JP2007266347A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ホルダフレームUHF、ウエハ押さえ軸UHPおよびウエハ押さえ爪UHNから形成された上部ウエハホルダUWHと、下部ウエハホルダBWHとを備えた熱処理装置内において、ウエハ状のn++型高濃度基板1と接触するウエハ押さえ爪UHNおよび下部ウエハホルダBWHは、熱伝導率が低い石英ガラスから形成されたものを用いる。
【選択図】図10
Description
(a)半導体ウエハの第1の主面に金属膜を成膜する工程、
(b)前記(a)工程後、前記半導体ウエハに熱処理を施す工程。
前記保持手段のうち、前記半導体ウエハと接触する第1の部材は、前記第1の部材以外の第2の部材以下の熱伝導率の材質で形成されている。
(a)半導体ウエハの第1の主面に金属膜を成膜しつつ、前記第1の主面とは反対側の第2の主面から前記半導体ウエハに熱処理を施す工程。
前記保持手段のうち、前記半導体ウエハと接触する第1の部材は、前記第1の部材以外の第2の部材以下の熱伝導率の材質で形成されている。
(1)熱処理装置における半導体ウエハを保持する保持手段のうち、半導体ウエハと接触する第1の部材を熱伝導率の低い部材で形成するので、熱処理時に半導体ウエハから熱を逃げ難くすることができる。
(2)熱処理装置における半導体ウエハを加熱する加熱手段を半導体ウエハの直径と重なるように配置し、熱処理は半導体ウエハを保持する保持手段を回転させつつ行うので、半導体ウエハに熱を均一に加えることができる。
本実施の形態1の半導体装置は、たとえばPINダイオードを含むものである。この本実施の形態1の半導体装置の製造工程について図1〜図19を用いて説明する。
次に、本実施の形態2について説明する。
次に、本実施の形態3について説明する。
次に、本実施の形態4について説明する。
2 I層
3 酸化シリコン膜
4 開口部
5 p++型半導体領域
6 酸化シリコン膜
7 開口部
8 n++型ガードリング領域
9 PSG膜
10 Si3N4膜
11 開口部
12 表面電極
13 裏面電極
13A Au膜(金属膜)
13B 共晶層
14 チップ
15 リード
16 ボンディングワイヤ
17 リード
18 封止樹脂
BWH 下部ウエハホルダ(保持手段)
DP ダイシングテープ
LH ランプハウス
LMP、LMP2 ランプ(加熱手段)
P1〜P10 工程
TP 突き上げピン
SPT スパッタターゲット
UHF ホルダフレーム
UHN ウエハ押さえ爪(第1の部材)
UHP ウエハ押さえ軸(第2の部材)
UWH 上部ウエハホルダ(保持手段)
Claims (12)
- 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)半導体ウエハの第1の主面に金属膜を成膜する工程、
(b)前記(a)工程後、前記半導体ウエハに熱処理を施す工程。
ここで、前記熱処理は、前記半導体ウエハを保持する保持手段と、前記半導体ウエハに加熱する加熱手段とを備えた熱処理装置により行い、
前記保持手段のうち、前記半導体ウエハと接触する第1の部材は、前記第1の部材以外の第2の部材以下の熱伝導率の材質で形成されている。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の部材は石英ガラスから形成され、
前記第2の部材はSUSから形成されている。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱手段は、平面で前記半導体ウエハの直径と重なるように配置し、
前記(b)工程は、前記半導体ウエハと前記加熱手段とを対向させ、前記半導体ウエハを保持した前記保持手段を回転させつつ行う。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハには、複数のダイオードまたは複数のパワーMISFETの少なくとも一方が形成され、
前記(b)工程では、前記半導体ウエハの前記第1の主面に前記半導体ウエハと前記金属膜との共晶層を形成する。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属膜は、前記複数のダイオードまたは複数のパワーMISFETの少なくとも一方の電極の1つである。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属膜は、金を含む。 - 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)半導体ウエハの第1の主面に金属膜を成膜しつつ、前記第1の主面とは反対側の第2の主面から前記半導体ウエハに熱処理を施す工程。
ここで、前記熱処理は、前記半導体ウエハを保持する保持手段と、前記第2の主面と対向して配置され、前記第2の主面から前記半導体ウエハに加熱する加熱手段とを備えた熱処理装置により行い、
前記保持手段のうち、前記半導体ウエハと接触する第1の部材は、前記第1の部材以外の第2の部材以下の熱伝導率の材質で形成されている。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の部材は石英ガラスから形成され、
前記第2の部材はSUSから形成されている。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱手段は、平面で前記半導体ウエハの直径と重なるように配置し、
前記(a)工程は、前記半導体ウエハの前記第2の主面と前記加熱手段とを対向させ、前記半導体ウエハを保持した前記保持手段を回転させつつ行う。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハには、複数のダイオードまたは複数のパワーMISFETの少なくとも一方が形成され、
前記(a)工程では、前記半導体ウエハの前記第1の主面に前記半導体ウエハと前記金属膜との共晶層を形成する。 - 請求項10記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の主面は前記半導体ウエハの裏面であり、
前記第2の主面は前記半導体ウエハの素子形成面であり、
前記金属膜は、前記複数のダイオードまたは複数のパワーMISFETの少なくとも一方の電極の1つである。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属膜は、金を含む。
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