JP2007250819A - 基板アニール装置用の遮熱板 - Google Patents

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Abstract

【課題】片面が高温(例えば約750℃前後)に曝され、反対面がそれより大幅に低い温度に曝され、両面間で大きな温度差(例えば約350℃以上)が生じる場合でも、熱変形が小さく、酸化(焼損)せず、かつ大型化と軽量化ができる基板アニール装置用の遮熱板を提供する。
【解決手段】水平に支持された平板状の基板1と、基板の上方に位置し基板上面を輻射熱で加熱するヒータ5と、基板とヒータとの間を遮蔽する遮蔽位置とその間から外れた開放位置との間を水平移動可能な遮熱板10とを有する基板アニール装置用の遮熱板。遮熱板10は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材(カーボンコンポジット材)で構成された構造部材12と、構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材14とからなる。
【選択図】図2

Description

本発明は、熱処理炉内にガラス基板等の基板を搬入してアニールする基板アニール装置用の遮熱板に関する。
半導体デバイスの製造工程において、ランプアニール装置やCVD装置のように、熱処理炉内へ基板、例えば半導体ウエハを1枚ずつ搬入し基板に光を照射するなどしてウエハを加熱し熱処理する装置が知られている(例えば、特許文献1)。
図5は、特許文献1に開示された従来のランプアニール装置の概略構成を示す模式的断面図である。この図において、50は熱処理炉。52は光入射窓、54はウエハ支持リング、56はウエハ支持円筒ホルダ、58はランプハウス、60はランプ、62はリフレクタ、64はシャッター板である。
半導体ウエハWは、図示しない開口を通して熱処理炉50内に搬入され、ウエハ支持リング54上に水平に支持される。シャッター板64は、図示しない支持・移動機構により、水平方向へ移動可能に支持されており、光入射窓52とランプハウス58の間に位置する「作動位置」とその間から外れた「退避位置」との間を移動する。このシャッター板64は、ウエハWの熱処理が終了してランプ60への電力供給が停止する際に、退避位置から作動位置に高速で移動し、ランプ60の消灯直後の余熱によるウエハWへの熱輻射を遮断し、ウエハWの温度を速やかに降下させるようになっている。
上述したシャッター板64は、従来、素早く移動させることができるように、例えばアルミニウウム、チタン等の軽量素材で形成されていた。
特開2003−282470号公報、「基板の熱処理装置」
上述したように、例えばガラス基板等を急速に加熱/冷却するためにヒータとワークの間に遮熱板を設け、それを移動することによりヒータの輻射をワークに与えたり遮断したりする装置(例えば、急速加熱冷却式基板アニール装置)における遮蔽板は高い耐熱性と機械的強度、軽量性などが要求される。
特に耐熱性においては遮熱板の一方の面はヒータに対峙し、反対の面はヒータ輻射が届かないことから両面間で大きな温度差が生じ、その温度差により遮熱板が変形してしまうことがあった。
例えばガラス基板等の急速加熱にヒータを用いる場合、ヒータ側温度は従来よりも高温(例えば約750℃前後)となる。そのため、例えばアルミニウムは融点を超えるため、使用できない。
また、作動位置において、基板側は中温(例えば約400℃前後)であるため、遮熱板の両面間の温度差は約350℃以上にも達し、チタン等を用いた場合でも大きな熱変形が生じる。
さらに、耐熱温度の高いカーボン材を構造物として用いた場合でも、高温によるカーボン材の酸化(焼損)は避けられなかった。
本発明は、上述した問題点を解決するために創案されたものである。すなわち本発明の目的は、片面が高温(例えば約750℃前後)に曝され、反対面がそれより大幅に低い温度に曝され、両面間で大きな温度差(例えば約350℃以上)が生じる場合でも、熱変形が小さく、酸化(焼損)せず、かつ大型化と軽量化ができる基板アニール装置用の遮熱板を提供することにある。
本発明によれば、水平に支持された平板状の基板と、該基板の上方に位置し基板上面を輻射熱で加熱するヒータと、基板とヒータとの間を遮蔽する遮蔽位置とその間から外れた開放位置との間を水平移動可能な遮熱板とを有する基板アニール装置用の遮熱板であって、
前記遮熱板は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材で構成された構造部材と、該構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材とからなる、ことを特徴とする基板アニール装置用の遮熱板が提供される。
