JP2007243143A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子は、n型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するTiW合金層を有する。好適態様によれば、上記電極は接点用電極を兼ねることもできる。好適態様によれば、上記電極は耐熱性に優れる。さらに、上述の半導体素子の製造方法も提供される。
【選択図】図1
Description
(1)n型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体にオーミック接触する電極と、を有し、該電極が該半導体に接するTiW合金層を有する、半導体素子。
(2)前記TiW合金層のTi濃度が70wt%以下である、前記(1)に記載の半導体素子。
(3)前記TiW合金層のTi濃度が40wt%以下である、前記(2)に記載の半導体素子。
(4)前記TiW合金層のTi濃度が8wt%以下である、前記(3)に記載の半導体素子。
(5)前記TiW合金層のTi濃度が4wt%以上である、前記(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体素子。
(6)前記TiW合金層におけるWとTiの組成比が該層の厚さ方向に略一定である、前記(1)に記載の半導体素子。
(7)前記TiW合金層が、Ti含有量90wt%以下のTi−Wターゲットを用いたスパッタリング法により形成されたものである、前記(1)に記載の半導体素子。
(8)前記TiW合金層が、Tiを10wt%含むTi−Wターゲットを用いたスパッタリング法により形成されたものである、前記(7)に記載の半導体素子。
(9)前記電極が熱処理を加えられたものである、前記(4)または(8)に記載の半導体素子。
(10)前記電極が、前記TiW合金層の上に積層された金属層を有する、前記(1)〜(9)のいずれかに記載の半導体素子。
(11)前記金属層がAu層を含む、前記(10)に記載の半導体素子。
(12)前記金属層が、前記TiW合金層の直上に積層されたAu層を含む、前記(11)に記載の半導体素子。
(13)前記金属層がAuの単層からなるか、または、最上層としてAu層を含む積層体である、前記(11)に記載の半導体素子。
(14)前記金属層が、Auと同じ融点またはAuよりも高い融点を有する金属のみを含む前記(11)に記載の半導体素子。
(15)前記金属層がRhを含まない、前記(10)に記載の半導体素子。
(16)前記電極の表面の算術平均粗さRaが0.02μm以下である、前記(1)〜(15)のいずれかに記載の半導体素子。
(17)n型窒化ガリウム系化合物半導体の表面にTiW合金層を電極の一部として形成する工程を含む、半導体素子の製造方法。
(18)Ti−Wターゲットを用いたスパッタリング法によって前記TiW合金層を形成する、前記(17)に記載の製造方法。
(19)前記TiW合金層のTi濃度が70wt%以下である、前記(18)に記載の製造方法。
(20)前記TiW合金層を熱処理する工程をさらに有する、前記(18)に記載の製造方法。
図1に示す構造のGaN系半導体素子を作製し、評価を行った。図1に示すGaN系半導体素子100は発光ダイオードであって、基板1上に、第1のバッファ層2、第2のバッファ層3、n型コンタクト層4、活性層5、p型クラッド層6、p型コンタクト層7が、この順に積層された構造を有する。n型コンタクト層4の上には、n型コンタクト層4とオーミック接触するn側電極P1が形成されている。また、p型コンタクト層7の上には、p型コンタクト層7とオーミック接触するp側電極P2が形成されている。p側電極P2は、p型コンタクト層7の表面全体に拡がるように形成されたp側オーミック電極P21と、p側オーミック電極P21と電気的に接続されたp側ボンディング電極P22とから構成されている。GaN系半導体素子100は、次のように作製した。
