JP2007243931A - デジタル信号処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、簡単な構成でアナログ信号をデジタルデータに変換してデジタル処理が行うことができるデジタル信号処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アナログ信号をパルス密度変調してパルス密度変調信号を出力する変調手段112と、パルス密度変調信号をパルスコード変調データに変換する変換プログラム141が記憶されたメモリ114と、変調手段からパルス密度変調信号を供給され、メモリに記憶された変換プログラムに基づいてパルス密度変調信号をデジタル信号であるパルスコード変調データに変換するCPU113とを有し、アナログ信号をデジタル信号に変換してデジタル処理する。
【選択図】図1

Description

本発明はデジタル信号処理装置に係り、特に、アナログ信号を取り込みデジタル信号に変換してデジタル処理するデジタル信号処理装置に関する。
近年、CPUなどのデジタル信号処理装置の発達に伴って、信号処理の分野ではアナログ信号をデジタル化して各種処理を行うようになっている。
アナログ信号をCPUに取り込む際には、アナログ−デジタル変換器などを用いてデジタルデータに変換した後にCPUに供給していた(特許文献1参照)。
特開平11−264849号公報
しかるに、従来のデジタル信号処理装置でアナログ信号をデジタル処理する場合には、予めアナログ−デジタル変換して得られたデジタルデータをCPUに供給してデジタル信号処理を行うものであった。このため、構成が複雑なアナログ−デジタル変換器が必須であるという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、簡単な構成でアナログ信号をデジタルデータに変換してデジタル処理が行うことができるデジタル信号処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施態様によるデジタル信号処理装置は、アナログ信号をパルス密度変調してパルス密度変調信号を出力する変調手段(112)と、
前記パルス密度変調信号をパルスコード変調データに変換する変換プログラム(141)が記憶されたメモリ(114)と、
前記変調手段(112)から前記パルス密度変調信号を供給され、前記メモリ(114)に記憶された前記変換プログラム(141)に基づいて前記パルス密度変調信号をデジタル信号であるパルスコード変調データに変換するCPU(113)とを有し、
前記アナログ信号をデジタル信号に変換してデジタル処理することにより、簡単な構成でアナログ信号をデジタルデータに変換してデジタル処理が行うことができる。
前記デジタル信号処理装置において、
前記CPU(113)は、間欠的に前記変換プログラムを起動して、前記変調手段から前記パルス密度変調信号を取り込み前記パルスコード変調データに変換する構成とすることができる。
前記デジタル信号処理装置において、
前記アナログ信号を検出して前記変調手段(112)に供給する検出手段(111)を有する構成とすることができる。
前記デジタル信号処理装置において、
前記検出手段(111)は、電池電圧を検出する電圧検出手段(121)と、
電池の充放電電流を検出する電流検出手段(123)と、
温度を検出する温度検出手段(122)と、
前記電圧検出手段(121)と前記電流検出手段(123)と前記温度検出手段(122)のいずれか1つが出力するアナログ信号を選択して前記変調手段(112)に供給する選択手段(124)とを有する構成とすることができる。
前記デジタル信号処理装置において、
前記アナログ信号は、電池の充放電電流であり、
前記メモリ(114)には、前記充放電電流を積算して電池残量を算出する残量算出プログラム(142)が記憶されており、
前記CPU(113)は、前記メモリ(114)に記憶された前記残量算出プログラム(142)に基づいて前記充放電電流のパルスコード変調データを積算し電池残量を算出する構成とすることができる。
前記デジタル信号処理装置において、
前記変調手段(112)は、シグマ・デルタ変調器で構成とすることができる。
前記デジタル信号処理装置において、
前記検出手段(111)と前記変調手段(112)と前記メモリ(114)と前記CPU(113)は、同一の半導体集積回路装置に搭載される構成とすることができる。
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。
本発明によれば、簡単な構成でアナログ信号をデジタルデータに変換してデジタル処理が行うことができる。
図1は、本発明のデジタル信号処理装置の一実施形態のブロック構成図を示す。本実施形態は本発明のデジタル信号処理装置を電池残量検出回路101に適用したものについて説明を行う。
同図中、電池残量検出回路101は、例えば、単一の半導体基板上に形成されており、検出部111、シグマ・デルタ変調器112、CPU113、メモリ114、レギュレータ115、通信回路116を含む構成とされている。
検出部111は、電圧検出部121、温度検出部122、電流検出部123、マルチプレクサ124を含む構成とされている。