本発明の好ましい実施形態によれば、前記構造部材は、複合炭素材料(カーボンコンポジット材)からなる。
また、前記構造部材は、遮熱板に必要な曲げ剛性を有する複数の水平に延びる梁部材と、
遮熱板の下面を構成する底板と、
梁部材と底板を連結する接続部品とを有する。
また、前記断熱部材は、耐熱性織布からなる袋状の外側断熱材と、該外側断熱材の内側に封入された繊維状の内側断熱材とからなる。
上記本発明の構成によれば、遮熱板の構造部材が、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材で構成されているので、両面間で大きな温度差(例えば約350℃以上)が生じる場合でも、熱変形を小さく抑えることができる。
また、この構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材を有するので、上面が高温(例えば約750℃前後)に曝されても、構造部材をその許容温度以下に保持して、その酸化(焼損)を防止できる。
また、構造部材を、複合炭素材料(カーボンコンポジット材)で構成することにより、従来の金属製と比較して大幅な軽量化ができる。
また、構造部材を、遮熱板に必要な曲げ剛性を有する複数の水平に延びる梁部材と、遮熱板の下面を構成する底板と、梁部材と底板を連結する接続部品とで構成することにより、大型化が困難な小型の底板を用いて1m四方を越える大面積の遮熱板を容易に構成することができる。
また、断熱部材を、耐熱性織布からなる袋状の外側断熱材と、該外側断熱材の内側に封入された繊維状の内側断熱材とで構成することにより、繊維状の内側断熱材の飛散を袋状の外側断熱材で防止して炉内を清浄に保つことができる。
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。なお各図において、共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明は省略する。
図1は、本発明の遮熱板を備えた基板アニール装置の全体構成図である。この図において、2は熱処理炉。3は光入射窓、4は基板支持部材、5はヒータ、6は鏡面板、7は基板出入ドア、10は遮熱板である。
平板状の基板1は、例えばガラス基板であり、開閉可能な基板出入ドア7を通して熱処理炉2内に搬入され、基板支持部材4の上に水平に支持される。
ヒータ5は、例えば電気ヒータ、加熱ランプ等であり、基板1の上方に位置し、基板1の上面を輻射熱で加熱する。このヒータ5は、例えば基板1の急速加熱のため、ヒータ側温度が高温(例えば約750℃前後)となっている。
遮熱板10は、支持・移動機構8により、水平方向へ移動可能に支持されており、基板1とヒータ5との間を遮蔽する遮蔽位置(図でC方向)とその間から外れた開放位置(図でO方向)との間を水平移動可能に構成されている。
この構成により、遮熱板10は、基板1の熱処理が終了した際に、開放位置から遮蔽位置に高速で移動し、基板とヒータとの間を遮蔽して基板1の温度を速やかに降下させることができる。
またこの遮蔽位置において、基板側は中温(例えば約400℃前後)であり、遮熱板10の両面間の温度差は約350℃以上に達する。
図2は本発明の遮熱板の斜視図である。この図において、遮熱板10の移動方向は、図に矢印で示すC−O方向である。
この図において、本発明の遮熱板10は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材で構成された構造部材12と、構造部材12の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材14とからなる。
構造部材12は、複合炭素材料(カーボンコンポジット材)、例えば高温耐酸化コーティングを有するC/Cコンポジット材であるのがよい。
カーボンコンポジット材は、炭素繊維と炭素マトリックスの複合材であり、その熱膨張率は、炭素に近く約3〜4×10−6/℃(800Kにおいて)であり、アルミニウムや鉄の1/4〜1/5以下である。
従って、遮熱板10の両面(上下面)間で大きな温度差(例えば約350℃以上)が生じる場合でも、熱変形を小さく抑えることができる。
図3は図2のA矢視図、図4は図3のB部拡大図である。
図3及び図4に示すように、この例において、構造部材12は、遮熱板に必要な曲げ剛性を有する複数(この例で4本)の水平に延びる梁部材12aと、遮熱板の下面を構成する底板12bと、梁部材12aと底板12bを連結する接続部品12cとを有する。
梁部材12aは、この例では特に対燃焼性の高いカーボンコンポジット材からなる平板であり、図1のC−O方向に延び、支持・移動機構8によりO側を支持して全体を水平に保持するようになっている。この梁部材12aは、O側を一端支持した場合に遮熱板に必要な曲げ剛性を有する。
