JP2007258248A - GaN系半導体素子の製造方法及びGaN系半導体素子 - Google Patents
GaN系半導体素子の製造方法及びGaN系半導体素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】GaN系半導体発光素子1は、n型のGaN基板2上に、n型半導体層3、活性層4、p型半導体層5が順次積層されている。p型半導体層5は、p型電子バリア層21、p型ガイド層22、p型超格子クラッド層23、p型コンタクト層24が順次積層されている。p型コンタクト層24は、p側電極6と接続される約100Åの接続層25を含む約500Åの厚みのp型GaN系半導体層からなる。接続層25以外のp型コンタクト層24は、水素ガスをキャリアガスとして成長させ、接続層25は、キャリアガスのみを不活性ガスである窒素ガスに切り換えて成長させている。
【選択図】図1
Description
2 GaN基板
3 n型半導体層
4 活性層
5 p型半導体層
6 p側電極
11 n型コンタクト層
12 n型超格子クラッド層
13 n型ガイド層
14 n型超格子層
21 p型電子バリア層
22 p型ガイド層
22 p型クラッド層
23 p型超格子クラッド層
24 p型コンタクト層
25 接続層
Claims (3)
- 金属製のp側電極と接続されるp型コンタクト層がp型GaN系半導体層からなる半導体素子の製造方法において、
最初は水素ガスを含むキャリアガスによってp型GaN系半導体層の一部を成長させた後、キャリアガスのみを不活性ガスからなるキャリアガスに切り換えてp側電極との接続層を構成する残りのp型GaN系半導体層を成長させることによってp型コンタクト層を形成することを特徴とするGaN系半導体素子の製造方法。 - 前記接続層は、500Å以下の厚みだけ成長させることを特徴とする請求項1に記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 金属製のp側電極と、
前記p側電極と接続される接続層を含むp型GaN系半導体層からなるp型コンタクト層とを備えたGaN系半導体素子において、
前記p型コンタクト層の接続層は、不活性ガスをキャリアガスとして成長させたことを特徴とするGaN系半導体素子。
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JP (1) | JP2007258248A (ja) |
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