電圧検出部121は、リチウムイオン電池102の両端に接続されており、電池102の電圧を検出する。電圧検出部121で検出された検出信号は、マルチプレクサ124に供給される。温度検出部122は、周囲温度を検出し、周囲温度に応じた検出信号を生成し、出力する。温度検出部122の検出信号は、マルチプレクサ124に供給される。
電流検出部123は、例えば、差動アンプから構成されており、電池102と端子T−との間に接続された電流検出抵抗Rsの両端に接続されており、電流検出抵抗Rsに流れる電流に応じて電流検出抵抗Rsに発生する電圧を検出し、電池102の充放電電流に応じた検出信号を出力する。
なお、このとき、検出信号は、例えば、電池102に充放電電流が流れていないときに基準電圧V0となり、充電電流が流れているとき基準電圧V0を超える値となり、放電電流が流れているとき基準電圧V0未満の値となって出力される。電流検出部123の検出信号は、マルチプレクサ124に供給される。
マルチプレクサ124は、CPU113からの制御信号に基づいて電圧検出部121の検出信号、温度検出部122の検出信号、電流検出部123の検出信号のいずれかを選択して、シグマ・デルタ変調器112に供給する。
シグマ・デルタ変調器112はマルチプレクサ124からのアナログ信号をPDM(パルス密度変調)つまり1ビットデジタル変調してCPU113に供給する。
CPU113は、メモリ114に記憶されているデジタルフィルタ処理プログラムを実行してPDM信号を多ビットのデジタル値つまりPCM(パルスコード変調)データに変換する。更に、残量算出プログラム処理を実行して電池102の残量を算出する。なお、本明細書で言うCPUにはマイクロプロセッサ等のプロセッサも含むものとする。
通信回路116は、CPU113が算出した電池残量を外部回路に対して送信する。レギュレータ115は、電池102から電源を得て、電池残量回路101で必要となる電源電圧を生成し、電池残量検出回路101の各部に供給する。
<シグマ・デルタ変調器の構成>
図2は、シグマ・デルタ変調器112のブロック構成図を示す。同図中、シグマ・デルタ変調器112は、減算器131、積分器132、比較器133、遅延回路134、1ビットD/A変換器135から構成されている。
減算器131は、入力端子Tinにマルチプレクサ124から供給されたアナログ信号から1ビットD/A変換器135の出力を減算して差分を得る。減算器131の出力する差分信号は、積分器132に供給される。
積分器132は、減算器131から供給された差分信号を積分する。積分器132の出力する積分信号は、比較器133に供給される。
比較器133は、積分器132から供給される積分信号と内部に設定された基準電圧V0とを比較して、例えば、積分信号が基準電圧より大きければ、ハイレベルとなり、積分されたアナログ信号が基準電圧より小さければ、ローレベルとなる信号を出力する。
比較器133の出力信号は、出力端子Toutから出力されると共に、遅延回路134に供給される。遅延回路134は、比較器133の出力信号を1サンプリング期間だけ遅延させて出力する。
遅延回路134で遅延された信号は、1ビットD/A変換器135に供給される。1ビットD/A変換器135は、遅延回路134からの信号を1ビットD/A変換して減算器131に供給する。
シグマ・デルタ変調器112の出力端子Toutからはマルチプレクサ124からのアナログ信号をPDM(パルス密度変調)つまり1ビットデジタル変調した信号が出力される。
このシグマ・デルタ変調器112の出力端子Toutから出力されるPDM信号は、CPU113に供給される。CPU113は、メモリ114に記憶されたプログラムに基づいて処理を実行する。
<メモリのデータ構成>
メモリ114は、2Kバイト程度の比較的小さい記憶容量のROMとRAMなどの記憶媒体から構成されており、ROMにはCPU113で実行されるプログラムが記憶されている。メモリ114内のROMには、図3のデータ構成図に示すように、デジタルフィルタ処理プログラム141及び残量算出プログラム142が記憶されている。RAMはCPU113が実行する際の作業領域等に使用される。
デジタルフィルタ処理プログラム141は、例えば、シグマ・デルタ変調器112からのPDM信号に対してデジタルフィルタ処理を行い、シグマ・デルタ変調器112の出力するPDM信号を多ビットのデジタル値つまりPCMデータに変換する処理を行うプログラムであり、例えば、デシメーションフィルタ処理を実行するプログラムである。
デシメーションフィルタ処理は、CIC(Cascaded Integrated Combinatorial)フィルタ処理と、FIR(Finite Impulse Response)フィルタ処理から構成される。なお、FIRフィルタ処理の代りにIIR(Infinite Impulse Response)フィルタ処理を用いても良い。
残量算出プログラム142は、デジタルフィルタ処理プログラム141で変換されたPCMデータを積算することにより、電池102の残量を算出する処理を行い、算出された残量をメモリ114に記憶する。
<CPUの処理>
