JP2007311602A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1上に設けられた複数の配線電極3及び上記複数の配線電極3のうち所定の配線電極間に設けられたエアーブリッジ電極6を備え、上記配線電極3とエアーブリッジ電極6との接続は、上記配線電極3に掘り込み部3bを形成し、上記エアーブリッジ電極6の脚部の接続部6bを上記掘り込み部3bに埋め込むことによって行う構成とする。
【選択図】図4
Description
その後、図16に示すように、図15における最上部のレジスト4bを除去した上で不要な給電電極層5を例えばイオンミリングで除去し、最後にエアーブリッジ電極6下のレジスト4aも除去してエアーブリッジ電極6を形成する。
以下、この発明の実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1〜図4は、実施の形態1による半導体装置の構造、及びその製造方法のステップを順次説明するための説明図で、(a)は側断面図、(b)は平面図である。なお、図13〜図16と同一または相当部分には同一符号を付している。
次に、この発明の実施の形態2を図にもとづいて説明する。図5及び図6は、実施の形態2による半導体装置の構造、及びその製造方法のステップを順次説明するための説明図で、(a)は側断面図、(b)は平面図である。なお、図1〜図4と同一または相当部分には同一符号を付している。
次に、この発明の実施の形態3を図にもとづいて説明する。図7〜図9は、実施の形態3による半導体装置の構造、及びその製造方法のステップを順次説明するための説明図で、(a)は側断面図、(b)は平面図である。なお、図1〜図4と同一または相当部分には同一符号を付している。
次に、この発明の実施の形態4を図にもとづいて説明する。図10〜図12は、実施の形態4による半導体装置の構造、及びその製造方法のステップを順次説明するための説明図で、(a)は側断面図、(b)は平面図である。なお、図7〜図9と同一または相当部分には同一符号を付している。
また、エアーブリッジ電極の形態、配線電極の形態は、図示の形態に限られるものではなく、同様な効果が得られるものであれば他の形態でもよいことは言うまでもない。
6a 平坦部、 6b 脚部、 7 エッチング。
Claims (9)
- 半導体基板上に設けられた複数の配線電極及び上記複数の配線電極のうち所定の配線電極間に設けられたエアーブリッジ電極を備え、上記配線電極とエアーブリッジ電極との接続は、上記配線電極に掘り込み部を形成し、上記エアーブリッジ電極の脚部の接続部を上記掘り込み部に埋め込むことによって行うことを特徴とする半導体装置。
- 上記掘り込み部の深さは、上記配線電極の厚さのほぼ半分とされていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 上記掘り込み部は、外方に向けた楔状の中空部として形成されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。
- 半導体基板表面に第1の掘り込み部を形成し、上記第1の掘り込み部に埋め込まれた埋め込み部と上記半導体基板上に露出する露出部とからなる複数の配線電極及び上記複数の配線電極のうち所定の配線電極間に設けられたエアーブリッジ電極を備え、上記配線電極とエアーブリッジ電極との接続は、上記配線電極の露出部に第2の掘り込み部を形成し、上記エアーブリッジ電極の脚部の接続部を上記第2の掘り込み部に埋め込むことによって行うことを特徴とする半導体装置。
- 上記第1の掘り込み部は、外方に向けた楔状の中空部として形成されることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- 半導体基板上に複数の配線電極を形成する第1のステップと、上記配線電極及び上記半導体基板上に層間絶縁膜を形成すると共に、上記配線電極上にコンタクトホールを開口する第2のステップと、上記層間絶縁膜上に第1のレジストパターンを形成した後、エッチングによって上記コンタクトホールを経て上記配線電極に掘り込み部を形成し、上記第1のレジストパターンを除去する第3のステップと、上記層間絶縁膜上に第2のレジストパターンを形成した後、第2のレジストパターン上及び上記掘り込み部内に給電電極層を形成する第4のステップと、上記給電電極層の上に第3のレジストパターンを形成した後、上記掘り込み部内に埋め込む脚部と、上記脚部に連なり上記給電電極層上に延びる平坦部とからなるエアーブリッジ電極をメッキによって形成する第5のステップと、上記第2、第3のレジストパターンを除去する第6のステップとを有する半導体装置の製造方法。
- 上記第3のステップにおいて、エッチングを斜め方向に実施することにより、上記掘り込み部が外方に向けた楔状の中空部として形成されることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に第1のレジストパターンを形成し、エッチングによって所定位置に複数の第1の掘り込み部を形成する第1のステップと、第1のレジストパターンを除去した後、上記半導体基板上の第1の掘り込み部に埋め込まれた埋め込み部と上記半導体基板上に露出する露出部とからなる配線電極を形成し、上記配線電極及び上記半導体基板上に層間絶縁膜を形成すると共に、上記配線電極上にコンタクトホールを開口する第2のステップと、上記層間絶縁膜上に第2のレジストパターンを形成した後、エッチングによって上記コンタクトホールを経て上記配線電極の露出部に第2の掘り込み部を形成し、上記第2のレジストパターンを除去する第3のステップと、上記層間絶縁膜上に第3のレジストパターンを形成した後、第3のレジストパターン上及び上記第2の掘り込み部内に給電電極層を形成する第4のステップと、上記給電電極層の上に第4のレジストパターンを形成した後、上記第2の掘り込み部内に埋め込む脚部と、上記脚部に連なり上記給電電極層上に延びる平坦部とからなるエアーブリッジ電極をメッキによって形成する第5のステップと、上記第3、第4のレジストパターンを除去する第6のステップとを有する半導体装置の製造方法。
- 上記第1のステップにおいて、異方性エッチングにより、複数の第1の掘り込み部が外方に向けた楔状の中空部として形成されることを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。
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