JP2007208074A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェハ1の外周に外枠26を形成し、チップ化領域27をドライエッチングとスピンウェットエッチングで所定の厚さまで減らす。スピンウェットエッチングは厚みを検知しながら行い所定の厚さでエッチングを停止させる。ウェットエッチング液は混酸で行う。
【選択図】 図6
Description
(1)FZ−N基板(n型半導体基板1)の表面側にゲート酸化膜4(ここでは、SiO2)とゲート電極5となる多結晶シリコン(ここでは、Poly)を堆積、加工して、絶縁ゲート構造31を形成する。
(2)n型半導体基板1の表面層にp型ベース層2(p+)を形成した後、このp型ベース層2の表面層にn型エミッタ層3を形成する。
(3)表面に層間絶縁膜6(ここでは、BPSG:ボロン・リンガラス)を堆積し、コンタクトホール7を形成する。n型エミッタ層3とp型ベース層2にコンタクトホール7を介して接するようにアルミ・シリコン膜からなる表面電極(エミッタ電極8)を層間絶縁膜6上に形成する。アルミ・シリコン膜は、安定した接合性・低抵抗配線を実現するために、その後、400〜500℃程度の低温で熱処理される。このように形成された表面電極側30のみを示す(同図(a))。
(裏面製造プロセスは、表面電極側30が完成されたものとして示す。)
(4)裏面21側より、所望の厚さまでn型半導体基板1(ウェハともいう)をバックグラインドやエッチング等を用いて薄ウエハ化する(同図(b))。
(5)次に、n型バッファ層9および高濃度p型コレクタ層10(p+層)を形成するために、裏面22aよりイオン注入を行う。本例では、n型バッファ層9にはリン、p型コレクタ層10にはボロンをイオン注入する。
(6)電気炉、或いはレーザーにより熱処理(アニール)を行い、n型バッファ層9および高濃度p型コレクタ層10(p+層)を形成する(同図(c))。
(7)表面電極側30に図示しないポリイミド保護膜を形成し、その後、p型コレクタ層10(p+層)面に、アルミニウム層、チタン層、ニッケル層および金層などの金属膜の組合せで裏面電極(コレクタ電極11)を形成する(同図(d))。
(8)n型半導体基板1を粘着シートに接着してチップ状にダイシングラインに沿って切断する(同図(f))。
(9)最後に、粘着シートからチップを剥離し、表面電極側の表面には、アルミニウムワイヤをエミッタ電極やゲートパッドに超音波ワイヤーボンディング装置により固着し、もう一方の裏面電極側は、はんだ層でp型コレクタ層を支持部材に固着する(図22)。
(1)ウェハの反り量が大きく、後工程の装置で搬送などが不可能となる。
(2)ウェハの外周は割れの起点となる部位であり、強度不足により割れ不良が増える。特にウェハの厚さを200μm未満とすると反り量が顕著に現れる(図24)。
前記研削加工工程を実行した後、前記反対側の面に対し前記半導体基板の外周部を残して所定の厚さまでドライエッチングして薄くする第1エッチング工程と
前記第1エッチング工程を実行した後に、前記外周部も含めて前記半導体基板の反対側全域をスピンウェットエッチングで厚みを測定しながら薄くする第2エッチング工程と
前記第2エッチング工程を実行した後に、前記第2エッチングが施された前記半導体基板の反対側の面に、前記半導体基板の濃度よりも高い濃度の高濃度層を形成する高濃度層形成工程とを備えた製造方法とする。
(1)FZ−N基板(n型半導体基板1)の表面側にゲート酸化膜4(ここでは、SiO2)とゲート電極5となる多結晶シリコン(ここでは、Poly)を堆積、加工して、絶縁ゲート構造31を形成する。
(2)n型半導体基板1の表面層にp型ベース層2(p+)を形成した後、このp型ベース層2の表面層にn型エミッタ層3を形成する。
(3)表面に層間絶縁膜6(ここでは、BPSG:ボロン・リンガラス)を堆積し、コンタクトホール7を形成する。n型エミッタ層3とp型ベース層2にコンタクトホールを介して接するようにアルミ・シリコン膜からなる表面電極(エミッタ電極8)を層間絶縁膜6上に形成する。アルミ・シリコン膜は、安定した接合性・低抵抗配線を実現するために、その後、400〜500℃程度の低温で熱処理される。
下記の(4)から(9)の裏面製造プロセスは、(1)から(3)の表面電極側30のプロセスが終了した後に行う。裏面製造プロセスを図1〜図9を用いて説明する。尚、図1〜図9において上記(1)〜(3)のプロセスで形成した絶縁ゲート構造31を含む部分を表面電極側30と略記する。
(4)次に、裏面21側(図1では上側の面)より、所望の厚さまでn型半導体基板1(ウェハ:ウェハにもn型半導体基板と同一の符号の1を付す)の裏面21をバックグラインドを用いて240μmまで裏面研削加工して薄ウェハ化する。薄ウェハ化後は裏面22となる。このとき、狙いの厚さは外枠26の厚さTとほぼ等しくする(図2)。
(5)次に、n型バッファ層9および高濃度のp型コレクタ層10(p+層)を形成するために、裏面25よりイオン注入を行う。本例では、n型バッファ層9はリン、p型コレクタ層10はボロンをイオン注入する。続いて、電気炉、或いはレーザーにより熱処理(アニール)を行いn型バッファ層9の深さを10μm程度、p型コレクタ層10の深さを2μm程度で形成する(図7)。
(6)次に、表面電極側30に図示しないポリイミド保護膜を形成し、その後、p型コレクタ層面(裏面25)に、アルミニウム層、チタン層、ニッケル層および金層などの金属膜の組合せで裏面電極(コレクタ電極11)を形成する(図8)。
(7)次に、ウェハ1を粘着シート12に接着して支持台32に載せ、外枠26を切り落としたあと、ダイシングライン13に沿って切断してチップ14にする。このチップ14にする別の方法として、外枠14の凸部を研削して除去した後、ダイシングライン13に沿って切断してチップ14にしてもよい(図9)。
(8)最後に、表面電極側30の表面には、図示しないアルミニウムワイヤをエミッタ電極やゲートパッドに超音波ワイヤーボンディング装置により固着し、もう一方のコレクタ電極側は、図示しないはんだ層でp型コレクタ電極11を支持部材に固着する(図22)。
(1)バックグラインドにおいて面内及びウェハ間の厚さのバラツキ幅で10μm程度となる。
(2)ドライエッチングの面内均一性は前記したように±5%程度なので、100μm×(±0.05)=±5μm程度でありのバラツキ幅は10μmにもなる。
2 p型ベース層
3 n型エミッタ層
4 ゲート酸化膜
5 ゲート電極
6 層間絶縁膜
7 コンタクトホール
8 エミッタ電極
9 n型バッファ層
10 p型コレクタ層
11 コレクタ電極
21、22、24、25 裏面
23 レジスト
26 外枠
27 チップ化領域
30 表面電極側
31 絶縁ゲート構造
32 支持台
T 外枠の厚さ
W 外枠の幅
Q 最終のウェハ厚さ(チップ化領域内)
Claims (6)
- 一方の表面に絶縁ゲート構造が形成された半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の一方の面とは反対側の面から研削加工して、前記半導体基板を所定の厚さにする研削加工工程と、