次にCPU113での処理について説明する。図4は、CPU113が実行する処理のフローチャートを示す。CPU113は、消費電力を低減するために内蔵の割込タイマにより間欠的に処理を実行している。
CPU113は、ステップS1−1でタイマ割込があると、ステップS1−2でシグマ・デルタ変調器112からPDM信号を取り込む。なお、CPU113は例えばPDM信号の8ビット列に相当する所定期間(例えば1msec程度)毎にタイマ割込を発生する。
次にCPU113は、ステップS1−2でシグマ・デルタ変調器112から取り込んだPDM信号に対してデジタルフィルタ処理プログラム141を実行する。これによって、シグマ・デルタ変調器112から取り込んだPDM信号が多ビットのデジタル値つまりPCMデータに変換される。
なお、このとき、CPU113は、マルチプレクサ124を制御して、電圧検出部121、温度検出部122、電流検出部123からのアナログ検出信号に基づくPDM信号を順次取り込んで、デジタルフィルタ処理プログラム141によって順次PCMデータに変換して、メモリ114に記憶する。
次にCPU113は、ステップS1−4で残量算出プログラム142を実行してPCMデータに変換した電圧値、温度、電流値に基づいて電池102の残量を算出する。例えば、電流値を積算することにより、電池残量を算出している。このとき、電圧値及び温度により補正を行っている。
<デシメーションフィルタ処理>
デシメーションフィルタ処理について説明する。図5はハードウェア構成のデシメーションフィルタの一実施形態のブロック構成図を示す。デシメーションフィルタは、CICフィルタ部151とFIRフィルタ部152から構成されている。
CICフィルタ部151は、縦続接続された3段の積分回路153,154,155と、デシメーション回路156と、縦続接続された3段の微分回路157,158,159から構成されている。
積分回路153〜155それぞれは、入力データと遅延素子162の出力データを加算する加算器161と、加算器161の出力データを1サンプリング期間だけ遅延して加算器161に供給する遅延素子162から構成される。微分回路157〜159それぞれは、入力データを1サンプリング期間だけ遅延する遅延素子163と、入力データから遅延素子163の出力データを減算する減算器164と、減算器164の出力データをNで除算する除算器165から構成される。
デシメーション回路156は、積分回路155の出力データをNサンプリング期間に1回取り出すことでデータの間引きを行い、取り出したPCMデータを微分回路157に供給する。
端子175に供給されたPDM信号は積分回路153〜155で積分されてPCMデータとされた後、デシメーション回路156でN:1のデシメーションを行われ、更に微分回路157〜159で微分されてPCMデータとして出力される。
FIRフィルタ部152は、縦続接続されたi段の遅延素子171〜171iと、i段の遅延素子171それぞれの出力するPCMデータに係数A〜Aiそれぞれを乗算する乗算器172〜172iと、乗算器172〜172iそれぞれの出力を加算する加算器173と、デシメーション回路174から構成されている。
積分回路155の出力するPCMデータは遅延素子171〜171iで順次遅延され、乗算器172〜172iで係数A〜Aiそれぞれを乗算された後、加算器173で総和が取られる。加算器173の出力するPCMデータはデシメーション回路174でMサンプリング期間に1回取り出すことでデータの間引きを行われ(M:1のデシメーション)、デジタルフィルタ処理されて端子176から出力される。
CPU113が実行するデジタルフィルタ処理プログラム141は、図5に示すハードウェア構成のデシメーションフィルタと同様の処理をソフトウェアによって実現したものである。
図6は、ステップS1−2でCPU113が実行するデジタルフィルタ処理の詳細なフローチャートを示す。同図中、CPU113は、ステップS2−1で例えば8ビット列のPDM信号をメモリ114から読み出して積分回路153〜155と同等の積分処理を行う。次に、ステップS2−2でN:1のデシメーション処理を行い、ステップS2−3で微分回路157〜159と同等の微分処理を行って、得られたPCMデータをメモリ114に書き込む。
更にCPU113は、ステップS2−4でメモリ114からi個のPCMデータ及び予めメモリ114に書き込まれているi個の係数A〜Aiを順次読み出して、乗算器172〜172iと同等の乗算処理を行う。次に、ステップS2−5で加算器173と同等の加算処理を行い、更にステップS2−6でM:1のデシメーション処理を行って、得られたPCMデータをメモリ114に書き込む。
図7は、本発明の一実施形態の動作説明図を示す。同図中、時刻t11、t12、t13はタイマ割込のタイミングを示している。時刻t11、t12、t13でタイマ割込があると、CPU113は、ステップS1−2でシグマ・デルタ変調器112からPDM信号を取り込み、ステップS1−3でデジタルフィルタ処理プログラム141に応じた処理を実行することにより電圧検出部121、温度検出部122、電流検出部123で取得されたアナログ信号をPCMデータに変換する。
