JP2007250819A - 基板アニール装置用の遮熱板 - Google Patents
基板アニール装置用の遮熱板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007250819A JP2007250819A JP2006072201A JP2006072201A JP2007250819A JP 2007250819 A JP2007250819 A JP 2007250819A JP 2006072201 A JP2006072201 A JP 2006072201A JP 2006072201 A JP2006072201 A JP 2006072201A JP 2007250819 A JP2007250819 A JP 2007250819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat
- heat shield
- heat insulating
- shield plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 28
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 6
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001293 incoloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003562 lightweight material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Furnace Housings, Linings, Walls, And Ceilings (AREA)
Abstract
【解決手段】水平に支持された平板状の基板1と、基板の上方に位置し基板上面を輻射熱で加熱するヒータ5と、基板とヒータとの間を遮蔽する遮蔽位置とその間から外れた開放位置との間を水平移動可能な遮熱板10とを有する基板アニール装置用の遮熱板。遮熱板10は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材(カーボンコンポジット材)で構成された構造部材12と、構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材14とからなる。
【選択図】図2
Description
上述したシャッター板64は、従来、素早く移動させることができるように、例えばアルミニウウム、チタン等の軽量素材で形成されていた。
例えばガラス基板等の急速加熱にヒータを用いる場合、ヒータ側温度は従来よりも高温(例えば約750℃前後)となる。そのため、例えばアルミニウムは融点を超えるため、使用できない。
また、作動位置において、基板側は中温(例えば約400℃前後)であるため、遮熱板の両面間の温度差は約350℃以上にも達し、チタン等を用いた場合でも大きな熱変形が生じる。
さらに、耐熱温度の高いカーボン材を構造物として用いた場合でも、高温によるカーボン材の酸化(焼損)は避けられなかった。
前記遮熱板は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材で構成された構造部材と、該構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材とからなる、ことを特徴とする基板アニール装置用の遮熱板が提供される。
遮熱板の下面を構成する底板と、
梁部材と底板を連結する接続部品とを有する。
また、この構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材を有するので、上面が高温(例えば約750℃前後)に曝されても、構造部材をその許容温度以下に保持して、その酸化(焼損)を防止できる。
ヒータ5は、例えば電気ヒータ、加熱ランプ等であり、基板1の上方に位置し、基板1の上面を輻射熱で加熱する。このヒータ5は、例えば基板1の急速加熱のため、ヒータ側温度が高温(例えば約750℃前後)となっている。
遮熱板10は、支持・移動機構8により、水平方向へ移動可能に支持されており、基板1とヒータ5との間を遮蔽する遮蔽位置(図でC方向)とその間から外れた開放位置(図でO方向)との間を水平移動可能に構成されている。
この構成により、遮熱板10は、基板1の熱処理が終了した際に、開放位置から遮蔽位置に高速で移動し、基板とヒータとの間を遮蔽して基板1の温度を速やかに降下させることができる。
またこの遮蔽位置において、基板側は中温(例えば約400℃前後)であり、遮熱板10の両面間の温度差は約350℃以上に達する。
この図において、本発明の遮熱板10は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材で構成された構造部材12と、構造部材12の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材14とからなる。
構造部材12は、複合炭素材料(カーボンコンポジット材)、例えば高温耐酸化コーティングを有するC/Cコンポジット材であるのがよい。
カーボンコンポジット材は、炭素繊維と炭素マトリックスの複合材であり、その熱膨張率は、炭素に近く約3〜4×10−6/℃(800Kにおいて)であり、アルミニウムや鉄の1/4〜1/5以下である。
従って、遮熱板10の両面(上下面)間で大きな温度差(例えば約350℃以上)が生じる場合でも、熱変形を小さく抑えることができる。
図3及び図4に示すように、この例において、構造部材12は、遮熱板に必要な曲げ剛性を有する複数(この例で4本)の水平に延びる梁部材12aと、遮熱板の下面を構成する底板12bと、梁部材12aと底板12bを連結する接続部品12cとを有する。
なお本発明はこの構成に限定されず、梁部材12aを平板以外の形材、例えば、I形、H形、L型等にしてもよい。また、梁部材12aを対燃焼性と耐熱性を有する限りでカーボンコンポジット材以外の石英、SiC材などにしてもよい。
また、梁部材12aをO側で一端支持せず、その他の支持形態(例えば、両幅端の支持)の場合には、その支持形態に適した曲げ剛性を有するように構成する。
接続部品12cは、この例ではカーボンコンポジット材からなるL形部材であり、梁部材12aの側面と底板12bの上面に密着するように位置する。
この連結部材13は、下面が曝される温度(約400℃前後)に耐えるように、インコロイ等の耐熱金属製、或いはカーボン材であるのがよい。
なお本発明はこの構成に限定されず、H形、L型の梁部材12aの下面に底板12bを連結部材13で取り付け、接続部品12cを省略してもよい。また、全体を1枚の底板12bで構成し、その上に梁部材12aを取り付けてもよい。
袋状の外側断熱材14aは、例えば750℃以上の耐熱性を有するシリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維、等からなる耐熱性織布、例えばシリカクロスである。
繊維状の内側断熱材14bは、例えば750℃以上の耐熱性を有するシリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維、等、例えばシリカウールである。
内側断熱材14bは、図に示すように、梁部材12aを覆うように囲み、これを袋状の外側断熱材14aで覆うように囲むのがよい。なお必要に応じて、外側断熱材14a(シリカクロス)をシリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維からなる糸で縫い合わせ、内側断熱材14bが外部に出ないようにするのがよい。
また、梁部材12aの間に位置する底板12bの上面は、予め外側断熱材14aと内側断熱材14bで座布団状に形成したものを隙間なく位置決めするのがよい。
また、この構造部材12の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材14を有するので、上面が高温(例えば約750℃)に曝されても、構造部材をその許容温度以下(例えば450〜500℃)に保持して、その酸化(焼損)を防止できる。
