概略断面図である。
一製造工程を示した概略断面図である。
【図7】本発明のシフトレジスタを構成するTFTの、
一製造工程を示した概略断面図である。
一製造工程を示した概略断面図である。
【図8】本発明のシフトレジスタを構成するTFTの、
一製造工程を示した概略断面図である。
一製造工程を示した概略断面図である。
【図9】本発明のシフトレジスタを構成するTFTの、
一製造工程を示した概略断面図である。
一製造工程を示した概略断面図である。
【図10】本発明のシフトレジスタを構成するTFT
の、一製造工程を示した概略断面図である。
の、一製造工程を示した概略断面図である。
【図11】従来の画像表示装置の一例を示した概略構成
図である。
図である。
【図12】図11のA部拡大図である。
【図13】従来のシフトレジスタの構成例を示した回路
図である。
図である。
【図14】従来のシフトレジスタの構成例を示した回路
図である。
図である。
M1 第1のスイッチング素子 M2 第2のスイッチング素子 M3 第3のスイッチング素子 M4 第4のスイッチング素子 D1 表示素子 C1,C2 容量 Vid ビデオ信号線 Sel 選択線 VD 電源線 Vcom 接地線 101 基板 102 シリコン酸化膜 103 アモルファスシリコン層 103a 活性層 104 ゲート酸化膜 105 ゲート電極
Claims (8)
- 【請求項1】 活性層がポリシリコンで形成されている
スイッチング素子を有するシフトレジスタであって、 電源ラインから充放電される電荷が、1つのスイッチン
グ素子のみを介して次段に転送されるシフトレジスタ。 - 【請求項2】 相補的に動作する一対のスイッチング素
子を動作単位として有し、 この一対のスイッチング素子により信号を次段へ転送す
る請求項1のシフトレジスタ。 - 【請求項3】 前記動作単位は、クロック信号に同期し
て入力信号を次段へ転送する請求項1または2のシフト
レジスタ。 - 【請求項4】 活性層がポリシリコンで形成されていて
相補的に動作し、インバータとして機能する一対のスイ
ッチング素子を動作単位として有し、これらのスイッチ
ング素子のうち一方のスイッチング素子の被制御端子に
クロック信号を供給するとともに、この動作単位の出力
を、 相補性を有し直列接続されたスイッチング素子の一方の
スイッチング素子の制御端子に供給するとともに、他方
のスイッチング素子の制御端子には前記クロック信号を
入力し、 この直列接続されたスイッチング素子の中点より出力信
号を取り出すシフトレジスタ。 - 【請求項5】 オフ電流が、1×10-7A以下である請
求項1〜4のいずれかのシフトレジスタ。 - 【請求項6】 スイッチング素子の被制御電極間に加え
る電界が、0.2MV/cm以下である請求項1〜5のい
ずれかのシフトレジスタ。 - 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかのシフトレジス
タを有する画像表示装置。 - 【請求項8】 有機EL素子を画素として有する請求項
7の画像表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27630099A JP2001100653A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | シフトレジスタおよび画像表示装置 |
KR1020000052105A KR20010050331A (ko) | 1999-09-29 | 2000-09-04 | 시프트레지스터 및 화상표시장치 |
EP00308170A EP1089291A3 (en) | 1999-09-29 | 2000-09-19 | Shift register and image display apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27630099A JP2001100653A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | シフトレジスタおよび画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001100653A true JP2001100653A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17567538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27630099A Withdrawn JP2001100653A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | シフトレジスタおよび画像表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1089291A3 (ja) |
JP (1) | JP2001100653A (ja) |
KR (1) | KR20010050331A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104599630A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-05-06 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种驱动电路及发光控制电路、显示面板、显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019091516A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | シャープ株式会社 | シフトレジスタおよびそれを備えた表示装置 |
CN110728945B (zh) * | 2019-11-27 | 2023-05-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3513371B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | マトリクス基板と液晶装置とこれらを用いた表示装置 |
JPH1185114A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | データ線駆動回路 |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP27630099A patent/JP2001100653A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-09-04 KR KR1020000052105A patent/KR20010050331A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-09-19 EP EP00308170A patent/EP1089291A3/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104599630A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-05-06 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种驱动电路及发光控制电路、显示面板、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1089291A3 (en) | 2001-09-19 |
KR20010050331A (ko) | 2001-06-15 |
EP1089291A2 (en) | 2001-04-04 |
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