直径2インチのサファイア基板1をMOVPE装置の成長炉内にセットし、水素ガスを流しながら、基板温度を1100℃まで上昇させ、基板1の表面をクリーニングした。続いて、基板温度を500℃まで下げ、キャリアガスに水素ガス、原料ガスにアンモニアとTMG(トリメチルガリウム)とを用い、基板1上にGaNよりなる第1のバッファ層2を、約30nmの膜厚で成長させた。続いて、TMGの供給を停止し、基板温度を1000℃まで上昇させた後、原料ガスにTMG、アンモニアを用い、アンドープGaNよりなる第2のバッファ層3を、2μmの膜厚で成長させた。続いて、更にシランガスを供給することにより、Si(ケイ素)を濃度約5×1018/cm3となるようにドープしたGaNよりなるn型コンタクト層4を、3μmの膜厚で成長させた。続いて、TMGおよびシランガスの供給を停止し、基板温度を800℃まで降下させた後、TMG、TMI(トリメチルインジウム)、シランガス、アンモニアを用いて、InxGa1−xNからなる障壁層と、InyGa1−yN(y>x)からなる井戸層とを交互に成長させて、両端を障壁層とする多重量子井戸構造の活性層5を形成した。障壁層の膜厚は10nm、井戸層の膜厚は2nmとなるようにした。また、井戸層のIn組成yは、発光波長が400nmとなるように調節した。続いて、TMG、TMI、シランガスの供給を停止し、基板温度を再び1000℃に上昇させた後、TMG、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニア、(EtCp)2Mg(ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、Mg(マグネシウム)を濃度約5×1019/cm3となるようにドープしたAl0.1Ga0.9Nよりなるp型クラッド層6を30nmの膜厚で成長させた。続いて、TMAの供給を停止し、Mgを濃度約8×1019/cm3となるようにドープしたGaNからなるp型コンタクト層7を120nmの膜厚で成長させた。p型コンタクト層7の成長終了後、基板加熱を停止するとともに、アンモニア以外の原料の供給を停止し、基板温度を室温まで降下させた。その後、p型クラッド層6およびp型コンタクト層7にドープしたMgを活性化させるために、RTA装置(ラピッドサーマルアニーリング装置)を用いて、窒素雰囲気中、900℃、1分間の熱処理を行った。
次に、ウエハ最上層であるp型コンタクト層7の表面に、電子ビーム蒸着法を用いて、膜厚30nmのPd層、膜厚100nmのAu層、膜厚10nmのNi層をこの順に積層してなるp側オーミック電極P21を形成した。p側オーミック電極P21は、図1(a)に示すように、上面側から見たパターンが直交格子状のパターンとなるように形成した。言い換えると、電極膜を貫通する正方形状の開口部が、多数、縦横に規則的に形成された開口電極とし、該開口部にp型コンタクト層7の表面が露出するようにした。該開口部の寸法は、正方形の一辺を8μmとし、隣り合う開口部間の間隔(電極部分の幅)は、縦横ともに2μmとした。p側オーミック電極P21のパターニングには、通常のリフトオフ法を用いた。即ち、p型コンタクト層7の表面上に、フォトリソグラフィ技法を用いて所定の形状にパターニングしたレジストマスクを形成し、その上から上記積層構造の電極膜を形成した後、該レジストマスクをリフトオフすることにより、該レジストマスク上に堆積された電極膜を除去した。その後、RTA装置を用いてp側オーミック電極P21の熱処理を行った。この熱処理の条件は、窒素雰囲気中、500℃、1分間とした。
次に、p側オーミック電極P21を形成したp型コンタクト層7の上に所定形状のレジストマスクを形成し、塩素ガスを用いたRIE(反応性イオンエッチング)によりp型コンタクト層7の側からエッチングを行うことにより、図1に示すようにn型コンタクト層4の表面を露出させた。露出後、n型コンタクト層4の表面に、RFスパッタ法を用いて、膜厚100nmのTiW合金層、膜厚100nmのAu層、膜厚80nmのPt層、膜厚80nmのAu層、膜厚80nmのPt層、膜厚80nmのAu層、膜厚80nmのPt層、膜厚80nmのAu層をこの順に積層してなるn側電極P1を形成した。