JP2007273053A - 垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】、基板11と、基板11上に、軟磁性裏打積層体12、シード層13、酸化抑制層14、第1下地層15、第2下地層16、記録層18、保護膜19、および潤滑層20を順次積層した構成を有し、Ruを除く貴金属元素を含む酸化抑制層14をRuあるいはhcp結晶構造を有するRu合金からなる第1下地層15の下地として設け、第1下地層15、第2下地層16、さらには記録層18の結晶配向性を向上する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の概略断面図、図2は、図1に示す垂直磁気記録媒体の要部を模式的に示した拡大図である。
このように堆積速度あるいは圧力を設定することで、上述した結晶粒子15aと結晶粒界部15bからなる多結晶体の連続膜の第1下地層15を形成することができる。
実施例1に係る垂直磁気記録媒体を以下に示す構成で作製した。なお、括弧内の数値は膜厚を示す。
軟磁性裏打ち層:CoZrNb膜(200nm)
シード層:Ta膜(2nm)
酸化抑制層:Pt膜(3nm)
第1下地層:Ru膜(15nm)
第2下地層:Ru膜(5nm)
記録層:(CoCrPt15)87−(SiO2)13膜(16nm)
保護膜:カーボン膜(3nm)
潤滑層:パーフルオロポリエーテル(1.5nm)
実施例1の垂直磁気記録媒体は、ガラス基板を洗浄・乾燥後、基板加熱を行わないで、DCマグネトロンスパッタ法により、Arガス雰囲気中、圧力0.266Pa(2mTorr)に設定して、CoZrNb膜、Ta膜、およびPt膜を上記の膜厚に、この順に形成した。
本発明によらない比較例1の垂直磁気記録媒体として、酸化抑制層のPt膜を設けない以外は実施例1と同様の構成および作製条件の垂直磁気記録媒体を形成した。
実施例2に係る垂直磁気記録媒体を以下に示す構成で作製した。なお、括弧内の数値は膜厚を示す。
軟磁性裏打ち層:CoZrNb膜(200nm)
シード層:Ta膜(4.5nm)
酸化抑制層:Pt膜(3nm)
第1下地層:Ru膜
第2下地層:Ru膜(3.7nm)
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保護膜:カーボン膜(3nm)
潤滑層:パーフルオロポリエーテル(1.5nm)
実施例2の垂直磁気記録媒体を上述した実施例1と略同様の条件で作製した。なお、実施例2では、第1下地層の膜厚を7nm、15nm、22.5nmとした垂直磁気記録媒体を作製した。
本発明によらない比較例2の垂直磁気記録媒体として、酸化抑制層のPt膜を設けない以外は実施例2と同様の構成および作製条件の垂直磁気記録媒体を作製した。比較例2においても第1下地層の膜厚を同様に異ならせた垂直磁気記録媒体を作製した。
実施例3および4に係る垂直磁気記録媒体として、酸化抑制層のPt膜の膜厚を異ならせた垂直磁気記録媒体を作製した。
本発明の第2の実施の形態は、第1の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に係るものである。
(付記1) 基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
前記シード層上に形成された酸化抑制層と、
前記酸化抑制層上に形成されたRuあるいはhcp結晶構造を有するRu合金からなる複数の結晶粒子と、該結晶粒子を互いに離隔する空隙部からなる下地層と、
前記下地層上に形成された、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する空隙部あるいは非磁性の非固溶相からなる記録層とを備え、
前記酸化抑制層は、Ruを除く貴金属元素を含む垂直磁気記録媒体。
(付記2) 前記シード層と下地層との間に他の下地層をさらに備え、
前記他の下地層は、RuまたはRu合金からなる結晶粒子と該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した連続膜からなることを特徴とする付記1記載の垂直磁気記録媒体。
(付記3) 前記hcp結晶構造を有するRu合金は、Ru−X合金と表され、XがTa、Nb、Co、Cr、Fe、Ni、Mn、およびCからなる群のうち少なくとも1種からなることを特徴とする付記1または2記載の垂直磁気記録媒体。
(付記4) 前記酸化抑制層は、その膜厚が2.0nm以上の範囲に設定されることを特徴とする付記1記載の垂直磁気記録媒体。
(付記5) 前記酸化抑制層は、Pt、Au、およびAgからなる群のうち、少なくとも1種からなることを特徴とする付記1記載の垂直磁気記録媒体。
(付記6) 前記シード層は、Ta、Ti、Mo、W、Re、Hf、およびMgからなる群のうち少なくとも1種の非晶質の非磁性材料からなることを特徴とする付記1記載の垂直磁気記録媒体。
(付記7) 前記記録層は、その磁性粒子が、Co、CoCr、CoPt、CoCrTa、CoCrPt、およびCoCrPt−Mからなる群のうちいずれか1種からなり、該Mが、B、Ta、Cu、W、Mo、およびNbからなる群のうち少なくとも1種から選択されことを特徴とする付記1記載の垂直磁気記録媒体。
(付記8) 前記軟磁性裏打ち層は、基板側から、第1の軟磁性層と、非磁性結合層と、第2の磁性層とがこの順に積層してなり、
前記第1の軟磁性層および第2の軟磁性層は、面内に磁化容易軸を有すると共に、該第1の軟磁性層の磁化および第2の軟磁性層の磁化は、面内に配向すると共に、互いに反強磁性的に結合してなることを特徴とする付記1記載の垂直磁気記録媒体。
(付記9) 磁気ヘッドを有する記録再生手段と、
付記1記載の垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記憶装置。
(付記10) 基板上に軟磁性裏打ち層と、シード層と、酸化抑制層と、下地層と、前記基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなる記録層とが順次積層された垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