CPU113は、ステップS1−3で取得したPCMデータに基づいて電池102の残量を算出する。算出された電池残量はメモリ114に記憶される。メモリ114に記憶された電池残量は、外部回路からの要求に基づいて呼び出され、通信回路116を介して外部回路に送信される。
本実施形態によれば、シグマ・デルタ変調器112でアナログ信号をPDM信号とし、このPDM信号をCPU113でデジタルフィルタ処理することによってPCMデータに変換しているので、構成が複雑なAD変換器を簡単な構成のシグマ・デルタ変調器112に置き換えることができ、更にCPU113で電池の残量算出処理を行うことができる。これは、CPU113における残量算出処理の負荷が軽微であり、デジタルフィルタ処理を十分に実行できることから実現できたものである。
なお、本実施形態では、検出部111、シグマ・デルタ変調器112、CPU113、メモリ114を同一の半導体チップ上に搭載しているが、検出部111及びシグマ・デルタ変調器112のアナログ回路と、CPU113及びメモリ114のデジタル回路とを別々の半導体チップとしてもよい。更に、検出部111を1チップの半導体装置で構成し、シグマ・デルタ変調器112及びCPU113並びにメモリ114を同一の半導体装置に搭載するようにしてもよい。また、CPU113及びメモリ114を電池パックの外部に設けるようにしてもよい。本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変形例が可能である。
本発明のデジタル信号処理装置の一実施形態のブロック構成図である。 シグマ・デルタ変調器のブロック構成図である。 メモリのデータ構成図である。 CPUが実行する処理のフローチャートである。 ハードウェア構成のデシメーションフィルタの一実施形態のブロック構成図である。 ステップS1−2のデジタルフィルタ処理の詳細なフローチャートである。 本発明の一実施形態の動作説明図である。
符号の説明
101 電池残量検出回路
111 検出部
112 デルタシグマ変調器
113 CPU
114 メモリ
115 レギュレータ
116 通信回路
121 電圧検出部
122 温度検出部
123 電流検出部
124 マルチプレクサ
131 減算器
132 積分器
133 比較器
134 遅延回路
135 1ビットD/A変換器
141 残量算出プログラム
142 デジタルフィルタ処理プログラム
151 CICフィルタ部
152 FIRフィルタ部
153,154,155 積分回路
156,174 デシメーション回路
157,158,159 微分回路
171〜171i 遅延素子
172〜172i 乗算器
173 加算器

Claims (7)

  1. アナログ信号をパルス密度変調してパルス密度変調信号を出力する変調手段と、
    前記パルス密度変調信号をパルスコード変調データに変換する変換プログラムが記憶されたメモリと、
    前記変調手段から前記パルス密度変調信号を供給され、前記メモリに記憶された前記変換プログラムに基づいて前記パルス密度変調信号をデジタル信号であるパルスコード変調データに変換するCPUとを有し、
    前記アナログ信号をデジタル信号に変換してデジタル処理することを特徴とするデジタル信号処理装置。
  2. 請求項1記載のデジタル信号処理装置において、
    前記CPUは、間欠的に前記変換プログラムを起動して、前記変調手段から前記パルス密度変調信号を取り込み前記パルスコード変調データに変換することを特徴とするデジタル信号処理装置。
  3. 請求項2記載のデジタル信号処理装置において、
    前記アナログ信号を検出して前記変調手段に供給する検出手段を
    有することを特徴とするデジタル信号処理装置。
  4. 請求項3記載のデジタル信号処理装置において、
    前記検出手段は、電池電圧を検出する電圧検出手段と、
    電池の充放電電流を検出する電流検出手段と、
    温度を検出する温度検出手段と、
    前記電圧検出手段と前記電流検出手段と前記温度検出手段のいずれか1つが出力するアナログ信号を選択して前記変調手段に供給する選択手段と
    を有することを特徴とするデジタル信号処理装置。
  5. 請求項2乃至4のいずれか1項記載のデジタル信号処理装置において、
    前記アナログ信号は、電池の充放電電流であり、
    前記メモリには、前記充放電電流を積算して電池残量を算出する残量算出プログラムが記憶されており、
    前記CPUは、前記メモリに記憶された前記残量算出プログラムに基づいて前記充放電電流のパルスコード変調データを積算し電池残量を算出することを特徴とするデジタル信号処理装置。
  6. 請求項2乃至5のいずれか1項記載のデジタル信号処理装置において、
    前記変調手段は、シグマ・デルタ変調器であることを特徴とするデジタル信号処理装置。
  7. 請求項3乃至6のいずれか1項記載のデジタル信号処理装置において、
    前記検出手段と前記変調手段と前記メモリと前記CPUは、同一の半導体集積回路装置に搭載されていることを特徴とするデジタル信号処理装置。
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