RFスパッタ法によるTiW合金層の形成は、ターゲットにTi−Wターゲット(三菱マテリアル株式会社製、品名:4N W−10wt%Tiターゲット)、スパッタガスにAr(アルゴン)を用い、RF電力:200W、スパッタガス圧:1.0×10−1Paという条件で行った。このTi−Wターゲットは、Tiの含有量が10.16wt%(吸光光度法による分析値)、不純物として含まれるFe(鉄)の含有量は15ppm(ICPによる分析値)であった。n側電極P1のパターニングは、p側オーミック電極P21のパターニングと同様に、リフトオフ法を用いて行った。
次に、p側オーミック電極P21の上に、電子ビーム蒸着法を用いて、膜厚20nmのTi、膜厚600nmのAuをこの順に積層してなるp側ボンディング電極P22を形成した。続いて、プラズマCVD法を用いて、SiO2からなる膜厚300nmのパッシベーション膜(図示せず)を、n側電極P1およびp側ボンディング電極P22を形成した部分を除いて、ウエハの表面を覆うように形成した。その後、RTA装置を用いて、n側電極P1およびp側ボンディング電極P22の熱処理を行った。この熱処理の条件は、窒素雰囲気中、500℃、1分間とした。このようにして、ウエハ上に形成された350μm角の発光ダイオード素子(実施例1)を得た。
上記手順により作製した発光ダイオード素子について、素子分離(チップへの切り出し)を行わないで、ウエハ上に形成された状態のままで評価を行った。図2に示すのは、n側電極P1の表面の微分干渉顕微鏡による観察像である。図2に示すように、n側電極P1の表面は平坦であり、荒れは見られない。電極中央部に斜めの線条が複数見られるが、これは電気特性評価の過程で、オートプローバの探針が接触したときに生じた傷であり、表面荒れではない。素子に順方向電流20mAを流したときのVf(順方向電圧)を、オートプローバを用いて測定したところ、3.4Vであった。この値は、発光波長400nmの発光ダイオードのVfとして標準的な値であり、このことから、n側電極P1とn型コンタクト層4との接触抵抗は、実用上問題がない程度に低くなっていることが分かる。これは、n側電極P1とn型コンタクト層4との間に、良好なオーミック接触が形成されているということである。図3に示すのは、オージェ電子分光法(AES)を用いて行ったn側電極P1の深さ方向の組成分析の結果である。図3より、n側電極P1は、TiW合金層の部分でn型コンタクト層4と接していることが分かる。また、このTiW合金層におけるTiとWの組成比は、厚さ方向に略一定であることが分かる。
MOVPE法を用いて、直径2インチのサファイア基板上に低温GaNバッファ層を介してSiドープGaN層を成長した実験用ウエハを作製し、その上に、次の電極A、電極Bの二種類の電極を形成し、評価した。
電極A:膜厚100nmのTiW合金層と膜厚100nmのAu層をこの順に積層し、500℃、1分間の熱処理を行うことにより形成した(実施例2)。
電極B:膜厚100nmのAl層、膜厚100nmのTiW合金層、膜厚100nmのAu層をこの順に積層し、400℃、1分間の熱処理を行うことにより形成した(比較例2)。
評価用のサンプルを次のようにして作製した。まず、実験例1と同様にして、サファイア基板上に、第1のバッファ層からp型コンタクト層までのGaN系半導体層を順次成長させて、発光ダイオード構造のGaN系半導体積層体が形成されたウエハを作製した。次に、p側オーミック電極の形成を省略して、n側電極の形成を行った。n側電極は、実験例1と同様にして、RIEで露出させたn型コンタクト層(Siを濃度約5×1018/cm3となるようにドープしたn型GaN)の表面に形成した。n側電極は次の4種類(サンプルA〜サンプルD)とした。
サンプルB:膜厚100nmのW層の上に、膜厚100nmのAu層を積層した(比較例3)。
サンプルC:膜厚100nmのTi層の上に、膜厚100nmのAu層を積層した(比較例4)。
サンプルD:膜厚100nmのTiW合金層の上に、膜厚100nmのAu層、膜厚80nmのPt層、膜厚80nmのAu層、膜厚80nmのPt層、膜厚80nmのAu層、膜厚80nmのPt層、膜厚80nmのAu層をこの順に積層した(実施例4)。