前記シード層上に、Ruを除く貴金属元素を含む酸化抑制層を形成する工程と、
前記酸化抑制層上に、Ruまたはhcp結晶構造を有するRu合金からなる材料を、堆積速度を1nm/秒以下でかつ圧力を2.66Pa以上に設定してスパッタ法により下地層を形成する工程と、を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
(付記11) 前記酸化抑制層を形成する工程と下地層を形成する工程との間に、他の下地層を形成する工程をさらに含み、
前記他の下地層を形成する工程は、スパッタ法によりRuまたはhcp結晶構造を有するRu合金からなる材料を、堆積速度を5nm/秒以上で、かつ圧力を2.66Pa以上に設定してスパッタ法により他の下地層を形成することを特徴とする付記10記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(付記12) 前記酸化抑制層を形成する工程と下地層を形成する工程との間に、他の下地層を形成する工程をさらに含み、
前記他の下地層を形成する工程は、スパッタ法によりRuまたはhcp結晶構造を有するRu合金からなる材料を、堆積速度を3nm/秒以下で、かつ圧力を2.66Pa以下に設定してスパッタ法により他の下地層を形成することを特徴とする付記10記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(付記13) 前記記録層を形成する工程は、雰囲気ガス圧を2.00Pa以上かつ8.00Pa以下の範囲に設定してスパッタ法により記録層を形成することを特徴とする付記10記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
11 基板
12 軟磁性裏打積層体
12a,12b 非晶質軟磁性層
12c 非磁性結合層
13 シード層
14 酸化抑制層
15 第1下地層
15a 結晶粒子
15b 結晶粒界部
16 第2下地層
16a 結晶粒子
16b 空隙部
18 記録層
18a 磁性粒子
18b 非固溶相
19 保護膜
20 潤滑層
50 磁気記憶装置
58 磁気ヘッド
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
前記シード層上に形成された酸化抑制層と、
前記酸化抑制層上に形成されたRuあるいはhcp結晶構造を有するRu合金からなる複数の結晶粒子と、該結晶粒子を互いに離隔する空隙部からなる下地層と、
前記下地層上に形成された、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する空隙部あるいは非磁性の非固溶相からなる記録層とを備え、
前記酸化抑制層は、Ruを除く貴金属元素を含む垂直磁気記録媒体。 - 前記シード層と下地層との間に他の下地層をさらに備え、
前記他の下地層は、RuまたはRu合金からなる結晶粒子と該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した連続膜からなることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録媒体。 - 前記hcp結晶構造を有するRu合金は、Ru−X合金と表され、XがTa、Nb、Co、Cr、Fe、Ni、Mn、およびCからなる群のうち少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1または2記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記酸化抑制層は、Pt、Au、およびAgからなる群のうち、少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
- 磁気ヘッドを有する記録再生手段と、
請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記憶装置。 - 基板上に軟磁性裏打ち層と、シード層と、酸化抑制層と、下地層と、前記基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなる記録層とが順次積層された垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
前記シード層上に、Ruを除く貴金属元素を含む酸化抑制層を形成する工程と、
前記酸化抑制層上に、Ruまたはhcp結晶構造を有するRu合金からなる材料を、堆積速度を1nm/秒以下でかつ圧力を2.66Pa以上に設定してスパッタ法により下地層を形成する工程と、を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記酸化抑制層を形成する工程と下地層を形成する工程との間に、他の下地層を形成する工程をさらに含み、
前記他の下地層を形成する工程は、スパッタ法によりRuまたはhcp結晶構造を有するRu合金からなる材料を、堆積速度を5nm/秒以上で、かつ圧力を2.66Pa以上に設定してスパッタ法により他の下地層を形成することを特徴とする請求項6記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記酸化抑制層を形成する工程と下地層を形成する工程との間に、他の下地層を形成する工程をさらに含み、
前記他の下地層を形成する工程は、スパッタ法によりRuまたはhcp結晶構造を有するRu合金からなる材料を、堆積速度を3nm/秒以下で、かつ圧力を2.66Pa以下に設定してスパッタ法により他の下地層を形成することを特徴とする請求項6記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
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