なお本発明はこの構成に限定されず、梁部材12aを平板以外の形材、例えば、I形、H形、L型等にしてもよい。また、梁部材12aを対燃焼性と耐熱性を有する限りでカーボンコンポジット材以外の石英、SiC材などにしてもよい。
また、梁部材12aをO側で一端支持せず、その他の支持形態(例えば、両幅端の支持)の場合には、その支持形態に適した曲げ剛性を有するように構成する。
底板12bは、この例では複数(この例では3枚)のカーボンコンポジット材からなる平板であり、梁部材12aの下端間を塞ぐようになっている。
接続部品12cは、この例ではカーボンコンポジット材からなるL形部材であり、梁部材12aの側面と底板12bの上面に密着するように位置する。
この例において、構造部材12は更に連結部材13(この例ではボルトとナット)を有し、この連結部材13で接続部品12cと梁部材12a、及び接続部品12cと底板12bを強固に連結するようになっている。
この連結部材13は、下面が曝される温度(約400℃前後)に耐えるように、インコロイ等の耐熱金属製、或いはカーボン材であるのがよい。
この構成により、大型化が困難な小型の底板12bを用いて1m四方を越える大面積の遮熱板を容易に構成することができる。
なお本発明はこの構成に限定されず、H形、L型の梁部材12aの下面に底板12bを連結部材13で取り付け、接続部品12cを省略してもよい。また、全体を1枚の底板12bで構成し、その上に梁部材12aを取り付けてもよい。
図3及び図4に示すように、この例において、断熱部材14は、耐熱性織布からなる袋状の外側断熱材14aと、外側断熱材14aの内側に封入された繊維状の内側断熱材14bとからなる。
袋状の外側断熱材14aは、例えば750℃以上の耐熱性を有するシリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維、等からなる耐熱性織布、例えばシリカクロスである。
繊維状の内側断熱材14bは、例えば750℃以上の耐熱性を有するシリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維、等、例えばシリカウールである。
内側断熱材14bは、図に示すように、梁部材12aを覆うように囲み、これを袋状の外側断熱材14aで覆うように囲むのがよい。なお必要に応じて、外側断熱材14a(シリカクロス)をシリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維からなる糸で縫い合わせ、内側断熱材14bが外部に出ないようにするのがよい。
また、梁部材12aの間に位置する底板12bの上面は、予め外側断熱材14aと内側断熱材14bで座布団状に形成したものを隙間なく位置決めするのがよい。
なお本発明はこの構成に限定されず、構造部材12の上面全体を内側断熱材14bで覆い、さらにその回りを外側断熱材14aで囲んでもよい。また断熱材は構造材の上面だけでなく側面にも回りこんで保護するのがよい。
この構成により、繊維状の内側断熱材14bの飛散を袋状の外側断熱材14aで防止して炉内を清浄に保つことができる。
上述した本発明の構成によれば、遮熱板10の構造部材12が、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材(例えばカーボンコンポジット材)で構成されているので、両面間で大きな温度差(例えば約350℃)が生じる場合でも、熱変形を小さく、例えば、1/4〜1/5以下に抑えることができる。
また、この構造部材12の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材14を有するので、上面が高温(例えば約750℃)に曝されても、構造部材をその許容温度以下(例えば450〜500℃)に保持して、その酸化(焼損)を防止できる。
従ってこの構造とすることで、本発明の遮蔽板は、ヒータ輻射熱の遮断とカーボン材自体の焼損速度を減少することができ、熱による変形抑制と長時間の使用による構造材の焼損の問題を解決することができる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変更することができることは勿論である。
本発明の遮熱板を備えた基板アニール装置の全体構成図である。 本発明の遮熱板の斜視図である。 図2のA矢視図である。 図3のB部拡大図である。 特許文献1に開示された従来のランプアニール装置の概略構成を示す模式的断面図である。
符号の説明
1 基板(ガラス基板)、2 熱処理炉。3 光入射窓、
4 基板支持部材、5 ヒータ、6 鏡面板、
7 基板出入ドア、8 支持・移動機構、
10 遮熱板、12 構造部材、12a 梁部材、
12b 底板、12c 接続部品、
13 連結部材(ボルト・ナット)、
14 断熱部材、14a 外側断熱材、
14b 内側断熱材