各サンプルのn側電極の接触抵抗を、ウエハ上において隣接する2つの素子のn側電極間に20mAの電流を流すのに必要な電圧(以下、「n−n電圧」ともいう。)により評価した。電流がn型コンタクト層の内部を流れる際の電圧降下は無視できる程小さいことから、n−n電圧はn側電極とn型コンタクト層の間の接触抵抗を反映したものとなる。つまり、n−n電圧が高いサンプル程、n側電極とn型コンタクト層との接触抵抗が大きいといえる。n側電極がスパッタリングにより形成されたままであるときの各サンプルのn−n電圧をオートプローバを用いて測定したところ、次のようになった。
サンプルA:0.3V。
サンプルB:0.7V。
サンプルC:0.2V。
サンプルD:0.3V。
次に、各サンプルに対して、窒素ガス雰囲気中、500℃、1分間の熱処理を行った。この熱処理後の各サンプルのn−n電圧は次のようになった。
サンプルA:0.2V。
サンプルB:0.7V。
サンプルC:2.4V。
サンプルD:3.2V。
2 第1のバッファ層
3 第2のバッファ層
4 n型コンタクト層
5 活性層
6 p型クラッド層
7 p型コンタクト層
P1 n側電極
P2 p側電極
P21 p側オーミック電極
P22 p側ボンディング電極
100 半導体素子
Claims (20)
- n型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体にオーミック接触する電極と、を有し、該電極が該半導体に接するTiW合金層を有する、半導体素子。
- 前記TiW合金層のTi濃度が70wt%以下である、請求項1に記載の半導体素子。
- 前記TiW合金層のTi濃度が40wt%以下である、請求項2に記載の半導体素子。
- 前記TiW合金層のTi濃度が8wt%以下である、請求項3に記載の半導体素子。
- 前記TiW合金層のTi濃度が4wt%以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記TiW合金層におけるWとTiの組成比が該層の厚さ方向に略一定である、請求項1に記載の半導体素子。
- 前記TiW合金層が、Ti含有量90wt%以下のTi−Wターゲットを用いたスパッタリング法により形成されたものである、請求項1に記載の半導体素子。
- 前記TiW合金層が、Tiを10wt%含むTi−Wターゲットを用いたスパッタリング法により形成されたものである、請求項7に記載の半導体素子。
- 前記電極が熱処理を加えられたものである、請求項4または8に記載の半導体素子。
- 前記電極が、前記TiW合金層の上に積層された金属層を有する、請求項1〜9のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記金属層がAu層を含む、請求項10に記載の半導体素子。
- 前記金属層が、前記TiW合金層の直上に積層されたAu層を含む、請求項11に記載の半導体素子。
- 前記金属層がAuの単層からなるか、または、最上層としてAu層を含む積層体である、請求項11に記載の半導体素子。
- 前記金属層が、Auと同じ融点またはAuよりも高い融点を有する金属のみを含む請求項11に記載の半導体素子。
- 前記金属層がRhを含まない、請求項10に記載の半導体素子。
- 前記電極の表面の算術平均粗さRaが0.02μm以下である、請求項1〜15のいずれかに記載の半導体素子。
- n型窒化ガリウム系化合物半導体の表面にTiW合金層を電極の一部として形成する工程を含む、半導体素子の製造方法。
- Ti−Wターゲットを用いたスパッタリング法によって前記TiW合金層を形成する、請求項17に記載の製造方法。
- 前記TiW合金層のTi濃度が70wt%以下である、請求項18に記載の製造方法。
- 前記TiW合金層を熱処理する工程をさらに有する、請求項18に記載の製造方法。
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