4 基板支持部材、5 ヒータ、6 鏡面板、
7 基板出入ドア、8 支持・移動機構、
10 遮熱板、12 構造部材、12a 梁部材、
12b 底板、12c 接続部品、
13 連結部材(ボルト・ナット)、
14 断熱部材、14a 外側断熱材、
14b 内側断熱材
Claims (4)
- 水平に支持された平板状の基板と、該基板の上方に位置し基板上面を輻射熱で加熱するヒータと、基板とヒータとの間を遮蔽する遮蔽位置とその間から外れた開放位置との間を水平移動可能な遮熱板とを有する基板アニール装置用の遮熱板であって、
前記遮熱板は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材で構成された構造部材と、該構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材とからなる、ことを特徴とする基板アニール装置用の遮熱板。 - 前記構造部材は、複合炭素材料(カーボンコンポジット材)からなる、ことを特徴とする請求項1に記載の基板アニール装置用の遮熱板。
- 前記構造部材は、遮熱板に必要な曲げ剛性を有する複数の水平に延びる梁部材と、
遮熱板の下面を構成する底板と、
梁部材と底板を連結する接続部品とを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の基板アニール装置用の遮熱板。 - 前記断熱部材は、耐熱性織布からなる袋状の外側断熱材と、該外側断熱材の内側に封入された繊維状の内側断熱材とからなる、ことを特徴とする請求項1に記載の基板アニール装置用の遮熱板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006072201A JP5120585B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 基板アニール装置用の遮熱板 |
CN2007800093432A CN101405841B (zh) | 2006-03-16 | 2007-03-15 | 基板退火装置用的遮热板 |
PCT/JP2007/055236 WO2007105798A1 (ja) | 2006-03-16 | 2007-03-15 | 基板アニール装置用の遮熱板 |
US12/280,811 US8118591B2 (en) | 2006-03-16 | 2007-03-15 | Heat shield plate for substrate annealing apparatus |
KR1020087021400A KR101045156B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-03-15 | 기판 어닐링 장치용 차열판 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006072201A JP5120585B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 基板アニール装置用の遮熱板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007250819A true JP2007250819A (ja) | 2007-09-27 |
JP5120585B2 JP5120585B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=38509611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006072201A Expired - Fee Related JP5120585B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 基板アニール装置用の遮熱板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8118591B2 (ja) |
JP (1) | JP5120585B2 (ja) |
KR (1) | KR101045156B1 (ja) |
CN (1) | CN101405841B (ja) |
WO (1) | WO2007105798A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010114207A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
US9759488B2 (en) | 2014-12-25 | 2017-09-12 | Kobe Steel, Ltd. | Heat treatment apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007054526A1 (de) | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Wärmetransferelement und Anlage zur thermischen Behandlung von Substraten |
US8753447B2 (en) * | 2009-06-10 | 2014-06-17 | Novellus Systems, Inc. | Heat shield for heater in semiconductor processing apparatus |
CN104328251B (zh) * | 2013-07-22 | 2016-08-10 | 宝钢新日铁汽车板有限公司 | 一种退火炉隔热板装置 |
US10535538B2 (en) * | 2017-01-26 | 2020-01-14 | Gary Hillman | System and method for heat treatment of substrates |
KR102359376B1 (ko) * | 2020-06-03 | 2022-02-08 | 한국고요써모시스템(주) | 기판의 열처리 오븐 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267261A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Koyo Thermo System Kk | 半導体熱処理装置用電気ヒータ |
JP2003282470A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置 |
JP2004075410A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 保護層を有するセラミックス基複合材料とその製造方法 |
JP2004221138A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体熱処理方法および装置 |
JP2005206439A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Japan Fine Ceramics Center | 耐酸化材料及び非酸化物系複合材料 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4481406A (en) * | 1983-01-21 | 1984-11-06 | Varian Associates, Inc. | Heater assembly for thermal processing of a semiconductor wafer in a vacuum chamber |
JP3380988B2 (ja) * | 1993-04-21 | 2003-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5830277A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Mattson Technology, Inc. | Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry |
US5837555A (en) * | 1996-04-12 | 1998-11-17 | Ast Electronik | Apparatus and method for rapid thermal processing |
US5960158A (en) * | 1997-07-11 | 1999-09-28 | Ag Associates | Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber |
JP4361636B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2009-11-11 | 株式会社クレハ | 複合炭素質断熱材及びその製造方法 |
US6450805B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Hot plate cooling method and heat processing apparatus |
JP2002324764A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置 |
CN101813846B (zh) * | 2009-02-20 | 2011-08-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 硬化设备和液晶显示面板的制造方法 |
-
2006
- 2006-03-16 JP JP2006072201A patent/JP5120585B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-15 KR KR1020087021400A patent/KR101045156B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-15 US US12/280,811 patent/US8118591B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-15 CN CN2007800093432A patent/CN101405841B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-15 WO PCT/JP2007/055236 patent/WO2007105798A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267261A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Koyo Thermo System Kk | 半導体熱処理装置用電気ヒータ |
JP2003282470A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置 |
JP2004075410A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 保護層を有するセラミックス基複合材料とその製造方法 |
JP2004221138A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体熱処理方法および装置 |
JP2005206439A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Japan Fine Ceramics Center | 耐酸化材料及び非酸化物系複合材料 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010114207A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
US9759488B2 (en) | 2014-12-25 | 2017-09-12 | Kobe Steel, Ltd. | Heat treatment apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090029308A1 (en) | 2009-01-29 |
KR20080113025A (ko) | 2008-12-26 |
JP5120585B2 (ja) | 2013-01-16 |
CN101405841A (zh) | 2009-04-08 |
US8118591B2 (en) | 2012-02-21 |
KR101045156B1 (ko) | 2011-07-01 |
WO2007105798A1 (ja) | 2007-09-20 |
CN101405841B (zh) | 2011-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5120585B2 (ja) | 基板アニール装置用の遮熱板 | |
JP4565159B2 (ja) | 温度定点セル、温度定点装置および温度計校正方法 | |
WO2017081812A1 (ja) | 3次元積層造形装置、3次元積層造形装置の製造方法および3次元積層造形装置の製造プログラム | |
US20190246457A1 (en) | Infrared heater | |
JP2778687B2 (ja) | ガラス材料処理用加熱炉 | |
JP6017246B2 (ja) | 熱処理炉 | |
US20210045195A1 (en) | Infrared radiation device | |
JP3307924B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2008032396A (ja) | 高温炉内壁面観察方法 | |
JP2007287969A (ja) | 基板アニール装置用の基板支持装置 | |
JP3018843B2 (ja) | 熱処理炉 | |
JP4350322B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP6276937B2 (ja) | 反射断熱材および熱処理炉 | |
JP2007335344A (ja) | 加熱装置 | |
JP6183692B2 (ja) | 熱処理装置 | |
US11184956B2 (en) | Dental furnace and process for operating a dental furnace | |
JP6650814B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP3093864B2 (ja) | マッフルを備える竪型熱処理炉 | |
JP7081030B1 (ja) | 超高温加熱炉の電極装置 | |
JP2005249276A (ja) | クリーンオーブン | |
JP2006284077A (ja) | 熱輻射反射炉 | |
JP7081029B1 (ja) | 超高温加熱炉の電極装置 | |
JP3843030B2 (ja) | 高温焼成炉 | |
JPH08188440A (ja) | 光ファイバ線引き炉 | |
JP5077119B2 (ja) | ランプユニット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120601 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120723 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120927 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121010 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |