JP2007271167A - 加熱処理装置及び加熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面が金属又は合金からなる基体3を加熱処理する加熱処理装置であって、少なくとも燃料ガスが導入されて先端から燃焼ガスを噴出するガスバーナ20と、このガスバーナに燃料ガスを導入する燃料ガス導入手段21、22と、前記ガスバーナから放出された燃焼炎を導入する導入口を有する燃焼室1と、この燃焼室1に連通部13を介して連通して設けられると共に前記基体3を載置して加熱処理する処理室2と、前記ガスバーナ20から噴出された燃焼ガスを前記連通部13から導入して当該処理室2内に燃焼ガスの均一な雰囲気を形成する処理雰囲気形成手段17とを具備する。
【選択図】図1
Description
2、2A、2B 処理室
3 基体
10 下部筐体
11 上部筐体
10A、10B、10C、11A、11B、11C 筐体
13 貫通口
14 載置台
15 ヒータ
16 蓋体
17 ガス排出口
18 ファン
20 ガスバーナ
Claims (23)
- 表面が金属又は合金からなる基体を加熱処理する加熱処理装置であって、
少なくとも燃料ガスが導入されて先端から燃焼ガスを噴出するガスバーナと、このガスバーナに燃料ガスを導入する燃料ガス導入手段と、前記ガスバーナから放出された燃焼炎を導入する導入口を有する燃焼室と、この燃焼室に連通部を介して連通して設けられると共に前記基体を載置して加熱処理する処理室と、前記ガスバーナから噴出された燃焼ガスを前記連通部から導入して当該処理室内に燃焼ガスの均一な雰囲気を形成する処理雰囲気形成手段とを具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1記載の加熱処理装置において、
前記処理雰囲気形成手段が、前記処理室に設けられたガス排出口を含み、ガス排出口の開閉を制御して前記連通部から導入される燃焼ガスの流れを制御することを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1又は2記載の加熱処理装置において、
前記処理雰囲気形成手段が、前記処理室内に設けられた気流制御装置を含み、前記連通部から導入される燃焼ガスの流れを制御することを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項3記載の加熱処理装置において、
前記気流制御装置が、前記処理室内に設けられた流れ制御板及びファンの少なくとも一方であることを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜4の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記処理雰囲気形成手段が、前記処理室の壁を構成する筐体及び当該処理室内に設けられて前記基体を載置するための載置台の少なくとも一方を回転駆動する回転移動装置を含むことを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜5の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記処理雰囲気形成手段が、前記処理室内の温度分布を均一にするように機能することを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜6の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記処理室の内壁には、当該処理室の温度分布を均一にするために補助ヒータが設けられていることを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜7の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記処理室は、前記基体を導入する導入口及び排出する排出口を有すると共にこれら導入口及び排出口を介して当該処理室内を通過するように前記基体を搬送する搬送手段を具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜8の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記処理室に不活性ガスを導入するガス導入手段を具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜9の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記処理室は大気圧又は前記燃焼ガスの導入により若干加圧状態にあることを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜10の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記燃焼室と前記処理室とが隣接して設けられ、前記連通部が両者の境界の隔壁に設けられた少なくとも1つの貫通口であることを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項1〜10の何れかに記載の加熱処理装置において、
前記燃焼室と前記処理室とが隔離して設けられ、前記連通部が両者を連結する連結管であることを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項12記載の加熱処理装置において、
前記連結管の途中又は前記処理室内に燃焼ガスを加熱する燃焼ガス加熱手段を具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項12又は13記載の加熱処理装置において、
前記連結管の途中に燃焼ガスを冷却する冷却装置を具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 表面が金属又は合金からなる基体を加熱処理する加熱処理方法であって、
少なくとも燃料ガスが導入されて先端から燃焼ガスを噴出するガスバーナと、このガスバーナに燃料ガスを導入する燃料ガス導入手段と、前記ガスバーナから放出された燃焼炎を導入する導入口を有する燃焼室と、この燃焼室に連通部を介して連通して設けられると共に前記基体を載置して加熱処理する処理室とを有する加熱処理装置を用い、前記処理室内に前記基体を載置すると共に、前記ガスバーナから噴出された燃焼ガスを前記連通部を介してから前記処理室内に導入して当該処理室内に燃焼ガスの均一な雰囲気を形成して加熱処理することにより、前記基体の表面に酸化物層を形成することを具備することを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項15記載の加熱処理方法において、
前記ガスバーナに導入される燃料ガスが、少なくとも炭素を含む化合物を含有するガスであることを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項16記載の加熱処理方法において、
前記ガスバーナに導入される燃料ガスが、炭化水素を主成分とするガスであることを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項17記載の加熱処理方法において、
前記炭化水素を主成分とするガスが不飽和炭化水素を30容量%以上含有することを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項17又は18記載の加熱処理方法において、
前記炭化水素を主成分とするガスがアセチレンを50容量%以上含有することを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項16〜19の何れかに記載の加熱処理方法において、
前記酸化物層が炭素ドープ酸化物層であることを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項16〜20の何れかに記載の加熱処理方法において、
前記酸化物層の炭素が、当該酸化物層を構成する金属と結合した状態でドープされていることを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項16〜21の何れかに記載の加熱処理方法において、
前記処理室に不活性ガスを導入しながら加熱処理を行うことを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項16〜22の何れかに記載の加熱処理方法において、
前記処理室が大気圧又は前記燃焼ガスの導入により若干加圧状態で加熱処理を行うことを特徴とする加熱処理方法。
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