JP2007305658A - 酸化物トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ソース電極4、ドレン電極4及びゲート電極2の3つの電極、チャネル層6及びゲート絶縁膜3の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも2以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるIn−Ga−Zn−O膜で形成した。
【選択図】図1
Description
更にこの本発明製造方法のより好ましい実施態様として、メタルマスクを用いて所定パターンのIn−Ga−Zn−O膜を基板上に形成し、かつ該メタルマスクを交換すると共に上記酸素ガス流量を変化させることにより、電気抵抗率の異なる2種以上のIn−Ga−Zn−O膜を形成して、上記各要素の少なくとも2以上を形成することを特徴とする上記本発明の酸化物トランジスタの製造方法を提供する。
本発明の酸化物トランジスタは、上述のように、ソース電極、ドレン電極及びゲート電極の3電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を基板上に形成したものであり、かつ上記の通り各要素の2以上をIn−Ga−Zn−O膜で形成したもので、例えば図1に示した構成のTFT素子を例示することができる。
まず、In−Ga−Zn−O膜の電気抵抗率の酸素依存性を確認するべく、以下に示す条件でDCマグネトロンスパッタ法によって成膜操作を行った。得られたIn−Ga−Zn−O膜の電気抵抗率と酸素導入量との関係を図2に示す。なお、電気抵抗率の測定はMitsubishi Chemical Corporation社製の「Loresta−AP MCP−T400」を用いて行った。
成膜条件
ターゲット:InGaZnO4焼結体(サイズ75mmφ)
到達真空度:5.0×10-4Pa
成膜時圧力:0.5Pa
印加電力:100W
使用基板:コーニング7059無アルカリガラス
成膜雰囲気:ガス流量を100sccmで一定とし、ArとO2の流量比を変化させた。
まず、コーニング7059無アルカリガラス製の基板にパターニングを施さずに上記実施例1と同様の条件でIn−Ga−Zn−O膜を成膜し、ゲート電極を一様に成膜した。このゲート絶縁膜の電気抵抗率は、実施例1と同様に10-2Ωcm程度であると推察される。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 ソース電極
5 ドレン電極
6 チャネル層
Claims (7)
- ソース電極、ドレン電極及びゲート電極の3電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも2以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるIn−Ga−Zn−O膜で形成したことを特徴とする酸化物トランジスタ。
- 上記3電極がそれぞれ電気抵抗率1×10-3〜1×10-1Ωcmの導電性In−Ga−Zn−O膜で形成され、上記チャネル層が電気抵抗率1〜1×103Ωcmの半導電性In−Ga−Zn−O膜で形成され、かつ上記ゲート絶縁膜が電気抵抗率1×106〜1×1010Ωcmの高抵抗In−Ga−Zn−O膜で形成された請求項1記載の酸化物トランジスタ。
- In−Ga−Zn−O膜で形成された各要素が、スパッタリング法により上記基板状に形成されたものである請求項1又は2記載の酸化物トランジスタ。
- 透明材料からなる基板を用いた透明酸化物半導体である請求項1〜3のいずれか1項に記載の酸化物トランジスタ。
- 酸素ガスを含む雰囲気下で、In,Ga及びZnを含むターゲットを用いてスパッタすることにより、所定パターンのIn−Ga−Zn−O膜を基板上に形成し、該In−Ga−Zn−O膜で、ソース電極、ドレン電極及びゲート電極の3電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素の1以上を形成して、酸化物トランジスタを製造する方法において、上記酸素ガス流量を変化させることにより、電気抵抗率の異なる2種以上のIn−Ga−Zn−O膜を形成して、上記各要素の少なくとも2以上を形成することを特徴とする酸化物トランジスタの製造方法。
- メタルマスクを用いて所定パターンのIn−Ga−Zn−O膜を基板上に形成し、かつ該メタルマスクを交換すると共に上記酸素ガス流量を変化させることにより、電気抵抗率の異なる2種以上のIn−Ga−Zn−O膜を形成して、上記各要素の少なくとも2以上を形成することを特徴とする請求項5記載の酸化物トランジスタの製造方法。
- メタルマスクを交換すると共に酸素ガス流量を変化させることにより、電気抵抗率1×10-3〜1×10-1Ωcmの導電性In−Ga−Zn−O膜からなるソース電極、ドレン電極及びゲート電極の各電極と、電気抵抗率1〜1×103Ωcmの半導電性In−Ga−Zn−O膜からなるチャネル層と、電気抵抗率1×106〜1×1010Ωcmの高抵抗In−Ga−Zn−O膜からなるゲート絶縁膜をスパッタリングにより形成する請求項6記載の酸化物トランジスタの製造方法。
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