Claims (4)

  1. 水平に支持された平板状の基板と、該基板の上方に位置し基板上面を輻射熱で加熱するヒータと、基板とヒータとの間を遮蔽する遮蔽位置とその間から外れた開放位置との間を水平移動可能な遮熱板とを有する基板アニール装置用の遮熱板であって、
    前記遮熱板は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材で構成された構造部材と、該構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材とからなる、ことを特徴とする基板アニール装置用の遮熱板。
  2. 前記構造部材は、複合炭素材料(カーボンコンポジット材)からなる、ことを特徴とする請求項1に記載の基板アニール装置用の遮熱板。
  3. 前記構造部材は、遮熱板に必要な曲げ剛性を有する複数の水平に延びる梁部材と、
    遮熱板の下面を構成する底板と、
    梁部材と底板を連結する接続部品とを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の基板アニール装置用の遮熱板。
  4. 前記断熱部材は、耐熱性織布からなる袋状の外側断熱材と、該外側断熱材の内側に封入された繊維状の内側断熱材とからなる、ことを特徴とする請求項1に記載の基板アニール装置用の遮熱板。
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KR1020087021400A KR101045156B1 (ko) 2006-03-16 2007-03-15 기판 어닐링 장치용 차열판
US12/280,811 US8118591B2 (en) 2006-03-16 2007-03-15 Heat shield plate for substrate annealing apparatus
CN2007800093432A CN101405841B (zh) 2006-03-16 2007-03-15 基板退火装置用的遮热板

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114207A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US9759488B2 (en) 2014-12-25 2017-09-12 Kobe Steel, Ltd. Heat treatment apparatus

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007054526A1 (de) 2007-11-07 2009-05-14 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Wärmetransferelement und Anlage zur thermischen Behandlung von Substraten
US8753447B2 (en) * 2009-06-10 2014-06-17 Novellus Systems, Inc. Heat shield for heater in semiconductor processing apparatus
CN104328251B (zh) * 2013-07-22 2016-08-10 宝钢新日铁汽车板有限公司 一种退火炉隔热板装置
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates
KR102359376B1 (ko) * 2020-06-03 2022-02-08 한국고요써모시스템(주) 기판의 열처리 오븐

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267261A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Koyo Thermo System Kk 半導体熱処理装置用電気ヒータ
JP2003282470A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JP2004075410A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 保護層を有するセラミックス基複合材料とその製造方法
JP2004221138A (ja) * 2003-01-09 2004-08-05 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 半導体熱処理方法および装置
JP2005206439A (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Japan Fine Ceramics Center 耐酸化材料及び非酸化物系複合材料

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4481406A (en) * 1983-01-21 1984-11-06 Varian Associates, Inc. Heater assembly for thermal processing of a semiconductor wafer in a vacuum chamber
JP3380988B2 (ja) * 1993-04-21 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
US5837555A (en) * 1996-04-12 1998-11-17 Ast Electronik Apparatus and method for rapid thermal processing
US5960158A (en) * 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
JP4361636B2 (ja) * 1999-05-26 2009-11-11 株式会社クレハ 複合炭素質断熱材及びその製造方法
US6450805B1 (en) * 1999-08-11 2002-09-17 Tokyo Electron Limited Hot plate cooling method and heat processing apparatus
JP2002324764A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
CN101813846B (zh) * 2009-02-20 2011-08-10 北京京东方光电科技有限公司 硬化设备和液晶显示面板的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267261A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Koyo Thermo System Kk 半導体熱処理装置用電気ヒータ
JP2003282470A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JP2004075410A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 保護層を有するセラミックス基複合材料とその製造方法
JP2004221138A (ja) * 2003-01-09 2004-08-05 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 半導体熱処理方法および装置
JP2005206439A (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Japan Fine Ceramics Center 耐酸化材料及び非酸化物系複合材料

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114207A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US9759488B2 (en) 2014-12-25 2017-09-12 Kobe Steel, Ltd. Heat treatment apparatus

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