前記研削加工工程を実行した後、前記反対側の面に対し前記半導体基板の外周部を残して所定の厚さまでドライエッチングして薄くする第1エッチング工程と
前記第1エッチング工程を実行した後に、前記外周部も含めて前記半導体基板の反対側全域をスピンウェットエッチングで厚みを測定しながら薄くする第2エッチング工程と
前記第2エッチング工程を実行した後に、前記第2エッチングが施された前記半導体基板の反対側の面に、前記半導体基板の濃度よりも高い濃度の高濃度層を形成する高濃度層形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2エッチング工程で用いられるエッチング液が混酸であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記混酸がフッ酸と硝酸と燐酸および硫酸の混合液であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2エッチング工程で薄くなった前記半導体基板の厚さを100μm以下とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記外周部が残った個所(外枠)の幅を1mm〜10mmとすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記外周部が残った個所(外枠)の厚さを150μm〜500μmとすることを特徴とする請求項1〜5に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335659A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009259941A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010003899A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2010205761A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US9711434B2 (en) | 2015-09-17 | 2017-07-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Stacked semiconductor device structure and method |
US11342189B2 (en) | 2015-09-17 | 2022-05-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor packages with die including cavities and related methods |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000260670A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
JP2003243356A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-08-29 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003303966A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004253527A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-02-02 JP JP2006026189A patent/JP5011740B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000260670A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
JP2003243356A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-08-29 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003303966A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004253527A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335659A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009259941A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010003899A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2010205761A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US9711434B2 (en) | 2015-09-17 | 2017-07-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Stacked semiconductor device structure and method |
US9893058B2 (en) | 2015-09-17 | 2018-02-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure |
US10014245B2 (en) | 2015-09-17 | 2018-07-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method for removing material from a substrate using in-situ thickness measurement |
US10163772B2 (en) | 2015-09-17 | 2018-12-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Stacked semiconductor device structure and method |
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US11342189B2 (en) | 2015-09-17 | 2022-05-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor packages with die including cavities and related methods |
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Publication number | Publication date |
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