JP6028325B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
2 p型分離拡散層
3 p型ベース領域
4 n型エミッタ領域
5 フィールド絶縁膜
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 層間絶縁膜
9 エミッタ電極
10 p型ガードリング
11 フィールドプレート
12 p型チャネルストッパー
14 p型コレクタ層
15 側壁面
16 溝
20 半導体機能領域
21 素子端部
22 耐圧構造部
23 素子活性部
24 表面側フォトレジスト
25 裏面側フォトレジスト
26 化学的機械的研磨装置
27 形状だれ
28 フォトレジスト残渣
Claims (5)
- 半導体基板の表面側に半導体機能領域を形成する工程、前記半導体基板の表面側に保護膜を形成する工程、前記半導体基板の裏面側を研削して前記半導体基板を所要の厚さに減じる工程、前記半導体基板の裏面側にフォトレジストを塗布する工程、前記半導体基板の裏面側の前記フォトレジストを用いて所要の開口部を有する開口パターンを形成する工程、該開口部から前記半導体基板をエッチングして前記半導体基板の裏面に溝を形成する工程、前記半導体基板の裏面側の前記フォトレジストを研磨により除去する工程、裏面側半導体機能層を形成する工程を順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の裏面側の前記フォトレジストを研磨により除去する工程が化学的機械的研磨装置を用いる研磨であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏面側フォトレジストは、アルカリエッチングに耐性のあるエポキシ系樹脂を主成分とするフォトレジストであって、前記化学的機械的研磨装置を用い裏面側フォトレジストを研磨して除去する際の前記フォトレジストの研磨速度が、前記半導体基板の研磨速度の10倍乃至100倍であることを特徴とする請求項2の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置が、前記表面側の半導体機能領域がp型分離拡散領域、MOSゲート構造およびエミッタ電極を有し、前記裏面側半導体機能層が前記溝内の表層に形成されるp型領域と該p型領域に接続されるp型コレクタ層と該p型コレクタ層に面接触するコレクタ電極を有し、前記p型分離拡散領域と前記コレクタ層とが前記p型領域を介して接続される構造を備える逆阻止IGBTであることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口部から前記半導体基板をエッチングして前記半導体基板の裏面に溝を形成する工程における溝の深さが前記p型分離拡散領域の先端に到達する深さであることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011263320A JP6028325B2 (ja) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013115404A JP2013115404A (ja) | 2013-06-10 |
JP6028325B2 true JP6028325B2 (ja) | 2016-11-16 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011263320A Expired - Fee Related JP6028325B2 (ja) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6028325B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105895682B (zh) * | 2016-07-11 | 2019-04-23 | 刘佩斯 | 逆导绝缘栅双极型晶体管结构及其对应的制造方法 |
JP6904279B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2021-07-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法並びに電力変換装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187307A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Sony Corp | レジストの除去方法及びその除去装置 |
JP2000288911A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-17 | Toray Ind Inc | 半導体基板の加工方法 |
CN1862391B (zh) * | 2005-05-13 | 2013-07-10 | 安集微电子(上海)有限公司 | 除光阻层的组合物及其使用方法 |
JP5195816B2 (ja) * | 2010-05-17 | 2013-05-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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2011
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Publication number | Publication date |
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JP2013115404A (ja) | 2013-06-10 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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